TWI748091B - 晶圓的加工方法 - Google Patents

Abstract

[課題] 提供可以抑制以保護膠帶之切餘部為原因的加工不良之晶圓的加工方法。 [解決手段]晶圓的加工方法是藉由將切割刀切入晶圓並使晶圓旋轉，而對晶圓施行圓形的切割加工。晶圓的加工方法具備：貼附步驟，對晶圓貼附保護膠帶；保持步驟，將保護膠帶設為上表面來將晶圓保持於保持台；及加工步驟，使切割刀對晶圓之外緣連同保護膠帶之外緣切入至規定深度為止，並使晶圓至少旋轉360度，晶圓的加工方法更具備切斷溝形成步驟，該切斷溝形成步驟是在實施加工步驟前，藉由任意的加工機構在保護膠帶之外緣的複數處形成切斷溝。

Description

晶圓的加工方法

發明領域 本發明是關於一種對晶圓施行圓形的切割加工的晶圓的加工方法。

發明背景 近年，伴隨電子機器的薄型化、小型化，晶圓被要求磨削加工得更薄，例如到100μm以下。又，以往以來，為了製造工序中的破裂或揚塵防止，晶圓會在其外周施行有倒角加工。因此，當將晶圓磨削得較薄時，會將外周的倒角部分形成為刀緣狀(簷狀)。當晶圓外周的倒角部分形成為刀緣狀時，會產生從外周發生缺損而導致晶圓破損的問題。

為了解決此問題，已有一種在晶圓的外周部從正面側形成圓形的溝之後，再磨削晶圓之背面的晶圓的加工方法被提出(參照例如專利文獻1)。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2010-245254號公報

發明概要 發明欲解決之課題 前述之專利文獻1等中所示之晶圓的加工方法有下述情況：在晶圓的正面貼附稱為BG(背部研磨，Back Grinding)膠帶的保護膠帶，並從此保護膠帶側藉由切割加工而形成圓形的溝。在此情況下，專利文獻1中所示之晶圓的加工方法會因保護膠帶未被切割並跑向晶圓的外周側而製作出細長的保護膠帶的切餘部。保護膠帶的切餘部是涵蓋晶圓外周一圈量左右而形成，且因為較長而無法用通常的洗淨機構沖洗掉。因此，已出現下述問題：保護膠帶的切餘部會接著於保持台下或輪罩、或黏在晶圓的上表面而在洗淨時產生真空吸附不良(vaccum error)等。如此，前述之專利文獻1所示的晶圓的加工方法有時會產生以保護膠帶之切餘部為原因的加工不良。

本發明是有鑒於所述的問題點而作成的發明，其目的在於提供可以抑制以保護膠帶之切餘部為原因的加工不良之晶圓的加工方法。 用以解決課題之手段

為了解決上述之課題並達成目的，本發明的晶圓的加工方法，是藉由使切割刀切入晶圓並使該晶圓旋轉，而對晶圓施行圓形的切割加工，該晶圓的加工方法的特徵在於：具備： 貼附步驟，對晶圓貼附保護膠帶； 保持步驟，將該保護膠帶設為上表面來將該晶圓保持於保持台；及 加工步驟，使切割刀對該晶圓之外緣連同該保護膠帶之外緣切入至規定深度為止，並使晶圓至少旋轉360度， 該晶圓的加工方法更具備切斷溝形成步驟，該切斷溝形成步驟是在該加工步驟的實施前，藉由任意的加工機構在該保護膠帶之外緣的複數處形成切斷溝。 發明效果

本案發明之晶圓的加工方法由於在保護膠帶之外緣部形成有複數處的切斷溝，因此會發揮下述效果：可以防止因膠帶的切餘部的長度不短而纏繞於加工部周圍的零件之情形。

用以實施發明之形態 針對用於實施本發明之形態(實施形態)，一面參照圖式一面詳細地說明。本發明並非因以下的實施形態所記載之內容而受到限定之發明。又，在以下所記載之構成要素中，包含所屬技術領域中具有通常知識者可輕易設想得到的或實質上是相同的。此外，以下所記載之構成是可以適當組合的。又，在不脫離本發明之要旨的範圍內，可進行各種構成之省略、置換或變更。

