JP2006319292A - 貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置 - Google Patents
貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006319292A JP2006319292A JP2005170083A JP2005170083A JP2006319292A JP 2006319292 A JP2006319292 A JP 2006319292A JP 2005170083 A JP2005170083 A JP 2005170083A JP 2005170083 A JP2005170083 A JP 2005170083A JP 2006319292 A JP2006319292 A JP 2006319292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- bonded
- grindstone
- peripheral edge
- outer peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 title claims abstract description 124
- 238000010030 laminating Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 117
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 79
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 11
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- YDLQKLWVKKFPII-UHFFFAOYSA-N timiperone Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(=O)CCCN1CCC(N2C(NC3=CC=CC=C32)=S)CC1 YDLQKLWVKKFPII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950000809 timiperone Drugs 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】貼合せワーク2の最上部の1枚(シリコンウェーハ1A)の外周エッジ部1aの板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置において、ワーク取付け台4及びその駆動装置と、該貼合せワークの回転面2aに対して回転面15aが略直角になるように研削する砥石15ならびにその駆動装置とを備え、貼合せワーク2を低速回転させながら、砥石15を高速回転させて貼合せワーク2に接触させ、砥石15又は貼合せワーク2のいずれかを接近させて砥石15による切込みを次第に増大させ、貼合せワーク2の最上部の1枚のワークの外周エッジ部1aを基本的にその半径方向の研削により段差加工するようにした。
【選択図】図8
Description
即ち、図5に示すように、貼合せワーク2の最上部、即ち上側の1枚のシリコンウェーハ1Aのみの外周エッジ部1aを幅数mmのリング状に段差加工し、更にこの外周エッジ部1aにエッチング処理を施して、1μm程度まで薄くしてから、その他の部分(中央部分)を研削加工して上側の1枚のシリコンウェーハ1Aのみを最終的に1μm程度まで薄膜加工してSOI基板が完成する。
またこのことは、砥石5の回転方向を逆方向(図21中反時計方向)としても、研削が行われている砥石5と貼合せワーク2の外周エッジ部1aとの間の研削面8は相当広いので、この研削面8に切屑6が相当量常に閉じ込められる点は同様であるので、大差ないものであった。
また図示の実施例では、ワーク取付け台4は、水平配置の横型であるが、これに限定されるものではなく、垂直配置等の縦型であってもよい。
なお、砥石15は、図6及び図7に示す実施例では、貼合せワーク2の完全な半径方向を向けて配設されているが、これはこの方向に限定されるものではなく、図6の位置から時計方向、即ち切削面8における砥石15の動きが貼合せワーク2の回転方向と逆方向とならないような45度の範囲で半径方向に対して傾斜して配設してもよい(図12参照)。
この傾斜角度の範囲を45度に限定したのは、45度を超えてあまり傾斜角度を大きくすると、研削面8の長さが長くなり、それだけ切屑6が研削面8内に止まる時間が長くなり、その結果切屑6の排出効率が低下するためである。
またこの傾斜角度が45度の範囲内であれば、研削面8に切屑6が止まる時間が短く、切屑6の排出効率を高く保つことができ、また砥石15の周速度と、貼合せワーク2の研削面8における周速度との相対運動により決まる相対的な研削方向を、貼合せワーク2の完全な半径方向とすることもでき、研削により研削面8に形成される研削線(砥石15により削られてできる線の集合体の意。以下本明細書において同じ。)が貼合せワーク2の完全な半径方向とすることができるためである。
またこの研削線を貼合せワーク2の半径方向に対して45度傾斜させることも可能となり、従来の経験からこのように各種のワークの半径方向に対して研削線が同一方向又はこれから45度の範囲で傾斜するような研削方法が非常によい結果を得ているからである。
砥石15の45度以内の傾斜は、図11の状態から砥石15を時計方向に45度以内傾斜させるのであって、反時計方向への傾斜ではない。これは砥石15の研削面8における移動方向が貼合せワーク2の移動方向に逆らわない方向とするためである。
そして段差加工が完了すると、図5に示すように、シリコンウェーハ1Aの外周エッジ部1aのみがリング状に薄くなった貼合せワーク2が完成する。本発明では、この外周エッジ部1aの段差残し量t(図16参照)を従来の1/2の50μmまで薄くすることが可能である。なお、シリコンウェーハ1Bには何らの加工も施されない。
砥石15の位置を固定した場合には、ワーク取付け台4が矢印Cの方向に移動して図6に示すように、外周エッジ部1aが砥石15の真下に来るように接近させ、更に矢印Eの如く上昇して、外周エッジ部1aが砥石15に接触すると同時に段差加工の研削が開始される。そして図8に示すように、砥石15の切込みを次第に増して、シリコンウェーハ1Aの外周エッジ部1aのみを砥石15の外周の形状に合わせて円弧状に薄く段差加工して行く。またワーク取付け台4の回転を除く動作を固定した場合には、砥石15の方が矢印Jの如く移動すると共に、矢印Kの如く下降して砥石15が貼合せワーク2に接触する。
切屑6は、砥石15の外周の研削面8における移動が、常にこれを貼合せワーク2の半径方向外側へ向かわせるものであるため、極めて順調に矢印Mの如く外部へ排出され、その排出効率が非常に高く、ほとんど研削面8に残留することがない。
このため、図17に示すように、貼合せワーク2のリング状の段差加工部、即ちシリコンウェーハ1Aの外周エッジ部1aの表面は非常にきれいに仕上がり、従来例に見られた条痕1bや亀裂1cは全く発生せず、またチップや欠けの発生も皆無である。
しかも図16に示す段差残し量tは、従来の限度であった100μmを一挙に1/2にする50μmまで薄くすることが可能である。
即ち、段差加工部の表面のきれいさ及び切屑6の排出効率が最も高い傾斜角度を選定することができ、最良の段差加工を行うことが可能となる。
1A 上側の1枚のシリコンウェーハ
1B 下側の1枚のシリコンウェーハ
1a 外周エッジ部
2 貼合せワーク
2a 回転面
3 半導体酸化膜の一例たるシリコン酸化膜
4 ワーク取付け台
10 貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置
11 砥石の駆動装置
15 砥石
15a 回転面
Claims (7)
- 少なくとも2枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の1枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるように砥石を高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の1枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により段差加工することを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法。
- 少なくとも2枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の1枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ該回転面を該貼合せワークの半径方向から45度以内の角度傾斜させて配設された砥石を高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の1枚のワークの外周エッジ部をその半径方向から45度以内の角度傾斜した方向の研削により段差加工することを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法。
