JP2007266352A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

ウエーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007266352A
JP2007266352A JP2006090097A JP2006090097A JP2007266352A JP 2007266352 A JP2007266352 A JP 2007266352A JP 2006090097 A JP2006090097 A JP 2006090097A JP 2006090097 A JP2006090097 A JP 2006090097A JP 2007266352 A JP2007266352 A JP 2007266352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cutting
convex portion
reinforcing portion
cutting tool
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006090097A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiichi Kajiyama
啓一 梶山
Takatoshi Masuda
隆俊 増田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2006090097A priority Critical patent/JP2007266352A/ja
Priority to US11/728,931 priority patent/US7718511B2/en
Publication of JP2007266352A publication Critical patent/JP2007266352A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】デバイス領域の周囲の外周補強部を加工してウエーハを平板状にするにあたり、外周補強部のみを適確に加工してデバイス領域を最大限に確保し、デバイスの収量を減少させない。
【解決手段】チャックテーブル201に保持したウエーハ1を回転させながら、保持面201aと平行な回転軸を有する切削ブレード222を、回転軸方向に沿って往復移動させながら、外周補強部5aの環状凸部6を削り取り、外周補強部5aをデバイス領域4と同等以下の厚さに加工する。
【選択図】図7

Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハにおいて、半導体チップ等のデバイスが形成された領域の周囲にデバイス形成領域よりも肉厚に形成された外周補強部を除去するウエーハの加工方法に関する。
各種電子機器等に用いられる半導体チップは、一般に、円盤状の半導体ウエーハの表面に分割予定ラインで格子状の矩形領域を区画し、これら領域の表面に電子回路を形成してから、裏面を研削して薄化し、分割予定ラインに沿って分割するといった方法で製造される。ところで、近年の電子機器の小型化・薄型化は顕著であり、これに伴って半導体チップもより薄いものが求められ、これは半導体ウエーハを従来よりも薄くする必要が生じるということになる。
ところが、半導体ウエーハを薄くすると剛性が低下するため、その薄化後の工程での取扱いが困難になったり、割れやすくなったりする問題が生じる。そこで、半導体チップが形成された円形のデバイス領域のみを裏面側から研削して薄化し、その周囲の環状の外周余剰領域を比較的肉厚の補強部として形成することにより、薄化による上記問題が生じないようにすることが行われている。この場合、裏面側が研削されるので、肉厚の外周補強部は裏面側に突出し、ウエーハは全体としては断面凹状となる。このように外周部分だけ肉厚とする技術は、例えば特許文献1、2等に開示されている。
従来では、薄く加工した半導体ウエーハを取扱いやすくするために表面に保護テープを貼り付けて剛性を持たせることも行われていたが、薄化後の工程で、ウエーハの裏面に金等の金属薄膜を蒸着やスパッタリング等の手段で付与する場合、保護テープは耐熱性が不十分であるから処理温度を低く設定する必要があり、そのため処理時間が通常よりも長期化するという問題を招く。そこで上記のように外周補強部を形成する剛性向上手段は、薄化後に保護テープを剥離しても剛性が維持されるため、熱の影響を考慮することなく蒸着やスパッタリング等を行える点で有望とされている。
特開2004−281551号公報 特開2005−123425号公報
このような半導体ウエーハは、最終的には上述したように複数の半導体チップに分割されるが、一般的な半導体ウエーハの分割方法としては、真空チャック式のチャックテーブル上に吸着、保持した半導体ウエーハに対して切削ブレードを切り込んで切断する方法が挙げられる。この方法では、通常、半導体ウエーハは環状のダイシングフレームに装着されたダイシングテープの粘着面に裏面が貼り付けられて支持され、ダイシングテープをチャックテーブルに吸着させることによってチャックテーブルに保持される。
ここで、半導体ウエーハが一般的な平板状であれば、その裏面全面がチャックテーブルに密着するので安定して保持されるが、上記の外周補強部があるものでは、安定した保持が困難である。そこで、凹状の半導体ウエーハの裏面形状に嵌合する形状にチャックテーブルを変更することも考えられるが実用的ではないため、外周補強部を除去して半導体ウエーハ全体を平板状に加工することが行われている。
外周補強部を除去する方法としては、図9および図10に示すように、回転するチャックテーブル上にダイシングテープ501に貼り付けた半導体ウエーハ1を保持し、半導体チップに分割する切削ブレード502を、デバイス領域4と外周補強部5aとの円形の境界に切り込ませ、例えば半導体ウエーハ1をチャックテーブル501ごと回転させることによって外周補強部を切り取る方法がある。ところがこの方法では、切削ブレード502の内外周差によって、切削ブレード502の切削幅502aはブレードの刃厚よりも広くなるため、デバイス領域4の外周部にも切削が及んでデバイス領域4の外径が小さくなってしまい、半導体チップを得る数、すなわち収量が少なくなってしまうといった問題がある。
そこで、図11および図12に示すように、半導体ウエーハ1をチャックテーブル503ごと回転させて、チャックテーブル503の回転軸と平行な回転軸を有する砥石ホイール504を回転させながら複数の砥石505を外周補強部5aに押圧して切削、除去する方法は、上記のような切削ブレードの内外周差による問題は生じず有効であると考えられた。ところがこの方法では、チャックテーブル503と砥石ホイール504との軸間距離を高い精度で正確に設定する必要がある。すなわち、回転する砥石505の回転軌跡の最外周縁を、半導体ウエーハ1のデバイス領域4と外周補強部5aとの境界に一致させることが求められ、もしもその最外周縁が境界よりも僅かでも半導体ウエーハ1の内側にあった場合には、デバイス領域4の外周部が切削されてしまい、その部分の半導体チップが使えなくなって半導体チップの収量が減少する事態を招く。しかしながら、砥石505の刃先の回転軌跡の位置を把握して調整するといった機能はなく、砥石505と砥石ホイール504の回転軸は離れているため、砥石の研削点を高い精度で、かつ微妙に調整することは実際には困難であり、デバイス領域4を研削してしまうことは避けられない。