[實施形態1] 依據圖式來說明本發明之實施形態1的晶圓的加工方法。圖1是顯示實施形態1之晶圓的加工方法之加工對象的晶圓的立體圖。

實施形態1之晶圓的加工方法是圖1所示之晶圓200的加工方法，既是除去晶圓200之外緣部的正面201側的方法，並且也是將晶圓200分割成一個個的元件202的方法。實施形態1之晶圓的加工方法的加工對象即晶圓200，是以矽作為基板之圓板狀的半導體晶圓、或是以藍寶石、SiC(碳化矽)等作為基板之光元件晶圓。晶圓200是如圖1所示，在被形成在正面201之格子狀的分割預定線203所區劃出的複數個區域中形成有元件202。

接著，說明在實施形態1之晶圓的加工方法中所使用的切割裝置1之一例。圖2是顯示在實施形態1之晶圓的加工方法中所使用的切割裝置的構成例之立體圖。

切割裝置1是對晶圓200施行所謂的邊緣修整加工的裝置，且是藉由使切割刀22切入晶圓200並使晶圓200旋轉，而對晶圓200施行圓形的切割加工，並將晶圓200之外緣部的正面201側涵蓋全周來去除。在實施形態1中，切割裝置1將晶圓200之外緣部的正面201側涵蓋全周來去除的區域(以下，記為修整區域)210，是在圖1所示之虛線與晶圓200的外緣之間，且比元件202更位於晶圓200的外周側，且涵蓋全周而使晶圓200之徑方向的寬度211成為固定。

切割裝置1是如圖2所示，具備：保持台10，以保持面11吸引保持晶圓200；切割單元20，為對已保持在保持台10上的晶圓200施行邊緣修整的加工機構；X軸移動單元30，使保持台10與切割單元20在與水平方向平行的X軸方向上相對移動；Y軸移動單元40，使保持台10與切割單元20在與水平方向平行且與X軸方向正交的Y軸方向上相對移動；Z軸移動單元50，使保持台10與切割單元20在與X軸方向及Y軸方向之雙方正交的Z軸方向上相對移動；拍攝單元60；及控制單元100。

保持台10是構成保持面11的部分為由多孔陶瓷等所形成的圓盤形狀，且透過圖未示之真空吸引路徑與圖未示之真空吸引源相連接，而吸引已載置於保持面11上之晶圓200，藉此進行保持。又，保持台10是藉由旋轉驅動源12而繞著與Z軸方向平行之軸心旋轉。

X軸移動單元30是藉由使保持台10與旋轉驅動源12一起在X軸方向上移動，而將保持台10朝X軸方向加工進給的加工進給機構。Y軸移動單元40是藉由使切割單元20在Y軸方向上移動，而將保持台10分度進給的分度進給機構。Z軸移動單元50是藉由使切割單元20朝Z軸方向移動，而將切割單元20切入進給的切入進給機構。X軸移動單元30、Y軸移動單元40及Z軸移動單元50均具備習知的滾珠螺桿31、41、習知的脈衝馬達32、42及習知的導軌33、43，該滾珠螺桿31、41是繞著軸心旋轉自如地設置，該脈衝馬達32、42是使滾珠螺桿31、41繞著軸心旋轉，該導軌33、43是將保持台10或切割單元20以在X軸方向、Y軸方向或Z軸方向上移動自如的方式支撐。

切割單元20具備圖未示之主軸馬達、主軸殼體21及切割刀22，該主軸馬達是繞著與Y軸方向平行之軸心旋轉，該主軸殼體21是收容主軸馬達且藉由Y軸移動單元40及Z軸移動單元50而在Y軸方向與Z軸方向上移動，該切割刀22是安裝在主軸馬達上。切割刀22是形成為極薄的環形形狀的切割磨石，且是藉由一邊被供給切割水一邊藉由主軸馬達繞著與Y軸方向平行之軸心旋轉，而對已保持於保持台10的晶圓200進行切割加工之切割刀。又，如圖2所示，切割裝置1是具備有2個切割單元20，即雙主軸的切割機，也就是所謂的對向式雙主軸(Facing dual type)的切割裝置。

