JP4806282B2 - ウエーハの処理装置 - Google Patents
ウエーハの処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4806282B2 JP4806282B2 JP2006090235A JP2006090235A JP4806282B2 JP 4806282 B2 JP4806282 B2 JP 4806282B2 JP 2006090235 A JP2006090235 A JP 2006090235A JP 2006090235 A JP2006090235 A JP 2006090235A JP 4806282 B2 JP4806282 B2 JP 4806282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holding
- outer peripheral
- reinforcing portion
- peripheral reinforcing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Description
[1]半導体ウエーハ
図1の符号1は、一実施形態によって処理される円盤状の半導体ウエーハ(以下ウエーハと略称)を示している。このウエーハ1はシリコンウエーハ等であって、図1(a)に示すように、その表面には格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状の半導体チップ(デバイス)3が区画されている。これら半導体チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。複数の半導体チップ3は、ウエーハ1と同心の概ね円形状のデバイス領域4に形成されており、このデバイス領域4の周囲は、半導体チップ3が形成されない環状の外周余剰領域5となっている。
図2〜図9を参照して、ウエーハ1の外周補強部5aの環状凸部6を除去し、次いでそのウエーハ1を次工程に搬送させるための処理を行うウエーハ処理装置を説明する。
図2はその処理装置10の斜視図、図3は平面図である。処理装置10は基台11を有し、この基台11上のY方向手前側(図3において下側)には、図3でX方向右側から左側にわたってウエーハ供給部100、ダイシングテープ貼着部(保持テープ貼着手段)200、ダイシングテープ搬送部400がこの順に配設され、また、ダイシングテープ貼着部200のY方向奥側(図3において上側)には、ウエーハ研削部300が配設されている。ウエーハ1は、ウエーハ供給部100から一旦ダイシングテープ貼着部200に移された後にウエーハ研削部300に送られ、このウエーハ研削部300で外周補強部5aの少なくとも環状凸部6が研削されてからダイシングテープ貼着部200に戻され、このダイシングテープ貼着部200で、ダイシングテープ搬送部400から送られてくるダイシングテープがウエーハ1に貼着される。以下、これら各部を説明していく。
ウエーハ供給部100は、基台11上のY方向手前側に設置されたウエーハキャリア101と、このウエーハキャリア101からY方向奥側に向かって延びる一対の搬送ベルト102と、搬送ベルト102間の下流端部(図3で上端部)に設けられたストッパ111と、ウエーハ1をピックアップしてダイシングテープ貼着部200に搬送するウエーハハンド120と、このウエーハハンド120をX・Z方向に移動させるウエーハハンド駆動機構140とを備えている。
搬送ベルト102で搬送されストッパ111で停止させられたウエーハ1の、図3でX方向左隣りに相当する位置が、ウエーハ着脱位置として設定されている。ダイシングテープ貼着部200は、その着脱位置に配される円盤状のチャックテーブル(保持テーブル)201と、ウエーハ着脱位置にあるチャックテーブル201上をY方向に横断するように移動することにより、図8に示すダイシングテープ(保持テープ)31をウエーハ1の裏面に押し付けて貼着する押し付けローラ210と、この押し付けローラ210をY・Z方向に移動させるローラ駆動機構220とを備えている。
ウエーハ研削部300は、着脱位置にあるチャックテーブル201がテーブルベース202によってY方向奥側に移動させられた先の基台11上に立設されたコラム301と、このコラム301の手前側の側面に装着された研削ユニット(外周補強部除去手段)310とから構成されている。研削ユニット310は、コラム301の側面に、スライドプレート302およびガイドレール303を介してZ方向に昇降自在に取り付けられており、昇降駆動機構304によって昇降させられる。
ダイシングテープ搬送部400は、図8に示すダイシングテープ31を上記ダイシングテープ貼着部200に搬送する機能を有する。ダイシングテープ31は、例えば、厚さ100μm程度のポリ塩化ビニルを基材とし、その片面に厚さ5μm程度でアクリル樹脂系の粘着剤が塗布されたものが用いられる。ダイシングテープ31の粘着面には、ウエーハ1の直径よりも大きな内径を有する環状のダイシングフレーム32が貼り付けられる。ダイシングフレーム32は剛性を有する金属板等からなるもので、ウエーハ1はダイシングテープ31に貼着され、ダイシングフレーム32を保持することによって運搬等の取扱いがなされる。
次に、上記構成のウエーハ処理装置10の動作例を説明する。
ウエーハ供給部100のウエーハキャリア101から、搬送ベルト102によって1枚のウエーハ1が引き出される。そのウエーハ1は、凹部4a側、すなわち裏面側が上を向いている。ウエーハ1が搬送ベルト102によってストッパ111に当たる停止位置まで搬送されたら、搬送ベルト102が停止する。次いで、ウエーハ1がウエーハハンド120でピックアップされる。
図10および図11に示すウエーハ処理装置10Bでは、ウエーハ研削部300に、上記ウエーハ研削ユニット310に代えて、切削ユニット(外周補強部除去手段)330が配設されている。この切削ユニット330は、軸方向がY方向と平行な状態に保持されて研削位置にあるチャックテーブル201のY方向奥側(図11で上側)に配設された円筒状のスピンドルハウジング331と、このスピンドルハウジング331のチャックテーブル201側の端部に設けられた切削ブレード332とを備えている。
まず、(a)〜(b):切削ブレード332を外周補強部5aの環状凸部6の内周側に上から切り込ませてから、(c):切削ブレード332の回転軸と平行に外周側に移動させて1段階高さを減じ、続いて、(d):切削ブレード332を下降させて外周側に切り込ませ、(e):内周側に移動させてもう1段階高さを減じる。続いて、(f):切削ブレード332を下降させてデバイス領域4よりも若干深く外周補強部5aの内周側を切削し、次いで、(g):外周側に移動させて外周部分を切削し、切削ブレード332を退避させ、(h):外周補強部5aをデバイス領域4よりも薄く加工したウエーハ1を得る。切削ブレード332の水平方向の往復移動は全て切削ブレード332の回転軸に沿った水平方向(Y方向)であり、切り込み方向はZ方向(鉛直方向)である。なお、ウエーハ1を切削するにあたっては、切削水ノズル334,335からウエーハ1の加工点に向けて切削水を適量供給しながら行う。
3…半導体チップ(デバイス)
4…デバイス領域
5a…外周補強部
6…環状凸部
10,10B…ウエーハ処理装置
31…ダイシングテープ(保持テープ)
32…ダイシングフレーム
100…ウエーハ供給部
200…ダイシングテープ貼着部(保持テープ貼着手段)
201…チャックテーブル(保持テーブル)
300…ウエーハ研削部
310…研削ユニット(外周補強部除去手段)
320…洗浄水シャワーノズル(洗浄手段)
321…エアーノズル(洗浄手段)
330…切削ユニット(外周補強部除去手段)
400…ダイシングテープ搬送部
Claims (2)
- 複数のデバイスが表面に形成されたデバイス領域の周囲に、裏面側に突出する凸部を有する外周補強部が一体に形成されたウエーハの、前記外周補強部の少なくとも凸部を除去してから、該ウエーハを搬送するためのウエーハの処理装置であって、
前記ウエーハを、裏面側が露出し、かつ表面側が密着する状態で保持する保持テーブルと、
この保持テーブルに保持された前記ウエーハにおける前記外周補強部の少なくとも前記凸部を除去する外周補強部除去手段と、
前記保持テーブルを、該保持テーブルに対し前記ウエーハを供給したり離脱させたりするウエーハ着脱位置と、前記外周補強部除去手段との間を往復動させるテーブルベースと、
該テーブルベースによって前記ウエーハ着脱位置に位置付けられ、かつ、前記外周補強部除去手段によって前記外周補強部の少なくとも前記凸部が除去された前記保持テーブルに保持されている前記ウエーハの裏面に、保持テープが装着された保持テープ付きフレームの該保持テープを貼着し、該ウエーハを、該保持テープを介して該フレームで支持可能状態とする保持テープ貼着手段とを備え、
前記ウエーハ着脱位置における前記保持テーブルの往復動方向に直交する方向の、
一方側に、前記外周補強部が形成された処理前の前記ウエーハを前記ウエーハ着脱位置に配置された前記保持テーブルに供給するウエーハ供給部が配設され、
他方側に、前記保持テープ貼着手段に前記保持テープ付きフレームを搬送し、また、前記保持テープ貼着手段によって該保持テープ付きフレームの該保持テープが裏面に貼着された前記ウエーハを収容するカセットを有する保持テープ搬送部が配設されており、
前記テーブルベースによって前記ウエーハ着脱位置に位置付けられた前記保持テーブルに、前記ウエーハ供給部から、前記外周補強部が形成された処理前の前記ウエーハを供給して、該保持テーブルに該ウエーハを、裏面側が露出し、かつ表面側が密着する状態で保持し、
次いで、前記テーブルベースによって前記保持テーブルを前記外周補強部除去手段に移動させ、該外周補強部除去手段によって前記ウエーハの前記外周補強部の少なくとも前記凸部を除去し、
次いで、前記テーブルベースによって前記保持テーブルを前記ウエーハ着脱位置に移動させるとともに、前記保持テープ搬送部によって前記保持テープ貼着手段に前記保持テープ付きフレームを搬送し、
次いで、前記保持テープ貼着手段によって、前記ウエーハ着脱位置に位置付けられた保持テーブルに保持され前記外周補強部除去手段によって前記外周補強部の少なくとも前記凸部が除去された前記ウエーハの裏面に、前記保持テープ付きフレームの該保持テープを貼着し、
次いで、前記保持テープ搬送部によって、前記ウエーハ着脱位置に位置付けられている前記保持テーブルに保持されており前記保持テープ付きフレームの該保持テーブルが裏面に貼着された前記ウエーハを、前記フレームを支持することにより前記保持テーブルから離脱させて、前記カセットに搬送して収容する
ことを特徴とするウエーハの処理装置。 - 前記外周補強部除去手段によって前記外周補強部の少なくとも前記凸部が除去されたウエーハを、前記保持テーブルに保持されたままの状態で洗浄する洗浄手段を有することを特徴とする請求項1に記載のウエーハの処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006090235A JP4806282B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | ウエーハの処理装置 |
US11/728,936 US7858530B2 (en) | 2006-03-29 | 2007-03-27 | Processing method for wafer and processing apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006090235A JP4806282B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | ウエーハの処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007266364A JP2007266364A (ja) | 2007-10-11 |
JP4806282B2 true JP4806282B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=38557101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006090235A Active JP4806282B2 (ja) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | ウエーハの処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7858530B2 (ja) |
JP (1) | JP4806282B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4937674B2 (ja) * | 2006-08-16 | 2012-05-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハのエッチング方法 |
JP4853872B2 (ja) * | 2007-05-24 | 2012-01-11 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | チップの製造方法 |
JP4856593B2 (ja) * | 2007-07-04 | 2012-01-18 | リンテック株式会社 | マウント装置及びマウント方法 |
JP2010016188A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP5268599B2 (ja) * | 2008-12-03 | 2013-08-21 | 株式会社ディスコ | 研削装置および研削方法 |
JP5660909B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2015-01-28 | 株式会社ディスコ | 環状凸部除去装置及び環状凸部除去方法 |
JP5772092B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2015-09-02 | 富士電機株式会社 | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
JP6016472B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-10-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6024267B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2016-11-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 基板保持リング把持機構 |
WO2014091578A1 (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-19 | 富士機械製造株式会社 | ダイ供給装置 |
