JP2010171955A - 複合基板の製造方法及び複合基板 - Google Patents

Abstract

【課題】圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、その圧電基板の表面を研磨砥粒で処理する際の圧電基板の縁の部分の欠けの発生を抑制する。
【解決手段】支持基板と圧電基板とを用意する。次に、支持基板の表面と圧電基板の裏面とを有機接着層を介して貼り合わせて貼り合わせ基板を形成する。続いて、貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、圧電基板の外周面と有機接着層の外周面と支持基板のうち有機接着層側の外周面とが同一面上になるように研削する。続いて、圧電基板の表面を研磨することにより、この圧電基板の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する。
【選択図】図４

Description

本発明は、複合基板の製造方法及び複合基板に関する。

従来、支持基板と圧電基板とを貼り合わせた複合基板に、電極を設けて弾性波素子を作製することが知られている。ここで、弾性波素子は、例えば、携帯電話などの通信機器におけるバンドパスフィルタとして使用されている。また、複合基板は、圧電基板としてニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウム、支持基板としてシリコンや石英などを用いたものが知られている（特許文献１参照）。

特開２００６−３１９６７９号公報

ところで、こうした複合基板は、圧電基板と支持基板とを用意し、これらの基板を有機接着層を挟んで貼り合わせた後、圧電基板の厚みを薄くすることにより製造することが多い。ここで、ハンドリング時に基板の角の部分が何かに当たって割れることがあるため、圧電基板には、通常は、面取り加工が施されている。また、圧電基板の厚みを薄くするときには、圧電基板の表面と研磨定盤との間に研磨砥粒を介在させ、圧電基板の表面を研磨定盤により研磨することが行われる。しかし、このような製造方法では、圧電基板と支持基板とを貼り合わせると、面取りされている圧電基板の縁の部分まで有機接着層が充分になく、また面取りにより圧電基板と支持基板との距離が離れるため、圧電基板の縁の部分は支持基板と接着されていない状態となる。そして、この状態で圧電基板の表面を研磨定盤により研磨すると、その縁の部分を起点とする欠けが多く発生するという問題があった。

本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、その圧電基板の表面を研磨砥粒で処理する際の圧電基板の縁の部分の欠けの発生を抑制することを主目的とする。

本発明は、上述の目的を達成するために以下の手段を採った。

本発明の複合基板の製造方法は、
（ａ）支持基板と、角が面取りされた圧電基板とを用意する工程と、
（ｂ）前記支持基板の表面と前記圧電基板の裏面とを有機接着層を介して貼り合わせて貼り合わせ基板を形成する工程と、
（ｃ）前記貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、前記圧電基板の面取り部分がなくなり、且つ該圧電基板の外周面と前記有機接着層の外周面と前記支持基板のうち前記有機接着層側の外周面とが同一面上になるように研削する工程と、
（ｄ）前記圧電基板の表面と研磨定盤との間に研磨砥粒を介在させて、該圧電基板の表面を該研磨定盤により研磨することにより該圧電基板の厚みを薄くすると共に該圧電基板の表面を鏡面研磨する工程と、
を含み、
前記工程（ｃ）では、前記貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、前記支持基板の当初の外径が維持されるように研削する、
ものである。

本発明の複合基板は、
支持基板と、
圧電基板と、
前記圧電基板と前記支持基板とを接着する有機接着層と、
を備え、
前記圧電基板の外周面と前記有機接着層の外周面と前記支持基板のうち前記有機接着層側の外周面とが同一面上にあり、
前記支持基板は、前記有機接着層側の外周面の外径よりも大きい外径を持つ、
ものである。