拍攝單元60是用於拍攝已保持於保持台10之晶圓200的單元，且是配設在與切割單元20在X軸方向上並排的位置上。在實施形態1中，拍攝單元60是安裝於主軸殼體21。拍攝單元60是藉由拍攝保持於保持台10之晶圓200的CCD相機所構成。

控制單元100是各別控制切割裝置1之上述的各構成要素，並使切割裝置1實施對晶圓200之加工動作的單元。控制單元100具有運算處理裝置、儲存裝置及輸入輸出介面裝置而可執行電腦程式的電腦，其中該運算處理裝置具有如CPU(中央處理單元，central processing unit)之微處理器，該儲存裝置具有如ROM(唯讀記憶體，read only memory)或RAM(隨機存取記憶體，random access memory)之記憶體。控制單元100之運算處理裝置是在RAM上執行儲存於ROM之電腦程式，並生成用於控制切割裝置1的控制訊號。控制單元100之運算處理裝置是透過輸入輸出介面裝置來將已生成的控制訊號輸出至切割裝置1的各構成要素。又，控制單元100是與未圖示之顯示單元、或輸入單元相連接，該顯示單元是藉由顯示加工動作之狀態或圖像等的液晶顯示裝置等所構成，該輸入單元在操作人員登錄加工內容資訊等之時使用。輸入單元是由設置於顯示單元之觸控面板、鍵盤等之中至少一種所構成。

接著，說明實施形態1之晶圓的加工方法。圖3是顯示實施形態1之晶圓的加工方法的流程圖。圖4是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的貼附步驟的立體圖。圖5是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的保持步驟的側面圖。圖6是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的切斷步驟之概要的平面圖。圖7是圖3所示之晶圓的加工方法的切斷步驟後之晶圓的外緣部的截面圖。圖8是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的加工步驟之概要的平面圖。圖9是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的加工步驟後之晶圓的側面圖。圖10是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的磨削步驟的側面圖。圖11是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的DAF貼附步驟後之晶圓的側面圖。

晶圓的加工方法(以下，簡記為加工方法)是藉由將切割刀22切入晶圓200，並使晶圓200繞著與Z軸方向平行之軸心旋轉，而對晶圓200施行圓形的切割加工的加工方法。加工方法是如圖3所示，具備貼附步驟ST1、保持步驟ST2、切斷溝形成步驟ST3、加工步驟ST4、磨削步驟ST5、及DAF貼附步驟ST6。

貼附步驟ST1是將圖4所示之保護膠帶220貼附於晶圓200的步驟。在實施形態1中，於貼附步驟ST1中是如圖4所示，對晶圓200之正面201貼附保護膠帶220，其中該晶圓200的正面201已在各分割預定線203上形成有從正面201側到規定深度212(示於圖5，相當於各元件202之成品厚度的深度)之分割溝213。在實施形態1中，保護膠帶220是形成為與晶圓200相同大小的圓形。保護膠帶220是具備藉由合成樹脂所構成的基材層221、及配設在基材層221上並貼附於晶圓200之正面201的糊層222。加工方法在貼附步驟ST1後，是進行到保持步驟ST2。

保持步驟ST2是將保護膠帶220設成上表面來將晶圓200保持於保持台10的步驟。在保持步驟ST2中，是在操作人員操作輸入單元以將加工內容資訊登錄至控制單元100，且操作人員如圖5所示地將保護膠帶220設成上表面來將晶圓200載置於保持面11，並已由操作人員做出加工動作的開始指示的情況下，讓控制單元100驅動真空吸引源以將晶圓200吸引保持於保持台10。如此，在保持步驟ST2中，保持台10是將於正面201貼附有保護膠帶220的晶圓200，以將保護膠帶220設成上表面來進行保持。加工方法在保持步驟ST2後，是進行到切斷溝形成步驟ST3。

