JP2012038840A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】歩留まりに優れた半導体装置を製造する半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、ウェハ１００の載置領域が設けられている枠体１０２と、上面視において、載置領域の外側かつ載置領域の周縁部に沿って枠体１０２に設けられており、研削屑または研磨屑を吸引する吸引部（吸引孔１０４）と、ウェハ１００の上面を吸引する輸送チャックと、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。

半導体ウェハの研削装置としては、例えば特許文献１に記載されたものがある。同文献に記載された研削装置を図７に示す。この研削装置は、半導体ウェハＷをチャックテーブル１０に吸着させた状態で研削する。チャックテーブル１０は、半導体ウェハＷを吸引する吸引部１１と、吸引部１１が設けられている枠体１２とで構成されている。吸引部１１は、半導体ウェハＷの外径と同等か大きい吸引部１５と、隔壁１３と、半導体ウェハＷの外径より小さい吸引部１４と、で構成されている。これらの吸引部１５と吸引部１４とは、吸引路１６で連通している。このため、吸引部１４と同時に吸引部１５も吸引を行う。これにより、半導体ウェハＷの全面を吸引することができるため、研削により半導体ウェハＷが薄くなった場合でも外周がばたつくことがなく、破損することがないと記載されている。

特開２００４−３１９８８５号公報

特許文献１に代表される従来の研削装置の吸引部１１は、研削時に、半導体ウェハを吸引することのみを目的として構成されている。
本発明者が検討した結果、研削後、半導体ウェハを輸送チャックに吸引させる際に、輸送チャックの吸引力により、半導体ウェハとチャックテーブルとの吸着面の周囲に残留している研削屑が、輸送チャックと半導体ウェハの上面との間に入り、半導体ウェハの上面が汚染されることが判明した。このような汚染は、研削時だけでなく、研磨時においても発生する。

本発明によれば、
ウェハの載置領域が設けられている枠体と、
上面視において、前記載置領域の外側かつ前記載置領域の周縁部に沿って前記枠体に設けられており、研削屑または研磨屑を吸引する吸引部と、
前記ウェハの上面を吸引する輸送チャックと、を備える、半導体製造装置が提供される。

本発明においては、ウェハの載置領域の周縁部に沿って吸引部が設けられている。このため、ウェハの載置方向のうち上方に向かって研削屑が移動することが抑制される。したがって、輸送チャックが、ウェハの上面を吸引する際、ウェハの上面に研削屑が付着することが抑制される。

本発明によれば、
ウェハの上面を研削または研磨する工程と、
研削または研磨する前記工程後、前記ウェハの周縁部の研削屑または研磨屑を、前記ウェハの前記上面より下方に向かって、移動させる工程と、
移動させる前記工程後、前記ウェハの前記上面を吸引する工程と、を含む、半導体装置の製造方法が提供される。

本発明においては、ウェハの主面を研削する工程後、ウェハの上面の周縁部に残留する研削屑を、上面から下方に向かって、移動させている。これにより、ウェハの研削面より上方に向かって研削屑が移動することが抑制される。したがって、ウェハの上面を吸引する際に、ウェハの上面に研削屑が付着することが抑制される。

本発明によれば、歩留まりに優れた半導体装置を製造する半導体製造装置および半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の実施の形態における研削装置の吸着テーブルを模式的に示す上面図である。 本発明の実施の形態における研削装置を模式的に示す断面図である。 本発明の実施の形態における研削装置を模式的に示す断面図である。 本発明の実施の形態における研削装置を模式的に示す断面図である。 本発明の実施の形態における研削装置を模式的に示す断面図である。 比較例における研削装置を模式的に示す断面図である。 特許文献１に記載の研削装置を模式的に示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。なお、本実施の形態では図示するように前後左右上下の方向を規定して説明する。しかし、これは構成要素の相対関係を簡単に説明するために便宜的に規定するものである。従って、本発明を実施する製品の製造時や使用時の方向を限定するものではない。

図１は、本実施の形態における研削装置の吸着テーブルを模式的に示す上面図である。図２〜５は、本実施の形態における研削装置の動作を模式的に示す断面図である。
本実施の形態の半導体製造装置は、ウェハ１００の載置領域が設けられている枠体１０２と、上面視において、載置領域の外側かつ載置領域の周縁部に沿って枠体１０２に設けられており、研削屑または研磨屑を吸引する吸引部（吸引孔１０４）と、ウェハ１００の上面を吸引する輸送チャック３００と、を備える。
また、図２に示すように、本実施の形態の半導体製造装置は、チャックテーブル１３０、研削部２２０、輸送チャック３００および制御部１５０を備える。

次に、本実施の形態の半導体製造装置の各構成を説明する。
本実施の形態に係るチャックテーブル１３０は、図１および図２に示すように、枠体１０２、吸引部（吸引孔１０４）および、供給部（吸引供給孔１１０）を備える。

枠体１０２は、ウェハ１００を載置するための載置領域を有する。ウェハ１００の下面（パターン面１０３）は、載置領域において吸引される。この枠体１０２には、吸引孔１０４が、ウェハ１００（載置領域）の周縁部に沿っており、かつウェハ１００（載置領域）の周縁部と離間して、設けられている。また、枠体１０２には、吸引供給孔１１０が、吸引部（吸引孔１０４）と連通せず、ウェハ１００の直下（載置領域の内側）に設けられている。

吸引孔１０４は、ウェハ１００の下面を吸引せずに（ウェハ１００の下面と接触せずに）、研削屑を吸引する。吸引孔１０４には、吸引装置１２２が接続されている。吸引装置１２２には、例えば、ポンプや弁が設けられている。これらを開閉することにより、吸引孔１０４内の空気を外部に排出できる。

また、吸引孔１０４は、上面視において、好ましくはウェハ１００の外周端から５ｍｍ以内、より好ましくは外周端から１〜２ｍｍ程度の位置に、枠体１０２に設けられている。また、吸引孔１０４は、上面視において、枠体１０２に設けられた環状（例えば、円状）の溝１０６の中に設けられていてもよい。上面視において、枠体１０２の中心から外周端方向における環状の溝の幅は、特に限定されないが、例えば３ｃｍ程度とすることができる。また、例えば、吸引孔１０４は、複数設けられていてもよい。

吸引供給孔１１０は、空気を吸引するおよび空気を供給する。この吸引供給孔１１０の下方は、吸引供給ライン１１４と接続している。この吸引供給ライン１１４は、吸引供給装置１２０と接続している。例えば、吸引供給孔１１０は、空気を吸引することにより、研削屑等を吸引する。一方、吸引供給孔１１０は、空気を供給することにより、ウェハ１００の移動を補助する。

吸引供給部（吸引供給孔１１０）の内部には、多孔質部材（多孔質体１０８）が埋め込まれている。

また、本実施の形態に係る制御部１５０は、吸引部（吸引孔１０４）の吸引タイミングや、吸引供給部（吸引供給装置１２０）の吸引および供給タイミングを制御する。

本実施の形態に係る研削部２２０は、研削ブレード２００、研削ホイール２０２、マウンタ２０４、スピンドル２０６、回転部２０８および移動部２１０を備える。研削ブレード２００は、研削ホイール２０２に装着されている。研削ホイール２０２はマウンタ２０４に固定されている。マウンタ２０４は、スピンドル２０６に支持されている。回転部２０８（駆動装置）が、スピンドル２０６を回転する。これにより、研削ブレード２００もスピンドル２０６と連動して回転する。また、移動部２１０は、研削部２２０を移動させる。本実施の形態では、制御部１５０は、回転部２０８の回転タイミングや回転数および移動部２１０の移動タイミングおよび移動位置を制御することができる。また、回転部２０８や移動部２１０は、制御部１５０以外の制御部に制御されてもよい。

本実施の形態に係る輸送チャック３００は、吸引ライン３０２、多孔質体３０６、吸引装置３０８および移動部３１２を備える。輸送チャック３００の下部には、凹部が設けられており、この凹部を埋め込むように多孔質体３０６が形成されている。輸送チャック３００の上部は、吸引ライン３０２に接続している。この吸引ライン３０２は、吸引装置３０８に接続している。このように、吸引ライン３０２から空気を吸引することにより、ウェハ１００の上面と輸送チャック３００の下部とを吸着させることができる。また、移動部３１２は、輸送チャック３００を移動させる。本実施の形態では、制御部１５０は、移動部３１２の移動タイミングおよび移動位置を制御することができる。また、移動部３１２は、制御部１５０以外の制御部に制御されてもよい。

次に、本実施の形態の半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を説明する。
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、ウェハ１００の上面を研削するまたは研磨する工程と、研削するまたは研磨する工程後、ウェハ１００の周縁部の研削屑１１６または研磨屑を、ウェハ１００の上面（非パターン面１０１）より下方に向かって、移動させる工程と、移動させる工程後、ウェハ１００の上面（非パターン面１０１）を吸引する工程と、を含む。

本実施の形態の半導体製造装置（研削装置）における動作の概要を説明する。
本実施の形態の半導体製造装置のチャックテーブル１３０は、研削プロセス時にウェハを吸着し、移動プロセス時に、残留研削屑を吸引しつつ、ウェハに空気や水を供給する。研削部２２０は、チャックテーブル１３０に吸着されているウェハを研削する。輸送チャック３００は、ウェハをチャックテーブル１３０から移動させ、回収する。回収されたウェハは、パッケージング等の次の半導体製造プロセスに用いられる。この半導体製造装置の制御部１５０は、チャックテーブル１３０における吸引や供給タイミング、研削タイミング、およびウェハの移動タイミング等を制御している。

本実施の形態の半導体製造装置は、例えば、ウェハ１００の膜厚を薄くする、研削装置である。ウェハ１００は、例えば、半導体集積回路を形成したチップが複数主面に配置された半導体ウェハである。この研削装置は、ウェハ１００の裏面を研削して、ウェハ厚さを所定の厚さまで薄くする。この後、研削されたウェハ１００に対して、パッケージング等の組立工程が行われる。

まず、ウェハ１００を枠体１０２の載置領域に載置する。このウェハ１００の下面（パターン面１０３）には、表面を保護する保護層（保護シート１１２）が設けられてもよい。続いて、吸引供給装置１２０は、吸引供給ライン１１４を介して吸引供給孔１１０に空気を吸引させる。これにより、吸引供給孔１１０内の多孔質体１０８（ポーラスセラミック）に、ウェハ１００の下面（パターン面１０３）を吸着させる。このようにして、ウェハ１００をチャックテーブル１３０に吸着させる。

続いて、図２に示すように、ウェハ１００の下面を吸引供給孔１１０に吸引させた状態で、回転部２０８でスピンドル２０６を回転させる。そして、スピンドル２０６に連動して、研削ブレード２００が固定された研削ホイール２０２を回転させる。これにより、ウェハ１００を吸着させた状態で、ウェハ１００の上面（非パターン面１０１）を、研削ブレード２００で研削する。このとき、不図示の研削水供給部から、研削水を供給する。なお、研削ブレード２００およびウェハ１００を互いに反対方向に回転させて、ウェハ１００の非パターン面１０１を研削してもよい。研削ブレード２００を上下方向に振動をさせてもよい。

研削を行っている間、図２に示すように、研削屑１１６（研削水等を含む）の一部は、ウェハ１００の下方の吸引供給孔１１０に吸引される。具体的には、吸引供給装置１２０の吸引力により、ウェハ１００とチャックテーブル１３０との吸着面の周縁部から多孔質体１０８の内部に、研削屑１１６が移動する。一方、その他の研削屑１１６は、研削ブレード２００とウェハ１００の非パターン面１０１と接触面の周縁部から外側方向に飛び出す。この飛び出した研削屑１１６は、チャックテーブル１３０の周囲かつ下方に設けられた回収部１１８に回収される。

続いて、制御部１５０は、回転部２０８の回転を停止させる。これにより、研削ブレード２００の回転を終了させる。研削終了後、図３に示すように、制御部１５０は、吸引供給装置１２０による吸引を停止させる。これにより、吸引供給孔１１０による吸引を終了させる。このとき、研削屑１１６は、ウェハ１００の端部付近（例えば、ウェハ１００とチャックテーブル１３０との吸着面の周縁部）や、多孔質体１０８の内部、等に残留している。

続いて、制御部１５０は、移動部２１０に研磨部を待機場所に移動させる。この後、制御部１５０は、移動部３１２に輸送チャック３００をウェハ１００の上に移動させる。

この後、図４に示すように、輸送チャック３００にウェハ１００を吸着させる前に、制御部１５０は、吸引装置１２２の吸引を開始する。これにより、吸引装置１２２は、吸引孔１０４を通って残留研削屑１１６を吸引する。これにより、吸引３０４への吸引力により、ウェハ１００を上方に吸い上げる前から、ウェハ１００の周縁部に残留した研削屑１１６を、ウェハ１００の研削面（非パターン面１０１）の高さを基準として下方に向かって、移動させることができる、言い換えると、ウェハ１００を輸送チャック３００が吸引する前に、吸引方向とは反対方向に、残留研削屑１１６を移動させることができる。

また、図５に示すように、研削終了後、輸送チャック３００がウェハ１００の上面を吸引する前に、吸引供給装置１２０は、吸引供給ライン１１４から吸引供給孔１１０に、空気および水を供給してもよい。このとき、ウェハ１００の下面に対して、空気等が噴射される。これにより、ウェハ１００のパターン面１０３を、多孔質体１０８の上面（チャックテーブル１３０の上面）から剥離させることができる。

ここで、吸引装置１２２の吸引開始タイミングと、吸引供給装置１２０の供給開始タイミングおよび吸引装置３０８の吸引開始タイミングについて説明する。これらのタイミングは、制御部１５０が制御することができる。
吸引装置１２２の吸引開始タイミング（ｏｎ−ｔｉｍｉｎｇ）は、好ましくは研削終了後、吸引装置３０８の吸引開始タイミングの前である。また、吸引装置１２２の吸引は、吸引装置３０８の吸引開始時点の前後に渡って継続させる。
一方、吸引供給装置１２０の供給開始タイミングは、吸引装置３０８の吸引開始タイミング前であれば、特に限定されないが、例えば、吸引装置１２２の吸引開始タイミングの前、同時および後でもよく、好ましくは吸引装置１２２の吸引開始タイミングと同時、さらに好ましくは、吸引装置１２２の吸引開始タイミングの後である。

例えば、研削終了後において、吸引装置１２２の吸引開始タイミングと吸引供給装置１２０の供給開始タイミングとが同時である場合について説明する。
この場合においては、吸引供給孔１１０は、ウェハ１００の下面に向かって、空気や水を噴出する。同時に、吸引孔１０４は、ウェハ１００の周縁部から残留していた研削屑１１６を吸引する。このとき、吸引供給孔１１０の多孔質体１０８内部に残留していた研削屑１１６が、ウェハ１００の周縁部から放出される。この放出された研削屑１１６は、吸引孔１０４に吸引される。そして、研削屑１１６は、吸引孔１０４の下方に流れ、枠体１０２の下方に排出される。なお、吸引供給孔１１０と吸引孔１０４とは、連通していない。このため、制御部１５０は、それぞれ独立して、吸引装置１２２の吸引開始タイミングと吸引供給装置１２０の供給開始タイミングを制御できる。

このようにして、輸送チャック３００がウェハ１００の上面（研削面である非パターン面１０１）を吸引する前に、ウェハ１００の周縁部に残留していた研削屑１１６にくわえて、多孔質体１０８の内部から放出された研削屑１１６等が、吸引孔１０４に吸引される。その結果、ウェハ１００の周縁部の残留研削屑１１６が、ウェハ１００の上面（非パターン面１０１）と輸送チャック３００との吸着面との間に回りこむことが抑制される（図５）。

このように、残留研削屑１１６を下方に（輸送チャック３００の吸引方向と反対方向に）移動させた状態で、制御部１５０は、輸送チャック３００にウェハ１００の上面を吸着させている。そして、制御部１５０は、移動部３１２に輸送チャック３００を回収場所に移動させる。これにより、輸送チャック３００は、ウェハ１００の上面を吸引しつつ、ウェハ１００を回収場所に移動させる。この後、ウェハ１００に対して、通常の半導体製造プロセスや組立工程を行い、半導体装置を得る。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においては、研削終了後、研削屑１１６が、ウェハ１００とチャックテーブル１３０との吸着面の周縁部に残存することがある。
これに対して、本実施の形態においては、吸引孔１０４が、上面視において、ウェハ１００の周縁部に沿って枠体１０２に設けられている。このため、吸引孔１０４の吸引により、ウェハ１００の周縁部の研削屑１１６を、下方に向かって移動させることができる。これにより、ウェハ１００の上方に吸引する際に、研削屑１１６の下方への移動を行わない場合と比較して、研削屑１１６が上方に移動する移動量が低減する。その結果、研削屑１１６が、ウェハ１００の上面に付着する量が低減される（すなわち、ウェハ１００の上面と輸送チャック３００との吸着面に、研削屑１１６が付着することが抑制される。）。したがって、ウェハ１００の上面の汚染が抑制される。

また、本実施の形態においては、吸引孔１０４と連通しない、空気を供給する吸引供給孔１１０が設けられている。このため、ウェハ１００の下面に対して空気や水を噴出して、チャックテーブル１３０らウェハ１００を剥離させることができる。これにより、輸送チャック３００の吸引を促すことができる。一方で、剥離する際、吸引供給孔１１０の内部に残留している研削屑１１６や、ウェハ１００とチャックテーブル１３０との吸着面に残留している研削屑１１６が、空気等とともに、ウェハ１００周縁部から放出される。この放出された研削屑１１６は、吸引孔１０４に吸引される。その結果、ウェハ１００の上面と輸送チャック３００との吸着面に、研削屑１１６が付着することが抑制される。したがって、ウェハ１００を剥離する場合においても、ウェハ１００の上面の汚染が抑制される。

また、本実施の形態においては、輸送チャック３００にウェハ１００を吸引させる前に、枠体１０２に研削屑１１６を吸引させることができる。これにより、輸送チャック３００の吸引力により、研削屑１１６が上方に移動することを確実に抑制できる。

また、本実施の形態においては、吸引供給孔１１０に空気を供給させる前に、吸引孔１０４に研削屑１１６を吸引させることができる。これにより、空気を供給と研削屑１１６の吸引を同時に行う場合と比較して、剥離する際、吸引供給孔１１０の内部に残留している研削屑１１６等がウェハ１００の周縁部から放出されてくるものを、確実に吸引することができる。したがって、ウェハ１００を剥離する場合においても、ウェハ１００の上面の汚染がより抑制される。

また、本実施の形態においては、吸引孔１０４を、ウェハ１００の外周端から５ｍｍ以内の位置に設けることができる。これにより、研削屑１１６の吸引を効率的に行うことができる。

以上により、ウェハ１００の上面に研削屑が付着することが抑制される。このため、歩留まりに優れた半導体装置を製造する半導体製造装置および半導体装置の製造方法が実現される。
また、本実施の形態においては、輸送チャック３００に研削屑１１６が付着することが抑制される。このため、この輸送チャック３００が次のウェハを吸着する際に、ウェハの上面（非パターン面１０１）に、研削屑１１６が転写や残留することが抑制される。したがって、組立工程でのチップ剥がれや薬液汚染発生が抑制されることとなる。これにより、歩留まりに優れた半導体装置が得られる。

続いて、ウェハの載置領域の外側の枠体に吸引孔が設けられていない比較例を用いて、本実施の形態の効果についてさらに説明する。この比較例の構造は、図６に示す。
比較例においては、研削終了後、チャックテーブル４３０からウェハ４００を剥離するため、吸引供給ライン４１４から吸着用ポーラス部を通じて水とエアーを噴出させる。このとき、ウェハ吸着用ポーラス部の研削屑４１６（研削水含む）が、ウェハ１００の端部付近に押し出される。その結果、輸送チャック５００のウェハ１００を吸着する力により、ウェハ１００の端部の研削屑４１６が、ウェハ１００の非パターン面４０１と輸送チャック５００との吸着面との間に回りこむことがあった。輸送チャック５００に付着した研削屑４１６は、チャック面に残留し、次のウェハ吸着時に、ウェハの非パターン面に転写や残留することがあった。このため、比較例においては、組立工程でのチップ剥がれや薬液汚染が発生していた。

これに対して、上述の通り、本実施の形態においては、吸引供給孔１１０と連通しない、吸引孔１０４が、上面視において、ウェハ１００の載置領域の周縁部に沿って、かつ載置領域の外側の枠体１０２に設けられている。これにより、吸引供給孔１１０の空気の供給により、ウェハ１００の周縁部に押し出された研削屑１１６を、その周囲に設けられている吸引孔１０４により吸引することができる。したがって、ウェハ１００の上面と輸送チャック３００との吸着面に、研削屑１１６が付着することが抑制される。その結果、組立工程でのチップ剥がれや薬液汚染も抑制される。

また、特許文献１に記載の研削装置においては、吸引部１５と吸引部１４とは、吸引路１６で連通している。このため、吸引部１５に研削屑を吸引させつつ、吸引部１４に空気を供給させることができない。したがって、特許文献１に記載の研削装置においては、輸送チャックがウェハを上方に吸引する際、ウェハの上面に研削屑が付着することを抑制することが、非常に困難であった。

これに対して、上述の通り、本実施の形態においては、吸引供給孔１１０と連通しない、吸引孔１０４が、上面視において、ウェハ１００の載置領域の周縁部に沿って、かつ載置領域の外側の枠体１０２に設けられている。これにより、吸引供給孔１１０の空気等のブローにより、ウェハ１００をチャックテーブル１３０から剥離させることができる。その一方で、ブローによりウェハ１００の周縁部に押し出された研削屑１１６は、吸引孔１０４により吸引することができる。このように、本実施の形態においては、吸引孔１０４と吸引供給孔１１０とが独立して機能することができる。したがって、ウェハ１００の移動を促進させつつ、ウェハ１００の上面と輸送チャック３００との吸着面に、研削屑１１６が付着することが抑制される。その結果、プロセス効率が向上し、歩留まりに優れた半導体装置が得られる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

例えば、ウェハは、シリコン、サファイアなどからなる半導体基板であってもよいし、各種の薄膜や各種の素子が形成された半導体基板であってもよい。

多孔質体１０８としては、例えば、セラミックス、焼結ＳｉＣ、焼結フッ素樹脂、ステンレス等のメタル等の多孔質体であってよい。

上面視における枠体１０２の形状は、例えば、円形状、矩形状であってもよい。

複数の吸引孔１０４は、ウェハ１００（載置領域）の中心を起点にして、点対称に設けられていてもよい。また、複数の吸引孔１０４は、それぞれ単独でもよいし、連通していてもよい。さらに、ウェハ１００の周縁部から吸引孔１０４に渡って、研削屑１１６の吸引に用いるガイド溝が、枠体１０２に設けられていてもよい。このガイド溝は、載置領域の中心から外側に向かって、テーパしていてもよい

本実施の形態においては、チャックテーブル１３０を研削装置に用いた場合について説明したが、チャックテーブル１３０を研磨装置、例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置に用いることもできる。この場合には、研削ブレード２００を代えて、研削ホイール２０２に研磨パッドを固定する。そして、研削水供給部から、スラリー等研磨剤を供給する。

なお、当然ながら、上述した実施の形態および複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態および変形例では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。

１０ チャックテーブル
１１ 吸引部
１２ 枠体
１３ 隔壁
１４ 吸引部
１５ 吸引部
１６ 吸引路
１００ ウェハ
１０１ 非パターン面
１０２ 枠体
１０３ パターン面
１０４ 吸引孔
１０６ 溝
１０８ 多孔質体
１１０ 吸引供給孔
１１２ 保護シート
１１４ 吸引供給ライン
１１６ 研削屑
１１８ 回収部
１２０ 吸引供給装置
１２２ 吸引装置
１３０ チャックテーブル
１５０ 制御部
２００ 研削ブレード
２０２ 研削ホイール
２０４ マウンタ
２０６ スピンドル
２０８ 回転部
２１０ 移動部
２２０ 研削部
３００ 輸送チャック
３０２ 吸引ライン
３０６ 多孔質体
３０８ 吸引装置
３１２ 移動部
４００ ウェハ
４０１ 非パターン面
４０２ 枠体
４１０ 吸引供給孔
４１４ 吸引供給ライン
４１６ 研削屑
４３０ チャックテーブル
５００ 輸送チャック
５０２ 吸引ライン

Claims (6)

1. ウェハの載置領域が設けられている枠体と、
   上面視において、前記載置領域の外側かつ前記載置領域の周縁部に沿って前記枠体に設けられており、研削屑または研磨屑を吸引する吸引部と、
   前記ウェハの上面を吸引する輸送チャックと、を備える、半導体製造装置。
2. 前記吸引部の吸引開始タイミングおよび前記輸送チャックの吸引開始タイミングを制御する制御部をさらに備え、
   前記制御部は、前記輸送チャックに前記ウェハの前記上面を吸引させる前に、前記吸引部に前記研削屑または前記研磨屑を吸引させる、請求項１に記載の半導体製造装置。
3. 前記載置領域の内側の前記枠体に設けられており、前記吸引部と連通せず、空気を供給する、供給部をさらに備え、
   前記制御部は、前記供給部の供給開始タイミングをさらに制御しており、
   前記制御部は、前記輸送チャックに前記ウェハの前記上面を吸引させる前に、前記吸引部に前記研削屑を吸引させるとともに、前記吸引供給部に前記空気を供給させる、請求項１または２に記載の半導体製造装置。
4. 前記吸引部は、前記載置領域の周縁部から５ｍｍ以内の位置に設けられている、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
5. ウェハの上面を研削または研磨する工程と、
   研削または研磨する前記工程後、前記ウェハの周縁部の研削屑または研磨屑を、前記ウェハの前記上面より下方に向かって、移動させる工程と、
   移動させる前記工程後、前記ウェハの前記上面を吸引する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
6. 研削または研磨する前記工程と同時にまたは後に、前記ウェハの下面に対して、空気を供給する工程をさらに含む、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。

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