本発明の複合基板の製造方法によれば、工程（ｄ）の実施時には、圧電基板の外周面は面取り部分がなくなり、且つ、有機接着層の外周面と同一面上になっている。このため、圧電基板の縁は有機接着層を介して支持基板と接着された状態となり、面取りなどによって圧電基板の縁が支持基板と接着されていない状態となっているものに比して欠けが発生しにくい。したがって、圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、その圧電基板の表面を研磨砥粒で処理する際の圧電基板の縁の部分の欠けの発生を抑制することができる。この理由は、圧電基板の縁が支持基板と接着されていない場合には、圧電基板の表面を研磨するとその縁の部分がシャープエッジとなって、研磨時の圧電基板の厚み方向に働く力により欠けやすいのに対し、圧電基板の縁が支持基板と接着されている場合には、そのような欠けが生じにくいためと考えられる。また、本発明の複合基板の製造方法によれば、工程（ｃ）の実施後には圧電基板の外周面と有機接着層の外周面と支持基板のうち有機接着層側の外周面とが同一面上になっている。これにより、圧電基板の外周面より外側には確実に有機接着層が存在しないこととなり、工程（ｄ）で圧電基板の表面を研磨する際に有機接着層が剥がれてゴミとなり圧電基板の表面に付着したり表面の仕上げに悪影響を及ぼしたりすることを防止できる。さらに、本発明の複合基板の製造方法によれば、工程（ｃ）では、貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、支持基板の当初の外径が維持されるように研削するため、工程（ｃ）の前後で同じ外径の規格に則った装置や治具等を利用することができる。

本発明の複合基板の製造方法で製造した複合基板の断面図である。 本発明の複合基板の製造方法で製造した複合基板の部分断面図である。 本発明の複合基板の製造方法で製造した複合基板の部分断面図である。 複合基板の製造プロセスを模式的に示す断面図である。 面取り部分を説明する部分断面図である。 研削機構２０の構成の概略を示す説明図である。 貼り合わせ基板１６の外周面を研削するときの砥石車２４の移動の様子を表すＡ−Ａ’部分断面図である。 実施例のＬＴ基板の縁の欠けの様子を表すスケッチ図である。 比較例のＬＴ基板の縁の欠けの様子を表すスケッチ図である。 比較例の貼り合わせ基板１６の外周面研削後の様子を示す断面図である。

本発明の複合基板の製造方法において、工程（ａ）では、支持基板と、弾性波を伝搬可能で角が面取りされた圧電基板とを用意する。ここで、圧電基板としては、弾性波（特に、弾性表面波）を伝搬可能な基板が挙げられ、この圧電基板の材質としては、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶などが挙げられる。この圧電基板の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚さが１５０〜５００μｍである。また、圧電基板は、角が予め面取りされているため、圧電基板を運ぶときに角が何かに当たったとしても欠けにくい。ここで、面取りとは、２つの面の交差部分（陵）が所定の角度の面でカットされたＣ面取りであってもよいし、陵が所定の曲率半径となるようにカットされたＲ面取りであってもよい。なお、圧電基板の裏面には、例えば、厚さが０．１〜５μｍの金属や二酸化ケイ素の層が設けられていてもよい。また、支持基板の材質としては、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、スピネル、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶などが挙げられる。この支持基板の大きさは、特に限定するものではないが、例えば、直径が５０〜１５０ｍｍ、厚さが１５０〜５００μｍである。支持基板も、角が予め面取りされていてもよい。

本発明の複合基板の製造方法において、工程（ｂ）では、支持基板の表面と圧電基板の裏面とを有機接着層を介して貼り合わせて貼り合わせ基板を形成する。例えば、支持基板の表面及び圧電基板の裏面の一方又は両方に有機接着剤を均一に塗布し、両者を重ね合わせた状態で有機接着剤を固化させることにより貼り合わせ基板を形成する。ここで、有機接着剤を塗布する方法としては、例えば、スピンコートや印刷が挙げられる。有機接着剤としては、エポキシ系接着剤やアクリル系接着剤が挙げられる。また、工程（ａ）で圧電基板よりも熱膨張係数の小さい支持基板を用意した場合には、加熱して形成された有機接着層の厚さは０．１〜１．０μｍとするのが好ましい。このような場合としては、例えば、圧電基板が、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム及びニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶からなる群より選ばれた材質からなり、支持基板が、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラス及び石英ガラスからなる群より選ばれた材質からなる場合が挙げられる。こうすれば、最終的に製造された複合基板を用いて弾性表面波素子を作製したときに、温度変化に対する周波数特性の変化の比較的抑えられた素子を作製することができる。有機接着層の厚さが１．０μｍを超えると圧電基板と支持基板との熱膨張係数の差がこの有機接着層に吸収され、温度変化に対する周波数特性の変化を抑える効果が得られないため好ましくない。また、有機接着層の厚さが、０．１μｍ未満になるとボイドの影響で、温度変化に対する周波数特性の変化を抑える効果が得られないため好ましくない。

本発明の複合基板の製造方法において、工程（ｃ）では、貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、圧電基板の面取り部分がなくなり且つ該圧電基板の外周面と有機接着層の外周面と支持基板のうち有機接着層側の外周面とが同一面上になるように研削する。また、工程（ｃ）では、貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、支持基板の当初の外径が維持されるように研削する。貼り合わせ基板の外周面を研削する研削装置としては、例えば、自転する貼り合わせ基板の外周面に同じく自転する砥石車の砥石を接触させて研削する装置、自転する貼り合わせ基板の外周面を回転していない砥石に接触させて研削する装置、自転すると共に貼り合わせ基板の周りを公転する砥石車の砥石を貼り合わせ基板の外周面に接触させて研削する装置などが挙げられる。この工程（ｃ）では、支持基板の少なくとも一部が研削され且つ圧電基板の外周面と有機接着層の外周面と支持基板のうち有機接着層側の外周面とが同一面上になるように貼り合わせ基板が研削される。これにより、圧電基板の外周面より外側に位置する有機接着層を確実に除去することができる。その結果、以降の工程において、有機接着層が剥がれてゴミとなり、圧電基板の表面に付着したり圧電基板の表面の仕上げに悪影響を及ぼしたりすることを防止することができる。また、貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、支持基板の当初の外径が維持されるように研削することで、工程（ｃ）を実施する前後で、同じ外径の規格に則った装置や治具等を利用することができる。

本発明の複合基板の製造方法において、工程（ｄ）では、圧電基板の表面と研磨定盤との間に研磨砥粒を介在させて、該圧電基板の表面を該研磨定盤により研磨することにより該圧電基板の厚みを薄くすると共に該圧電基板の表面を鏡面研磨する。工程（ｄ）で使用する装置としては、一般的な研磨機が挙げられる。例えば、貼り合わせ基板の片面を研磨する研磨機では、まず、プレッシャープレートと研磨定盤との間に研磨対象の貼り合わせ基板を加圧して挟み込み、貼り合わせ基板と研磨定盤との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給しながらプレッシャープレートに自転運動を与えることによって、圧電基板を薄くする。続いて、研磨定盤を表面にパッドが貼られたものとすると共に研磨砥粒を番手の高いものへと変更し、プレッシャープレートに自転運動及び公転運動を与えることによって、圧電基板の表面を鏡面研磨する。工程（ｃ）において圧電基板の面取り部分がなくなり且つ圧電基板の外周面と有機接着層の外周面とが同一面上になるように貼り合わせ基板の外周面が研削されているため、この工程（ｄ）に供される貼り合わせ基板は、圧電基板の縁の部分が有機接着層を介して支持基板と接着された状態となっている。そのため、圧電基板の表面を研磨砥粒で処理する際に、この縁の部分が支持基板と接着されていないもの（例えば、工程（ｃ）を実施する前の貼り合わせ基板）に比して、圧電基板の縁の部分の欠けが発生しにくい。

