JP6563766B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハの加工方法に関する。

半導体チップを製造するための材料となるウェーハの外周余剰領域には、半導体チップを造出するためのデバイス領域で積層された材料が、デバイス領域に引き続き積層されているが、その状態はデバイス領域に比較して不均一である。また、外周余剰領域で積層されている材料は、厚さ等が正確に制御されて形成されていないため、デバイス領域に比較して上方に突出したり、ギザギザ状になっていたりする場合がある。ウェーハの研削時に、外周余剰領域に突出した部分がある状態のままウェーハの表面に保護テープを貼着し、裏面を研削したとしても、外周余剰領域の突出により、研削が進むとウェーハが外周から破損してしまう場合がある。そのため、外周余剰領域を円形に切削し、表面の材料を除去するためにエッジトリミングの技術が採用されることがある（特許文献１参照）。

特開２０１２−００９５５０号公報

しかしながら、エッジトリミングによって形成される環状の段差は、研削装置でウェーハを保持する際、チャックテーブルの保持面から外周余剰領域が浮いてしまい、リークの発生が課題となっていた。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、研削装置でのウェーハの研削時におけるリークの発生を抑制することのできるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るウェーハの加工方法は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えるウェーハの加工方法であって、切削装置のチャックテーブルの保持面でウェーハの裏面を保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、切削ブレードをウェーハの該外周余剰領域に所定量切り込ませたままウェーハを回転させ、該外周余剰領域を円形に切削する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、ウェーハと同等の直径の保護テープを該デバイス領域及び該外周余剰領域を含むウェーハの表面に貼着する貼着ステップと、研削装置のチャックテーブルの保持面で該保護テープを介してウェーハを吸引保持し、ウェーハの裏面を研削して薄化する薄化ステップと、を備え、該切削ステップでは、ウェーハの周方向に対する該切削ブレードの角度を調整し、切削する部分の幅を調整し、該外周余剰領域には外周縁を除いて切削された環状の溝が形成される。

また、上記ウェーハの加工方法において、該外周余剰領域は該デバイスを形成する材料が不均一に積層され該デバイス領域よりも突出していることが好ましい。

本発明に係るウェーハの加工方法は、外周余剰領域にデバイス領域との境界に段差でなくなだらかなＲ面（断面円弧）を形成する事で、研削装置で保護テープ越しにウェーハを吸引保持する際リークが発生し難いという効果を奏する。また、外周余剰領域の外周縁を残して除去する事で、不要な領域を除去しつつリークを確実に抑制できる。さらに、外周余剰領域の除去幅をブレードの角度によって容易に調整できる。

図１は、実施形態に係るウェーハの加工方法で用いられる切削装置の斜視図である。 図２は、図１に示す切削装置で切削するウェーハの斜視図である。 図３は、図２に示すウェーハの要部断面図である。 図４は、図２に示すウェーハの側面図である。 図５は、図４のＡ部詳細図である。 図６は、実施形態に係るウェーハの加工方法の処理手順を示すフロー図である。 図７は、外周余剰領域を切削する際の説明図である。 図８は、図７のＢ−Ｂ矢視図である。 図９は、外周余剰領域の切削時における切削幅を調節する際の説明図である。 図１０は、外周余剰領域の切削時の切削幅を狭くする際における説明図である。 図１１は、図１０のＣ−Ｃ矢視図である。 図１２は、ウェーハに保護テープを貼着した状態を示す説明図である。 図１３は、ウェーハを薄化する際の説明図である。 図１４は、実施形態に係るウェーハの加工方法の変形例であり、外周縁を除いて外周余剰領域を切削する場合における説明図である。 図１５は、図１４に示すウェーハに保護テープを貼着した状態を示す説明図である。 図１６は、図１５に示すウェーハを研削して薄化する場合の説明図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態〕
図１は、実施形態に係るウェーハの加工方法で用いられる切削装置の斜視図である。切削装置１は、ウェーハＷを切削するものである。切削装置１は、チャックテーブル１０と、切削ブレード２１を有する切削手段２０と、門型フレーム３０と、加工送り手段４０と、割り出し送り手段５０と、切り込み送り手段６０と、光学検出手段７０と、制御手段８０とを備えている。以下の説明において、Ｘ軸方向は、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷ（図２参照）を加工送りする方向である。Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向に同一水平面上で直交し、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷに対して、切削手段２０を割り出し送りする方向である。Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向であり、本実施形態では鉛直方向である。

チャックテーブル１０は、装置本体２の上面にＸ軸方向に設けられた開口部２ａに沿って移動可能に配設されている。チャックテーブル１０は、円板状に形成されており、ウェーハＷを保持する保持面１１を備えている。保持面１１は、チャックテーブル１０の鉛直方向の上端面であり、水平面に対して平坦に形成されている。保持面１１は、例えばポーラスセラミック等で構成されており、図示しない真空吸引源の負圧により、ウェーハＷを吸引保持する。

切削手段２０は、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷを切削するものである。切削手段２０は、装置本体２の上面に設けられた開口部２ａをＹ軸方向に跨ぐように装置本体２に立設された門型フレーム３０に、割り出し送り手段５０及び切り込み送り手段６０を介して配設されている。切削手段２０は、切削ブレード２１に加えて、スピンドル２２と、ハウジング２３とを備えている。切削ブレード２１は、極薄の円板状かつ環状に形成された切削砥石である。スピンドル２２は、その先端に切削ブレード２１を着脱可能に装着する。ハウジング２３は、図示しないモータ等の駆動源を有しており、Ｙ軸方向の回転軸周りに回転自在にスピンドル２２を支持する。切削手段２０は、スピンドル２２を高速回転させて切削ブレード２１によりウェーハＷを切削する。

加工送り手段４０は、チャックテーブル１０と切削手段２０とをＸ軸方向に相対移動させるものである。例えば、加工送り手段４０は、Ｘ軸方向に延在される図示しないボールネジやパルスモータ等の駆動源を有しており、チャックテーブル１０を支持するＸ軸移動基台（図示省略）をＸ軸方向に移動させる。なお、開口部２ａには、Ｘ軸移動基台を覆うカバー部材４３と、カバー部材４３の前後にＸ軸方向に延在する蛇腹部材４４とが配設されている。

割り出し送り手段５０は、チャックテーブル１０と切削手段２０とをＹ軸方向に相対移動させるものである。例えば、割り出し送り手段５０は、Ｙ軸方向に延在された一対のガイドレール５１と、ガイドレール５１と平行に配設されたボールネジ５２と、ボールネジ５２に螺合された図示しないナットに固定され、ガイドレール５１にスライド自在に配設されたＹ軸移動基台５３と、ボールネジ５２を回転させる図示しないパルスモータとを備えている。割り出し送り手段５０は、パルスモータによりボールネジ５２を回転させることにより、切り込み送り手段６０を支持するＹ軸移動基台５３をＹ軸方向に移動させる。

切り込み送り手段６０は、チャックテーブル１０の保持面１１と直交するＺ軸方向に切削手段２０を移動させるものである。例えば、切り込み送り手段６０は、Ｚ軸方向に延在され、Ｙ軸移動基台５３に固定された一対のガイドレール６１と、ガイドレール６１と平行に配設されたボールネジ６２と、ボールネジ６２に螺合された図示しないナットに固定され、ガイドレール６１にスライド自在に配設されたＺ軸移動基台６３と、ボールネジ６２を回転させるパルスモータ６４とを備えている。切り込み送り手段６０は、パルスモータ６４によりボールネジ６２を回転させることにより、切削手段２０を支持するＺ軸移動基台６３をＺ軸方向に移動させる。

光学検出手段７０は、切削ブレード２１のＺ軸方向の加工位置を調整するために、切削ブレード２１のＺ軸方向における先端位置を検出するものである。光学検出手段７０は、図１に示すように、切削ブレード２１の近傍であって、装置本体２の開口部２ａに配設されている。例えば、光学検出手段７０は、Ｙ軸方向において対向する開口部２ａの二つの側壁２ｂにおける一方側の側壁２ｂに配設されている。

制御手段８０は、上述した構成要素をそれぞれ制御して、ウェーハＷに対する加工動作を切削装置１に実施させるものである。例えば、制御手段８０は、加工送り手段４０、割り出し送り手段５０及び切り込み送り手段６０のパルスモータ６４を駆動する図示しない駆動回路に接続され、駆動回路を制御してチャックテーブル１０のＸ軸方向の位置や、切削手段２０のＹ軸方向及びＺ軸方向の位置を決定する。

なお、制御手段８０は、コンピュータシステムを含む。制御手段８０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（Read Only Memory）又はＲＡＭ（Random Access Memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御手段８０の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、切削装置１を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介して切削装置１の上述した構成要素に出力する。また、制御手段８０は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。

図２は、図１に示す切削装置で切削するウェーハの斜視図である。図３は、図２に示すウェーハの要部断面図である。切削装置１によって切削するウェーハＷは、円板状に形成されている。ウェーハＷは、シリコンやガリウムヒ素等の基板に機能層を介して半導体デバイスが形成されたり、サファイアやＳｉＣ等の基板に機能層を介して光デバイスが形成されたりしたものであり、半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等、各種加工材料である。例えば、ウェーハＷは、基板Ｐの表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜や、ポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）である機能層Ｆが積層されている。機能層Ｆの表面にはＳｉＯ_２、ＳｉＮ等を含むパッシベーション膜が形成されている。即ち、機能層Ｆは、デバイスを形成する金属膜やパッシベーション膜を含む。基板Ｐの表面に積層された機能層Ｆは、複数の分割予定ラインＬが格子状に形成され、分割予定ラインＬにより区画された複数の領域にデバイスＤが形成されている。なお、以下の説明では、ウェーハＷにおいてデバイスＤが形成されている側の面をウェーハＷの表面１０１として説明し、反対側の面を裏面１０２として説明する。

ウェーハＷの表面１０１に形成されるデバイスは、ウェーハＷの外周端から径方向の内方に向かった所定の幅の領域には機能する状態で形成されておらず、外周余剰領域１０３になっている。つまり、外周余剰領域１０３は、リング状の形状で形成される領域になっている。これに対し、ウェーハＷにおいて、当該ウェーハＷの径方向における外周余剰領域１０３の内側に位置し、複数のデバイスＤが形成される領域はデバイス領域１０４になっている。外周余剰領域１０３は、デバイス領域１０４の径方向における外方側に位置し、デバイス領域１０４を囲繞している。

図４は、図２に示すウェーハの側面図である。図５は、図４のＡ部詳細図である。外周余剰領域１０３は、デバイス領域１０４と同様に機能層Ｆに形成されており、デバイス領域１０４で積層された材料と同じ材料がデバイス領域１０４から連続して積層されることにより形成されている。ウェーハＷの表面１０１に形成されるデバイス領域１０４は、デバイス領域１０４よりも突出した部分が多い外周余剰領域１０３によって囲繞されている。

次に、本実施形態に係るウェーハＷの加工方法について説明する。図６は、実施形態に係るウェーハの加工方法の処理手順を示すフロー図である。ウェーハＷの加工を行う際には、まず、切削装置１が有するチャックテーブル１０の保持面１１で、ウェーハＷの裏面１０２を保持する（ステップＳＴ１）。チャックテーブル１０でウェーハＷを保持する際には、裏面１０２が保持面１１に対向する向きでウェーハＷを保持面１１に載置した状態で、保持面１１によってウェーハＷを吸引保持する。

ウェーハＷを保持することによって保持ステップを実施したら、次に、切削ブレード２１をウェーハＷの外周余剰領域１０３に所定量切り込ませたままウェーハＷを回転させ、外周余剰領域１０３を円形に切削する（ステップＳＴ２）。図７は、外周余剰領域を切削する際の説明図である。図８は、図７のＢ−Ｂ矢視図である。外周余剰領域１０３を切削する際には、制御手段８０は、Ｚ方向視において切削ブレード２１の回転軸２４がウェーハＷの中心Ｏとは重ならない位置に、切削ブレード２１を位置させる。つまり、ウェーハＷの中心Ｏを通りＹ方向に延びるウェーハＷの中心軸Ｃと、切削ブレード２１の回転軸２４とがＺ方向視において重ならない位置になるように、制御手段８０は加工送り手段４０を制御する。この状態で、切削ブレード２１の下端付近の部分が外周余剰領域１０３上に位置するように、制御手段８０は割り出し送り手段５０を制御する。これにより、切削ブレード２１は、当該切削ブレード２１の下端部分の接線方向が、外周余剰領域１０３が形成される周方向に対して、Ｚ方向視において交差する状態になる。制御手段８０は、この状態で切り込み送り手段６０を制御することにより、回転する切削ブレード２１を外周余剰領域１０３に対して、ウェーハＷの厚さ未満の所定量切り込ませる。これにより、外周余剰領域１０３は、切削ブレード２１に接触した部分が、切削ブレード２１の外周面に沿って切削される。

さらに、切削ブレード２１をウェーハＷの外周余剰領域１０３に所定量切り込ませたまま、チャックテーブル１０を回転させることにより、チャックテーブル１０で保持しているウェーハＷを回転させる。これにより、切削ブレード２１に接触する部分の外周余剰領域１０３の位置を順次移動させ、外周余剰領域１０３において切削ブレード２１が所定量切り込まれる位置を周方向に移動させる。切削ブレード２１はウェーハＷに対して当該ウェーハＷの厚さ未満の所定量で切り込まれるため、ウェーハＷを回転させることにより、ウェーハＷにおいて切削ブレード２１によって切削された部分である切削部１１０は、周方向に延びて形成される。外周余剰領域１０３は、切削ブレード２１によって切り込まれる位置が周方向に移動してウェーハＷ上に円形の切削部１１０が形成されることにより、円形に切削される。このため、デバイス領域１０４の外側には、デバイス領域１０４よりも突出することなく、なだらかな断面円弧からなる切削部１１０が形成される。

ここで、実施形態に係るウェーハの加工方法は、ウェーハＷの径方向における切削部１１０の幅である切削幅Ｇを調節することができる。図９は、外周余剰領域の切削時における切削幅を調節する際の説明図である。切削幅Ｇを狭くする際には、Ｚ方向視において、外周余剰領域１０３において切削する部分における周方向の接線に対する切削ブレード２１のＸ方向の形成方向の傾きを小さくする。また、切削幅Ｇを広くする際には、外周余剰領域１０３において切削する部分の周方向の接線に対する切削ブレード２１の形成方向の傾きを大きくする。換言すると、切削幅Ｇを狭くする際には、切削ブレード２１の下端部分の接線２５と、外周余剰領域１０３における切削する部分の接線１１２との相対角度を小さくし、切削幅Ｇを広くする際には、切削ブレード２１の下端部分の接線２５と、外周余剰領域１０３における切削する部分の接線１１２との相対角度を大きくする。

切削ブレード２１の下端部分の接線２５と、外周余剰領域１０３における切削する部分の接線１１２との相対角度の調節は、ウェーハＷに対する切削ブレード２１のＸ方向とＹ方向の相対位置を調節することにより行う。

図１０は、外周余剰領域の切削時の切削幅を狭くする際における説明図である。図１１は、図１０のＣ−Ｃ矢視図である。外周余剰領域１０３を切削して切削部１１０を形成する際において、切削幅Ｇを狭めにする際には、切削ブレード２１を、当該切削ブレード２１の回転軸２４が、Ｙ方向に延びるウェーハＷの中心軸Ｃの近傍に位置するように配置し、さらに、切削ブレード２１を外周余剰領域１０３の外周縁１１５に近付ける。これにより、外周余剰領域１０３において切削する部分における周方向に対するＺ方向視における切削ブレード２１のＸ方向の形成方向の傾きを小さくすることができ、切削ブレード２１で外周余剰領域１０３を切削することにより形成する切削部１１０の切削幅Ｇを小さくすることができる。

反対に、切削幅Ｇを広めにする際には、切削ブレード２１の回転軸２４が、Ｙ方向に延びるウェーハＷの中心軸ＣからＸ方向に離れた位置になるように切削ブレード２１を配置し、さらに、切削ブレード２１を外周余剰領域１０３の外周縁１１５から遠ざける（図８参照）。これにより、外周余剰領域１０３において切削する部分における周方向に対するＺ方向視における切削ブレード２１のＸ方向の形成方向の傾きを大きくすることができ、切削ブレード２１で外周余剰領域１０３を切削することにより形成する切削部１１０の切削幅Ｇを大きくすることができる。外周余剰領域１０３を切削する際には、このようにウェーハＷの周方向に対する切削ブレード２１の角度を調整することにより、切削部１１０の切削幅Ｇを調整する。これらのように、外周余剰領域１０３を切削する際には、外周余剰領域１０３は、デバイス領域１０４の周縁近傍を僅かに残す程度まで殆どの領域を除去するのが望ましい。例えば、デバイス領域１０４と外周余剰領域１０３との境界部と、外周余剰領域１０３の外周縁１１５との両方を含むように、外周余剰領域１０３の全部が除去されてもよい。

外周余剰領域１０３の切削を実施したら、次に、ウェーハＷと同等の直径の保護テープＴ１をデバイス領域１０４及び外周余剰領域１０３を含むウェーハＷの表面１０１に貼着する（ステップＳＴ３）。図１２は、ウェーハに保護テープを貼着した状態を示す説明図である。保護テープＴ１は、テープ貼着装置（図示省略）を用いてウェーハＷに貼着する。テープ貼着装置は、まず、紫外線硬化タイプの保護テープＴ１を、ウェーハＷの表面１０１の全面に貼着し、その後、保護テープＴ１を、ウェーハＷの外周端に沿ってカットする。これにより、テープ貼着装置は、保護テープＴ１を、ウェーハＷの形状に沿った大きさ及び形状で、デバイス領域１０４及び外周余剰領域１０３を含むウェーハＷの表面１０１に貼着する。即ち、保護テープＴ１は、切削後の外周余剰領域１０３に形成される切削部１１０にも貼着し、保護テープＴ１は、なだらかな断面円弧で形成された切削部１１０にも貼着される。

保護テープＴ１をウェーハＷに貼着したら、次に、ウェーハＷの裏面１０２を研削して薄化する（ステップＳＴ４）。図１３は、ウェーハを薄化する際の説明図である。ウェーハＷの裏面１０２の薄化は、ウェーハＷの裏面１０２を研削装置９０で研削することにより行う。研削装置９０は、ウェーハＷを保持するチャックテーブル９１の上方に、ホイールマウント９３と、ホイールマウント９３の下面側に位置すると共にホイールマウント９３に対して鉛直方向の回転軸を中心として回転する研削ホイール９４とを有している。このうち、研削ホイール９４は、円板状に形成されてホイールマウント９３に回転自在に連結される基台９５と、基台９５の下面に円環状に固着され、基台９５と一体となって回転する研削砥石９６とを有している。研削装置９０は、保護テープＴ１側が下面になる向きでウェーハＷをチャックテーブル９１上に載置し、チャックテーブル９１の保持面９２でウェーハＷを保持する。チャックテーブル９１は、図示しない真空吸引源の負圧によりウェーハＷを吸引し、チャックテーブル９１の上面に位置する保持面９２でウェーハＷを保持する。即ち、研削装置９０は、切削された外周余剰領域１０３を含めてウェーハＷの表面１０１全体に貼着されている保護テープＴ１を介して、チャックテーブル９１の保持面９２でウェーハＷを吸引保持する。

研削装置９０は、チャックテーブル９１によってウェーハＷの保護テープＴ１側を保持した状態で、ウェーハＷの上方から、回転する研削ホイール９４をウェーハＷに近付ける。その際に、研削装置９０は、チャックテーブル９１も回転させ、チャックテーブル９１と研削ホイール９４とを相対回転させる。研削装置９０は、このようにウェーハＷに対して研削砥石９６が相対回転する状態で研削砥石９６をウェーハＷの裏面１０２に接触させることにより、研削砥石９６によって裏面１０２を研削し、ウェーハＷを薄化する。

ウェーハＷの裏面の薄化が完了したら、次に、切削装置１により分割予定ラインＬに沿って分割する（ステップＳＴ５）。分割予定ラインＬに沿って分割する際には、まず、ウェーハＷの裏面１０２に粘着テープであるダイシングテープ（図示省略）を貼着し、ウェーハＷの表面１０１から保護テープＴ１を剥離する。保護テープＴ１を剥離したら、分割予定ラインＬに沿ってウェーハＷの分割を行う。例えば、ウェーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光を照射し、ウェーハＷにレーザー加工溝が形成した後、ウェーハＷの分割予定ラインＬに沿って切削ブレード２１を切り込ませる。これにより、ウェーハＷにおいてデバイス領域１０４に位置する部分を、分割予定ラインＬに沿って分断し、分割予定ラインＬに沿って複数のデバイスＤに分割する。

ここで、ウェーハＷの外周余剰領域１０３は、デバイスＤを形成する材料が不均一に積層されデバイス領域１０４よりも突出している。つまり、外周余剰領域１０３は、複数のデバイスＤが形成されるデバイス領域１０４とは異なり、デバイスＤの形成には不要な領域であるため、厚さが細かく調節されることなく形成されている。このため、外周余剰領域１０３は凹凸が大きく、デバイス領域１０４よりも突出した部分が多くなっている場合がある。突出した材料は、研削装置９０によるウェーハＷの裏面１０２の研削時に外周余剰領域１０３の欠けの原因になる。そこで、外周余剰領域１０３を切削ブレード２１で円形に切削し凹凸を除去する。例えば、ウェーハＷに数μｍ程度切り込む高さに設定し除去する。実施形態に係るウェーハＷの加工方法は、切削時の切削幅Ｇを調整して外周余剰領域１０３を円形に切削した後、保護テープＴ１をウェーハＷの表面１０１に貼着するため、外周余剰領域１０３の幅に関わらず、突出している部分を除去した後に保護テープＴ１を貼着することができる。これにより、外周余剰領域１０３の形態に関わらず、保護テープＴ１の浮きを発生させることなく、外周余剰領域１０３を切削した後のウェーハＷの表面１０１の全面に対して保護テープＴ１を貼着することができる。このため、実施形態に係るウェーハＷの加工方法は、研削装置９０のチャックテーブル９１で保護テープＴ１を介してウェーハＷを吸引保持する際に、外周余剰領域１０３が位置する部分の保護テープＴ１とチャックテーブル９１の保持面９２との間から、保護テープＴ１と保持面９２との間に空気が入り込むことを抑制できる。この結果、実施形態に係るウェーハＷの加工方法は、研削装置９０でのウェーハＷの研削時におけるリークの発生を抑制することができる。

また、保護テープＴ１は、デバイスＤを形成する材料が不均一に積層されてデバイス領域１０４よりも突出している外周余剰領域１０３を切削した後に貼着するため、より確実に保護テープＴ１の浮きを発生させることなく、ウェーハＷの表面１０１に保護テープＴ１を貼着することができる。この結果、より確実に、研削装置９０でのウェーハＷの研削時におけるリークの発生を抑制することができる。

ここで、デバイス領域１０４を囲繞する外周余剰領域１０３は、幅がウェーハＷによって異なったり、制御して形成したものではないためこれに起因して、切削する必要がある部分の幅が異なったりすることがある。実施形態に係るウェーハＷの加工方法は、外周余剰領域１０３を切削する際には、ウェーハＷの周方向に対する切削ブレード２１の角度を調整することにより、ウェーハＷの径方向における切削部１１０の幅である切削幅Ｇを調整することができる。つまり、外周余剰領域１０３に対する切削ブレード２１の角度を調節することにより切削幅Ｇを調節できるため、ウェーハＷの周方向における位置によって切削幅Ｇを異ならせることができる。

実施形態に係るウェーハＷの加工方法は、切削幅Ｇを調整することができることで、例えば、ウェーハＷの表面１０１における外周余剰領域１０３の一部に、ウェーハＷの識別用の記号が記載されている場合において、外周余剰領域１０３の切削と共にこの記号を消す際に、記号が記載されている部分の切削部１１０の切削幅Ｇを大きくすることにより、記号が記載されている部分を切削することができる。逆に、識別用の記号を残すために切削幅Ｇを小さくすることもできる。本実施形態に係るウェーハＷの加工方法では、外周余剰領域１０３に対する切削ブレード２１の角度を調節することにより、切削幅Ｇを容易に調節できるため、ウェーハＷの周方向における位置によって切削の形態を異ならせることができる。この結果、研削装置９０でのウェーハＷの研削時におけるリークの発生を抑制しつつ、所望の箇所の切削を行うことができる。

〔変形例〕
なお、上述した実施形態に係るウェーハＷの加工方法では、外周余剰領域１０３を切削する際における形状については言及していないが、外周余剰領域１０３は、所望の形状になるように切削してもよい。図１４は、実施形態に係るウェーハの加工方法の変形例であり、外周縁を除いて外周余剰領域を切削する場合における説明図である。切削手段２０で外周余剰領域１０３を切削する際には、図１４に示すように、外周余剰領域１０３は外周縁１１５を除いて切削し、切削部１１０には環状の溝を形成してもよい。つまり、ウェーハＷの表面１０１側から外周余剰領域１０３を切削する際に、外周余剰領域１０３の外周縁１１５の部分は残し、外周余剰領域１０３における外周縁１１５よりもウェーハＷの径方向における内側の部分を切削してもよい。

図１５は、図１４に示すウェーハに保護テープを貼着した状態を示す説明図である。図１６は、図１５に示すウェーハを研削して薄化する場合の説明図である。外周縁１１５を除いて外周余剰領域１０３を切削した場合でも、外周縁１１５を切削した後は、外周余剰領域１０３を含むウェーハＷの表面１０１全体に保護テープＴ１を貼着し（図１５）、裏面１０２を研削装置９０によって研削して薄化する（図１６）。外周余剰領域１０３を切削する際に、このように外周縁１１５を残して切削することにより、保護テープＴ１を貼着した際に、保護テープＴ１における切削部１１０に貼着された部分が、切削部１１０側に傾斜し過ぎた状態になることなく貼着することができる。これにより、研削装置９０のチャックテーブル９１で、保護テープＴ１を介してウェーハＷを吸引保持する際に、保護テープＴ１と保持面９２との間に空気が入り込むことをより確実に抑制でき、ウェーハＷの研削時におけるリークの発生を、より確実に抑制することができる。

また、上述した実施形態では、外周余剰領域１０３の切削を行った後、分割予定ラインＬに沿ってウェーハＷの切削を行っているが、分割予定ラインＬに沿って切削を行った後に外周余剰領域１０３の切削後にもよい。例えば、ウェーハＷのカットを、複数の分割予定ラインＬに沿ってウェーハＷをハーフカットした後、裏面１０２を研削することによりチップ分割して複数のデバイスＤに分割する技術である、いわゆるＤＢＧ（Dicing Before Grinding）によって行う際に、実施形態に係る外周余剰領域１０３の切削を行ってもよい。外周余剰領域１０３の切削は、保護テープＴ１をウェーハＷの表面１０１に貼着する前に行えばよく、分割予定ラインＬに沿った加工に対する順番は問わない。

また、上述した実施形態では、切削手段２０は１つのみが設けられているが、切削手段２０は複数が設けられていてもよい。切削手段２０は、例えば、チャックテーブル１０を中心としてＹ方向に対向する位置に、２つが設けられていてもよい。つまり、チャックテーブル１０を中心として、Ｙ方向に対向する位置に２つの切削ブレード２１が設けられていてもよい。このように、切削手段２０複数設けることにより、ウェーハＷの切削時にウェーハＷの複数の箇所を同時に切削したり、一方の切削手段２０で切削を行っている時に他方の切削手段２０に次の工程の準備を行わせたりすることができるため、切削時間の短縮化を図ることができる。

１ 切削装置
２ 装置本体
１０ チャックテーブル
１１ 保持面
２０ 切削手段
２１ 切削ブレード
２２ スピンドル
２４ 回転軸
２５ 接線
３０ 門型フレーム
４０ 加工送り手段
５０ 割り出し送り手段
５３ Ｙ軸移動基台
６０ 切り込み送り手段
６３ Ｚ軸移動基台
７０ 光学検出手段
８０ 制御手段
９０ 研削装置
９１ チャックテーブル
９２ 保持面
９３ ホイールマウント
９４ 研削ホイール
９５ 基台
９６ 研削砥石
１０１ 表面
１０２ 裏面
１０３ 外周余剰領域
１０４ デバイス領域
１１０ 切削部
１１２ 接線
１１５ 外周縁
Ｗ ウェーハ
Ｇ 切削幅
Ｄ デバイス
Ｌ 分割予定ライン
Ｏ 中心
Ｃ 中心軸
Ｔ１ 保護テープ

Claims (2)

1. 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えるウェーハの加工方法であって、
   切削装置のチャックテーブルの保持面でウェーハの裏面を保持する保持ステップと、
   該保持ステップを実施した後、切削ブレードをウェーハの該外周余剰領域に所定量切り込ませたままウェーハを回転させ、該外周余剰領域を円形に切削する切削ステップと、
   該切削ステップを実施した後、ウェーハと同等の直径の保護テープを該デバイス領域及び該外周余剰領域を含むウェーハの表面に貼着する貼着ステップと、
   研削装置のチャックテーブルの保持面で該保護テープを介してウェーハを吸引保持し、ウェーハの裏面を研削して薄化する薄化ステップと、を備え、
   該切削ステップでは、ウェーハの周方向に対する該切削ブレードの角度を調整し、切削する部分の幅を調整し、該外周余剰領域には外周縁を除いて切削された環状の溝が形成されるウェーハの加工方法。
2. 該外周余剰領域は該デバイスを形成する材料が不均一に積層され該デバイス領域よりも突出している請求項１記載のウェーハの加工方法。

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