JP2014091206A - 切削装置のチャックテーブル - Google Patents

切削装置のチャックテーブル Download PDF

Info

Publication number
JP2014091206A
JP2014091206A JP2012244901A JP2012244901A JP2014091206A JP 2014091206 A JP2014091206 A JP 2014091206A JP 2012244901 A JP2012244901 A JP 2012244901A JP 2012244901 A JP2012244901 A JP 2012244901A JP 2014091206 A JP2014091206 A JP 2014091206A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cutting
chuck table
dressing board
dressing
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012244901A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5996382B2 (ja
Inventor
Takeshi Go
斌 呉
Gyosei Son
暁征 孫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2012244901A priority Critical patent/JP5996382B2/ja
Priority to KR1020130132826A priority patent/KR101995597B1/ko
Priority to CN201310540811.6A priority patent/CN103811330B/zh
Publication of JP2014091206A publication Critical patent/JP2014091206A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5996382B2 publication Critical patent/JP5996382B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/02—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine for mounting on a work-table, tool-slide, or analogous part
    • B23Q3/06—Work-clamping means
    • B23Q3/08—Work-clamping means other than mechanically-actuated
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02021—Edge treatment, chamfering

Abstract

【課題】ドレッシングボードを保持可能なチャックテーブルに変更することなく、ドレッシングボードを保持可能で、切削ブレードをフラットドレスすることができる切削装置のチャックテーブルを提供する。
【解決手段】切削装置のチャックテーブル３０は環状保持部３１とドレッシングボード保持部３２と基台部３３とを有する。環状保持部３１およびドレッシングボード保持部３２はそれぞれの保持面３１ａ，３２ａに開口する吸引口３１ｂ，３２ｂ，３２ｃと吸引路３１ｃ，３２ｄ，３２ｅとを備える。環状保持部３１とドレッシングボード保持部３２との間には排水溝３４が形成され、排水溝３４の溝底には基台部３３の外部に貫通する排出口３４ｂ，３４ｃが配設され、排水溝３４に流入するドレッシング加工液が排出口３４ｂ，３４ｃから排出される。
【選択図】図３

Description

本発明は、被加工物に対して切削加工を施す切削装置のチャックテーブルに関する。
ウェーハの外周縁には表面から裏面に至る円弧面が形成されている。従って、ウェーハの裏面を研削してウェーハを薄化すると、円弧面と研削面とによって形成されたナイフエッジが残存し、外周縁に欠けが生じてデバイスの品質を低下させてしまう。そこで、ウェーハの裏面を研削する前に切削ブレードでウェーハの面取り部を除去する外周加工方法、所謂エッジトリミング加工が開発され（例えば、特許文献１参照）、所謂エッジトリミング加工に用いられるチャックテーブルが開発された（例えば、特許文献２参照）。また、所謂エッジトリミング加工においては、定期的に切削ブレードの先端をドレッシングボードによりフラットに整形するフラットドレスが行われる（例えば、特許文献３参照）。
特開２０００−１７３９６１号公報 特願２０１２−１０８３９７号 特開２０１０−５８８号公報
特許文献２のようなチャックテーブルは、切削ブレードをフラットドレスする際に、ドレッシングボードを保持可能なチャックテーブルに変更する必要があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ドレッシングボードを保持可能なチャックテーブルに変更することなく、ドレッシングボードを保持可能で、切削ブレードをフラットドレスすることができる切削装置のチャックテーブルを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の切削装置のチャックテーブルは、切削ブレードを有する切削手段で円板形状の被加工物の表面から該被加工物の外周縁を切削して除去する際に当該被加工物を裏面側から吸引保持する切削装置のチャックテーブルであって、前記被加工物の外周部を環状の保持面で吸引保持する環状保持部と、前記環状保持部の内周側で該環状保持部と同心状に配置され、ドレッシングボードを保持面で吸引保持するドレッシングボード保持部と、前記環状保持部と前記ドレッシングボード保持部とがそれぞれ立設する基台部と、を有し、前記ドレッシングボード保持部及び前記環状保持部は、それぞれの保持面に開口する吸引口と、一端が前記吸引口に連通するとともに他端が吸引源に接続される吸引路と、を備え、前記環状保持部と前記ドレッシングボード保持部との間には、排水溝が形成され、前記排水溝の溝底には、前記基台部の外部に貫通する排出口が配設され、前記排水溝に流入するドレッシング加工液が前記排出口から排出されることを特徴とする。
また、上記切削装置のチャックテーブルにおいて、前記ドレッシングボード保持部の前記保持面は、前記環状保持部の前記保持面以下の高さに形成されることが好ましい。
本発明の切削装置のチャックテーブルによれば、エッジトリミングする際には環状保持部で被加工物の外周部を吸引保持し、ドレッシングボード保持部でドレッシングボードを吸引保持するので、被加工物を保持してエッジトリミングすることができ、ドレッシングボードを保持してフラットドレスすることができるという効果を奏する。
図１は、実施形態１に係るチャックテーブルを有する切削装置の構成例を示す図である。 図２は、実施形態１に係るチャックテーブルの構成例を示す図である。 図３は、図２に示すチャックテーブルの断面図である。 図４は、実施形態１に係るチャックテーブルを用いたエッジトリミングの説明図である。 図５は、実施形態１に係るチャックテーブルを用いたフラットドレスの説明図である。 図６は、実施形態２に係るチャックテーブルの構成例を示す図である。 図７は、実施形態２に係るチャックテーブルを用いたフラットドレスの説明図である。
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
〔実施形態１〕
図１は、実施形態１に係るチャックテーブルを有する切削装置の構成例を示す図である。
図１に示す実施形態１に係る切削装置１は、カセットエレベータ１０と、仮置き手段２０と、チャックテーブル３０と、撮像手段４０と、二つの切削手段５０ａ，５０ｂと、二つのＹ軸移動手段６０ａ，６０ｂと、二つのＺ軸移動手段７０ａ，７０ｂと、洗浄・乾燥手段８０とを含んで構成されている。切削装置１は、さらに、装置本体２上の門型の柱部３と、図示しないＸ軸移動手段とを含んで構成されている。切削装置１は、二つの切削手段５０ａ，５０ｂをＹ軸方向に対向配置したフェイシングデュアルタイプの加工装置である。切削装置１は、被加工物Ｗを保持したチャックテーブル３０と、二つの切削手段５０ａ，５０ｂとを相対移動させることで、被加工物Ｗにエッジトリミングを施すことができる。また、切削装置１は、チャックテーブル３０と一方の切削手段５０ａ、または、チャックテーブル３０と他方の切削手段５０ｂ、あるいは、チャックテーブル３０と両方の切削手段５０ａ，５０ｂとを相対移動させることができる。
ここで、被加工物Ｗは、エッジトリミングされる加工対象であり、特に限定されないが、例えば、シリコン、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）等を母材とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ、セラミック、ガラス、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）系の円板状の無機材料基板、金属や樹脂等の円板状の延性材料等、各種加工材料である。また、本実施形態において、被加工物Ｗは、円板形状である。
カセットエレベータ１０は、被加工物Ｗを一枚ずつ収納する収納部がＺ軸方向に複数形成されており、一度に複数の被加工物Ｗを収納することができるカセットがカセット載置面に載置される。カセットエレベータ１０は、装置本体２の内部の空間をＺ軸方向において昇降自在である。
仮置き手段２０は、エッジトリミング前後の被加工物Ｗが一時的に載置される一対のレール２１，２２を有し、エッジトリミング前後の被加工物Ｗを仮置きすることができる。一対のレール２１，２２は、本実施形態においては、Ｙ軸方向に平行に配設されている。
チャックテーブル３０は、切削手段５０ａ，５０ｂで被加工物Ｗの表面から該被加工物Ｗの外周縁を切除して除去する際に、当該被加工物Ｗを裏面側から吸引保持するものであり、エッジトリミング時に被加工物Ｗを保持し、フラットドレス時にドレッシングボードＤＢ（図５に示す）を保持することができる。チャックテーブル３０は、装置本体２上のテーブル移動基台４に着脱可能である。テーブル移動基台４は、図示しない回転駆動源によりＺ軸回りにチャックテーブル３０を回転可能であり、例えば、チャックテーブル３０を９０度回転や連続回転させる。テーブル移動基台４は、二つの切削手段５０ａ，５０ｂに対してチャックテーブル３０をＸ軸方向に相対移動させる図示しないＸ軸移動手段（加工送り手段に相当）と、Ｘ軸移動手段を覆う蛇腹５とを備えている。Ｘ軸移動手段は、Ｘ軸ボールねじと、Ｘ軸パルスモータと、一対のＸ軸ガイドレールとを含んで構成されている。Ｘ軸ボールねじは、Ｘ軸方向に配設され、テーブル移動基台４の下部に設けられた図示しないナットと螺合し、一端にＸ軸パルスモータが連結されている。一対のＸ軸ガイドレールは、Ｘ軸ボールねじと平行に配設され、テーブル移動基台４をスライド可能に支持している。Ｘ軸移動手段は、Ｘ軸パルスモータの回転力によりＸ軸ボールねじを回転駆動し、テーブル移動基台４を一対のＸ軸ガイドレールによりガイドしつつ装置本体２に対してＸ軸方向に相対移動させる。蛇腹５は、布などの折り畳み自在な適宜の材料で構成され、テーブル移動基台４の移動に伴って伸縮し、Ｘ軸移動手段に切削水やドレッシング加工液Ｌ（図５に示す）が付着するのを防ぐ。なお、切削水やドレッシング加工液Ｌは、同一の加工液を切削水およびドレッシング加工液Ｌとしており、本実施形態においては、エッジトリミング時に用いられる加工液を切削水と称し、フラットドレス時に用いられる加工液をドレッシング加工液Ｌと称している。切削水やドレッシング加工液Ｌは、例えば、純水等である。
撮像手段４０は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサを用いたカメラ等である。撮像手段４０は、チャックテーブル３０に保持された被加工物Ｗ等を撮像し、被加工物Ｗに対する切削手段５０ａ，５０ｂのアライメント調整を行うための画像データを生成する。
二つの切削手段５０ａ，５０ｂは、Ｙ軸方向に対向配置されている。二つの切削手段５０ａ，５０ｂは、撮像手段４０により撮像された被加工物Ｗの画像データに基づいて、チャックテーブル３０に保持された被加工物Ｗに切削水を供給しながらエッジトリミングを行う。二つの切削手段５０ａ，５０ｂは、二つのＹ軸移動手段６０ａ，６０ｂ（割り出し送り手段に相当）および二つのＺ軸移動手段７０ａ，７０ｂ（切り込み送り手段に相当）を介して柱部３にそれぞれ支持され、Ｙ軸方向とＺ軸方向とにそれぞれ相対移動可能である。一方の切削手段５０ａは、切削ブレード５１ａと、スピンドル５２ａと、スピンドルハウジング５３ａと、ノズル５４ａとを含んで構成されている。同様に、他方の切削手段５０ｂは、切削ブレード５１ｂと、スピンドル５２ｂと、スピンドルハウジング５３ｂと、ノズル５４ｂとを含んで構成されている。
切削ブレード５１ａ，５１ｂは、極薄のリング形状に形成され、刃先が平坦なエッジトリミング専用の切削砥石である。切削ブレード５１ａ，５１ｂは、スピンドル５２ａ，５２ｂの一端に着脱可能に装着されている。切削ブレード５１ａ，５１ｂは、高速回転することでチャックテーブル３０に保持された被加工物Ｗの周縁部を切削し、エッジトリミングする。スピンドルハウジング５３ａ，５３ｂは、中空筒状に形成され、内挿されたスピンドル５２ａ，５２ｂを回転自在に支持している。ノズル５４ａ，５４ｂは、切削水やドレッシング加工液Ｌを供給する図示しない加工液供給源に接続され、切削水やドレッシング加工液Ｌを加工点に向けて噴射する。
二つのＹ軸移動手段６０ａ，６０ｂは、柱部３にそれぞれ設けられている。二つのＹ軸移動手段６０ａ，６０ｂは、Ｙ軸ボールねじ６１ａ，６１ｂと、Ｙ軸パルスモータ６２ａ，６２ｂと、一対のＹ軸ガイドレール６３，６３とを含んで構成されている。Ｙ軸ボールねじ６１ａ，６１ｂは、Ｙ軸方向に配設され、ブレード移動基台６ａ，６ｂの内部に設けられた図示しないナットとそれぞれ螺合し、一端にＹ軸パルスモータ６２ａ，６２ｂがそれぞれ連結されている。一対のＹ軸ガイドレール６３，６３は、Ｙ軸ボールねじ６１ａ，６１ｂと平行に配設され、Ｙ軸方向にスライド可能にブレード移動基台６ａ，６ｂのそれぞれを支持している。二つのＹ軸移動手段６０ａ，６０ｂは、Ｙ軸パルスモータ６２ａ，６２ｂの回転力によりＹ軸ボールねじ６１ａ，６１ｂを回転駆動し、ブレード移動基台６ａ，６ｂを一対のＹ軸ガイドレール６３，６３によりガイドしつつ装置本体２に対してＹ軸方向にそれぞれ相対移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、本実施形態においては、鉛直方向と直交する切削ブレード５１ａ，５１ｂの回転軸の方向である。
二つのＺ軸移動手段７０ａ，７０ｂは、ブレード移動基台６ａ，６ｂにそれぞれ設けられている。二つのＺ軸移動手段７０ａ，７０ｂは、Ｚ軸ボールねじ７１ａ，７１ｂと、Ｚ軸パルスモータ７２ａ，７２ｂと、一対のＺ軸ガイドレール７３ａ，７３ｂとを含んで構成されている。Ｚ軸ボールねじ７１ａ，７１ｂは、Ｚ軸方向に配設され、切削手段支持部７ａ，７ｂの内部に設けられた図示しないナットとそれぞれ螺合し、一端にＺ軸パルスモータ７２ａ，７２ｂがそれぞれ連結されている。一対のＺ軸ガイドレール７３ａ，７３ｂは、Ｚ軸ボールねじ７１ａ，７１ｂと平行に配設され、Ｚ軸方向にスライド可能に切削手段支持部７ａ，７ｂのそれぞれを支持している。二つのＺ軸移動手段７０ａ，７０ｂは、Ｚ軸パルスモータ７２ａ，７２ｂの回転力によりＺ軸ボールねじ７１ａ，７１ｂを回転駆動し、切削手段支持部７ａ，７ｂを一対のＸ軸ガイドレール７３ａ，７３ｂによりガイドしつつ装置本体２に対してＺ軸方向にそれぞれ相対移動させる。ここで、Ｚ軸方向は、本実施形態においては、鉛直方向である。
洗浄・乾燥手段８０は、加工後の被加工物Ｗを保持するスピンナテーブル８１と、図示しない洗浄液噴射装置と、図示しない気体噴射装置と、を備える。洗浄・乾燥手段８０は、スピンナテーブル８１を図示しない回転駆動源により回転させつつ洗浄液噴射装置から加工後の被加工物Ｗに洗浄液を噴射することで該被加工物Ｗを洗浄し、洗浄後の被加工物Ｗに気体噴射装置から気体を噴射することで該被加工物Ｗを乾燥させる。
ここで、図２および図３を参照して、実施形態１に係るチャックテーブル３０について説明する。図２は、実施形態１に係るチャックテーブルの構成例を示す図である。図３は、図２に示すチャックテーブルの断面図である。
図２および図３に示すように、チャックテーブル３０は、例えば、ステンレス鋼等の金属で円盤状に形成されている。チャックテーブル３０は、環状保持部３１と、ドレッシングボード保持部３２と、基台部３３とを有している。チャックテーブル３０は、環状保持部３１とドレッシングボード保持部３２との間に排水溝３４が形成されている。チャックテーブル３０は、環状保持部３１で被加工物Ｗの外周部を吸引保持し、ドレッシングボード保持部３２でドレッシングボードＤＢ（図５に示す）を吸引保持する。
ここで、ドレッシングボードＤＢは、切削ブレード５１ａ，５１ｂが被加工物Ｗに対して切り込む深さよりも厚い厚手に形成され、中央部が開口した円環板状に形成されている。ドレッシングボードＤＢは、例えば、切削ブレード５１ａ，５１ｂの砥粒よりも大きい砥粒とフェノール樹脂等のレジンボンドとを混練し、厚手の円環板状に成形した後、焼成して形成されている。砥粒としては、例えば、緑色の炭化ケイ素を含むグリーンカーボン、白色のアルミナを含むホワイトアランダム、アランダム（登録商標）等である。また、ドレッシングボードＤＢは、砥粒をガラスで固めて厚手の円環板状に成形したものでもよい。
環状保持部３１は、基台部３３から立設されている。環状保持部３１は、環状の保持面３１ａで被加工物Ｗの外周部を吸引保持する。環状保持部３１は、保持面３１ａに開口する吸引口３１ｂと、吸引路３１ｃとを備える。吸引路３１ｃは、一端が吸引口３１ｂに連通するとともに他端が吸引源９１に接続される。また、環状保持部３１は、保持面３１ａに開口する供給口３１ｄと、供給路３１ｅとを備える。供給路３１ｅは、一端が供給口３１ｄに連通するとともに他端が供給源９２に接続される。保持面３１ａには、吸引口３１ｂと供給口３１ｄとにそれぞれ連通する環状溝３１ｆが形成されている。
ドレッシングボード保持部３２は、環状保持部３１の内周側で、環状保持部３１と同心状に配置され、基台部３３から立設されている。ドレッシングボード保持部３２は、保持面３２ａでドレッシングボードＤＢを吸引保持する。ドレッシングボード保持部３２は、保持面３２ａに開口する吸引口３２ｂ，３２ｃと、吸引路３２ｄ，３２ｅとを備える。吸引路３２ｄ，３２ｅは、一端が吸引口３２ｂ，３２ｃに連通するとともに他端が吸引源９１に接続される。また、ドレッシングボード保持部３２は、保持面３２ａに開口する供給口３２ｆ，３２ｇと、供給路３２ｈ，３２ｉとを備える。供給路３２ｈ，３２ｉは、一端が供給口３２ｆ，３２ｇに連通するとともに他端が供給源９２に接続される。保持面３２ａには、吸引口３２ｂ，３２ｃと供給口３２ｆ，３２ｇとにそれぞれ連通する環状溝３２ｊ，３２ｋと、環状溝３２ｊ，３２ｋのそれぞれに連通する直線状溝３２ｌ，３２ｍとが形成されている。また、保持面３２ａは、環状保持部３１の保持面３１ａ以下の高さに形成されており、本実施形態において、環状保持部３１の保持面３１ａよりも低い高さに形成されている。
ここで、保持面３２ａが環状保持部３１の保持面３１ａよりも低い高さに形成されているとは、環状保持部３１の保持面３１ａで被加工物Ｗの外周部を吸引保持した際、被加工物Ｗの裏面とドレッシングボード保持部３２の保持面３２ａとが接触せず、被加工物Ｗの裏面にドレッシング加工液Ｌやコンタミが付着しない高さに形成されていることをいう。
基台部３３は、吸引口３１ｂ，３２ｂ，３２ｃに連通するとともに吸引源９１の吸引配管９３に接続される吸引路３３ａと、供給口３１ｄ，３２ｆ，３２ｇに連通するとともに供給源９２の供給配管９４に接続される供給路３３ｂとを備える。
排水溝３４の溝底３４ａには、基台部３３の外部に貫通する排出口３４ｂ，３４ｃが配設されており、排水溝３４に流入するドレッシング加工液Ｌが排出口３４ｂ，３４ｃから排出される。
ここで、図４を参照して、実施形態１に係るチャックテーブル３０を有する切削装置１のエッジトリミングについて説明する。図４は、実施形態１に係るチャックテーブルを用いたエッジトリミングの説明図である。
まず、切削装置１は、オペレータ等の作業員が入力したエッジトリミング条件等に基づいて、加工動作を開始する。この加工動作において、被加工物Ｗは、図示しない搬出入手段によりカセットエレベータ１０から仮置き手段２０に搬出され、仮置き手段２０の一対のレール２１，２２上に載置された後、図示しない搬送手段によりチャックテーブル３０に搬送され、チャックテーブル３０に載置され、Ｘ軸移動手段により加工開始位置に移動される。ここで、チャックテーブル３０は、吸引源９１により保持面３１ａの吸引口３１ｂに作用する吸引力で、図示しない搬送手段で搬送された被加工物Ｗの裏面の外周部を環状保持部３１の保持面３１ａで吸引保持する。
次に、切削装置１は、切削ブレード５１ａ，５１ｂのうち、一方または両方の切削ブレード５１ａ，５１ｂを被加工物Ｗの外周に配置し、チャックテーブル３０とともに被加工物Ｗを回転させ、被加工物Ｗの外周の一部を切削して切除する。
次に、エッジトリミングされた被加工物Ｗは、供給源９２により保持面３１ａの供給口３１ｄに空気等の流体が供給されてチャックテーブル３０からの取り外しが促され、図示しない搬送手段によりチャックテーブル３０から洗浄・乾燥手段８０に搬送され、洗浄・乾燥手段８０により洗浄および乾燥された後、図示しない搬送手段により仮置き手段２０に搬送され、図示しない搬出入手段により仮置き手段２０からカセットエレベータ１０に搬入される。
ここで、被加工物Ｗのハンドリングの向上を目的として、サポートプレート上に被加工物Ｗを接着剤やワックスで固定した場合、あるいは、サポートプレート上に被加工物Ｗを直接に固定した場合、チャックテーブル３０は、環状保持部３１の保持面３１ａでサポートプレートの外周部を吸引保持するので、サポートプレートの裏面にドレッシング加工液Ｌやコンタミが付着したり、サポートプレートの裏面が傷付いたりすることを抑制することができる。なお、サポートプレートとしては、製品として使用しないウェーハを用いることができる。
ここで、図５を参照して、実施形態１に係るチャックテーブル３０を有する切削装置１のフラットドレスについて説明する。図５は、実施形態１に係るチャックテーブルを用いたフラットドレスの説明図である。なお、二つの切削ブレード５１ａ，５１ｂのそれぞれに対するフラットドレスは同じであるので、ここでは、切削手段５１ａに対してフラットドレスする場合について説明する。
まず、切削装置１は、オペレータ等の作業員からの指示、あるいは、フラットドレスを必要か否かを判断し、フラットドレスを実行すると判断する。なお、フラットドレスが必要であるか否かは、切削手段５０ａによりエッジトリミングを行った被加工物Ｗに対する加工距離や摩耗量に基づいて判断することが好ましい。加工距離や摩耗量は、除去加工を行った被加工物Ｗの枚数、被加工物Ｗの直径、被加工物Ｗの円周上の距離、切削ブレード５１ａの切り込み量、切削ブレード５１ａの硬度などの少なくとも１つに基づいて判断することが好ましい。
次に、切削装置１は、切削ブレード５１ａに対するフラットドレスを行う必要があると判断すると、フラットドレスを開始する。このフラットドレスにおいて、ドレッシングボードＤＢは、オペレータ等の作業員によりチャックテーブル３０のドレッシングボード保持部３２に載置され、Ｘ軸移動手段によりフラットドレス開始位置に移動される。ここで、チャックテーブル３０は、吸引源９１によりドレッシングボード保持部３２の保持面３２ａの吸引口３２ｂ，３２ｃに作用する吸引力で、ドレッシングボードＤＢの裏面の全面を保持面３２ａで吸引保持する。
次に、切削装置１は、切削ブレード５１ａを、Ｚ軸移動手段７０ａにより所定切り込み位置まで移動させる。ここで、所定切り込み位置は、切削ブレード５１ａをＹ軸方向においてドレッシングボードＤＢと対向する、すなわちＺ軸方向において切削ブレード５１ａがドレッシングボードＤＢに接触することができる位置である。また、所定切り込み位置は、ドレッシングボードＤＢに対する切削ブレード５１ａの切り込み量であり、切削ブレード５１ａの偏摩耗度合い、切削ブレード５１ａに対するフラットドレスの回数、すなわち切削ブレード５１ａにおいてドレッシングボードＤＢの表面（研磨面）に対する接触回数（例えば、１回の接触でフラットドレスを行う場合は多くなり、複数回の接触を繰り返すことでフラットドレスを行う場合は少なくなる）などで決定される。
次に、切削装置１は、ノズル５４ａからドレッシング加工液Ｌを切削ブレード５１ａに向かって噴射させつつ、回転する切削ブレード５１ａを所定切り込み位置からＹ軸移動手段によりＹ軸方向、ここではドレッシングボードＤＢの表面（研磨面）と接触する方向に移動させる。切削ブレード５１ａは、回転しながらＹ軸方向に移動することで、ドレッシングボードＤＢの研磨面と接触し、先端がフラットに整形されていく。また、ドレッシング加工液Ｌは、チャックテーブル３０の排水溝３４の排出口３３ｂ，３３ｃから排出され、テーブル移動基台４の周囲に配設された図示しない排水手段を介して装置本体２の外部に排出される。
なお、切削装置１は、切削ブレード５１ａと研磨面とが非接触となるまで、回転する切削ブレード５１ａをＹ軸方向に移動させる。つまり、切削装置１は、回転する切削ブレード５１ａを少なくとも研磨面の一端から他端まで移動させる。ここで、研磨面の一端から他端とは、ドレッシングボードＤＢの外周から径方向に対向する外周、ドレッシングボードＤＢの外周から径方向に対向する開口部、および、ドレッシングボードＤＢの開口部から径方向に対向する外周が含まれる。つまり、切削ブレード５１ａは、フラットドレスを行うために、少なくともドレッシングボードＤＢの直径分あるいは半径分、Ｙ軸方向に移動することとなる。また、切削ブレード５１ａは、所定切り込み位置では、Ｚ軸方向視において、ドレッシングボードＤＢの外周近傍、あるいは、ドレッシングボードＤＢの開口部に位置する。
次に、切削装置１は、切削ブレード５１ａと研磨面とが非接触となった後、チャックテーブル３０を回転させる。ここで、回転する切削ブレード５１ａを接触する研磨面に対してＹ軸方向に移動させると、研磨面に直線状の切削痕が形成される。研磨面のうち、切削痕が形成された領域（以下、単に「切削痕領域」と称する）は、切削痕が形成されていない領域（以下、単に「非切削痕領域」と称する）に対して切削ブレード５１ａに対する切削性能が低下するため、再びフラットドレスに用いることは好ましくない。したがって、切削装置１は、再度切削ブレード５１ａが研磨面と接触する場合において、切削ブレード５１ａを非切削痕領域で接触させるため、Ｚ軸方向視においてブレード移動経路上に非切削痕領域が対向するように、チャックテーブル３０を回転させる。なお、回転角度は、所定値でも良いが、切削痕の幅（切削痕が形成される方向と水平面において直交する方向における長さ）が所定切り込み位置に応じて変化するものであることから、所定切り込み位置に応じて回転角度を決定してもよい。また、非切削痕領域には、一部切削痕領域が含まれていてもよい。例えば、Ｚ軸方向視においてブレード移動経路上のうち、ドレッシングボードＤＢの開口部側で切削痕領域が含まれていてもよい。この場合は、ドレッシングボードＤＢの回転角度を小さくすることができ、Ｚ軸方向においてブレード移動経路上に切削痕領域を一部に含まない場合と比較して、ドレッシングボードＤＢを繰り返しフラットドレスに用いることができる。
次に、切削装置１は、回転する切削ブレード５１ａを接触する研磨面に対してＹ軸方向に繰り返して移動させ、切削ブレード５１ａの先端をフラットに整形し、フラットドレスを完了する。この場合、切削装置１は、ドレッシングボード保持部３２の保持面３２ａの供給口３２ｆ，３２ｇに対して供給源９２から空気等の流体を供給し、チャックテーブル３０からのドレッシングボードＤＢの取り外しを促す。次に、オペレータ等の作業員は、チャックテーブル３０からドレッシングボードＤＢを取り外す。
なお、ドレッシングボードＤＢのハンドリングの向上を目的として、サポートプレート上にドレッシングボードＤＢを接着剤やワックスで固定した場合、あるいは、サポートプレート上にドレッシングボードＤＢを直接に固定した場合、チャックテーブル３０は、環状保持部３１の保持面３２ａでサポートプレートの外周部を吸引保持するので、サポートプレートの裏面にドレッシング加工液Ｌやコンタミが付着したり、サポートプレートの裏面が傷付いたりすることを抑制することができる。
以上のように、実施形態１に係る切削装置１のチャックテーブル３０によれば、被加工物Ｗの外周部を環状の保持面３１ａで吸引保持する環状保持部３１と、環状保持部３１の内周側で該環状保持部３１と同心状に配置され、ドレッシングボードＤＢを保持面３２ａで吸引保持するドレッシングボード保持部３２とを有しているので、エッジトリミングする際には被加工物Ｗを環状保持部３１で保持することができ、フラットドレスする際にはドレッシングボードＤＢをドレッシングボード保持部３２で保持することができるという効果を奏し、ドレッシングボードＤＢを保持可能なチャックテーブルに変更しなくてもよいという効果を奏する。
また、チャックテーブル３０は、ドレッシングボード保持部３２の保持面３２ａが環状保持部３１の保持面３１ａ以下の高さであって、ドレッシングボード保持部３２の保持面３２ａが環状保持部３１の保持面３１ａよりも低い高さに形成されているので、環状保持部３１の環状の保持面３１ａでサポートプレートの外周部を吸引保持させた際、ドレッシングボード保持部３２の保持面３２ａがサポートプレートよりも低い位置となり、サポートプレートの裏面とドレッシングボード保持部３２の保持面３２ａとを非接触状態とすることができる。つまり、チャックテーブル３０は、サポートプレートの裏面とドレッシングボード保持部３２の保持面３２ａとの接触を抑え、サポートプレートの裏面の傷付きを低減することができるので、サポートプレートを再度利用することができる。これにより、再度利用したサポートプレートをチャックテーブル３０で吸引保持することができ、再度利用したサポートプレートが被加工物Ｗの切削加工後の熱処理で破損することを抑えることができる。
また、チャックテーブル３０は、排出口３４ｂ，３４ｃが基台部３３の外部に貫通していることから、排水溝３４内の気圧を大気圧に保つことができるので、吸引源９１により排水溝３４内の気圧が大気圧よりも低下することを抑えることができる。これにより、被加工物Ｗが排水溝３４側に吸引され、撓み変形することを抑えることができる。
また、チャックテーブル３０は、ドレッシングボードや回転機構等を備えたドレス手段をチャックテーブル３０の隣接位置に設置しなくてもよいので、切削装置１の装置構成の複雑化や大型化を抑えることができ、切削装置１のコストアップを抑えることもできる。
〔実施形態２〕
次に、実施形態２に係る切削装置１のチャックテーブル３０について説明する。実施形態２に係る切削装置１のチャックテーブル３０の基本的構成は、実施形態１に係る切削装置１のチャックテーブル３０と同様であるので、同一部分の構成の説明は省略する。図６は、実施形態２に係るチャックテーブルの構成例を示す図である。
図６に示すように、チャックテーブル３０は、環状保持部３１と、ドレッシングボード保持部３２と、基台部３３とを有する。また、チャックテーブル３０は、環状保持部３１の保持面３１ａと、ドレッシングボード保持部３２の保持面３２ａとが面一である。
ここで、図７を参照して、実施形態２に係るチャックテーブル３０でドレッシングボードＤＢが固定されたサポートプレートＰを保持し、切削ブレード５１ａに対してフラットドレスする場合について説明する。図７は、実施形態２に係るチャックテーブルを用いたフラットドレスの説明図である。
まず、切削装置１は、切削ブレード５１ａに対するフラットドレスを行う必要があると判断すると、フラットドレスを開始する。このフラットドレスにおいて、ドレッシングボードＤＢは、接着剤やワックス等によりサポートプレートＰ上に固定されており、オペレータ等の作業員によりチャックテーブル３０の環状保持部３１とドレッシングボード保持部３２とにサポートプレートＰが載置され、サポートプレートＰが環状保持部３１とドレッシングボード保持部３２とで吸引保持される。
次に、切削装置１は、回転する切削ブレード５１ａとドレッシングボードＤＢとの相対位置を変えて、切削ブレード５１ａとドレッシングボードＤＢとを接触させ、切削ブレード５１ａの先端をフラットに整形し、切削ブレード５１ａに対してフラットドレスを行う。
以上のように、実施形態２に係る切削装置１のチャックテーブル３０によれば、環状保持部３１の保持面３１ａと、ドレッシングボード保持部３２の保持面３２ａとが面一であるので、サポートプレートＰ上にドレッシングボードＤＢを固定したサポートプレートＰを用いることができる。これにより、ドレッシングボードＤＢのハンドリングを向上させることができる。
また、サポートプレートＰは被加工物Ｗと同じ大きさの外径の円板形状であるため、被加工物Ｗと全く同じ搬送手段（例えばベルヌーイ搬送手段）での搬送が可能となる。
なお、チャックテーブル３０は、ドレッシングボード保持部３２にドレッシングボードＤＢを保持した状態において、環状保持部３１の保持面３１ａよりもドレッシングボードＤＢの表面が低い高さになるようにしてもよい。これにより、ドレッシングボードＤＢをドレッシングボード保持部３２で保持しつつ、被加工物Ｗやサポートプレートを環状保持部３１で保持することができる。
１ 切削装置
３０ チャックテーブル
３１ 環状保持部
３１ａ 保持面
３１ｂ 吸引口
３１ｃ 吸引路
３２ ドレッシングボード保持部
３２ａ 保持面
３２ｂ，３２ｃ 吸引口
３２ｄ，３２ｅ 吸引路
３３ 基台部
３４ 排水溝
３４ａ 溝底
３４ｂ，３４ｃ 排出口
４０ 撮像手段
５０ａ，５０ｂ 切削手段
５１ａ，５１ｂ 切削ブレード
９１ 吸引源
ＤＢ ドレッシングボード
Ｌ ドレッシング加工液
Ｗ 被加工物

Claims (2)

  1. 切削ブレードを有する切削手段で円板形状の被加工物の表面から該被加工物の外周縁を切削して除去する際に当該被加工物を裏面側から吸引保持する切削装置のチャックテーブルであって、
    前記被加工物の外周部を環状の保持面で吸引保持する環状保持部と、
    前記環状保持部の内周側で該環状保持部と同心状に配置され、ドレッシングボードを保持面で吸引保持するドレッシングボード保持部と、
    前記環状保持部と前記ドレッシングボード保持部とがそれぞれ立設する基台部と、を有し、
    前記ドレッシングボード保持部及び前記環状保持部は、それぞれの保持面に開口する吸引口と、一端が前記吸引口に連通するとともに他端が吸引源に接続される吸引路と、を備え、
    前記環状保持部と前記ドレッシングボード保持部との間には、排水溝が形成され、
    前記排水溝の溝底には、前記基台部の外部に貫通する排出口が配設され、
    前記排水溝に流入するドレッシング加工液が前記排出口から排出される切削装置のチャックテーブル。
  2. 前記ドレッシングボード保持部の前記保持面は、前記環状保持部の前記保持面以下の高さに形成された請求項１記載の切削装置のチャックテーブル。
JP2012244901A 2012-11-06 2012-11-06 切削装置のチャックテーブル Active JP5996382B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012244901A JP5996382B2 (ja) 2012-11-06 2012-11-06 切削装置のチャックテーブル
KR1020130132826A KR101995597B1 (ko) 2012-11-06 2013-11-04 절삭 장치의 척테이블
CN201310540811.6A CN103811330B (zh) 2012-11-06 2013-11-05 切削装置的卡盘工作台

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012244901A JP5996382B2 (ja) 2012-11-06 2012-11-06 切削装置のチャックテーブル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014091206A true JP2014091206A (ja) 2014-05-19
JP5996382B2 JP5996382B2 (ja) 2016-09-21

Family

ID=50707940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012244901A Active JP5996382B2 (ja) 2012-11-06 2012-11-06 切削装置のチャックテーブル

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5996382B2 (ja)
KR (1) KR101995597B1 (ja)
CN (1) CN103811330B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016000434A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 株式会社ディスコ ドレッシングボードの保持治具
JP2018024067A (ja) * 2016-08-12 2018-02-15 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置、研磨装置、ホルダー、ハウジング及びドレッシング方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105529291A (zh) * 2014-09-29 2016-04-27 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆承接装置
JP7150390B2 (ja) * 2018-02-14 2022-10-11 株式会社ディスコ 加工装置
CN113172780B (zh) * 2021-04-07 2022-06-03 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种碳化硅切割用划片结构及其在线修整方法
CN217577167U (zh) * 2022-03-22 2022-10-14 天津市环智新能源技术有限公司 一种下料缓存台

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0966429A (ja) * 1995-06-19 1997-03-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空吸着装置および加工装置
JP2000173961A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Sharp Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2009297855A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 Disco Abrasive Syst Ltd フランジの端面修正方法
JP2010165802A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Disco Abrasive Syst Ltd サブストレート付きウエーハの加工方法
JP2011183501A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Disco Corp 切削ブレードのドレッシング方法
JP2012038840A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Renesas Electronics Corp 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2013236002A (ja) * 2012-05-10 2013-11-21 Disco Abrasive Syst Ltd 保持テーブル

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0516069A (ja) * 1991-07-08 1993-01-26 Sanshin Chem Ind Co Ltd メタルボンド砥石のケミカルドレツシング方法及びその装置
JP5254679B2 (ja) 2008-06-23 2013-08-07 株式会社ディスコ 切削ブレードのドレス方法
JP5242348B2 (ja) * 2008-11-12 2013-07-24 株式会社ディスコ 加工装置
WO2010101191A1 (ja) * 2009-03-03 2010-09-10 東京エレクトロン株式会社 載置台構造、成膜装置、及び、原料回収方法
JP2012108397A (ja) 2010-11-19 2012-06-07 Nippon Seiki Co Ltd 表示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0966429A (ja) * 1995-06-19 1997-03-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空吸着装置および加工装置
JP2000173961A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Sharp Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2009297855A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 Disco Abrasive Syst Ltd フランジの端面修正方法
JP2010165802A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Disco Abrasive Syst Ltd サブストレート付きウエーハの加工方法
JP2011183501A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Disco Corp 切削ブレードのドレッシング方法
JP2012038840A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Renesas Electronics Corp 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2013236002A (ja) * 2012-05-10 2013-11-21 Disco Abrasive Syst Ltd 保持テーブル

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016000434A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 株式会社ディスコ ドレッシングボードの保持治具
JP2018024067A (ja) * 2016-08-12 2018-02-15 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置、研磨装置、ホルダー、ハウジング及びドレッシング方法
US10777417B2 (en) 2016-08-12 2020-09-15 Ebara Corporation Dressing device, polishing apparatus, holder, housing and dressing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP5996382B2 (ja) 2016-09-21
KR20140058368A (ko) 2014-05-14
CN103811330B (zh) 2017-09-29
CN103811330A (zh) 2014-05-21
KR101995597B1 (ko) 2019-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5996382B2 (ja) 切削装置のチャックテーブル
CN107887313B (zh) 加工装置
JP5764031B2 (ja) 切削装置
CN107756238B (zh) 研磨装置
JP5999972B2 (ja) 保持テーブル
KR102310075B1 (ko) 척테이블과 연삭 장치
KR20210018060A (ko) 엣지 트리밍 장치
JP2019055446A (ja) 切削ブレードの装着機構
JP2020093338A (ja) 研削装置
JP2021126742A (ja) 切削ブレード、フランジ機構、及び切削装置
JP2015093341A (ja) ドレッサーボード及びドレス方法
JP2014069277A (ja) 切削装置
US20230027338A1 (en) Processing apparatus
KR20190096277A (ko) 연삭 장치
JP2012006123A (ja) 洗浄方法
JP2014054713A (ja) ウェーハの加工方法
JP2018015825A (ja) 加工装置
JP2011125988A (ja) 研削装置
KR20200101835A (ko) 척 테이블
JP2016078132A (ja) 加工装置
JP7408356B2 (ja) 表面加工装置
JP7143024B2 (ja) チャックテーブル及びウェーハの加工方法
JP7301512B2 (ja) 基板研削装置及び基板研削方法
JP2021142602A (ja) 研削装置
TW202101703A (zh) 保持裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151019

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160721

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160802

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160824

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5996382

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250