上述した複合基板の製造方法によって製造された複合基板の具体例の断面を図１に示す。図中、点線で囲まれた部分は工程（ｃ）で研削した部分を示し、一点鎖線で囲まれた部分は工程（ｄ）で研磨により除去された部分を示す。図１は、圧電基板１の外周面と有機接着層４の外周面と支持基板２のうち有機接着層４側の外周面２ａとが同一面上になるように研削したあと圧電基板１を研磨して得られた複合基板７である。なお、図１のかっこ内は工程（ｂ）で得られた貼り合わせ基板６を示す。この図１の複合基板７は、上述した製造方法で製造されるため、圧電基板１の縁の部分の欠けが少ないものである。また、圧電基板１の外周面より外側に有機接着層４が存在しないため、圧電基板１の表面を研磨する際に有機接着層４が剥がれてゴミとなり、圧電基板１の表面に付着したり該表面の仕上げに悪影響が及ぼされていないものである。また、工程（ｃ）の研削後においても支持基板２の当初の外径が維持されているため、工程（ｃ）の研削を実施する前と同じ外径の規格に則った装置や治具等を利用することができるものである。

なお、上述した本発明の複合基板の製造方法において、支持基板２の当初の外径が維持された部分２ｂの有機接着層４側の平面と支持基板２の有機接着層４側の外周面２ａとのなす角θ（図２に示す複合基板の部分断面図を参照）の値は０°超過１８０°未満であればよい。θの値が９０°超過１８０°未満であれば圧電基板１の表面と圧電基板１の外周面とのなす角が鈍角となり面取りと同様の効果が得られるためより好ましい。また、０°超過９０°以下であってもよく、その場合、圧電基板１の表面と圧電基板１の外周面とのなす角に面取り加工を施してもよい。

また、上述した本発明の複合基板の製造方法において、上記の工程（ｃ）では、貼り合わせ基板６の外周面を研削するにあたり、図３の部分断面図に示すように、支持基板２の当初の外径が維持された部分２ｂの有機接着層４側の平面から支持基板２の有機接着層４側の外周面への立ち上がり部分２ｃが曲面になるように研削することが好ましい。支持基板２の当初の外径が維持された部分２ｂの有機接着層４側の平面と支持基板２の有機接着層４側の外周面との交線が存在する場合には、上記の工程（ｃ）において貼り合わせ基板６の外周面を研磨する際に、この交線の部分に応力が加わることで支持基板２に欠けが発生する場合がある。図３のように立ち上がり部分２ｃが曲面となるように研削することで、この交線が存在しなくなり支持基板２の欠けの発生を防止できる。

本発明の複合基板は、支持基板と、圧電基板と、前記圧電基板と前記支持基板とを接着する有機接着層と、を備え、前記圧電基板の外周面と前記有機接着層の外周面と前記支持基板のうち前記有機接着層側の外周面とが同一面上にあり、前記支持基板は、前記有機接着層側の外周面の外径よりも大きい外径を持つものである。こうした複合基板は、例えば上述した複合基板の製造方法によって製造することができる。

［実施例１］
図４は、本実施例の複合基板の製造プロセスを模式的に示す断面図である。まず、圧電基板として、オリエンテーションフラット部（ＯＦ部）を有し、直径が１００ｍｍ、厚さが２５０μｍのタンタル酸リチウム基板（ＬＴ基板）１０を用意した。また、支持基板として、ＯＦ部を有し、直径が１００ｍｍ、厚さが３５０μｍの支持基板としてのシリコン基板１２を用意した（図４（ａ））。ここで、ＬＴ基板１０は、弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である３６°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた。また、ＬＴ基板１０及びシリコン基板１２は、角が面取りされている。図５は、面取り部分を説明する部分断面図である。図示するように、ＬＴ基板１０の外周面から３００μｍ内側の位置から面取りが始まり、この位置での面取りの角度は２０°である。次いで、シリコン基板１２にスピンコートによりエポキシ系接着剤１３を塗布し、ＬＴ基板１０を貼付けて１８０℃に加熱し、有機接着層１４（エポキシ系接着剤１３が固化した層）の厚さが０．３μｍの貼り合わせ基板１６を形成した（図４（ｂ））。

