JP2017059586A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】研削装置のチャックテーブルによるウェーハの吸引保持において、リークの発生を抑制できるウェーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの加工方法は、切削装置のチャックテーブルの保持面でウェーハの裏面を保持する保持ステップと、チャックテーブルに保持されたウェーハの外周余剰領域に回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態でウェーハを回転させ、外周余剰領域を円形に切削し突出した材料を除去する除去ステップと、除去ステップを実施した後、ウェーハと同等の直径の保護テープをデバイス領域及び外周余剰領域を含むウェーハの表面に貼着する貼着ステップと、研削装置のチャックテーブルの保持面で保護テープを介してウェーハを吸引保持し、ウェーハの裏面を研削して薄化する薄化ステップと、を備える。
【選択図】図４

Description

本発明は、ウェーハの加工方法に関する。

デバイスチップの製造工程においては、ウェーハの表面に複数のデバイスが形成され、ウェーハの裏面が研削装置で研削されてウェーハが薄化された後、ウェーハがデバイス毎に分割される。ウェーハの表面において、複数のデバイスが形成されたデバイス領域は、デバイスが形成されていない外周余剰領域に囲繞される。デバイス領域に積層されている材料は、外周余剰領域にも積層される。外周余剰領域に積層されている材料は、デバイス領域に積層されている材料よりも不均一であり、その厚さは正確に制御されていない。そのため、外周余剰領域の表面は、デバイス領域の表面よりも突出している場合がある。

外周余剰領域の表面がデバイス領域の表面よりも突出している状態で、ウェーハの表面に保護テープを貼着してウェーハの裏面を研削装置で研削した場合、外周余剰領域の突出に起因して、ウェーハの外周部が破損する場合がある。この問題に対処するため、ウェーハの裏面を研削する前に、ウェーハの外周部を円形に切削するエッジトリミングが実施される場合がある（特許文献１参照）。

特開２０１２−００９５５０号公報

エッジトリミングにおいては、ウェーハに環状の段差が形成される。ウェーハのエッジトリミングを実施した後、研削装置のチャックテーブルでウェーハを吸引保持した場合、段差に起因して、チャックテーブルの保持面からウェーハの外周部が浮上ってしまう現象が発生する。ウェーハの外周部がチャックテーブルの保持面から浮き上がってしまうと、リークの発生によりウェーハをチャックテーブルで安定して保持することが困難となる。

本発明は、研削装置のチャックテーブルによるウェーハの吸引保持において、リークの発生を抑制できるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。

本発明は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備え、該外周余剰領域は該デバイスを形成する材料が不均一に積層され該デバイス領域よりも突出しているウェーハの加工方法であって、切削装置のチャックテーブルの保持面でウェーハの裏面を保持する保持ステップと、該チャックテーブルに保持されたウェーハの該外周余剰領域に回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態でウェーハを回転させ、該外周余剰領域を円形に切削し突出した該材料を除去する除去ステップと、該除去ステップを実施した後、ウェーハと同等の直径の保護テープを該デバイス領域及び該外周余剰領域を含むウェーハの表面に貼着する貼着ステップと、研削装置のチャックテーブルの保持面で該保護テープを介してウェーハを吸引保持し、ウェーハの裏面を研削して薄化する薄化ステップと、を備えるウェーハの加工方法を提供する。

本発明のウェーハの加工方法において、該除去ステップを実施した後の該外周余剰領域は、該デバイス領域の周縁からウェーハの外周に向かって下降する傾斜領域を備えてもよい。

本発明のウェーハの加工方法によれば、切削ブレードで外周余剰領域を円形に切削し突出した材料を除去することによって、エッジトリミングで形成される段差よりもウェーハの外周部の形状をなだらかにすることができるため、研削装置のチャックテーブルで保護テープを介してウェーハを吸引保持したときにリークの発生を抑制できるという効果を奏する。

図１は、本実施形態に係るウェーハを示す斜視図である。 図２は、本実施形態に係るウェーハを示す側断面図である。 図３は、本実施形態に係るウェーハの一部を拡大した側断面図である。 図４は、本実施形態に係るウェーハの加工方法を示すフローチャートである。 図５は、本実施形態に係る保持ステップを示す図である。 図６は、本実施形態に係る除去ステップを示す図である。 図７は、本実施形態に係る切削装置を示す機能ブロック図である。 図８は、本実施形態に係る除去ステップを実施した後のウェーハの一部を拡大した図である。 図９は、本実施形態に係る貼着ステップを示す図である。 図１０は、本実施形態に係る薄化ステップを示す図である。 図１１は、本実施形態に係る除去ステップを実施した後のウェーハの一部を拡大した図である。 図１２は、本実施形態に係る除去ステップを実施した後のウェーハの一部を拡大した図である。