- 少なくとも2枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の1枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ該砥石による研削がダウンカットとなるように砥石を該貼合せワークに対して下向きに高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の1枚の貼合せワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向のダウンカット研削により段差加工することを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法。
- 少なくとも2枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の1枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるように同一の研削加工ができる複数の砥石を同時に高速回転させながら該貼合せワークに複数箇所で接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の1枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により複数箇所を同時に段差加工することを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法。
- 少なくとも2枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の1枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ回転面を該貼合せワークの半径方向から45度以内の角度傾斜させて配設され同一の研削加工ができる複数の砥石を同時に高速回転させながら該貼合せワークに複数箇所で接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の1枚のワークの外周エッジ部をその半径方向から45度以内の角度傾斜した方向の研削により複数箇所を同時に段差加工することを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法。
- 少なくとも2枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の1枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台と、該ワーク取付け台の駆動装置と、該貼合せワークの回転面に対して回転面が略直角になるように研削する砥石と、該砥石の駆動装置とを備え、前記貼合せワークを前記ワーク取付け台及びワーク取付け台の駆動装置により低速回転させながら、前記砥石を前記砥石の駆動装置により高速回転させながら前記貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の1枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により段差加工するように構成したことを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置。
- 少なくとも2枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の1枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台と、該ワーク取付け台の駆動装置と、該貼合せワークの回転面に対して回転面が略直角になるように研削する複数の砥石と、該複数の砥石を同時に駆動する複数の砥石の駆動装置とを備え、前記貼合せワークを前記ワーク取付け台及びワーク取付け台の駆動装置により低速回転させながら、前記複数の砥石を前記複数の砥石の駆動装置により高速回転させながら前記貼合せワークに接触させて該砥石又は前記貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の1枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により複数箇所同時に段差加工するように構成したことを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005170083A JP4892201B2 (ja) | 2005-05-13 | 2005-05-13 | 貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005170083A JP4892201B2 (ja) | 2005-05-13 | 2005-05-13 | 貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006319292A true JP2006319292A (ja) | 2006-11-24 |
JP2006319292A5 JP2006319292A5 (ja) | 2008-06-19 |
JP4892201B2 JP4892201B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=37539657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005170083A Active JP4892201B2 (ja) | 2005-05-13 | 2005-05-13 | 貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4892201B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010171955A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-08-05 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板の製造方法及び複合基板 |
JP2010245254A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2010245253A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014003216A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
CN104551900A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-29 | 盐城工学院 | 碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光机及其操作方法 |
JP2017059586A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
US9925635B2 (en) | 2010-09-30 | 2018-03-27 | Nidek Co., Ltd. | Eyeglass lens processing apparatus |
CN115476255A (zh) * | 2022-08-15 | 2022-12-16 | 河南博鸿新材料有限公司 | 一种金刚石复合材料抛光装置 |
CN115799273A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-03-14 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种绝缘体上硅晶圆及制备方法、半导体装置 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05109678A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Sony Corp | Soi基板の製造方法 |
JPH0745485A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-02-14 | Sumitomo Sitix Corp | 接着半導体基板の製造方法 |
JPH07136913A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-30 | Asahi Glass Co Ltd | 陰極線管ファンネルの面取装置 |
JPH0964321A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-03-07 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | Soi基板の製造方法 |
JPH09123050A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-13 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 半導体ウェ−ハの面取り面の鏡面研磨方法およびその装置 |
JPH09168953A (ja) * | 1995-12-16 | 1997-06-30 | M Tec Kk | 半導体ウェーハのエッジ研摩方法及び装置 |
JPH10209093A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせ基板の作製方法 |
JP2000317789A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り方法及び装置 |
JP2001160542A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ外周部の加工装置 |
JP2001338852A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Nippon Steel Corp | 端部に段差と曲面を有する半導体ウェーハとその加工方法 |
JP2002283201A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2004241658A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Nippei Toyama Corp | 半導体デバイスのエッジ部の研削方法及び研削装置 |
-
2005
- 2005-05-13 JP JP2005170083A patent/JP4892201B2/ja active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05109678A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Sony Corp | Soi基板の製造方法 |
JPH0745485A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-02-14 | Sumitomo Sitix Corp | 接着半導体基板の製造方法 |
JPH07136913A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-30 | Asahi Glass Co Ltd | 陰極線管ファンネルの面取装置 |
JPH0964321A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-03-07 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | Soi基板の製造方法 |
JPH09123050A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-13 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 半導体ウェ−ハの面取り面の鏡面研磨方法およびその装置 |
JPH09168953A (ja) * | 1995-12-16 | 1997-06-30 | M Tec Kk | 半導体ウェーハのエッジ研摩方法及び装置 |
JPH10209093A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせ基板の作製方法 |
JP2000317789A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り方法及び装置 |
JP2001160542A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ外周部の加工装置 |
JP2001338852A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Nippon Steel Corp | 端部に段差と曲面を有する半導体ウェーハとその加工方法 |
JP2002283201A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2004241658A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | Nippei Toyama Corp | 半導体デバイスのエッジ部の研削方法及び研削装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010171955A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-08-05 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板の製造方法及び複合基板 |
JP2010245254A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2010245253A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
US9925635B2 (en) | 2010-09-30 | 2018-03-27 | Nidek Co., Ltd. | Eyeglass lens processing apparatus |
JP2014003216A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
CN104551900A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-29 | 盐城工学院 | 碳化硅晶片斜面磨削、研磨和抛光机及其操作方法 |
JP2017059586A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN115476255A (zh) * | 2022-08-15 | 2022-12-16 | 河南博鸿新材料有限公司 | 一种金刚石复合材料抛光装置 |
CN115476255B (zh) * | 2022-08-15 | 2023-09-22 | 河南博鸿新材料有限公司 | 一种金刚石复合材料抛光装置 |
CN115799273A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-03-14 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种绝缘体上硅晶圆及制备方法、半导体装置 |
CN115799273B (zh) * | 2022-12-21 | 2024-02-09 | 中环领先半导体科技股份有限公司 | 一种绝缘体上硅晶圆及制备方法、半导体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4892201B2 (ja) | 2012-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4892201B2 (ja) | 貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置 | |
US7179721B2 (en) | Method of dividing a non-metal substrate | |
WO2006129485A1 (ja) | 貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハの外周研削装置 | |
US20130023188A1 (en) | Apparatus for Wafer Grinding | |
WO2005070619A1 (ja) | ウエーハの研削方法及びウエーハ | |
TWI804670B (zh) | 半導體裝置的製造方法和製造裝置 | |
JP2008264941A (ja) | 円板形ワークの研磨装置および研磨方法 | |
JP2005028550A (ja) | 結晶方位を有するウエーハの研磨方法 | |
JP2014054713A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN113400101A (zh) | 磨削方法 | |
JP6804209B2 (ja) | 面取り装置及び面取り方法 | |
JP2010205861A (ja) | 積層ウエーハの面取り装置およびそれを用いて積層ウエーハのベベル部、エッジ部を面取り加工する方法 | |
JP2010182839A (ja) | 積層ウエーハのエッジ面取り方法 | |
JP2007221030A (ja) | 基板の加工方法 | |
JP2006294855A (ja) | 半導体ウエハのバックグラインディング加工方法と装置 | |
JP6742772B2 (ja) | 面取り装置及び面取り方法 | |
JP7412161B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5912310B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN111799218A (zh) | 晶片的分割方法 | |
JP7103269B2 (ja) | 貼り合わせウェーハのテラス加工方法 | |
KR100910916B1 (ko) | 실리콘 잉곳의 표면 가공방법 | |
JP7266127B2 (ja) | 面取り装置及び面取り方法 | |
JP3050632B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2001205548A (ja) | 片面研削装置および片面研削方法 | |
JP2024074418A (ja) | 被加工物の研削方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080502 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20091116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111206 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4892201 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |