TW201740445A - 加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是提供可簡單搬出晶片，也可將遺失的可能性抑制成更低的加工方法。本發明的解決手段是對設定有交叉之複數預定分割線(19)的被加工物(11)進行加工的加工方法，包含以保持台(10)保持被加工物的保持步驟、沿著預定分割線來分割被保持台保持的被加工物，以形成複數晶片(31)的分割步驟、及在實施分割步驟之後，利用具有吸引該複數晶片之吸引頭(50)，與連接於吸引頭之吸引路徑(52)的吸引單元(48)，吸引保持台上的該複數晶片，且透過該吸引路徑，從該保持台搬出該複數晶片的搬出步驟。

Description

加工方法
本發明係關於用以加工封裝基板等之被加工物的加工方法。
複數裝置藉由樹脂封止的封裝基板，係例如沿著被稱為切割道等的預定分割線，利用切削刀切削，分割成對應各裝置的複數晶片(封裝裝置)。分割後的晶片係例如藉由收容機構並排於承載盤，送至下個工程(例如，參照專利文獻1)。
近年來，也提案有一併實現晶片的收容所需時間的縮短，與收容機構的簡略化的分割裝置(例如，參照專利文獻2)。在該分割裝置中，首先，在保持台上藉由吸引墊吸引並保持被分割的晶片，搬送至乾燥台。
在乾燥台上被乾燥的複數晶片，係例如利用刷子掃出而落下，被下方的晶片收容容器收容。依據該分割裝置，因為不需要將晶片一個個拾取且並排於承載盤，所以，可一邊縮短晶片的收容所需時間一邊簡略化收容機構。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2001-23936號公報
[專利文獻2]日本特開2013-65603號公報
然而，如上所述，在使分割後的晶片乾燥之後再收容於容器的方法中，至少需要將晶片搬送至乾燥台的搬送工程、使晶片乾燥的乾燥工程、及將晶片收容於容器的收容工程。又，在此方法中，因為利用刷子掃出晶片並收容於容器，尤其有遺失尺寸小的晶片的高可能性。
本發明係有鑑於相關問題點所發明者，其目的是提供可簡單搬出晶片，也可將遺失的可能性抑制為更低的加工方法。
依據本發明的一樣態，提供一種加工方法，係對設定有交叉之複數預定分割線的被加工物進行加工的加工方法，其特徵為具備：保持步驟，係以保持台保持被加工物；分割步驟，係沿著該預定分割線來分割被該保持台保持的被加工物，以形成複數晶片；及搬出步驟，係在實施該分割步驟之後，利用具有吸引該複數晶片之吸引 頭，與連接於該吸引頭之吸引路徑的吸引單元，吸引該保持台上的該複數晶片，且透過該吸引路徑，從該保持台搬出該複數晶片。
又，於本發明的一樣態中，在前述搬出步驟中，一邊對前述複數晶片供給液體，一邊利用前述吸引單元一起吸引該複數晶片與該液體，透過前述吸引路徑，從前述保持台搬出該複數晶片為佳。
在本發明的一樣態相關的加工方法中，利用吸引單元吸引保持台上的複數晶片，透過該吸引單元具有的吸引路徑，從保持台搬出複數晶片，所以，相較於需要往乾燥台的搬送工程等之先前的方法，可簡單搬出晶片。又，在本發明的一樣態相關的加工方法中，因為透過吸引路徑來搬出複數晶片，所以，遺失晶片的可能性也低。
2‧‧‧切削裝置
4‧‧‧基台
4a‧‧‧開口
6‧‧‧X軸移動台
8‧‧‧防塵防滴護蓋
10‧‧‧保持台(保持手段)
12‧‧‧治具基座
12a‧‧‧上面
12b‧‧‧第1流通路徑
12c‧‧‧第2流通路徑
14‧‧‧保持治具
14a‧‧‧保持面
14b‧‧‧下面
14c‧‧‧退刀溝
14d‧‧‧貫通孔
16‧‧‧切削單元
18‧‧‧支持構造
20‧‧‧切削單元移動機構
22‧‧‧Y軸導引軌道
24‧‧‧Y軸移動板
26‧‧‧Y軸滾珠螺桿
28‧‧‧Z軸導引軌道
30‧‧‧Z軸移動板
32‧‧‧Z軸滾珠螺桿