以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下で説明する実施形態の構成要素は適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。

以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の一方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸及びＹ軸を含むＸＹ平面は、水平面と平行である。ＸＹ平面と直交するＺ軸方向は、鉛直方向である。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係るウェーハ２を示す斜視図である。図２は、本実施形態に係るウェーハ２を示す側断面図である。図１及び図２に示すように、ウェーハ２は、基板２０と、基板２０に設けられた機能層２１とを有する。ウェーハ２は、実質的に円板状の部材であり、表面２Ａと、表面２Ａの逆方向を向く裏面２Ｂとを有する。表面２Ａと裏面２Ｂとは実質的に平行である。本実施形態において、ウェーハ２の直径は８［ｉｎｃｈ］である。なお、ウェーハ２の直径は１２［ｉｎｃｈ］でもよい。

基板２０は、シリコン基板、ガリウムヒ素基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板、及びセラミックス基板の少なくとも一つを含み、表面２０Ａと、表面２０Ａの逆方向を向く裏面２０Ｂとを有する。機能層２１は、デバイス２２を形成する材料の層である。機能層２１は、例えば、ＳｉＯＦ又はＢＳＧ（ＳｉＯＢ）のような無機物系の膜とポリイミド系又はパリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜とからなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）や、デバイスを形成する金属層や、パッシベーション膜層を含む。機能層２１は、基板２０の表面２０Ａに積層される。ウェーハ２の表面２Ａは、機能層２１の表面を含む。ウェーハ２の裏面２Ｂは、基板２０の裏面２０Ｂを含む。

機能層２１は、格子状に形成された分割予定ライン２３によって区画されている。分割予定ライン２３によって区画された複数の領域のそれぞれにデバイス２２が形成される。デバイス２２は、ウェーハ２にマトリクス状に配置される。

ウェーハ２は、複数のデバイス２２が形成されたデバイス領域ＤＡと、デバイス領域ＤＡを囲繞する外周余剰領域ＳＡとを表面２Ａに備える。外周余剰領域ＳＡにデバイス２２は形成されない。ウェーハ２が分割予定ライン２３に沿って分割されることにより、ＩＣ（integrated circuit）又はＬＳＩ（large scale integration）のようなデバイスチップが製造される。

図３は、ウェーハ２の一部を拡大した側断面図であり、図２の部分Ａに相当する。図２及び図３に示すように、機能層２１は、デバイス領域ＤＡ及び外周余剰領域ＳＡのそれぞれに積層される。外周余剰領域ＳＡに積層されている機能層２１は、デバイス領域ＤＡに積層されている機能層２１よりも不均一であり、その厚さは正確に制御されていない。外周余剰領域ＳＡの表面２Ａｓは、デバイス領域ＤＡの表面２Ａｄよりも＋Ｚ方向に突出している。外周余剰領域ＳＡに積層されている機能層２１の表面粗さは、デバイス領域ＤＡに積層されている機能層２１の表面粗さよりも大きい。このように、デバイス２２が形成されないウェーハ２の外周余剰領域ＳＡは、デバイス２２を形成する材料（機能層２１）が不均一に積層され、デバイス領域ＤＡよりも突出している。

以下の説明においては、機能層２１を適宜、材料２１、と称する。

次に、本実施形態に係るウェーハ２の加工方法について説明する。図４は、本実施形態に係るウェーハ２の加工方法を示すフローチャートである。図４に示すように、ウェーハ２の加工方法は、切削装置３のチャックテーブル３１の保持面３１Ｈでウェーハ２の裏面２Ｂを保持する保持ステップ（ＳＰ１）と、チャックテーブル３１に保持されたウェーハ２の外周余剰領域ＳＡに回転する切削ブレード３２を所定量切り込ませた状態でウェーハ２を回転させ、外周余剰領域ＳＡを円形に切削し突出した材料２１を除去する除去ステップ（ＳＰ２）と、除去ステップを実施した後、ウェーハ２と同等の直径の保護テープ６をデバイス領域ＤＡ及び外周余剰領域ＳＡを含むウェーハ２の表面２Ａに貼着する貼着ステップ（ＳＰ３）と、研削装置５のチャックテーブル５１の保持面５１Ｈで保護テープ６を介してウェーハ２を吸引保持し、ウェーハ２の裏面２Ｂを研削して薄化する薄化ステップ（ＳＰ４）と、を備える。