次いで、研削装置を使用して、この貼り合わせ基板１６の外周面を研削した（図４（ｃ））。ここで、使用した研削装置の備える研削機構２０について説明する。図６は、研削機構２０の説明図である。この研削機構２０は、予め高さを調節した砥石車２４を回転させながら水平移動させて、回転保持台２２にシリコン基板１２側を下側にして真空吸着方式で保持され砥石車２４と同じ方向に回転されている貼り合わせ基板１６の外周面に、この砥石車２４の砥石部２８を押し付けて研削する機構である。砥石部２８は、断面が長方形のリング状の部材であり、砥石車本体２６の上部側面に固定されている。本実施例では、シリコン基板１２の表面から１００μｍ下の位置が砥石部２８の下面の位置となるように砥石車２４の高さを調節した。ここで、砥石車２４を水平移動させて貼り合わせ基板１６の外周面を研削する様子を図７に示す。図７は、砥石車２４の水平移動の様子を表すＡ−Ａ’部分断面図である（切断面は図６参照）。図中の点線は、砥石車２４を水平移動させて研削が終了したときの砥石車２４の位置を表している。研削後、図４（ｃ）に示すように、シリコン基板１２は、表面から１００μｍ、外周から１ｍｍ研削されたが、当初の外径は維持された。また、ＬＴ基板１０及び有機接着層１４は、シリコン基板１２の外周から１ｍｍ内側の位置まで研削された。このように、研削後は、ＬＴ基板１０の面取り部分がなくなり且つＬＴ基板１０の外周面と有機接着層１４の外周面とシリコン基板１２のうち有機接着層側の外周面とが同一面上になった。

次いで、研磨機にてＬＴ基板１０の厚さが３０μｍとなるまで研磨した（図４（ｄ））。研磨機としては、以下のように厚みを薄くしたあと鏡面研磨を行うものを用いた。即ち、厚みを薄くするときには、研磨定盤とプレッシャープレートとの間に貼り合わせ基板１６の外周面を研削したもの（研削後基板）を挟み込み、その研削後基板と研磨定盤との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給し、このプレッシャープレートにより研削後基板を定盤面に押し付けながらプレッシャープレートに自転運動を与えて行うものを用いた。続いて、鏡面研磨を行うときには、研磨定盤を表面にパッドが貼られたものとすると共に研磨砥粒を番手の高いものへと変更し、プレッシャープレートに自転運動及び公転運動を与えることによって、圧電基板の表面を鏡面研磨するものを用いた。まず、研削後基板のＬＴ基板の表面を定盤面に押し付け、自転運動の回転速度を１００ｒｐｍ、研磨を継続する時間を６０分として研磨した。続いて、研磨定盤を表面にパッドが貼られたものとすると共に研磨砥粒を番手の高いものへと変更し、研削後基板を定盤面に押し付ける圧力を０．２ＭＰａ、自転運動の回転速度を１００ｒｐｍ、公転運動の回転速度を１００ｒｐｍ、研磨を継続する時間を６０分として鏡面研磨した。

同じ製造工程で、５枚の複合基板を製造したときの、ＬＴ基板１０の縁の欠けの様子を図８に示す。図８は、ＬＴ基板１０の縁の欠けの様子を目視にて確認して作成したスケッチである。図示するように、１〜５枚目の複合基板につき、欠けは見られなかった。

［比較例１］
図４（ｂ）の貼り合わせ基板１６を形成した後、この貼り合わせ基板１６の外周面を研削することなく、ＬＴ基板１０の表面を研磨機で研磨する以外は、実施例１と同様にして複合基板を作製した。同じ製造工程で、５枚の複合基板を製造したときの、ＬＴ基板１０の縁の欠けの様子を図９に示す。図９は、ＬＴ基板１０の縁の欠けの様子を目視にて確認し作成したスケッチである。図中、網掛け部分がＬＴ基板１０の欠けている部分である。図示するように、１〜５枚目の複合基板につき、それぞれ複数箇所に大きな欠けが見られた。

［実施例２］
ＬＴ基板１０が４２°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板である点、シリコン基板１２の厚さが２５０μｍである点、有機接着層１４の厚さが０．６μｍである点、シリコン基板１２の表面から５０μｍ下の位置が砥石部２８の下面の位置となるように砥石車２４の高さを調節して貼り合わせ基板１６の外周面を研削する点以外は、実施例１と同様にして複合基板を１００枚作製した。作成後の複合基板は、１００枚全てにおいてＬＴ基板１０の縁の欠けは見られなかった。

［比較例２］
シリコン基板１２の厚さが２２０μｍである点、貼り合わせ基板１６の外周面を研削することなくＬＴ基板１０の表面を研磨する点以外は、実施例２と同様にして複合基板を５０枚作製した。作成後の複合基板は、５０枚のうち４０枚についてＬＴ基板１０の縁の欠けが見られた。

［実施例３］
支持基板がホウ珪酸ガラスである点以外は、実施例１と同様にして複合基板を１００枚作製した。作製後の複合基板は、１００枚全てにおいてＬＴ基板１０の縁の欠けは見られなかった。

［比較例３］
貼り合わせ基板１６の外周面を研削することなくＬＴ基板１０の表面を研磨する点以外は、実施例３と同様にして複合基板を５０枚作成した。作製後の複合基板は、５０枚のうち３５枚についてＬＴ基板１０の縁の欠けが見られた。

［実施例４］
圧電基板がニオブ酸リチウム基板（６４°ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板）である点以外は、実施例１と同様にして複合基板を５０枚作製した。作成後の複合基板は、５０枚全てにおいてＬＮ基板の縁の欠けは見られなかった。

［比較例４］
貼り合わせ基板１６の外周面を研削することなくＬＮ基板の表面を研磨する点以外は、実施例４と同様にして複合基板を５０枚作製した。作成後の複合基板は、５０枚のうち３０枚についてＬＮ基板の縁の欠けが見られた。

実施例１，２，３，４及び比較例１，２，３，４の結果から、貼り合わせ基板１６の外周面を研削した後に、ＬＴ基板１０及びＬＮ基板を研磨すると、貼り合わせ基板１６の外周面を研削せずにＬＴ基板１０及びＬＮ基板を研磨する場合に比して、この研磨時のＬＴ基板１０及びＬＮ基板の欠けの発生が抑制されることが分かった。

［実施例５］
実施例１と同様の複合基板を１００枚作製した。そして、作製した複合基板のＬＴ基板１０の表面を実体顕微鏡で観察した。その結果、表面に有機接着層１４の付着は見られなかった。

［比較例５］
図４（ｂ）の貼り合わせ基板１６を形成した後、この貼り合わせ基板１６のうちシリコン基板１２の外周面を研削せずにＬＴ基板１０の外周面を外周から１ｍｍ研削して、ＬＴ基板１０の表面を研磨機で研磨する以外は、実施例１と同様にして複合基板を５０枚作製した。そして、作製した複合基板のＬＴ基板１０の表面を実体顕微鏡で観察した。その結果、作製した５０枚全てについて表面に有機接着層１４の一部が付着していた。

実施例５及び比較例５の結果から、貼り合わせ基板１６の外周面を研削する際に、ＬＴ基板１０の外周面と有機接着層１４の外周面とシリコン基板１２のうち有機接着層１４側の外周面とが同一面上になるように研削すると、シリコン基板１２の外周面を研削せずにＬＴ基板１０の外周面を研削する場合に比して、有機接着層１４が剥がれてゴミとなりＬＴ基板１０の表面に付着することを防止できることが分かった。これは、次のような理由によるものと考えられる。すなわち、比較例５では、シリコン基板１２の外周面を研削せずにＬＴ基板１０の外周面を研削している。そのため、有機接着層１４の外周面が一部研削され、研削後のＬＴ基板１０の外周面より外側の領域に有機接着層１４が一部残ってしまう（図１０に示す貼り合わせ基板１６の外周面研削後の断面図を参照。点線で囲まれた部分は研削した部分を示す）。これにより、ＬＴ基板１０の表面を研磨する際に、この一部残った有機接着層１４が剥がれてＬＴ基板１０の表面に付着しているものと考えられる。ＬＴ基板１０の表面にゴミが付着すると、例えばＬＴ基板１０の表面に電極を形成してＳＡＷフィルタを作製する際に歩留まりの低下をもたらすため好ましくない。実施例５では、貼り合わせ基板１６の外周面を研削する際にシリコン基板１２も研削しており、ＬＴ基板１０の外周面よりも外側の有機接着層１４を確実に除去できる。そのため、有機接着層１４が剥がれてＬＴ基板１０の表面に付着することを防止できていると考えられる。

［実施例６］
有機接着層１４の厚さを表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして複合基板を作製した。そして、作製した複合基板に、ＬＴ基板の表面に金属アルミニウム製の入力電極及び出力電極を形成してＳＡＷフィルタを作製し、その熱膨張係数と周波数温度特性とを測定した。その測定結果を表１に示す。ここで、ＬＴ基板のＳＡＷの伝搬方向Ｘの熱膨張係数は１６ｐｐｍ／℃である。また、単結晶シリコン基板のＳＡＷの伝搬方向Ｘの熱膨張係数は３ｐｐｍ／℃である。この表１の結果から明らかなように、有機接着層の厚さを０．１〜１．０μｍとすることで、周波数温度特性（温度特性）が臨界的に著しく向上することが分かった。

１ 圧電基板、２ 支持基板、２ａ 有機接着層側の外周面、２ｂ 当初の外径が維持された部分、２ｃ 立ち上がり部分、４ 有機接着層、６ 貼り合わせ基板、７ 複合基板、１０ タンタル酸リチウム基板（ＬＴ基板）、１２ シリコン基板、１３ 有機接着剤、１４ 有機接着層、１６ 貼り合わせ基板、２０ 研削機構、２２ 回転保持台、２４ 砥石車、２６ 砥石車本体、２８ 砥石部。

Claims (6)

1. （ａ）支持基板と、角が面取りされた圧電基板とを用意する工程と、
   （ｂ）前記支持基板の表面と前記圧電基板の裏面とを有機接着層を介して貼り合わせて貼り合わせ基板を形成する工程と、
   （ｃ）前記貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、前記圧電基板の面取り部分がなくなり、且つ該圧電基板の外周面と前記有機接着層の外周面と前記支持基板のうち前記有機接着層側の外周面とが同一面上になるように研削する工程と、
   （ｄ）前記圧電基板の表面と研磨定盤との間に研磨砥粒を介在させて、該圧電基板の表面を該研磨定盤により研磨することにより該圧電基板の厚みを薄くすると共に該圧電基板の表面を鏡面研磨する工程と、
   を含み、
   前記工程（ｃ）では、前記貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、前記支持基板の当初の外径が維持されるように研削する、
   複合基板の製造方法。
2. 前記工程（ｃ）では、前記貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、前記支持基板の当初の外径が維持された部分の前記有機接着層側の平面から前記有機接着層側の外周面への立ち上がり部分が曲面になるように研削する、
   請求項１に記載の複合基板の製造方法。
3. 前記工程（ａ）では、圧電基板よりも熱膨張係数の小さい支持基板を用意し、
   前記工程（ｂ）では、前記有機接着層の厚さが０．１〜１．０μｍとなるようにする、
   請求項１又は２に記載の複合基板の製造方法。
4. 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム及びニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム、ランガサイト、水晶からなる群より選ばれた材質からなり、
   前記支持基板は、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラス及び石英ガラスからなる群より選ばれた材質からなる、
   請求項３に記載の複合基板の製造方法。
5. 支持基板と、
   圧電基板と、
   前記圧電基板と前記支持基板とを接着する有機接着層と、
   を備え、
   前記圧電基板の外周面と前記有機接着層の外周面と前記支持基板のうち前記有機接着層側の外周面とが同一面上にあり、
   前記支持基板は、前記有機接着層側の外周面の外径よりも大きい外径を持つ、
   複合基板。
6. 前記支持基板は、前記圧電基板よりも熱膨張係数が小さく、
   前記有機接着層は、厚さが０．１〜１．０μｍである、
   請求項５に記載の複合基板。

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