切斷溝形成步驟ST3是在加工步驟ST4的實施前，藉由任意的加工機構即切割單元20，在保護膠帶220之外緣部的複數處形成圖6所示的切斷溝230之步驟。在切斷溝形成步驟ST3中，控制單元100是藉由X軸移動單元30將保持台10朝向拍攝單元60的下方移動，並讓拍攝單元60拍攝晶圓200，而執行校準。

並且，控制單元100是依據加工內容資訊與校準結果等，而藉由X軸移動單元30、Y軸移動單元40、Z軸移動單元50、及旋轉驅動源12來將切割單元20定位於已保持於保持台10之晶圓200的外緣部上。控制單元100是藉由Z軸移動單元50使切割單元20下降，並讓切割刀22切入晶圓200的外緣部上的保護膠帶220，以如圖6所示，於保護膠帶220之外緣部形成貫通保護膠帶220的切斷溝230。控制單元100是在藉由Z軸移動單元50使切割單元20上升後，依據加工內容資訊使旋轉驅動源12對保持台10進行規定角度旋轉，而與方才同樣地形成切斷溝230。也就是說，切斷溝230是至少將保護膠帶220之外緣部涵蓋基材層221及糊層222而貫通。

在實施形態1中，切斷溝230雖然如圖7所示，會將晶圓200的基板的一部分去除，但只要在不去除晶圓200的基板的情形下貫通保護膠帶220即可。再者，在實施形態1中，切斷溝230雖然是以使切割刀22與保護膠帶220之外緣的切線平行的狀態而形成有切斷溝230，但在本發明中，亦可使切割刀22與保護膠帶220之外緣的切線交叉來形成切斷溝230。

又，在實施形態1中，切斷溝230是從保護膠帶220之外緣朝向保護膠帶220之中心，在保護膠帶220之外緣部切出缺口。在實施形態1中，切斷溝230雖然是在保護膠帶220及晶圓200之外緣部在周方向上等間隔的8處形成，但並不受限於此，只要在至少1處形成即可。又，切斷溝230是使此切斷溝230的最靠近保護膠帶220的中心的位置與保護膠帶220之外緣間的距離231，在只切斷保護膠帶220的情況下形成為修整區域210之寬度211以上，而在將保護膠帶220與晶圓200一同切斷的情況下，則是形成在成為寬度211以內的位置。在實施形態1中，切斷溝230是形成在前述之距離231為與修整區域210之修整區域210的寬度211成為相等的位置上。如此進行，在切斷溝形成步驟ST3中，切割裝置1之控制單元100是在施行加工步驟ST4中施行圓形的切割加工前，藉由讓切割單元20形成切斷溝230，而將保護膠帶220之貼附在修整區域210之處切斷成複數個。加工方法在切斷溝形成步驟ST3後，是進行到加工步驟ST4。

加工步驟ST4是使切割刀22從正面201對晶圓200之外緣部連同保護膠帶220之外緣部切入至規定深度212為止，且讓晶圓200繞著軸心旋轉至少360度，以將晶圓200之外緣部的修整區域210從正面201去除規定深度212，而對晶圓200施行邊緣修整的步驟。在加工步驟ST4中，控制單元100是依據加工內容資訊與校準結果等，並藉由X軸移動單元30、Y軸移動單元40、及Z軸移動單元50來將兩個切割刀22定位於修整區域210上之後，使切割單元20朝Z軸方向下降，並一邊使切割刀22於晶圓200的外緣部切入至規定深度212為止一邊讓旋轉驅動源12繞著軸心地旋轉保持台10。在實施形態1中，雖然在加工步驟ST4中，是控制單元100讓保持台10繞著軸心旋轉360度，即旋轉一圈，但在本發明中，亦可不受限為旋轉一圈，而是使其旋轉以加工內容資訊使所規定的圈數。如此，在加工步驟ST4中，切割單元20是在將保持台10至少旋轉360度的狀態下，使切割刀22對晶圓200之外緣部連同保護膠帶220之外緣部切入至規定深度212為止來施行圓形的切割加工。並且，在加工步驟ST4中，是如圖8及圖9所示，從正面201側將晶圓200之外緣部去除規定深度212之量。

在加工步驟ST4中，當控制單元100對晶圓200施行邊緣修整後，會將切割單元20上升至充分遠離晶圓200及保護膠帶220的位置，並在將保持台10移動至在保持步驟ST2中晶圓200被載置的位置後，解除保持台10的吸引保持。然後，加工方法是進行至磨削步驟ST5。如此進行，實施形態1之加工方法是在保持步驟ST2、切斷溝形成步驟ST3、及加工步驟ST4中使用切割裝置1，且在切斷溝形成步驟ST3及加工步驟ST4中使用相同的切割刀22來形成切斷溝230並且對晶圓200施行邊緣修整。

磨削步驟ST5是磨削晶圓200的背面204，以將晶圓200薄化至元件202的成品厚度，並將晶圓200分割成一個個的元件202的步驟。在磨削步驟ST5中，是如圖10所示，磨削裝置70隔著保護膠帶220將晶圓200之正面201吸引保持在工作夾台71，並一面讓工作夾台71繞著軸心旋轉一面讓磨削單元72之磨削磨石73繞著軸心旋轉並接觸於晶圓200之背面204來進行磨削。在磨削步驟ST5中，磨削裝置70是將晶圓200磨削至分割溝213露出於背面204為止。磨削步驟ST5是藉由如此磨削至分割溝213露出於背面204為止，而將晶圓200分割成一個個的元件202。加工方法在磨削步驟ST5後，是進行到DAF貼附步驟ST6。

DAF貼附步驟ST6是如圖11所示，在仍原樣貼附於保護膠帶220之狀態下的元件202上貼附DAF(黏晶薄膜，Die Attach Film)240的步驟。DAF240是在由環氧樹脂、丙烯酸樹脂、合成橡膠、及聚醯亞胺等所形成的基材上配設丙烯酸系或橡膠系之糊層而構成。在DAF貼附步驟ST6後，可藉由切割加工、雷射燒蝕加工、或擴展加工來將DAF240按每個元件202分割，且將元件202從保護膠帶220取下。

如此，實施形態1之加工方法是在施行邊緣修整的加工步驟ST4的實施前，將保護膠帶220貼附於晶圓200之正面201，而按每個保護膠帶220施行邊緣修整的加工方法。實施形態1之加工方法是在DAF貼附步驟ST6中，在不會讓保護膠帶220從晶圓200之外緣突出至外周側的情形下，將DAF240貼附於保護膠帶220等，而抑制了妨礙DAF240之貼附的情形的加工方法。

實施形態1之加工方法，由於在加工步驟ST4的實施前實施在保護膠帶220之外緣部形成切斷溝230的切斷溝形成步驟ST3，因此在加工步驟ST4中可將所去除的保護膠帶220之切餘部形成為已預先藉由切斷溝230而被切斷之情形，而可以抑制保護膠帶220之切餘部的長度。因此，加工方法可藉由切割水等的水流讓保護膠帶220之切餘部快速地遠離保持台10。其結果，加工方法可以抑制保護膠帶220之切餘部接著於(或纏繞於)保持台10、旋轉驅動源12、X軸移動單元30、及保持台10上的晶圓200等之情形，並且可以抑制晶圓200的加工不良。

又，實施形態1之加工方法，由於可將切斷溝230形成在前述之距離231成為修整區域210之寬度211以上的位置上，因此可將在加工步驟ST4中所去除的保護膠帶220之切餘部形成為已藉由切斷溝230而確實地被切斷之狀態。

又，實施形態1之加工方法，由於在切斷溝形成步驟ST3及加工步驟ST4中使用相同的切割刀22，並且以相同的切割裝置1從保持步驟ST2進行到加工步驟ST4，因此可以抑制有關於晶圓200的搬送等的所需時間，且可以抑制有關於晶圓200的加工的所需時間的長時間化。

[實施形態2] 依據圖式來說明本發明之實施形態2的晶圓的加工方法。圖12是顯示實施形態2之晶圓的加工方法的流程圖。圖12是對與實施形態1相同的部分附加相同的符號而省略說明。

實施形態2之晶圓的加工方法(以下，簡記為加工方法)，是如圖12所示，除了實施切斷溝形成步驟ST3的時機與實施形態1不同，且以和實施保持步驟ST2及加工步驟ST4之切割裝置1不同的加工裝置來實施斷溝形成步驟ST3以外，與實施形態1之加工方法相同。具體而言，實施形態2之加工方法是在貼附步驟ST1的實施後實施切斷溝形成步驟ST3，並在切斷溝形成步驟ST3的實施後，依序實施保持步驟ST2、加工步驟ST4、磨削步驟ST5、及DAF貼附步驟ST6。

在實施形態2之加工方法的切斷溝形成步驟ST3中，是使用對保護膠帶220進行燒蝕加工之雷射加工裝置或與切割裝置1不同的切割裝置作為加工裝置，使用雷射光線照射單元或切割單元作為加工機構。如此，在本發明中，只要可在切斷溝形成步驟ST3中藉由任意的加工機構來形成切斷溝230即可。在實施形態2之加工方法的保持步驟ST2及加工步驟ST4中，是與實施形態1同樣地使用切割裝置1。

實施形態2之加工方法，由於是在加工步驟ST4的實施前實施在保護膠帶220之外緣部形成切斷溝230的切斷溝形成步驟ST3，因此可以抑制在加工步驟ST4中所去除的保護膠帶220之切餘部的長度。其結果，加工方法可以抑制保護膠帶220之切餘部接著於(或纏繞於)保持台10、旋轉驅動源12、X軸移動單元30、及保持台10上的晶圓200等之情形，並且可以抑制晶圓200的加工不良。

[變形例] 依據圖式來說明本發明之實施形態1及實施形態2之變形例的晶圓的加工方法。圖13是藉由本發明的變形例之晶圓的加工方法而形成切斷溝的保護膠帶等的側面圖。圖13是對與實施形態1及實施形2相同的部分附加相同的符號而省略說明。

從保護膠帶220側對晶圓200進行邊緣修整而產生之細長的保護膠帶220之切餘部為產生的現象之一，該現象之一有時是因為雖然可將保護膠帶220之貼附於晶圓200的部分切割，但保護膠帶220之未被貼附而從晶圓200浮起的部分會跑向晶圓200的外側而未能被切割而產生。變形例之晶圓的加工方法(以下，簡記為加工方法)，是抑制因如此的現象而產生之細長的保護膠帶220之切餘部的產生的有效的例子。在變形例之加工方法中，切斷溝230是形成到比保護膠帶220之貼附於晶圓200之平坦的正面201的部分的外緣更外周側(圖13中以一點鏈線表示之位置225)。也就是說，變形例之加工方法，是將切斷溝230形成到保護膠帶220之並未貼附於形成於晶圓200的外緣部之截面圓弧狀的倒角部206(以距離隔開)，且與倒角部206在厚度方向上重疊的位置225。

變形例之加工方法，由於在加工步驟ST4的實施前，在切斷溝形成步驟ST3中，是將切斷溝230形成到保護膠帶220之未貼附於倒角部206且在厚度方向上重疊的位置上，因此可以抑制在加工步驟ST4中所去除的保護膠帶220之切餘部的長度。其結果，加工方法可以抑制保護膠帶220之切餘部接著於保持台10或保持台10上的晶圓200等之情形，並可以抑制晶圓200的加工不良。

再者，根據前述之實施形態1之晶圓的加工方法，可得到以下的切割裝置。 (附記1) 一種切割裝置，是藉由使切割刀切入晶圓並使該晶圓旋轉，而對晶圓施行圓形的切割加工，該切割裝置的特徵在於：具備： 保持台，將正面貼附有保護膠帶的晶圓以將該保護膠帶設為上表面來保持； 切割單元，在將該保持台至少旋轉360度的狀態下，使該切割刀對該晶圓之外緣連同該保護膠帶之外緣切入至規定深度為止來施行該圓形的切割加工；及 控制單元，控制各構成要素， 該控制單元是在施行該圓形的切割加工前，使該切割單元在該保護膠帶之外緣的複數處形成切斷溝。

上述切割裝置與實施形態1之晶圓的加工方法同樣，由於在施行邊緣修整前在保護膠帶220形成切斷溝230，因此在邊緣修整中可將所去除之保護膠帶220之切餘部形成為已預先藉由切斷溝230而被切斷，而可以抑制保護膠帶220之切餘部的長度。因此，加工方法可藉由切割水等的水流讓保護膠帶220之切餘部快速地遠離保持台10。其結果，加工方法可以抑制保護膠帶220之切餘部接著於保持台10或保持台10上的晶圓200等之情形，並可以抑制晶圓200的加工不良。

再者，本發明並非是受限於上述實施形態以及變形例之發明。亦即，在不脫離本發明的主旨的範圍內可進行各種變形而實施。

1‧‧‧切割裝置10‧‧‧保持台11‧‧‧保持面12‧‧‧旋轉驅動源20‧‧‧切割單元21‧‧‧主軸殼體22‧‧‧切割刀30‧‧‧X軸移動單元31、41‧‧‧滾珠螺桿32、42‧‧‧脈衝馬達33、43‧‧‧導軌40‧‧‧Y軸移動單元50‧‧‧Z軸移動單元60‧‧‧拍攝單元70‧‧‧磨削裝置71‧‧‧工作夾台72‧‧‧磨削單元73‧‧‧磨削磨石100‧‧‧控制單元200‧‧‧晶圓201‧‧‧正面202‧‧‧元件203‧‧‧分割預定線204‧‧‧背面206‧‧‧倒角部210‧‧‧修整區域211‧‧‧寬度212‧‧‧規定深度213‧‧‧分割溝220‧‧‧保護膠帶221‧‧‧基材層222‧‧‧糊層225‧‧‧位置230‧‧‧切斷溝231‧‧‧距離240‧‧‧DAFST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6‧‧‧步驟X、Y、Z‧‧‧方向

圖1是實施形態1之晶圓的加工方法之加工對象的晶圓的立體圖。 圖2是顯示在實施形態1之晶圓的加工方法中所使用的切割裝置的構成例之立體圖。 圖3是顯示實施形態1之晶圓的加工方法的流程圖。 圖4是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的貼附步驟的立體圖。 圖5是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的保持步驟的側面圖。 圖6是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的切斷步驟之概要的平面圖。 圖7是圖3所示之晶圓的加工方法的切斷步驟後之晶圓的外緣部的截面圖。 圖8是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的加工步驟之概要的平面圖。 圖9是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的加工步驟後之晶圓的側面圖。 圖10是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的磨削步驟的側面圖。 圖11是顯示圖3所示之晶圓的加工方法的DAF貼附步驟後之晶圓的側面圖。 圖12是顯示實施形態2之晶圓的加工方法的流程圖。 圖13是藉由本發明之變形例的晶圓的加工方法而形成切斷溝之保護膠帶等的側面圖。

ST1、ST2、ST3、ST4、ST5、ST6‧‧‧步驟

Claims (1)

1. 一種晶圓的加工方法，是藉由使切割刀切入晶圓並使該晶圓旋轉，而對晶圓施行圓形的切割加工，該晶圓的加工方法的特徵在於： 具備： 貼附步驟，對晶圓貼附保護膠帶； 保持步驟，將該保護膠帶設為上表面來將該晶圓保持於保持台；及 加工步驟，使切割刀對該晶圓之外緣連同該保護膠帶之外緣切入至規定深度為止，並使晶圓至少旋轉360度， 該晶圓的加工方法更具備切斷溝形成步驟， 該切斷溝形成步驟是在該加工步驟的實施前，藉由任意的加工機構在該保護膠帶之外緣的複數處形成切斷溝。

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