保持ステップ（ＳＰ１）について説明する。図５は、本実施形態に係る保持ステップを示す側断面図である。図５に示すように、切削装置３は、ウェーハ２の裏面２Ｂを保持する保持面３１Ｈを有するチャックテーブル３１を備える。保持面３１Ｈは、ＸＹ平面と実質的に平行である。ウェーハ２は、表面２Ａが上方を向くように、チャックテーブル３１に保持される。

チャックテーブル３１は、ウェーハ２の表面２ＡとＸＹ平面とが平行となるように、ウェーハ２を保持する。チャックテーブル３１は、ＸＹ平面内における保持面３１Ｈの回転中心とウェーハ２の表面２Ａの中心とが一致するように、ウェーハ２を保持する。

チャックテーブル３１は、ウェーハ２を着脱可能に保持する。真空ポンプを含む真空吸引源と流路３１Ｒを介して接続された吸引口が保持面３１Ｈに複数設けられる。チャックテーブル３１の保持面３１Ｈにウェーハ２が載せられた状態で真空吸引源が作動することにより、ウェーハ２は、チャックテーブル３１に吸引保持される。真空吸引源の作動が停止されることにより、ウェーハ２は、チャックテーブル３１から解放される。

次に、除去ステップ（ＳＰ２）について説明する。図６は、本実施形態に係る除去ステップを示す側断面図である。図６に示すように、切削装置３は、切削ユニット３３を有する。切削ユニット３３は、スピンドルハウジング３４と、スピンドルハウジング３４に回転可能に支持される回転スピンドル３５と、回転スピンドル３５の先端部に設けられた固定フランジ３６と、固定フランジ３６に着脱可能に固定される着脱フランジ３７と、着脱フランジ３７を固定フランジ３６に固定するための固定部材３８と、固定フランジ３６と着脱フランジ３７とに挟まれて固定される切削ブレード３２とを有する。

図７は、本実施形態に係る切削装置３の機能ブロック図である。図６及び図７に示すように、切削装置３は、チャックテーブル３１を回転させるテーブル回転駆動装置４４と、チャックテーブル３１を移動させるテーブル駆動装置４５と、切削ブレード３２を回転させるブレード回転駆動装置４６と、切削ブレード３２を移動させるブレード駆動装置４７と、チャックテーブル３１の位置を検出するテーブル位置検出装置４８と、切削ブレード３２の位置を検出するブレード位置検出装置４９と、切削装置３を制御する制御装置４０とを備えている。

チャックテーブル３１は、アクチュエータを含むテーブル回転駆動装置４４によって、チャックテーブル３１の中心軸ＡＸ３１を中心に矢印Ｒ３１で示す方向に回転可能である。中心軸ＡＸ３１は、Ｚ軸と平行である。また、チャックテーブル３１は、アクチュエータを含むテーブル駆動装置４５によって、Ｘ軸方向に移動可能である。チャックテーブル３１のＸ軸方向の位置は、テーブル位置検出装置４８によって検出される。

切削ブレード３２は、アクチュエータを含むブレード回転駆動装置４６により回転スピンドル３５が回転することによって、切削ユニット３３の中心軸ＡＸ３３を中心に矢印Ｒ３３で示す方向に回転可能である。中心軸ＡＸ３３は、Ｘ軸と平行である。また、切削ブレード３２は、アクチュエータを含むブレード駆動装置４７によって、Ｙ軸方向及びＺ軸方向（加工送り方向）に移動可能である。切削ブレード３２のＹ軸方向及びＺ軸方向の位置は、ブレード位置検出装置４９によって検出される。

制御装置４０は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置４１と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを含む記憶装置４２と、入出力インターフェース装置４３とを有する。演算処理装置４１は、記憶装置４２に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、入出力インターフェース装置４３を介して、切削装置３を制御するための制御信号を出力する。

除去ステップにおいて、制御装置４０は、テーブル回転駆動装置４４を駆動してチャックテーブル３１を矢印Ｒ３１で示す方向に回転しつつ、ブレード回転駆動装置４６を駆動して切削ブレード３２を矢印Ｒ３３で示す方向に回転する。制御装置４０は、チャックテーブル３１に保持されたウェーハ２の外周余剰領域ＳＡに切削ブレード３２が接触するように、テーブル位置検出装置４８の検出値及びブレード位置検出装置４９の検出値に基づいてテーブル駆動装置４５及びブレード駆動装置４７を駆動して、ウェーハ２と切削ブレード３２との相対位置を調整する。

回転する切削ブレード３２がウェーハ２の外周余剰領域ＳＡに接触することにより、外周余剰領域ＳＡの突出した材料２１が切削ブレード３２によって切削される。制御装置４０は、Ｚ軸方向における外周余剰領域ＳＡと切削ブレード３２との相対位置を調整して、チャックテーブル３１に保持されたウェーハ２の外周余剰領域ＳＡに、回転する切削ブレード３２を所定量切り込ませる。制御装置４０は、外周余剰領域ＳＡの材料２１の表面が、少なくともデバイス領域ＤＡの材料２１の表面と同一平面内に配置されるように（面一になるように）、切削ブレード３２を切り込ませる。本実施形態においては、制御装置４０は、外周余剰領域ＳＡの材料２１が除去され、基板２０の一部が切削されるように、切削ブレード３２を切り込ませる。制御装置４０は、基板２０の切削量（基板２０が切削されるＺ軸方向の寸法）が基板２０に対して０［μｍ］以上１００［μｍ］以下、望ましくは０［μｍ］以上３０［μｍ］以下となるように、切削ブレード３２を切り込ませる。

制御装置４０は、チャックテーブル３１に保持されたウェーハ２の外周余剰領域ＳＡに回転する切削ブレード３２を所定量切り込ませた状態で、中心軸ＡＸ３１を中心にウェーハ２を少なくとも３６０［°］回転させる。これにより、外周余剰領域ＳＡが円形に切削され、外周余剰領域ＳＡにおいて突出した材料２１が除去される。この際、外周余剰領域ＳＡは、デバイス領域ＤＡの周縁近傍を僅かに残す程度まで殆どの領域を除去するのが望ましい。例えば、デバイス領域ＤＡと外周余剰領域ＳＡとの境界部と、外周余剰領域ＳＡの周縁部との両方を含むように、外周余剰領域ＳＡの全部が除去されてもよい。なお、デバイス領域ＤＡと外周余剰領域ＳＡとの境界部を含む外周余剰領域ＳＡの輪帯状の内側領域が除去され、外周余剰領域ＳＡの周縁部を含み、内側領域を囲む外周余剰領域ＳＡの輪帯状の外側領域が除去されなくてもよい。

図８は、除去ステップが実施された後のウェーハ２の一部を拡大した側断面図である。図８に示すように、除去ステップが実施されることにより、切削ブレード３２の断面形状に応じた断面を有する加工部２４がウェーハ２に形成される。本実施形態においては、回転軸ＡＸ３３を含む断面において、切削ブレード３２は円弧状である。切削ブレード３２の一部を使って外周余剰領域ＳＡが切削されることにより、除去ステップを実施した後の外周余剰領域ＳＡの加工部２４は、デバイス領域ＤＡの周縁からウェーハ２の外周に向かって下降する傾斜領域を備える。

図８において、Ｚ軸方向におけるデバイス領域ＤＡの周縁側の基板２０の表面２０Ａにおける加工部２４の位置Ｐａは、外周余剰領域ＳＡの外周側の基板２０の側面における加工部２４の位置Ｐｂよりも高い。なお、位置Ｐａが位置Ｐｂよりも高いとは、ウェーハ２の表面２Ａと直交するＺ軸方向において、位置Ｐａが位置Ｐｂよりも＋Ｚ方向（上方向）に配置されていることをいう。本実施形態においては、外周余剰領域ＳＡの全部の領域が切削ブレード３２によって加工され、加工部２４となる。位置Ｐａは、デバイス領域ＤＡと外周余剰領域ＳＡとの境界部、又は基板２０の中心に対して境界部よりも僅かに外側の部位である。なお、基板２０の中心に対する放射方向における外周余剰領域ＳＡの寸法をＲａとした場合、境界部よりも僅かに外側の部位とは、放射方向における境界部からの距離が寸法Ｒａの１０［％］以下の部位をいう。位置Ｐｂは、外周余剰領域ＳＡの周縁部である。デバイス領域ＤＡと外周余剰領域ＳＡとの境界部又は境界部よりも僅かに外側の部位と、外周余剰領域ＳＡの周縁部との両方を含むように、外周余剰領域ＳＡの全部の領域が切削ブレード３２によって加工される。Ｚ軸方向における位置Ｐａと位置Ｐｂとの距離をＨ２４としたとき、Ｈ２４が０［μｍ］以上１００［μｍ］以下、望ましくは０［μｍ］以上３０［μｍ］以下となるように、加工部２４が形成される。

なお、Ｚ軸方向における表面２０Ａと裏面２０Ｂとの距離（基板２０の厚さ）をＨ２０としたとき、Ｈ２０は、例えば７７５［μｍ］である。

次に、貼着ステップ（ＳＰ３）について説明する。図９は、本実施形態に係る貼着ステップを示す側断面図である。図９に示すように、デバイス２２を保護するための保護テーブ６がウェーハ２の表面２Ａに貼着される。保護テーブ６は、シート状の部材である。保護テーブ６の外形の大きさと、ウェーハ２の外形の大きさとは実質的に等しい。デバイス領域ＤＡ及び外周余剰領域ＳＡを含むウェーハ２の表面２Ａの全域が保護テーブ６で覆われる。保護テーブ６により、ウェーハ２の表面２Ａに設けられているデバイス２２が保護される。

保護テーブ６は、基材フィルムと、基材フィルムに積層された粘着材層とを有する。粘着材層によって、保護テーブ６はウェーハ２の表面２Ａに貼着され、ウェーハ２の表面２Ａの全域が保護テーブ６によって覆われる。基材フィルムは弾性を有する材料である。

次に、薄化ステップ（ＳＰ４）について説明する。図１０は、本実施形態に係る薄化ステップを示す図である。図１０に示すように、研削装置５によってウェーハ２が薄化される。研削装置５は、保護テーブ６を介してウェーハ２を保持するチャックテーブル５１と、チャックテーブル５１に保持されたウェーハ２を研削する研削ユニット５２とを備える。

チャックテーブル５１は、保護テーブ６を保持する保持面５１Ｈを有する。保持面５１Ｈは、ＸＹ平面と実質的に平行である。チャックテーブル５１は、保護テーブ６を介して、ウェーハ２を保持する。ウェーハ２は、裏面２Ｂが上方を向くように、保護テープ６を介してチャックテーブル５１に保持される。

チャックテーブル５１は、ウェーハ２の裏面２ＢとＸＹ平面とが平行となるように、保護テープ６を介してウェーハ２を保持する。また、チャックテーブル５１は、ＸＹ平面内における保持面５１Ｈの回転中心とウェーハ２の裏面２Ｂの中心とが一致するように、ウェーハ２を保持する。

チャックテーブル５１は、保護テープ６及びウェーハ２を着脱可能に保持する。真空ポンプを含む真空吸引源と流路５１Ｒを介して接続された吸引口が保持面５１Ｈに複数設けられる。チャックテーブル５１の保持面５１Ｈに保護テープ６及びウェーハ２が載せられた状態で真空吸引源が作動することにより、ウェーハ２は、保護テープ６を介して、チャックテーブル５１に吸引保持される。真空吸引源の作動が停止されることにより、ウェーハ２及び保護テープ６は、チャックテーブル５１から解放される。

チャックテーブル５１は、アクチュエータを含む回転駆動機構によって、チャックテーブル５１の中心軸ＡＸ５１を中心に矢印Ｒ５１で示す方向に回転可能である。

研削ユニット５２は、スピンドルハウジング５２１と、スピンドルハウジング５２１に回転可能に支持される回転スピンドル５２２と、回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、マウンター５２３の下面に設けられた研削ホイール５２４とを有する。研削ホイール５２４は、円環状の基台５２５と、基台５２５の下面に環状に設けられた研削砥石５２６とを有する。基台５２５は、マウンター５２３の下面に締結ボルトによって固定される。研削ホイール５２４は、アクチュエータを含む回転駆動機構により回転スピンドル５２２が回転することによって、研削ユニット５２の中心軸ＡＸ５２を中心に矢印Ｒ５２で示す方向に回転可能である。

薄化ステップにおいては、ウェーハ２が保護テープ６を介してチャックテーブル５１に吸引保持された後、チャックテーブル５１が矢印Ｒ５１で示す方向に回転されつつ、研削ユニット５２の研削ホイール５２４が矢印Ｒ５２で示す方向に回転される。チャックテーブル５１及び研削ホイール５２４が回転している状態で、研削砥石５２６とウェーハ２の裏面２Ｂとが接触される。矢印Ｆ５２で示すように、研削ホイール５２４が下方に研削送りされることにより、ウェーハ２の裏面２Ｂが研削される。

ウェーハ２の裏面２Ｂが研削されることにより、基板２０の厚みが薄くなり、ウェーハ２が薄化される。研削装置５は、ウェーハ２の厚さが目標厚さになるように、ウェーハ２の裏面２Ｂを研削する。

薄化ステップが終了した後、ウェーハ２の裏面２Ｂにダイシングテープが貼着され、ウェーハ２の表面２Ａから保護テープ６が除去される。ウェーハ２の裏面２Ｂにダイシングテープが貼着された状態で、分割予定ライン２３に沿ってウェーハ２が分割される。例えば、ウェーハ２に対して吸収性を有する波長のレーザー光が照射され、ウェーハ２にレーザー加工溝が形成された後、ウェーハ２の分割予定ライン２３に沿って切削ブレードが切り込まれて個々のチップに分割され、複数のデバイスチップが形成される。

以上説明したように、本実施形態によれば、ウェーハ２に段差が形成されないように、切削ブレード３２で外周余剰領域ＳＡが円形に切削され、外周余剰領域ＳＡにおいて突出した材料２１が除去されるので、研削装置５のチャックテーブル５１で保護テープ６を介してウェーハ２を吸引保持したときに、チャックテーブル５１においてリークが発生することが抑制される。

本実施形態においては、除去ステップが実施された後の外周余剰領域ＳＡが、デバイス領域ＤＡの周縁からウェーハ２の外周に向かって下降する傾斜領域を備えるように、加工部２４が形成される。段差が設けられずになだらかな傾斜領域が設けられるので、チャックテーブル５１が保護テープ６を介してウェーハ２を吸引保持したときにおいて、保護テープの弾性が作用し、傾斜領域がチャックテーブル５１の保持面５１Ｈからウェーハ２及び保護テープ６の外周部が浮上ってしまうことが抑制される。したがって、チャックテーブル５１においてリークの発生が抑制される。そのため、チャックテーブル５１はウェーハ２を安定して保持することができる。

本実施形態においては、基板２０の切削量は微量であり、深さ方向に極僅かなエッジトリミングが実施される。これにより、外周余剰領域ＳＡの突出に起因するウェーハ２の外周部の破損が防止されつつ、チャックテーブル５１におけるリークの発生が抑制される。

なお、外周余剰領域ＳＡの表面とデバイス領域ＤＡの表面とが同一平面内に配置されるように（面一になるように）、外周余剰領域ＳＡから突出する材料２１の一部が切削ブレード３２で除去されてもよい。

発明者の知見によると、外周余剰領域ＳＡに、Ｈ２４ ＞ ０．５×Ｈ２０、となるような大きい段差が形成されても、ウェーハ２に保護テープ６を貼着したとき、段差と保護テープ６との間に気泡が入り込むことによって、保持面５１Ｈと対向する保護テープ６の表面が平坦化され、リークの発生が抑制されることが確認されている。加工部２４がなだらかに形成されたり、加工部２４に段差が形成されてもその段差が小さかったり、加工部２４に段差が形成されても段差と保護テープ６との間に気泡が入り込んだりした場合には、チャックテーブル５１のリークの発生を抑制することができる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。

図１１は、本実施形態に係る除去ステップを実施した後のウェーハ２の一部を示す拡大図である。図１１において、Ｚ軸方向における位置Ｐａと位置Ｐｂとは実質的に等しい。ウェーハ２の表面２Ａの中心を通り表面２Ａと直交する断面において、加工部２４は円弧状である。図１１に示すように、除去ステップを実施した後の外周余剰領域ＳＡは、デバイス領域ＤＡの周縁からウェーハ２の外周に向かって下降する第１傾斜領域２４Ａと、第１傾斜領域２４Ａの周縁からウェーハ２の外周に向かって上昇する第２傾斜領域２４Ｂとを含んでもよい。

位置Ｐａは、デバイス領域ＤＡと外周余剰領域ＳＡとの境界部、又は基板２０の中心に対して境界部よりも僅かに外側の部位である。位置Ｐｂは、外周余剰領域ＳＡの周縁部よりも僅かに内側（基板２０の中心側）の部位である。なお、基板２０の中心に対する放射方向における外周余剰領域ＳＡの寸法をＲａとした場合、外周余剰領域ＳＡの周縁部よりも僅かに内側の部位とは、放射方向における外周余剰領域ＳＡの周縁部からの距離が寸法Ｒａの１０［％］以下の部位をいう。本実施形態においては、デバイス領域ＤＡと外周余剰領域ＳＡとの境界部を含む外周余剰領域ＳＡの殆どの領域が切削ブレード３２によって加工されるものの、外周余剰領域ＳＡの周縁部は加工されない。

外周余剰領域ＳＡが第１傾斜領域２４Ａと第２傾斜領域２４Ｂとを含む場合、Ｚ軸方向における位置Ｐｂとデバイス領域ＤＡの表面の位置との差は小さくなる。その結果、チャックテーブル５１の保持面５１Ｈからのウェーハ２の外周部の浮き上がりがより効果的に抑制される。そのため、チャックテーブル５１におけるリークの発生は十分に抑制される。

＜第３実施形態＞
第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。

図１２は、本実施形態に係る除去ステップを実施した後のウェーハ２の一部を示す拡大図である。図１２において、Ｚ軸方向における位置Ｐａは位置Ｐｂよりも高い。ウェーハ２の表面２Ａの中心を通り表面２Ａと直交する断面において、除去ステップを実施した後の外周余剰領域ＳＡは、デバイス領域ＤＡの周縁からウェーハ２の外周に向かって直線状に下降する。

このように、加工部２４の断面形状は、直線状でもよい。直線状の加工部２４を形成する場合、図１２に示すように、回転軸ＡＸ３３を含む断面において直線部を有する切削ブレード３２Ｃが使用される。

２ ウェーハ、２Ａ 表面、２Ｂ 裏面、３ 切削装置、５ 研削装置、６ 保護テープ、２０ 基板、２１ 機能層、２２ デバイス、２３ 分割予定ライン、２４ 加工部、３１ チャックテーブル、３１Ｈ 保持面、３２ 切削ブレード、３３ 切削ユニット、３４ スピンドルハウジング、３５ 回転スピンドル、３６ 固定フランジ、３７ 着脱フランジ、３８ 固定部材、４０ 制御装置、４１ 演算処理装置、４２ 記憶装置、４３ 入出力インターフェース装置、４４ テーブル回転駆動装置、４５ テーブル駆動装置、４６ ブレード回転駆動装置、４７ ブレード駆動装置、４８ テーブル位置検出装置、４９ ブレード位置検出装置、５１ チャックテーブル、５１Ｈ 保持面、５２ 研削ユニット、５２１ スピンドルハウジング、５２２ 回転スピンドル、５２３ マウンター、５２４ 研削ホイール、５２５ 基台、５２６ 研削砥石、ＤＡ デバイス領域、ＳＡ 外周余剰領域。

Claims (2)

1. 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備え、該外周余剰領域は該デバイスを形成する材料が不均一に積層され該デバイス領域よりも突出しているウェーハの加工方法であって、
   切削装置のチャックテーブルの保持面でウェーハの裏面を保持する保持ステップと、
   該チャックテーブルに保持されたウェーハの該外周余剰領域に回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態でウェーハを回転させ、該外周余剰領域を円形に切削し突出した該材料を除去する除去ステップと、
   該除去ステップを実施した後、ウェーハと同等の直径の保護テープを該デバイス領域及び該外周余剰領域を含むウェーハの表面に貼着する貼着ステップと、
   研削装置のチャックテーブルの保持面で該保護テープを介してウェーハを吸引保持し、ウェーハの裏面を研削して薄化する薄化ステップと、を備えるウェーハの加工方法。
2. 該除去ステップを実施した後の該外周余剰領域は、該デバイス領域の周縁からウェーハの外周に向かって下降する傾斜領域を備える請求項１記載のウェーハの加工方法。

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