JP6407056B2 (ja) * | 2015-02-20 | 2018-10-17 | 株式会社ディスコ | 分割装置と分割方法 |
DE102016113500B4 (de) * | 2016-07-21 | 2022-12-15 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung zum Steuern einer Bewegung einer Schleifscheibe und Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen |
US10109475B2 (en) * | 2016-07-29 | 2018-10-23 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer and method of reducing wafer thickness with asymmetric edge support ring encompassing wafer scribe mark |
JP7089136B2 (ja) * | 2018-03-22 | 2022-06-22 | 株式会社デンソー | ウエーハの研削方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10233431A (ja) * | 1997-02-20 | 1998-09-02 | Hitachi Ltd | ウェハマウンタおよび半導体ウェハへのテープ貼り付け方法 |
JP2002025961A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの研削方法 |
JP2002299196A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | 半導体製造用基板 |
WO2004001819A1 (ja) * | 2002-06-25 | 2003-12-31 | Sanken Electric Co., Ltd. | 半導体素子の製造方法およびリング状補強部材 |
JP2004281551A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Toshiba Corp | 半導体基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、半導体パッケージ |
JP4462997B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-05-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2005123425A (ja) | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Toshiba Corp | 半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法 |
SG126885A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-29 | Disco Corp | Semiconductor wafer and processing method for same |
-
2006
- 2006-03-29 JP JP2006090235A patent/JP4806282B2/ja active Active
-
2007
- 2007-03-27 US US11/728,936 patent/US7858530B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070227655A1 (en) | 2007-10-04 |
JP2007266364A (ja) | 2007-10-11 |
US7858530B2 (en) | 2010-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4806282B2 (ja) | ウエーハの処理装置 | |
JP2007266352A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5613793B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP4758222B2 (ja) | ウエーハの加工方法および装置 | |
JP4908085B2 (ja) | ウエーハの処理装置 | |
JP4777783B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
US7560362B2 (en) | Cutting method for substrate | |
US20080293221A1 (en) | Method for holding semiconductor wafer | |
KR20160072775A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP5773660B2 (ja) | 樹脂剥がし装置および研削加工装置 | |
JP4968819B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
CN112005344A (zh) | 基板处理系统和基板处理方法 | |
JP5137747B2 (ja) | ワーク保持機構 | |
JP2022075786A (ja) | 搬送装置、および基板処理システム | |
JP2001057357A (ja) | エッチング装置 | |
TWI338318B (en) | Transport method and transport apparatus for semiconductor wafer | |
JP2008036744A (ja) | 研磨装置 | |
JP2003168659A (ja) | 高圧洗浄ノズルを有するシンギュレーション装置 | |
JP3514712B2 (ja) | 半導体ウエハの裏面研削装置 | |
JP2018195770A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2017204606A (ja) | ウエーハ製造方法 | |
TWI384542B (zh) | 處理裝置及表面處理治具 | |
JP2007221030A (ja) | 基板の加工方法 | |
JP4427308B2 (ja) | 半導体ウェーハの分割方法 | |
JP5338250B2 (ja) | ワーク分離方法及び切削加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100813 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110512 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110729 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110812 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4806282 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |