JP6166122B2 - チャックテーブル - Google Patents

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Description

本発明は、ウエーハ裏面に凹部を形成するためのウエーハを保持するチャックテーブルに関する。
研削装置や研磨装置において、微細なシリコン等の研削屑が吸着チャックの載置面に強固に付着した場合(微細なポーラス内に研削屑が入ってしまうなど)には、ブラシ等の洗浄具によっては研削屑などの異物を取り除くことができない。研削装置には、研削作業で汚れたチャックテーブルの載置面にセラミックスで形成された洗浄パッドを接触せしめ、接触部を相対的に摺動させることによりチャックテーブルの載置面に強固に付着した切削屑などの異物を強制的に削ぎ落とすようにしたチャックテーブルの洗浄装置が装備されている(特許文献1)。
一方で、研削装置においてウエーハ裏面に凹部を形成する所謂TAIKO加工が知られている(特許文献2)。TAIKO加工用の研削装置には、保持面がTAIKO加工に適した双凹面形状に形成されたチャックテーブルが使用される(特許文献3)。
特開2001−326205号公報 特開2007−019461号公報 特開2008−060470号公報
TAIKO加工用のチャックテーブルは、保持面の双凹面形状が通常の研削用のチャックテーブルと比較して大きい(特許文献3)。そのため、通常研削用の洗浄パッド(異物除去工具)で通常の洗浄方法を行うと、チャックテーブルの双凹面形状の中心と外周の頂点に洗浄パッドを当接させることになり、これらの頂点が欠けてしまったり、頂点が過度に磨耗して、チャックテーブルの寿命が短命化するという問題がある。
本発明は、上記問題に鑑みなされたもので、その目的は、双凹面形状の保持面の寿命を従来より延命しうるチャックテーブルを提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のチャックテーブルは、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハの裏面側から該デバイス領域に相当する領域を研削し凹部を形成する研削装置においてウエーハを保持するチャックテーブルであって、ウエーハを保持する円形の保持面を有し、該保持面は、該デバイス領域を吸引保持する吸引部と、該吸引部を囲繞して形成された該外周余剰領域を少なくとも支持する支持部と、から構成され、該吸引部は、中心と外縁とが最も突出した双凹面形状に形成され、かつ該中心と該外縁とが該支持部と同一平面に位置して、該ウエーハの該表面に貼着された保護テープを介して該外周余剰領域と該支持部とが密着して該吸引部をシールすることを特徴とする。
上記チャックテーブル上に研削屑が付着する原因は、チャックテーブルにウエーハを吸着しているポーラス形状の吸引部にウエーハの外周側から研削屑が回り込み流入してしまい、チャックテーブルからウエーハを取り外す際のエアーブローとともにポーラス吸引部に流入していた研削屑が舞い上がり、チャックテーブル全面及びウエーハ(テープ)裏面に付着するためである。
そこで、本願発明のチャックテーブルは、吸引部がウエーハのデバイス領域に対応した領域に形成され、外周側に外周余剰領域に密着して研削液をシールする支持部を有している。このため、本願発明のチャックテーブルは、汚染された研削水がウエーハ外周側から吸引部側に流入するのを極力無くすことができるので、吸引部からのエアーブロー時に研削屑が噴射することがなく、よって、チャックテーブル上面の洗浄を無くす又は極力少なくすることができる。そのため、双凹面形状の保持面の寿命を従来より延命することができる。
図1は、実施形態に係るチャックテーブルを備えた研削装置の斜視図である。 図2は、実施形態に係るチャックテーブルに保持されるウエーハの平面図である。 図3は、実施形態に係るチャックテーブルを備えた研削装置の研削加工中の断面図である。 図4は、実施形態に係るチャックテーブルの平面図である。 図5は、実施形態に係るチャックテーブルの要部を示す断面図である。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態〕
本実施形態に係るチャックテーブルを、図面に基づいて説明する。図1は、実施形態に係るチャックテーブルを備えた研削装置の斜視図、図2は、実施形態に係るチャックテーブルに保持されるウエーハの平面図、図3は、実施形態に係るチャックテーブルを備えた研削装置の研削加工中の断面図、図4は、実施形態に係るチャックテーブルの平面図、図5は、実施形態に係るチャックテーブルの要部を示す断面図である。
本実施形態に係るチャックテーブル10は、図1に要部が示された研削装置1において、ウエーハWを保持するものである。
なお、本実施形態に係るチャックテーブル10により保持されるウエーハWは、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハWは、図2に示すように、複数のデバイスDが形成されたデバイス領域W1と、デバイス領域W1を囲繞する外周余剰領域W2とを表面Waに備えている。ウエーハWは、表面Waに保護テープTが貼着され、保護テープTを介して表面Wa側がチャックテーブル10に保持されて、裏面Wb(図1に示す)側から研削装置1により研削されて凹部WRが形成される。
研削装置1は、ウエーハWの裏面Wb側からデバイス領域W1に相当する領域を研削し、凹部WRを形成するものである。即ち、研削装置1は、ウエーハWに所謂TAIKO加工を施すものである。研削装置1は、ウエーハWを保持するチャックテーブル10と、チャックテーブル10に保持されたウエーハWを研削する研削ユニット20とを備えている。研削ユニット20は、鉛直方向の軸心回りに回転されるスピンドル21と、スピンドル21の下端に装着された研削ホイール22と、研削ホイール22の下面に取り付けられた砥石23とで構成されている。
研削装置1は、研削水をウエーハWに供給しながら、ウエーハWを保持したチャックテーブル10を軸心回りに回転させるとともに、研削ユニット20をチャックテーブル10と同じ向きに軸心回りに回転させながら砥石23をウエーハWの裏面Wbのデバイス領域W1に相当する領域に押し当てる。研削装置1は、ウエーハWの裏面Wbのデバイス領域W1に相当する領域を研削して、裏面Wbのデバイス領域W1に相当する領域に凹部WRを形成するとともに、凹部WRの外周に外周余剰領域W2に対応した環状補強部WSを形成する。このように、研削装置1は、ウエーハWの裏面Wbの外周余剰領域W2に相当する領域を研削ユニット20に研削させずに外周余剰領域W2を残して環状補強部WSを形成する。
チャックテーブル10は、所謂TAIKO加工用のチャックテーブルであって、図3及び図4に示すように、ステンレス鋼などの金属で構成された基台11と、ポーラスセラミック等の多孔質材で構成された多孔質部材12とを貼り合わせて構成されて、全体として円盤状に形成されている。チャックテーブル10は、基台11と多孔質部材12との間に形成された空間Kが真空吸引経路13を介して真空吸引源14と接続され、円形の保持面15に載置されたウエーハWを吸引することで保持する。即ち、チャックテーブル10は、ウエーハWを保持する円形の保持面15を有している。
保持面15は、多孔質部材12の表面で構成された吸引部15aと、基台11の表面で構成された支持部15bとから構成されている。保持面15では、多孔質部材12の表面即ち吸引部15aと、基台11の表面即ち支持部15bとが面一に形成されている。
吸引部15aは、保持面15の中央に円形に設けられ、保護テープTを介してウエーハWのデバイス領域W1を少なくとも吸引保持する。吸引部15aは、ウエーハWのデバイス領域W1に加えて、外周余剰領域W2の内縁部も吸引支持してもよい。本発明では、吸引部15aは、ウエーハWのデバイス領域W1を吸引保持すれば、外周余剰領域W2の内縁部を吸引支持してもしなくてもよい。
吸引部15aは、図5に示すように、所謂TAIKO加工に適した中心15acと外縁15aeとが最も突出した双凹面形状に形成されている。この双凹面形状の深さHは、例えば、1μm〜20μm程度であり、双凹面形状は、わずかな凹面形状である。吸引部15aの中心15acと外縁15aeとが支持部15bと同一平面上に位置する。このように、本発明では、1μm〜20μm程度の凹面形状の吸引部15aの最も突出した箇所である中心15acと外縁15aeとが支持部15bと同一平面に位置し、深さHが1μm〜20μm程度の凹面形状であることを、吸引部15aと支持部15bとが面一であるという。なお、図5では、深さHを1μm〜20μmよりも遥かに大きくして、双凹面形状の曲率を誇張して示しているが、本発明では、深さHが1μm〜20μm程度であることが好ましい。
支持部15bは、吸引部15aを囲繞して円環状に形成され、保護テープTを介してウエーハWの外周余剰領域W2を少なくとも支持する。支持部15bの内径は、ウエーハWの外周余剰領域W2の直径即ちウエーハWの直径よりも小さく形成されている。支持部15bの外径は、ウエーハWの外周余剰領域W2の直径即ちウエーハWの直径よりも大きく形成されている。支持部15bは、ウエーハWの外周余剰領域W2に加えて、デバイス領域W1を支持してもよい。このように、本発明では、支持部15bは、ウエーハWの外周余剰領域W2を支持すれば、デバイス領域W1を支持してもしなくてもよい。
チャックテーブル10は、保持面15上に保護テープTを介してウエーハWが載置されて、真空吸引源14により吸引されることで、保持面15上のウエーハWを吸引保持する。この際、支持部15bの内径が、ウエーハWの外周余剰領域W2の直径よりも小さく形成され、支持部15bの外径が、ウエーハWの外周余剰領域W2の直径よりも大きく形成されているので、吸引部15aは、保護テープTを介してデバイス領域W1を少なくとも吸引保持する。そして、支持部15bには、保護テープTを介して外周余剰領域W2が少なくとも載置される。
チャックテーブル10は、真空吸引源14により吸引されることで、保護テープTを介して、外周余剰領域W2と支持部15bとが密着して、デバイス領域W1と吸引部15aとが密着し、吸引部15aを支持部15b及び保護テープTなどでシールすることとなる。また、チャックテーブル10は、研削ユニット20による研削が終了すると、真空吸引源14から加圧された気体を吸引部15aから噴出して、保持面15からウエーハWを取り外す。
実施形態に係るチャックテーブル10によれば、吸引部15aがウエーハWのデバイス領域W1に対応した領域に形成され、吸引部15aの外周側に外周余剰領域W2に密着してシールする支持部15bを有している。このために、チャックテーブル10は、外周余剰領域W2と支持部15bとの間から研削屑などを含んで、汚染された研削水がウエーハ外周側から吸引部側に流入するのを極力抑制することができる。したがって、チャックテーブル10は、研削屑が吸引部15aに流入することを抑制でき、ウエーハWを取り外す際に噴出された気体とともに吸引部15aに流入していた研削屑が舞い上がることを抑制でき、チャックテーブル10全面及びウエーハWに研削屑が付着することを抑制できる。よって、チャックテーブル10は、保持面15の洗浄を無くす又は極力少なくすることができ、双凹面形状の保持面15の吸引部15aの寿命を延命することができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1 研削装置
10 チャックテーブル
15 保持面
15a 吸引部
15b 支持部
D デバイス
W ウエーハ
W1 デバイス領域
W2 外周余剰領域
Wa 表面
Wb 裏面
WR 凹部

Claims (1)

  1. 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハの裏面側から該デバイス領域に相当する領域を研削し凹部を形成する研削装置においてウエーハを保持するチャックテーブルであって、
    ウエーハを保持する円形の保持面を有し、
    該保持面は、該デバイス領域を吸引保持する吸引部と、該吸引部を囲繞して形成された該外周余剰領域を少なくとも支持する支持部と、から構成され、
    該吸引部は、中心と外縁とが最も突出した双凹面形状に形成され、かつ該中心と該外縁とが該支持部と同一平面に位置して、該ウエーハの該表面に貼着された保護テープを介して該外周余剰領域と該支持部とが密着して該吸引部をシールするチャックテーブル。
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