さらにこの方法では、半導体ウエーハ1がチャックテーブル503の回転中心と同心状に保持されればよいが、ずれている場合(実際にはこの場合の方が多い)には、半導体ウエーハ1は偏心するため、外周補強部5aを残らず切削すると、砥石505がデバイス領域4にかかる部分が生じ、その部分の半導体チップが使えなくなってしまうといったように、やはり収量が減少することが起こる。図12に示すように、偏心回転する半導体ウエーハ1が砥石505から最も離れた位置(破線で示す)では、外周補強部5aのみが砥石505で切削されるが、半導体ウエーハ1が最も砥石505側に位置すると(二点鎖線で示す)、砥石505がデバイス領域4にかかって切削されてしまう。
よって本発明は、デバイス領域の周囲に外周補強部を加工してウエーハを平板状に加工するにあたり、外周補強部のみを適確に除去してデバイス領域を最大限に確保することができ、これによってデバイスの収量を減少させることのないウエーハの加工方法を提供することを目的としている。
本発明は、複数のデバイスが表面に形成されたデバイス領域の周囲に、裏面側に突出する凸部を有する外周補強部が一体に形成されたウエーハの、外周補強部を加工する方法であって、回転可能な保持テーブルの保持面に、ウエーハを、裏面側が露出し、かつ表面側が密着する状態に保持し、次いで、保持テーブルごとウエーハを回転させながら、保持面と平行な回転軸を有する切削工具を用いて、少なくとも凸部を切削、除去して外周補強部をデバイス領域と同等以下の厚さに加工することを特徴としている。
本発明は、保持テーブルの保持面と平行な回転軸を有する切削工具を、保持面に沿った方向や、その方向に直交する方向に適宜に動かして、外周補強部の凸部へ切削工具を切り込ませて切削し、少なくともその凸部を除去してウエーハを平板状に加工するものである。本発明では、切削工具の回転軸が保持テーブルの保持面と平行であることにより、保持面と平行な方向の切削工具の切削点は、回転軸への切削工具の取り付け位置に等しい。したがって、切削工具による凸部への切り込み位置や切削位置を制御しやすく、このため、外周補強部のみを適確に除去することができ、デバイス領域を最大限に確保することができる。
切削工具によるウエーハの外周補強部を切削する具体的な手段および動作としては、切削工具の幅を凸部の幅と同等以上とし、この切削工具を、回転するウエーハの凸部の先端面からウエーハの厚さ方向に押し当てるようにして切り込ませる方法が挙げられる。この方法では、凸部の先端面の全幅を、切削工具が凸部を潰す方向に押圧する一方向への1回の動きで、凸部が除去される。また、切削工具のウエーハ厚さ方向の送り込み量を、刃先がデバイス領域の裏面のレベルに一致する状態に設定して、該切削工具を凸部の側面に対し保持面と平行な方向に移動させて切り込ませる方法もある。この方法では、凸部の全高さを、切削工具が凸部の側面を削る方向に押圧する一方向への1回の動きで、凸部が除去される。
また、切削工具をウエーハに対して保持面と平行な方向に沿って相対移動させながら、切削工具によって凸部を切削、除去する方法も挙げられ、この場合、特に切削工具の移動方向を回転軸の軸方向に沿った方向とすることもできる。相対移動は切削工具と保持テーブルの少なくとも一方を保持面と平行な方向に移動させればよく、往復移動しながら切削工具を凸部の先端面に押し当てて切削すれば、凸部効率よく切削することができる。
本発明方法で外周補強部が切削、削除されるウエーハは、外周補強部によって剛性が確保されて取扱い性や耐久性が向上されたものであり、蒸着やスパッタリング等がなされて加熱されても問題ない。したがって、蒸着やスパッタリング等によって裏面のデバイス領域に対応する領域に金属膜が設けられているウエーハも加工対象物とされる。
本発明によれば、外周補強部の少なくとも凸部を切削、除去して外周補強部をデバイス領域と同等以下の厚さに加工することを、保持テーブルの保持面と平行な回転軸を有する切削工具を用いて行うので、外周補強部のみを適確に除去してデバイス領域を最大限に確保することができ、これによってデバイスの収量を減少させることなくウエーハを平板状に加工することができるといった効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明に係る一実施形態を説明する。
[1]半導体ウエーハ
図1の符号1は、一実施形態によって加工される円盤状の半導体ウエーハ(以下ウエーハと略称)を示している。このウエーハ1はシリコンウエーハ等であって、図1(a)に示すように、その表面には格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ(デバイス)3が区画されている。これら半導体チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。複数の半導体チップ3は、ウエーハ1と同心の概ね円形状のデバイス領域4に形成されており、このデバイス領域4の周囲は、半導体チップ3が形成されない環状の外周余剰領域5となっている。
図1(b),(c)はウエーハ1の裏面を上側にした図であり、これら図に示すようにウエーハ1の裏面は、環状の外周縁部が突出しており、この環状凸部6の内側に凹部4aが形成されている。凹部4aは裏面のデバイス領域4に対応する部分を砥石等で研削、除去することにより形成される。凹部4aの周囲は、外周余剰領域5がそのまま残った外周補強部5aとされ、裏面側に突出する環状凸部6を有している。ウエーハ1の厚さは、外周補強部5aが例えば600μm程度であり、凹部4aが形成されて薄く加工されたデバイス領域4の厚さは、例えば50〜100μm程度である。
ウエーハ1は、裏面のデバイス領域4に対応する領域、すなわち凹部4aの底部に、蒸着やスパッタリング等の手段で金等の金属薄膜が形成されたものであってもよい。また、ウエーハ1は裏面からのイオン注入のために所定の加熱工程を経る場合もある。このようなウエーハ1は、図1に示すように、半導体チップの電子回路を保護する保護テープ7が表面に貼られてから、以下に説明する加工工程に移される。
[2]ウエーハ加工装置
次に、図2〜図8を参照して、本発明の方法を好適に実施し得るウエーハ加工装置を説明する。図2はその加工装置10の斜視図、図3は平面図である。加工装置10は基台11を有し、この基台11上には、図3においてX方向右側から左側にわたって、ウエーハ供給部100、ウエーハ切削部200、ダイシングテープ貼着部300、ダイシングテープ搬送部400がこの順に配設されている。以下、これらを説明していく。
(a)ウエーハ供給部
ウエーハ供給部100は、基台11上のY方向一端(図3で下端)側に設置されたウエーハキャリア101と、このウエーハキャリア101からY方向他端側に向かって延びる一対の搬送ベルト102と、搬送ベルト102の間における搬送ベルト102の中間部と下流端部(図3で上端部)に設けられた第1ストッパ111および第2ストッパ112と、ウエーハ1をピックアップしてウエーハ切削部200に搬送するウエーハハンド120と、このウエーハハンド120をX・Y・Z方向に移動させるウエーハハンド駆動機構140とを備えている。
ウエーハキャリア101は、複数のウエーハ1を、裏面側が上に向いた水平な状態に積層して収容するもので、内蔵するエレベータ機構によって収容したウエーハ1を1段ずつ上下方向に移動させる機能を有している。そのエレベータ機構で最下段に移動させられたウエーハ1は、搬送ベルト102上に載り、搬送ベルト102によってストッパ111,112方向に引き出される。これらストッパのうち、第1ストッパ111は、搬送ベルト102で搬送されてくるウエーハ1が当たるストッパ位置と、このストッパ位置から下方に逃げてウエーハ1を通過させる非ストッパ位置の2位置で停止するように、上下動式あるいは可倒式とされている。また、第2ストッパ112はウエーハ1を停止させるのみの固定式である。
ウエーハハンド120は、図4および図5に示すように、円盤状のベース121と、このベース121に設けられた複数のハンドピック122と、ベース121の上方に配された円盤状のギヤプレート123と、このギヤプレート123の中心に固定された上方に延びるハンドシャフト124とを備えている。ベース121の外周部には、Z方向(鉛直方向)に延びる複数(この場合4つ)のピックシャフト125が、等間隔をおいて、回転自在、かつ軸方向には移動不能な状態に貫通して装着されている。これらピックシャフト125のベース121から下方へ突出した端部には、下方に向かうにつれて広がる比較的平たい円錐状の上記ハンドピック122が取り付けられている。
一方、ピックシャフト125のベース121から上方に突出した端部にはギヤ部125aが形成されており、これらピックシャフト125のギヤ部125aに、ギヤプレート123の外周面に形成されたギヤ部123aが噛み合っている。ギヤプレート123およびピックシャフト125は、ハンドシャフト124と同心状に配され、ハンドシャフト124とともにギヤプレート123が一方向に回転すると、ギヤ部123a,125aを介してその回転が各ピックシャフト125に伝わり、ハンドピック122が連動して回転するようになっている。
各ハンドピック122は平面視が涙滴形状であり、ある回転角度において鋭角状の先端部122aが全てハンドシャフト124の回転軸線に向かうように、ピックシャフト125に取り付けられている。このように全てのピックシャフト125の先端部122aがハンドシャフト124の回転軸線に向かうと、図5(c)に示すように各ハンドピック122の先端部122a上にウエーハ1を受けることができるようになっている。そして、このピックアップ位置から、図5(b)に示すようにハンドピック122が約180°回転すると、ハンドピック122ではウエーハ1を受けることができず、ウエーハ1は各ハンドピック122の内側を通過することが可能となっている。
図2および図3に示すように、ウエーハハンド120のハンドシャフト124は、ウエーハハンド駆動機構140のZ軸駆動機構170に、回転自在かつ昇降自在に支持されている。Z軸駆動機構170内には、ハンドシャフト124を回転/昇降駆動する駆動機構が内蔵されている。ウエーハハンド駆動機構140は、基台11における搬送ベルト102の近傍に支柱130を介して配設されたY方向に延びるY軸駆動機構150と、このY軸駆動機構150に係合して搬送ベルト102上をX方向に横断して設けられたX軸駆動機構160と、このX軸駆動機構160に係合して設けられたZ方向に延びる上記Z軸駆動機構170とを備えている。
Y軸駆動機構150およびX軸駆動機構160はねじロッド式の駆動機構であって、Y軸駆動機構150がX軸駆動機構160をY方向に移動させ、X軸駆動機構160がZ軸駆動機構170をX方向に移動させるように作動する。ウエーハハンド120は、これらX軸,Y軸,Z軸の各駆動機構によってX・Y・Z方向に移動し、第1ストッパ111や第2ストッパ112で停止させられたウエーハ1を取り上げて、ウエーハ切削部200に移すように作動する。
(b)ウエーハ切削部
ウエーハ切削部200は、上記各ストッパ111,112で停止させられたウエーハ1のそれぞれ隣りに配設された第1チャックテーブル201および第2チャックテーブル202と、これらチャックテーブル201,202上をY方向に横断するように移動する切削ユニット220とを備えている。チャックテーブル201,202は、いずれも周知の真空チャック式であり、水平な上面がウエーハ1を吸着、保持する保持面201a,202aとされ、中心を回転軸として図示せぬ回転駆動機構により回転駆動される。これらチャックテーブル201,202は、X方向に往復移動するように駆動されるテーブルベース211,212にそれぞれ回転自在に支持されている。各テーブルベース211,212の移動方向の両端部には、自身の移動路を塞いで切削屑等が侵入することを防ぐための蛇腹状のカバー215が伸縮自在に設けられている。
各チャックテーブル201,202は、テーブルベース211,212とともにウエーハ供給部100の近傍からダイシングテープ貼着部300にわたってX方向に往復移動するようになされており、ウエーハ1は、上記ウエーハハンド120によって外周補強部5aの環状凸部6が突出する裏面側を上にして、チャックテーブル201(202)の上に搬送される。そしてウエーハ1は、チャックテーブル201(202)上に保持された状態で環状凸部6を含む外周補強部5aが切削ユニット220によって切削、除去される。
その切削ユニット220は、軸方向がY方向と平行な状態に保持された円筒状のスピンドルハウジング221と、このスピンドルハウジング221内に設けられた回転駆動軸であるスピンドルに取り付けられた切削ブレード222とを備えている。スピンドルハウジング221は、基台11に設けられた図示せぬフレームに、軸方向がY方向と平行な状態を保持したままで、Y方向に往復移動し、かつZ方向に上下動するように支持されている。そのフレームには、切削ユニット220をそれらの方向に移動させる図示せぬ駆動機構が設けられている。切削ブレード222の軸方向はY方向に沿っており、すなわち切削ブレード222の軸方向はチャックテーブル201,202の保持面201a,202aと平行である。
スピンドルハウジング221の切削ブレード222が装着された側の端部(図3で下側の端部)には、図2に示すようにブレードカバー223が取り付けられている。このブレードカバー223には、切削時の潤滑、冷却、清浄化等のための切削水をウエーハ1の加工点に向けて供給する切削水ノズル224,225が取り付けられている。切削ユニット220は、第1および第2チャックテーブル201,202に保持されたウエーハ1の双方に対して切削加工が可能なように、これらチャックテーブル201,202上をY方向に横断するように設けられている。
(c)ダイシングテープ貼着部
上記テーブルベース211,212のX方向の移動範囲は、自身のX方向の長さ(幅)の2〜3倍程度であり、その移動範囲の中間点よりもウエーハ供給部100側がウエーハ切削部200の領域とされ、ダイシングテープ搬送部400側がダイシングテープ貼着部300の領域となっている。ウエーハ切削部200とダイシングテープ貼着部300との境界部分には、チャックテーブル201上のウエーハ1に洗浄水を噴射する洗浄水シャワーノズル230と、洗浄水を被ったウエーハ1に高圧エアーを噴射して水分を除去するエアーノズル240とが、並んで配設されている。これらノズル230,240は、Y方向に延びる長尺な管状ノズルで、下向きの噴射口が長手方向に多数点在する構成であり、ウエーハ切削部200側に洗浄水シャワーノズル230、ダイシングテープ貼着部300側にエアーノズル240が配され、基台11に立設された支柱250を介して2つのテーブルベース211,212の移動路上を横断するように設けられている。
ダイシングテープ貼着部300は、図6に示すダイシングテープ31をウエーハ1に押し付けて貼着する押し付けローラ310と、この押し付けローラ310をY・Z方向に移動させるローラ駆動機構320とを備えている。押し付けローラ310は、適度な弾性を有するゴム等の弾性体で表面が構成されたもので、ローラフレーム311が備えたX方向の回転軸に回転自在に支持されている。ローラフレーム311は、Z方向に延びるシャフト312を介して、ローラ駆動機構320のZ軸駆動機構370に昇降自在に支持されている。Z軸駆動機構370内には、シャフト312とともに押し付けローラ310を昇降駆動する駆動機構が内蔵されている。
ローラ駆動機構320は、基台11に立設された支柱340を介して2つのテーブルベース211,212の移動路上をY方向に横断して設けられたY軸駆動機構350と、このY軸駆動機構350のダイシングテープ搬送部400側に配されてY軸駆動機構350に係合して設けられたZ方向に延びる上記Z軸駆動機構370とを備えている。Y軸駆動機構350はねじロッド式の駆動機構であって、Z軸駆動機構をY方向に移動させるように作動する。押し付けローラ310は、Y軸駆動機構350によって2つのテーブルベース211,212の移動路上をY方向に往復移動し、また、Z軸駆動機構370によって昇降する。
(d)ダイシングテープ搬送部
ダイシングテープ搬送部400は、図6に示すダイシングテープ31を上記ダイシングテープ貼着部300に搬送する機能を有する。ダイシングテープ31は、例えば、厚さ100μm程度のポリ塩化ビニルを基材とし、その片面に厚さ5μm程度でアクリル樹脂系の粘着剤が塗布されたものが用いられる。ダイシングテープ31の粘着面には、ウエーハ1の直径よりも大きな内径を有する環状のダイシングフレーム32が貼り付けられる。ダイシングフレーム32は剛性を有する金属板等からなるもので、ウエーハ1はダイシングテープ31に貼着され、ダイシングフレーム32を保持することによって運搬等の取扱いがなされる。
ダイシングテープ搬送部400は、基台11上のY方向一端(図3で下端)側に設置されたカセット405と、このカセット405のY方向他端側に配されて、カセット405内から1枚のダイシングテープ付きダイシングフレーム32を引き出す引き出しクランプ410と、この引き出しクランプ410に把持されたダイシングフレーム32をダイシングテープ貼着部300に搬送する搬送クランプ部420と、この搬送クランプ部420をX・Y・Z方向に移動させるクランプ駆動機構430とを備えている。
カセット405内には、ダイシングテープ付きの複数のダイシングフレーム32が、ダイシングテープ31の粘着面を下に向けた水平な状態で積層して収容される。クランプ駆動機構430は、上記ウエーハ供給部100のY軸駆動機構150およびX軸駆動機構160と同一構成のY軸駆動機構450およびX軸駆動機構460と、Z軸駆動シリンダ470とを備えている。カセット405は、上記ウエーハキャリア101と同様に、内蔵するエレベータ機構によってダイシングフレーム32を1段ずつ上下方向に移動させる機能を有しており、所定の引き出し位置まで移動したダイシングフレーム32が、引き出しクランプ410によってカセット405から引き出されるようになっている。
クランプ駆動機構430のY軸駆動機構450は、カセット405からY方向他端側に適宜離れた位置の側方(図3で左側)に、支柱480を介して配設されている。Y軸駆動機構450が配された位置は、第2チャックテーブル202がダイシングテープ搬送部400方向へ移動する方向の延長上に相当する。このY軸駆動機構450に、ダイシングテープ貼着部300まで延びるX軸駆動機構460が係合している。
引き出しクランプ410は、カセット405内の1枚のダイシングフレーム32を把持するもので、基台11の上面に形成されたY方向に延びる溝411内に、この溝411に沿って移動自在に設けられており、図示せぬ駆動機構によってカセット405からX軸駆動機構460の間を往復移動するようになされている。
Z軸駆動シリンダ470は、ベースプレート471を介してX軸駆動機構460に係合されており、下方に対して伸縮するピストン473を有している(図8参照)。搬送クランプ部420は、一端部がZ軸駆動シリンダ470のピストン473の下端に固定され、ダイシングテープ貼着部300方向に向かってX方向に延びるステー421と、このステー421のカセット405側の面に、X方向に所定間隔をあけて設けられた一対の搬送クランプ422とから構成されている。搬送クランプ422も、引き出しクランプ410と同様にダイシングフレーム32を把持する機能を有している。
クランプ駆動機構430は、Y軸駆動機構450がX軸駆動機構460をY方向に移動させ、X軸駆動機構460がZ軸駆動シリンダ470をX方向に移動させるように作動する。したがって、搬送クランプ部420は、X軸駆動機構460とともにY方向に移動し、Z軸駆動シリンダ470とともにX方向に移動し、さらに、Z軸駆動シリンダ470のピストン473によって上下方向(Z方向)に移動させられる。
[3]ウエーハ加工装置の動作
次に、上記構成のウエーハ加工装置10の動作例を説明する。
ウエーハ供給部100のウエーハキャリア101から搬送ベルト102によって1枚のウエーハ1が引き出され、そのウエーハ1は搬送ベルト102で第1ストッパ111まで搬送され、搬送ベルト102が停止する。ウエーハ1は凹部4a側、すなわち裏面側が上に向いた状態で第1ストッパ111に当たって停止し、次いで、このウエーハ1がウエーハハンド120でピックアップされる。
図5(a)に示すように、ウエーハハンド120は、ハンドピック122が先端部122aを外向きにされた状態で、ウエーハハンド駆動機構140によってウエーハ1の直上に移動し、さらに図5(b)に示すようにZ軸駆動機構170によってハンドピック122の下面がウエーハ1の下面よりも下に位置するまで下降する。次いで、ハンドシャフト124が回転することによってギヤプレート123が回転し、これに連動して各ピックシャフト125とともにハンドピック122が約180°回転し、図5(c)に示すようにハンドピック122の先端部122aがウエーハ1の下面に入り込む。この状態を保持して、図5(d)に示すようにウエーハハンド120を上昇させウエーハ1を持ち上げる。ウエーハ1は、表面の外周補強部5aに対応する外周部がハンドピック122で受けられるので、ウエーハ1には余計な応力がかかることなく搬送することができる。
次に、ウエーハハンド120がウエーハハンド駆動機構140によってXY方向に適宜移動させられ、さらに下降することにより、予めウエーハ供給部100側に移動させられ、かつ真空運転されていたウエーハ切削部200の第1チャックテーブル201上に、ウエーハ1が載置される。ウエーハ1は第1チャックテーブル201上に吸着、保持され、ウエーハハンド120は上方に退避して、次のウエーハ1を搬送するために、ウエーハキャリア101の前まで移動する。ウエーハ1は、第1チャックテーブル201の回転中心と同心状に載置されることが望ましいが、多少ずれていてもよい。
ウエーハ1を保持した第1チャックテーブル201を回転させるとともに、テーブルベース211をダイシングテープ貼着部300方向に移動させて、チャックテーブル201の回転中心を切削ユニット220の回転軸に一致させる。また、切削ユニット220をY方向に移動させてウエーハ1上に位置させる。そして、切削ブレード222を高速で回転させながら切削ユニット220を下降させ、ウエーハ1の外周補強部5aの環状凸部6に切削ブレード222を切り込み、さらにY方向に往復移動を繰り返して、少なくとも外周補強部5aの環状凸部6を切削して除去する。なお、切削ユニット220のY方向の位置は、例えば、切削ブレード222が外周補強部5aのY方向他端側(図3で上側)の部分に切り込む位置とされる。
図7は外周補強部5aを切削する切削ブレード222の動作例を示しており、この場合の切削ブレード222の刃厚は外周補強部5aの幅の1/2程度となっている。
まず、(a)〜(b):切削ブレード222を外周補強部5aの環状凸部6の内周側に上から切り込ませてから、(c):切削ブレード222の回転軸と平行に外周側に移動させて1段階高さを減じ、続いて、(d):切削ブレード222を下降させて外周側に切り込ませ、(e):内周側に移動させてもう1段階高さを減じる。続いて、(f):切削ブレード222を下降させてデバイス領域4よりも若干深く外周補強部5aの内周側を切削し、次いで、(g):外周側に移動させてもう1段階高さを減じ、切削ブレード222を退避させ、(h):外周補強部5aをデバイス領域4よりも薄く下降したウエーハ1を得る。切削ブレード222の水平方向の往復移動は全て切削ブレード222の回転軸に沿った方向であり、切り込み方向は鉛直方向である。なお、ウエーハ1を切削するにあたっては、切削水ノズル224,225からウエーハ1の加工点に向けて切削水を適量供給しながら行う。
以上のようにしてウエーハ切削部200で外周補強部5aを加工したら、テーブルベース211を移動させてウエーハ1をダイシングテープ貼着部300に配置させる。その移動の途中においては、洗浄水シャワーノズル230からウエーハ1に洗浄水を噴射して切削屑等をウエーハ1から洗い流して洗浄し、次いでエアーノズル240から高圧エアーを噴射してウエーハ1の水分を除去する。
このようにウエーハ切削部200でウエーハ1の外周補強部5aが加工され、次いでそのウエーハ1がダイシングテープ貼着部300に搬送される間に、ダイシングテープ搬送部400では、ダイシングテープ31が装着された1枚のダイシングフレーム32をカセット405から引き出し、そのダイシングフレーム32をダイシングテープ貼着部300に搬送する動作が行われる。
その動作は、まず、引き出しクランプ410がカセット405内の1枚のダイシングフレーム32を把持し、次いでX軸駆動機構460方向に移動してダイシングフレーム32を引き出し、このダイシングフレーム32を、図3に示すようにダイシングテープ貼着部300に配置された第1チャックテーブル201の側方まで移動させる。次に、搬送クランプ部420を、引き出したダイシングフレーム32のY方向他端側(図3で上側)に配し、ピストン473を下降させ、搬送クランプ422によってダイシングフレーム32を把持するとともに、引き出しクランプ410による把持を解除して、ダイシングフレーム32を搬送クランプ422に受け渡す。続いてピストン473を上昇させてダイシングフレーム32を持ち上げ、搬送クランプ部420をダイシングテープ貼着部300に移動させて、搬送クランプ422で把持したダイシングフレーム32に装着されたダイシングテープ31を、ダイシングテープ貼着部300に配置されたウエーハ1の直上に移動させる。ダイシングテープ31は、ウエーハ1の上に数mm程度の間隔に近付けて配置されることが望ましい。
次に、押し付けローラ310によってダイシングテープ31をウエーハ1の裏面に貼り付ける。押し付けローラ310は、図3に示すように予めY軸駆動機構350のY方向一端部側(図3で下側)で待機しており、まず、Y軸駆動機構350によってダイシングテープ31上に移動する。そして、押し付けローラ310は図8(a)に示すようにZ軸駆動機構370によってダイシングテープ31の表面に当たるまで下降してから、さらに下降して、ダイシングテープ31の端部をウエーハ1の裏面に押圧する。続いて図8(b)〜(c)に示すように、押し付けローラ310は、ダイシングテープ31を押圧しながら搬送クランプ422方向に向かって転動する。これによってダイシングテープ31はウエーハ1の裏面に押し付けられ、貼着される。このように押し付けローラ310によってウエーハ1の裏面にダイシングテープ31を一端側から他端側に向かって押し付けていくことにより、ウエーハ1とダイシングテープ31との間に空気が入ることなく、ダイシングテープ31を貼着することができる。
なお、貼り付けの最終段階ではダイシングフレーム32とウエーハ1との上下方向のギャップによって貼り付けられていないダイシングテープ31の端部が捲り上がった状態となって円滑に貼り付けにくくなる。そこで、例えばZ軸駆動シリンダ470をクッションバネで上下方向に移動可能なようにベースプレート471に対して弾性的に支持するなどして、搬送クランプ422がダイシングテープ31に倣って下降するようにすれば、ダイシングテープ31の密着性を挙げることができるので好ましい。
以上のようにして、外周補強部5aがデバイス領域4よりも薄く加工され、裏面にダイシングテープ31が貼着されたウエーハ1は、ダイシングテープ搬送部400が上記と逆動作することにより、カセット405内に収容される。そして、最終的には、ダイシングテープ31に貼着されたまま分割予定ライン2に沿って切断され、複数の半導体チップ3に個片化される。上記のようにウエーハ切削部200で外周補強部5aを切削、除去する目的は、裏面の環状凸部6を無くして平坦化し、切削装置で半導体チップ3に個片化する際に裏面を通常のチャックテーブルに保持できるようにするためである。
上記ウエーハ加工装置10のウエーハ切削部200では、切削ブレード222を、該切削ブレード222の回転軸と平行な方向に往復移動させながらウエーハ1の外周補強部5aの環状凸部6に切り込ませて、この環状凸部6を切削、除去している。この方法によれば、切削ブレード222がデバイス領域4に入り込まないように切削ブレード222(実際には切削ユニット220)の軸方向の移動を適宜に制御することにより、外周補強部5aのみを適確に除去してデバイス領域4を最大限に確保することができる。その結果、半導体チップ3の収量を減少させることなく、ダイシングテープ31が貼着可能なようにウエーハ1の裏面を平坦に加工することができる。
ウエーハ1の中心がチャックテーブル201の回転中心と一致して同心状に保持されていれば、切削ブレード222の往復移動は、外周補強部5aの幅に応じた単純な振幅となるが、偏心して保持されている場合には、チャックテーブル201の1回の回転中に切削ブレード222がデバイス領域4に入り込むことが起こる。これは従来の問題点の1つであったのだが、この問題を解消できる制御が、切削ブレード222を軸方向に往復移動させる方法では比較的容易である。例えば、アライメント用の顕微鏡などによってチャックテーブル201に対するウエーハ1の載置位置を加工前に認識しておき、チャックテーブル201の回転と切削ブレード222の往復動を同期させるなどの方法で可能である。
なお、上記の説明では、第1チャックテーブル上でウエーハ1を切削する場合のみを述べているが、このウエーハ加工装置10では、2つのチャックテーブル201,202を利用して、一方をウエーハ1の切削に用い、他方をダイシングテープ31の貼着に用いるなどの使用方法を採って効率的に運転することができる。また、切削ユニット220は1つを具備しているが、例えば図3に示すように、切削ユニット220に対向する位置に、もう1つ切削ユニット220(破線で示す)を配置してもよい。この場合もその切削ユニット220は軸方向に往復移動して外周補強部5aを切削加工するものとする。このように構成すると、1つのウエーハ1の外周補強部5aに対して2つの切削ユニット220で切削加工を行うことができ、加工速度の大幅な短縮を図ることができる。
また、上記実施形態のウエーハ切削部200では、切削ユニット220を切削ブレード222の軸方向に沿って往復移動させているが、チャックテーブル201やテーブルベース211をその方向に往復移動するように構成し、固定側の切削ブレード222に対してウエーハ1を往復移動させて外周補強部5aを切削するようにしてもよい。すなわち、切削ユニット220とチャックテーブル201とが、切削ブレード222の軸方向に沿って相対移動する構成であればよく、いずれか一方が移動するか、または双方とも移動する構成も含む。
本発明の一実施形態で加工されるウエーハの(a)表面側斜視図、(b)裏面側斜視図、(c)、断面図である。 一実施形態のウエーハ加工装置の全体斜視図である。 同加工装置の平面図である。 ウエーハ加工装置のウエーハ供給部が具備するウエーハハンドの平面図である。 ウエーハハンドの動作を(a)〜(d)の順に示す側面図である。 ダイシングテープおよびダイシングフレームを示す(a)平面図、(b)断面図である。 ウエーハの外周補強部を切削する切削ブレードの動作例を(a)〜(h)の順に示す断面図である。 押し付けローラでダイシングテープをウエーハ裏面に貼着する過程を(a)〜(c)の順に示す側面図である。 従来の外周補強部の除去方法の一例を示す平面図である。 図9に示した方法の断面図である。 従来の外周補強部の除去方法の他の例を示す側面図である。 図11示した方法の拡大断面図である。
符号の説明
1…半導体ウエーハ
3…半導体チップ(デバイス)
4…デバイス領域
5a…外周補強部
6…環状凸部
10…ウエーハ加工装置
201,202…チャックテーブル(保持テーブル)
201a,202a…保持面
222…切削ブレード(切削工具)

Claims (6)

  1. 複数のデバイスが表面に形成されたデバイス領域の周囲に、裏面側に突出する凸部を有する外周補強部が一体に形成されたウエーハの、前記外周補強部を加工する方法であって、
    回転可能な保持テーブルの保持面に、前記ウエーハを、裏面側が露出し、かつ表面側が密着する状態に保持し、
    次いで、前記保持テーブルごと前記ウエーハを回転させながら、
    前記保持面と平行な回転軸を有する切削工具を用いて、少なくとも前記凸部を切削、除去して前記外周補強部を前記デバイス領域と同等以下の厚さに加工することを特徴とするウエーハの加工方法。
  2. 前記切削工具は前記凸部の幅と同等以上の幅を有し、該切削工具を、凸部の先端面から前記ウエーハの厚さ方向に切り込ませることにより、少なくとも前記凸部を切削、除去することを特徴とする請求項1に記載のウエーハの加工方法。
  3. 前記切削工具の、前記ウエーハに対する厚さ方向の送り込み量を、刃先が前記デバイス領域の裏面のレベルに一致する状態に設定して、該切削工具を前記凸部に向けて前記保持面と平行な方向に移動させて切り込ませることにより、少なくとも前記凸部を切削、除去することを特徴とする請求項1に記載のウエーハの加工方法。
  4. 前記切削工具を、前記ウエーハに対して前記保持面と平行な方向に沿って相対移動させながら、該切削工具によって少なくとも前記凸部を切削、除去することを特徴とする請求項1に記載のウエーハの加工方法。
  5. 前記切削工具の移動方向が、前記回転軸の軸方向に沿った方向であることを特徴とする請求項4に記載のウエーハの加工方法。
  6. 前記ウエーハの裏面の前記デバイス領域に対応する領域に金属膜が設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
JP2006090097A 2006-03-29 2006-03-29 ウエーハの加工方法 Pending JP2007266352A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006090097A JP2007266352A (ja) 2006-03-29 2006-03-29 ウエーハの加工方法
US11/728,931 US7718511B2 (en) 2006-03-29 2007-03-27 Processing method for wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006090097A JP2007266352A (ja) 2006-03-29 2006-03-29 ウエーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007266352A true JP2007266352A (ja) 2007-10-11

Family

ID=38559634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006090097A Pending JP2007266352A (ja) 2006-03-29 2006-03-29 ウエーハの加工方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7718511B2 (ja)
JP (1) JP2007266352A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009099739A (ja) * 2007-10-16 2009-05-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2009099870A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2010016188A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2013012595A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2017069489A (ja) * 2015-10-01 2017-04-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2017228732A (ja) * 2016-06-24 2017-12-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019021884A (ja) * 2017-07-21 2019-02-07 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
WO2020241407A1 (ja) 2019-05-24 2020-12-03 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、ロール体、積層体及び装置の製造方法
JP2021048278A (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社ディスコ 加工装置、及び、ウェーハの加工方法
KR20210052225A (ko) 2019-10-30 2021-05-10 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
JP7430108B2 (ja) 2020-04-27 2024-02-09 株式会社ディスコ 加工方法及び保持テーブル
JP7538001B2 (ja) 2020-11-11 2024-08-21 株式会社ディスコ 加工装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4741332B2 (ja) * 2005-09-30 2011-08-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4895594B2 (ja) * 2005-12-08 2012-03-14 株式会社ディスコ 基板の切削加工方法
JP2009096698A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Toshiba Corp ウェーハ及びその製造方法
JP6108415B2 (ja) * 2012-12-12 2017-04-05 富士機械製造株式会社 ダイ供給装置
ES2864962T3 (es) * 2014-04-30 2021-10-14 1366 Tech Inc Procedimientos y aparatos para fabricar obleas semiconductoras delgadas con regiones controladas localmente que son relativamente más gruesas que otras regiones
JP6282194B2 (ja) * 2014-07-30 2018-02-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2016147342A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 株式会社ディスコ 加工装置のチャックテーブル
US9748106B2 (en) * 2016-01-21 2017-08-29 Micron Technology, Inc. Method for fabricating semiconductor package
JP7089136B2 (ja) * 2018-03-22 2022-06-22 株式会社デンソー ウエーハの研削方法
JP7464472B2 (ja) * 2020-07-17 2024-04-09 株式会社ディスコ 加工装置
JP7517936B2 (ja) * 2020-10-01 2024-07-17 株式会社ディスコ 加工装置
JP2023025560A (ja) * 2021-08-10 2023-02-22 株式会社ディスコ 加工装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04263425A (ja) * 1991-02-18 1992-09-18 Toshiba Corp 半導体基板の研削装置及び研削方法
JP2002144199A (ja) * 2000-11-01 2002-05-21 Koyo Mach Ind Co Ltd 薄板円板状ワークの平面研削方法および平面研削盤
JP2003332271A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Renesas Technology Corp 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
JP2005038978A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Speedfam Co Ltd 半導体ウェハの平坦面外周部研磨装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100733112B1 (ko) * 1999-10-14 2007-06-27 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 접합웨이퍼의 제조방법
JP2003203940A (ja) * 2001-10-25 2003-07-18 Seiko Epson Corp 半導体チップ及び配線基板並びにこれらの製造方法、半導体ウエハ、半導体装置、回路基板並びに電子機器
JP2004281551A (ja) 2003-03-13 2004-10-07 Toshiba Corp 半導体基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、半導体パッケージ
JP2005123425A (ja) 2003-10-17 2005-05-12 Toshiba Corp 半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法
JP4647228B2 (ja) * 2004-04-01 2011-03-09 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04263425A (ja) * 1991-02-18 1992-09-18 Toshiba Corp 半導体基板の研削装置及び研削方法
JP2002144199A (ja) * 2000-11-01 2002-05-21 Koyo Mach Ind Co Ltd 薄板円板状ワークの平面研削方法および平面研削盤
JP2003332271A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Renesas Technology Corp 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
JP2005038978A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Speedfam Co Ltd 半導体ウェハの平坦面外周部研磨装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009099739A (ja) * 2007-10-16 2009-05-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2009099870A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2010016188A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2013012595A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2017069489A (ja) * 2015-10-01 2017-04-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2017228732A (ja) * 2016-06-24 2017-12-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019021884A (ja) * 2017-07-21 2019-02-07 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
WO2020241407A1 (ja) 2019-05-24 2020-12-03 リンテック株式会社 支持シート付フィルム状焼成材料、ロール体、積層体及び装置の製造方法
KR20220011627A (ko) 2019-05-24 2022-01-28 린텍 가부시키가이샤 지지 시트 부착 필름상 소성 재료, 롤체, 적층체 및 장치의 제조 방법
JP2021048278A (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社ディスコ 加工装置、及び、ウェーハの加工方法
JP7358145B2 (ja) 2019-09-19 2023-10-10 株式会社ディスコ 加工装置、及び、ウェーハの加工方法
KR20210052225A (ko) 2019-10-30 2021-05-10 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
US11276588B2 (en) 2019-10-30 2022-03-15 Disco Corporation Method of processing wafer
JP7430108B2 (ja) 2020-04-27 2024-02-09 株式会社ディスコ 加工方法及び保持テーブル
JP7538001B2 (ja) 2020-11-11 2024-08-21 株式会社ディスコ 加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7718511B2 (en) 2010-05-18
US20070231929A1 (en) 2007-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007266352A (ja) ウエーハの加工方法
JP4806282B2 (ja) ウエーハの処理装置
JP5613793B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP5390740B2 (ja) ウェーハの加工方法
KR101212365B1 (ko) 지지판 분리 장치 및 이를 이용한 지지판 분리 방법
KR100901934B1 (ko) 보호테이프 절단방법 및 이를 이용한 보호테이프 접착장치
JP4874602B2 (ja) ウエーハの加工方法およびウエーハの加工方法に用いる粘着テープ
US7384859B2 (en) Cutting method for substrate and cutting apparatus therefor
US7560362B2 (en) Cutting method for substrate
US7745311B2 (en) Working method for an optical device wafer
JP5773660B2 (ja) 樹脂剥がし装置および研削加工装置
JP2004207606A (ja) ウェーハサポートプレート
US20040140039A1 (en) Adhesive tape applying method and apparatus
JP4968819B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP4908085B2 (ja) ウエーハの処理装置
JP7483069B2 (ja) 基板搬送システム
KR20170066250A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2014054713A (ja) ウェーハの加工方法
JP2012038840A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6208587B2 (ja) 切削装置
JP2013093383A (ja) 板状物の保持方法及び板状物の加工方法
JP2008016485A (ja) ウェーハ搬送方法及びウェーハ搬送ユニット
JP2013135137A (ja) 板状物の保持方法及び板状物の加工方法
US20200086450A1 (en) Substrate grinding device and substrate grinding method
JP5264525B2 (ja) 研削装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111006

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111012

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120613

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121015