34‧‧‧Z軸脈衝馬達
36‧‧‧攝像單元
38‧‧‧切削刀
40‧‧‧切削液供給噴嘴
42a、42b、42c‧‧‧開閉閥
44‧‧‧吸引源
46‧‧‧供給源
48‧‧‧吸引單元(吸引手段)
50‧‧‧吸引頭
52‧‧‧吸引路徑
54‧‧‧開閉閥
56‧‧‧吸引源
62‧‧‧磨削裝置
64‧‧‧保持台(保持手段)
64a‧‧‧保持面
64b‧‧‧流通路徑
66a、66b‧‧‧開閉閥
68‧‧‧吸引源
70‧‧‧供給源
72‧‧‧磨削單元
74‧‧‧主軸
76‧‧‧座
78‧‧‧磨削輪
80‧‧‧輪基台
82‧‧‧磨削砥石
84‧‧‧吸引單元(吸引手段)
86‧‧‧吸引頭
88‧‧‧吸引路徑
90‧‧‧開閉閥
92‧‧‧吸引源
11、41‧‧‧被加工物
13‧‧‧金屬框體
13a‧‧‧表面
13b‧‧‧背面
15‧‧‧裝置區域
17‧‧‧外周剩餘區域
19‧‧‧預定分割線(切割道)
21‧‧‧樹脂層
23‧‧‧平台
31、51‧‧‧晶片
[圖1]模式揭示切削裝置的構造例的立體圖。
[圖2]圖2(A)係模式揭示被加工物的構造例的俯視圖，圖2(B)係模式揭示被加工物的構造例的仰視圖。
[圖3]圖3(A)係模式揭示保持治具的俯視圖，圖3(B)係模式揭示包含治具基座及保持治具之保持台的構造例的圖。
[圖4]圖4(A)係用以說明保持步驟的圖，圖4(B)係用以說明分割步驟的圖。
[圖5]用以說明搬出步驟的圖。
[圖6]用以說明搬出步驟的圖。
[圖7]用以說明變形例之分割步驟的圖。
[圖8]用以說明變形例之搬出步驟的圖。
參照添附圖面，針對本發明的一樣態相關的實施形態進行說明。本實施形態的加工方法，係包含保持步驟(參照圖4(A))、分割步驟(參照圖4(B)及搬出步驟(參照圖5及圖6))。
在保持步驟中，利用保持台保持設定了複數預定分割線的被加工物。在分割步驟中，沿著預定分割線來分割被保持台保持的被加工物，以形成複數晶片。
在搬出步驟中，利用吸引單元吸引保持台上的複數晶片，透過該吸引單元具有的吸引路徑，從保持台搬出複數晶片。以下，針對本實施形態的加工方法詳細敘述。
首先，說明本實施形態的加工方法中所用之裝置的範例。圖1係模式揭示切削裝置的構造例的立體圖。如圖1所示，切削裝置2係具備支持各構造的基台4。
於基台4的上面，形成X軸方向(前後方 向，加工進給方向)長之矩形狀的開口4a。於該開口4a內，設置有X軸移動台6、使X軸移動台6移動於X軸方向的X軸移動機構(未圖示)、及覆蓋X軸移動機構的防塵防滴護蓋8。
X軸移動機構具備平行於X軸方向的一對X軸導引軌道(未圖示)，於X軸導引軌道，可滑動地安裝有X軸移動台6。於X軸移動台6的下面側，設置有螺帽部(未圖示)，於該螺帽部，螺合平行於X軸導引軌道的X軸滾珠螺桿(未圖示)。
於X軸滾珠螺桿的一端部，連結X軸脈衝馬達(未圖示)。利用以X軸脈衝馬達使X軸滾珠螺桿旋轉，X軸移動台6係沿著X軸導引軌道，移動於X軸方向。
於X軸移動台6上，配置有用以吸引、保持板狀之被加工物11的保持台(保持手段)10。保持台10包含具備複數流通路徑的治具基座12。
該治具基座12連結於馬達等的旋轉驅動源(未圖示)，旋轉於大概與Z軸方向(垂直方向)平行的旋轉軸周圍。於治具基座12的上面12a，安裝對應被加工物11的保持治具14。關於保持台10的詳細構造，於後敘述。
圖2(A)係模式揭示被加工物11的構造例的俯視圖，圖2(B)係模式揭示被加工物11的構造例的仰視圖。如圖2(A)及圖2(B)所示，被加工物11係 包含俯視形成為矩形狀的金屬框體13。
金屬框體13係例如以42合金(42-Alloy，鐵與鎳的合金)或銅等的金屬構成，具有複數裝置區域15(在本實施形態中為3個裝置區域15)，與包圍各裝置區域15的外周剩餘區域17。
各裝置區域15係利用交叉之複數預定分割線(切割道)19區劃成複數區域(在本實施形態中為48個區域)，於各區域，配置有IC及LED、MEMS等的裝置(裝置晶片)(未圖示)。
又，於金屬框體13的背面13b側，設置有封止複數裝置的樹脂層21。樹脂層21形成為所定厚度，例如，從金屬框體13的背面13b稍微突出。藉由該樹脂層21，覆蓋各裝置區域15的背面13b側整體。
如圖2(A)所示，於金屬框體13的表面13a側，設置有對應各裝置的複數平台23。於各平台23的周圍，形成複數電極墊片(未圖示)。
被加工物11係例如藉由從金屬框體13的背面13b側將裝置配置於各平台23，利用金屬引線(未圖示)等連接各裝置的電極，與配置於平台23之周圍的電極墊片之後，以樹脂層21封止背面13b側所得。
利用沿著預定分割線19切斷、分割該被加工物11，完成藉由樹脂封止之複數晶片(封裝裝置)。再者，在本實施形態中，作為被加工物11，使用俯視為矩形狀的封裝基板，但是，被加工物11的材質、形狀、構 造等並無限制。例如，作為被加工物11，也可使用半導體晶圓、樹脂基板、金屬基板、陶瓷基板等。
如圖1所示，於基台4的上面，以橫跨開口4a之方式，配置有用以支持對被加工物11進行切削(切削加工)的切削單元16之門型的支持構造18。於支持構造18的前面上部，設置有使切削單元16移動於Y軸方向(左右方向，指數標定方向)及Z軸方向(上下方向)的切削單元移動機構20。
切削單元移動機構20係具備配置於支持構造18的前面，且平行於Y軸方向的一對Y軸導引軌道22。於Y軸導引軌道22，可滑動地設置有構成切削單元移動機構20的Y軸移動板24。
於Y軸移動板24的背面側(後面側)，設置有螺帽部(未圖示)，於該螺帽部，螺合平行於Y軸導引軌道22的Y軸滾珠螺桿26。於Y軸滾珠螺桿26的一端部，連結Y軸脈衝馬達(未圖示)。利用以Y軸脈衝馬達使Y軸滾珠螺桿26旋轉的話，Y軸移動板24係沿著Y軸導引軌道22，移動於Y軸方向。
於Y軸移動板24的表面(前面)，設置有平行於Z軸方向的一對Z軸導引軌道28。於Z軸導引軌道28，可滑動地安裝有Z軸移動板30。
於Z軸移動板30的背面側(後面側)，設置有螺帽部(未圖示)，於該螺帽部，螺合平行於Z軸導引軌道28的Z軸滾珠螺桿32。於Z軸滾珠螺桿32的一端 部，連結Z軸脈衝馬達34。利用以Z軸脈衝馬達34使Z軸滾珠螺桿32旋轉的話，Z軸移動板30係沿著Z軸導引軌道28，移動於Z軸方向。
於Z軸移動板30的下部，設置有對被加工物11進行切削的切削單元16。又，於鄰接於切削單元16的位置，設置有對被加工物11的上面側進行攝像的相機等的攝像單元36。
利用切削單元移動機構20，使Y軸移動板24移動於Y軸方向的話，切削單元16及攝像單元36進行指數標定，使Z軸移動板30移動於Z軸方向的話，切削單元16及攝像單元36會升降。
切削單元16係具備安裝於主軸(未圖示)的一端側之圓環狀的切削刀38。於主軸的另一端側連結馬達等的旋轉驅動源(未圖示)，切削刀38藉由透過主軸從旋轉驅動源傳達的旋轉力旋轉。又，於切削刀38的附近，配置有對於切削刀38及被加工物11供給純水等之切削液的切削液供給噴嘴40。
圖3(A)係模式揭示保持治具14的俯視圖，圖3(B)係模式揭示包含治具基座12及保持治具14之保持台10的構造例的圖。如圖3(A)及圖3(B)所示，保持治具14係以樹脂等的材料所成之矩形狀的平板，其上面成為用以吸引、保持被加工物11的保持面14a。
於保持治具14的保持面14a側，形成有對應 被加工物11之預定分割線19的退刀溝14c。退刀溝14c的上端開口於保持面14a。藉由該退刀溝14c，保持面14a被區劃成對應分割後的被加工物11之複數區域。
退刀溝14c的寬度比切削刀38的寬度還寬廣，退刀溝14c的深度比切削刀38的切入深度還深。因此，沿著預定分割線19對被加工物11進行切削時即使讓切削刀38深深地切入，保持治具14與切削刀38也不會接觸。再者，保持治具14形成為比退刀溝14c的深度還厚。
於藉由退刀溝14c區劃的各區域，形成有上下貫通保持治具14且開口於保持面14a的貫通孔14d。如圖3(B)所示，於治具基座12的上面12a載置保持治具14的話，各貫通孔14d會連接於形成於治具基座12的上面12a側之中央部分的第1流通路徑12b。
第1流通路徑12b係透過開閉閥42a連接於吸引源44。因此，將被加工物11重疊於載置在治具基座12的上面12a之保持治具14的保持面14a，在將被加工物11的預定分割線19對合於退刀溝14c之狀態下開啟開閉閥42a的話，可藉由保持台10吸引、保持被加工物11。
再者，於治具基座12的外周部份，形成有用以將保持治具14安裝於治具基座12的第2流通路徑12c。該第2流通路徑12c係透過開閉閥42b連接於吸引源44。因此，使治具基座12的上面12a接觸保持治具14 的下面14b，如圖3(B)所示，開啟開閉閥42b的話，可將保持治具14固定於治具基座12的上面12a。
又，於第1流通路徑12b，透過開閉閥42c連接流體的供給源46。在本實施形態的加工方法中，利用從該供給源46供給的流體，從保持台10搬出分割後的晶片。雖然從供給源46供給之流體的種類等並未限制，但例如作為流體，從供給源46供給液體的話，容易防止搬送中的晶片的損傷。關於詳細內容，於後敘述。
接著，針對本實施形態的加工方法進行說明。在本實施形態的加工方法中，首先，實施利用保持台10保持設定了複數預定分割線19的被加工物11的保持步驟。圖4(A)係用以說明保持步驟的圖。
在保持步驟中，首先，以各預定分割線19與退刀溝14c重疊之方式，將被加工物11重疊於保持面14a。接著，開啟開閉閥42a，使吸引源44的負壓作用於被加工物11。藉此，被加工物11藉由保持台10吸引、保持。
在保持步驟之後，實施沿著預定分割線19來分割被加工物11，以形成複數晶片的分割步驟。圖4(B)係用以說明分割步驟的圖。在該分割步驟中，首先，使保持台10與切削刀38相對移動、旋轉，例如將切削刀38對合於延伸於第1方向之預定分割線19的延長線上。
接著，使切削刀38下降至侵入退刀溝14c的 高度為止。然後，使旋轉的切削刀38，與保持台10相對地移動於與對象的預定分割線19平行的方向。藉此，可沿著對象的預定分割線19，使切削刀38切入，分割被加工物11。
沿著對象的預定分割線19分割被加工物11之後，使保持台10與切削刀38相對地移動，例如，將切削刀38對合於鄰接之預定分割線19的延長線上。然後，使旋轉的切削刀38，與保持台10相對地移動於與該預定分割線19平行的方向。藉此，可沿著該預定分割線19，使切削刀38切入，進一步分割被加工物11。
重複上述的順序，沿著延伸於第1方向之所有預定分割線19分割被加工物11之後，例如，使保持台10旋轉，沿著延伸於第2方向的預定分割線19，分割被加工物11。沿著所有預定分割線19分割被加工物11，形成複數晶片31(參照圖5等)時，則分割步驟結束。
在分割步驟之後，實施搬出保持台10上之複數晶片31的搬出步驟。圖5及圖6係用以說明搬出步驟的圖。本實施形態的搬出步驟，係例如使用圖5及圖6所示之吸引單元(吸引手段)48來實施。
吸引單元48具備以覆蓋保持台10的至少一部分之方式配置之錘狀的吸引頭50。於吸引頭50的下端，形成有開口，將吸引頭50載置於保持台10上的話，於該開口內收容複數晶片31。
於吸引頭50的上端部，連接有以配管等所成 之吸引路徑52的一端側。於吸引路徑52的另一端側，透過開閉閥54，連接吸引源56。因此，開啟開閉閥54的話，可使吸引源56的負壓作用於吸引頭50的開口，吸引複數晶片31。
在搬出步驟中，首先，如圖5所示，將吸引頭50載置於保持台10上，將複數晶片31收容於其開口內。此時，開閉閥54設為關閉的狀態。亦即，讓吸引源56的負壓不作用於吸引頭50的開口。
接著，如圖6所示，利用關閉開閉閥42a，遮斷對於晶片31之吸引源44的負壓之後，開啟開閉閥54，使吸引源56的負壓作用於吸引頭50。一併開啟開閉閥42c，將供給源46的流體供給至第1流通路徑12b。藉此，可使吸引頭50及吸引路徑52的內部產生朝向吸引源56的氣體或液體的流向。複數晶片31係隨著該氣體或液體的流量，從保持台10搬出。
於吸引路徑52的另一端側，例如，配置有用以收容複數晶片31的收容容器(未圖示)。保持台10上的複數晶片31係隨著吸引頭50及吸引路徑52的內部所產生之氣體或液體的流向，從保持台10搬出，被收容於收容容器。再者，在此搬出步驟中，也可將複數晶片31直接搬送至下個工程的作業區域為止。此時，不一定將收容容器配置於吸引路徑52的另一端側亦可。
如上所述，從供給源46供給之流體的種類等並無限制。例如，再從供給源46供給空氣等的氣體時， 可使吸引頭50及吸引路徑52的內部產生適合晶片31之搬出的氣流。藉此，可適切搬出複數晶片31。
另一方面，從供給源46供給純水等的液體時，於吸引頭50及吸引路徑52的內部產生液體的流向。藉此，可隨液體的流向，適切搬出複數晶片31。此時，因為液體具有作為緩衝材的作用，也可防止起因於衝突等之晶片31的損傷。
如上所述，在本實施形態的加工方法中，利用吸引單元(吸引手段)48吸引保持台10上的複數晶片31，透過該吸引單元48具有的吸引路徑52，從保持台10搬出複數晶片31，所以，相較於需要往乾燥台的搬送工程等之先前的方法，可簡單搬出晶片31。又，在本實施形態的加工方法中，因為透過吸引路徑52來搬出複數晶片31，所以，遺失晶片31的可能性也低。
再者，本發明並不限定於前述實施形態的記載，可進行各種變更來實施。例如，在前述實施形態中，使用覆蓋在分割步驟中形成之所有晶片31之樣態的吸引頭50，但是也可使用覆蓋1或複數晶片31之樣態的吸引頭50。
又，在前述實施形態中，利用切削刀38切斷被加工物11，但是只要是已形成分割的起點的被加工物的話，也可利用磨削等的方法來進行分割。圖7係用以說明變形例之分割步驟的圖。
如圖7所示，變形例的被加工物41係例如以 矽等的材料所成之圓盤狀的半導體晶圓，其表面側係利用交叉之複數預定分割線(未圖示)區劃成複數區域。在此，被加工物41的材質、形狀、構造等並未有限制。又，於被加工物41的內部，形成有成為分割的起點的改質層41a。
改質層41a係例如利用將對於被加工物41顯示透射性之波長的雷射光線進行聚光的方法，沿著預定分割線形成。再者，利用藉由切削刀或雷射光線半切被加工物41的方法，形成成為分割的起點的溝等，來代替該改質層41a亦可。
變形例的分割步驟，係例如使用圖7所示之磨削裝置62來實施。磨削裝置62具備用以吸引、保持被加工物41的保持台(保持手段)64。保持台64連結於包含馬達等的旋轉驅動源(未圖示)，旋轉於大概與垂直方向平行的旋轉軸周圍。又，於保持台64的下方，設置有移動機構(未圖示)，保持台64利用該移動機構移動於水平方向。
保持台64的上面成為吸引、保持被加工物41的保持面64a。於保持面64a中，於與藉由被加工物41的預定分割線區化之各區域對應的位置，流通路徑64b的一端側開口。於流通路徑64的另一端側，透過開閉閥66a，連接吸引源68。又，於流通路徑64的另一端側，透過開閉閥66b，連接供給源70。
於保持台64的上方，配置有磨削單元72。磨 削單元72具備被升降機構(未圖示)支持的主軸殼體(未圖示)。於主軸殼體，收容主軸74，於主軸74的下端部，固定圓盤狀的座76。
於座76的下面，安裝有與座76大概同徑的磨削輪78。磨削輪78具備以不鏽鋼、鋁等的金屬材料形成的輪基台80。於輪基台80的下面，複數磨削砥石82排列成環狀。於主軸74的上端側(基端側)，連結有馬達等的旋轉驅動源(未圖示)，磨削輪78藉由利用該旋轉驅動源所產生的旋轉力，旋轉於大概平行於垂直方向的旋轉軸周圍。
在分割步驟中，首先，使被加工物41的表面側接觸保持台64的保持面64a，開啟開閉閥66a。藉此，使吸引源68的負壓作用於保持面64a，利用保持台64吸引、保持被加工物41。再者，在此分割步驟中，關閉開閉閥66b。
接著，使保持台64移動至磨削單元72的下方。然後，如圖7所示，一邊分別使保持台64與磨削輪78旋轉，一邊使主軸殼體(主軸74)下降。主軸殼體的下降量係例如調整為磨削砥石82的下面抵接於被加工物41的背面側程度。
藉此，可對背面側進行磨削，薄化被加工物41。再者，藉由該磨削時施加的外力，被加工物41沿著改質層41a分割。被加工物41被薄化成完成厚度為止，分割成複數晶片51(參照圖8)的話，則分割步驟結束。
在分割步驟之後，實施搬出保持台64上之複數晶片51的搬出步驟。圖8係用以說明變形例之搬出步驟的圖。本實施形態的搬出步驟，係例如使用圖8所示之吸引單元(吸引手段)84來實施。
吸引單元84的構造與吸引單元48的構造相同。亦即，吸引單元84具備吸引頭86。於吸引頭86的下端，形成有開口，將吸引頭86載置於保持台64上的話，於該開口內收容複數晶片51。於吸引頭86的上端部，連接吸引路徑88的一端側。於吸引路徑88的另一端側，透過開閉閥90，連接吸引源92。
在變形例的搬出步驟中，首先，將吸引頭86載置於保持台64上，將複數晶片51收容於其開口內。此時，開閉閥90設為關閉的狀態。亦即，讓吸引源90的負壓不作用於吸引頭86的開口。
接著，利用關閉開閉閥66a，遮斷對於晶片51之吸引源68的負壓之後，開啟開閉閥90，使吸引源92的負壓作用於吸引頭86。一併開啟開閉閥66b，將供給源70的流體供給至流通路徑64b。藉此，可使吸引頭86及吸引路徑88的內部產生朝向吸引源92的氣體或液體的流向。複數晶片51係隨著該氣體或液體的流量，從保持台64搬出。
此外，前述實施形態的構造、方法等只要不脫離本發明的目的的範圍，可適當變更來實施。
10‧‧‧保持台(保持手段)
12‧‧‧治具基座
12a‧‧‧上面
12b‧‧‧第1流通路徑
12c‧‧‧第2流通路徑
14‧‧‧保持治具
14a‧‧‧保持面
14b‧‧‧下面
14c‧‧‧退刀溝
14d‧‧‧貫通孔
31‧‧‧晶片
42a、42b、42c‧‧‧開閉閥
44‧‧‧吸引源
46‧‧‧供給源
48‧‧‧吸引單元(吸引手段)
50‧‧‧吸引頭
52‧‧‧吸引路徑
54‧‧‧開閉閥
56‧‧‧吸引源

Claims (2)

  1. 一種加工方法，係對設定有交叉之複數預定分割線的被加工物進行加工的加工方法，其特徵為具備：保持步驟，係以保持台保持被加工物；分割步驟，係沿著該預定分割線來分割被該保持台保持的被加工物，以形成複數晶片；及搬出步驟，係在實施該分割步驟之後，利用具有吸引該複數晶片之吸引頭，與連接於該吸引頭之吸引路徑的吸引單元，吸引該保持台上的該複數晶片，且透過該吸引路徑，從該保持台搬出該複數晶片。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之加工方法，其中，在前述搬出步驟中，一邊對前述複數晶片供給液體，一邊利用前述吸引單元一起吸引該複數晶片與該液體，透過前述吸引路徑，從前述保持台搬出該複數晶片。
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