JP4741332B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを分割して複数のデバイスを得るウエーハの加工方法であって、特に、複数のデバイスが形成されたデバイス領域の周囲に外周余剰領域を有するウエーハを、デバイス領域のみを薄化してからデバイスに分割する加工方法に関する。

各種電子機器に用いられるデバイスの半導体チップは、一般に、円盤状の半導体ウエーハの表面に、ストリートと呼ばれる分割予定ラインで格子状の矩形領域を区画し、これら領域の表面に電子回路を形成してから、裏面を研削して薄化し、ストリートに沿って分割するといった方法で製造される。ところで、近年の電子機器の小型化・薄型化は顕著であり、これに伴って半導体チップもより薄いものが求められ、これは半導体ウエーハを従来よりも薄くする必要が生じるということになる。

ところが、半導体ウエーハを薄くすると剛性が低下するため、その後の工程での取扱いが困難になったり、割れやすくなったりする問題が生じる。そこで、半導体チップが形成された円形のデバイス領域のみを裏面側から研削して薄化し、その周囲の環状の外周余剰領域を比較的肉厚の補強部として形成することにより、薄化による上記問題が生じないようにすることが行われている。この場合、裏面側が研削されるので、肉厚の補強部は裏面側に突出する。このように外周部分だけ肉厚とする技術は、例えば特許文献１に開示されている。

特開平５−１２１３８４号公報

このような半導体ウエーハは、最終的には切削装置等で切断されて半導体チップに分割される。切削装置としては、真空チャック式の水平なチャックテーブル上に半導体ウエーハを吸着、保持し、上方から切削ブレードを切り込んで切断する形式のものがあり、半導体ウエーハは、通常、裏面に貼り付けられたダイシングテープに装着されたフレームで支持され、ダイシングテープ側をチャックテーブルに対面させて保持される。

ここで、半導体ウエーハが平板状であれば、その裏面全面がチャックテーブルに密着するので安定して保持されるが、上記のように外周部の裏面側に突出する肉厚の補強部があるものでは、安定した保持が困難である。そこで、凹状の半導体ウエーハの裏面に嵌合する形状にチャックテーブルを変更するか、あるいは補強部を研削して最終的には半導体ウエーハ全体を平板状に加工するなどして、半導体ウエーハをチャックテーブルに安定して保持することが行われている。ところが、これら手段は手間が掛かり生産性を低下させることになっていた。

よって本発明は、外周余剰領域に囲まれたデバイス領域のみを薄化し、次いでこのデバイス領域を分割して複数のデバイスを得る過程の効率化が図られるとともに、通常と同様にデバイスの分割作業を行うことができてコストの上昇が抑えられるウエーハの加工方法を提供することを目的としている。

本発明のウエーハの加工方法は、複数のデバイスが分割予定ラインによって表面に区画されたデバイス領域と、このデバイスの周囲に形成された外周余剰領域とを有するウエーハの加工方法であって、該ウエーハの表面側における分割予定ラインに、加工後に得ようとするデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝を形成する分離溝形成工程と、デバイス領域および外周余剰領域の表面に紫外線照射によって粘着力が低下する特性を有する保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、保護テープ側を研削装置のチャックテーブルに対面させて該ウエーハを該チャックテーブルに保持し、その状態で露出するウエーハの裏面のデバイス領域に対応する部分を、デバイスの仕上がり厚さに相当する厚さに研削して、外周余剰領域に対応する部分に肉厚の補強部を形成するとともに、この補強部とデバイス領域、ならびに該デバイス領域中の各デバイスを保護テープによって互いに連結された状態とする研削工程と、該研削工程を経たウエーハをチャックテーブルから搬出するウエーハ搬出工程と、保護テープの補強部に貼着された領域に紫外線を照射してから、補強部を保護テープから離すとともにデバイス領域から分離させて、ウエーハをデバイス領域のみとして残存させるデバイス領域残存工程と、該ウエーハの裏面に、ダイシングテープを介してダイシングフレームを装着するダイシングフレーム装着工程とを備えることを特徴としている。

本発明によれば、ウエーハのデバイス領域に対応する部分を裏面側から研削する研削工程を経ると、薄化されたデバイス領域の厚さが分離溝に達することによりデバイス領域は、分割予定ラインの最外周部分を境界として補強部から分離するとともに、デバイス領域中の各デバイスが個々に分離した状態になるが、表面に貼着された保護テープによって補強部とデバイス領域、ならびにデバイス領域中の各デバイスは連結された状態となっている。この状態のウエーハを得ることによって、デバイスに分割する分割工程までのウエーハの取扱い性や耐損傷性が向上する。なお、この段階でデバイスは個々に分割されているため、この後、ダイシングテープを介してダイシングフレームを裏面に装着した後は、ダイシングテープから適宜な手段で複数のデバイスはピックアップされる。

本発明によれば、デバイス領域の周囲に外周余剰領域を有するウエーハから複数のデバイスを得るための工程の効率化が図られるとともに、通常と同様にデバイスの分割作業を行うことができてコストの上昇が抑えられるといった効果を奏する。

以下、図面を参照して、まず本発明に近似する加工方法を参考形態として説明する。
［１］参考形態の加工方法
図１の符号１は、シリコンウエーハ等からなる円盤状の半導体ウエーハ（以下、ウエーハと略称）である。加工前のウエーハ１の厚さは、例えば７００μｍ程度であり、表面には、格子状のストリート（分割予定ライン）２によって矩形状の半導体チップ（デバイス）３が区画されている。これら半導体チップ３の表面には、電子回路が形成されている。複数の半導体チップ３が形成された領域は、ウエーハ１と同心の概ね円形状のデバイス領域５であり、このデバイス領域５の周囲に環状の外周余剰領域６が存在している。

参考形態は、ウエーハ１の裏面のデバイス領域５に対応する部分を研削してその部分を必要な厚さに薄化し、この薄化したデバイス領域５から個々の半導体チップ３を得る方法である。なお、以下の説明でウエーハ１における“表面”は電子回路が形成された側の面、“裏面”は表面とは反対側の電子回路が形成されていない側の面と定義する。

（１）分離溝形成工程
参考形態では、まずはじめに、デバイス領域５を薄化する前に、図２に示す切削装置２０によって、ウエーハ１の表面側におけるデバイス領域５と外周余剰領域６との境界部に分離溝９を形成する。切削装置２０は、回転駆動する真空チャック式のチャックテーブル２１と、円筒状の切削ユニット２２とを備えている。切削ユニット２２は軸線が水平に設置され、この切削ユニット２２の一端部には、図示せぬモータで回転駆動される切削ブレード２３が同軸的に装着されている。

切削ユニット２２は、チャックテーブル２１上に保持されるウエーハ１に切り込むように、昇降駆動される。ウエーハ１は、表面を上側にして、かつ、中心をチャックテーブル２１の回転中心に合わせて、チャックテーブル２１上に保持される。そして、回転させた切削ブレード２３を、デバイス領域５と外周余剰領域６との境界部分、すなわちデバイス領域５の外周縁に切り込むと同時にチャックテーブル２１を回転させる。切削ブレード２３の切り込み深さは、加工後に得ようとする半導体チップ３の仕上がり厚さ（例えば１００〜２５μｍ程度）に相当する深さであって、その深さと同等か、それよりも僅かに深い程度とする。チャックテーブル２１が１回転することにより、図２および図３に示すようにデバイス領域５と外周余剰領域６との間に、上記深さの環状の分離溝９が形成される。

（２）保護テープ貼着工程
図４に示すように、ウエーハ１の表面全面、すなわちデバイス領域５および外周余剰領域６双方の表面に、紫外線照射によって粘着力が低下する特性を有する１枚の円形状の保護テープ７を貼り付ける。この保護テープ７としては、例えば、厚さ７０〜２００μｍ程度のポリオレフィン等の比較的柔軟な基材の片面に厚さ５〜２０μｍ程度のアクリル系等の粘着剤を塗布した紫外線硬化型などが好適に用いられ、粘着剤をウエーハの表面に合わせて貼り付ける。紫外線照射による粘着力の低下特性としては、例えば、紫外線照射前の粘着力が２．０６Ｎ／２５ｍｍ、紫外線照射後で０．０５Ｎ／２５ｍｍ程度が有効である。この保護テープ７により、半導体チップの電子回路が保護される。

（３）研削工程
保護テープ７が表面に貼着されたウエーハ１のデバイス領域５に対応する裏面側を研削して、そのデバイス領域５を、上記の仕上がり厚さに薄化する。図５および図６は、そのために用いる研削装置１０を示している。この研削装置１０は、回転駆動する真空チャック式のチャックテーブル１１と、研削ユニット１２とを備えている。チャックテーブル１１はウエーハ１よりも大きな円盤状で、その上面に載置されるウエーハ１を空気吸引によって吸着、保持する。このチャックテーブル１１は、中心を軸として図示せぬモータにより回転させられる。

研削ユニット１２は、円筒状のハウジング１３内に組み込まれたスピンドル１４がモータ１５によって回転駆動させられると、スピンドル１４の先端にフランジ１６を介して固定されたカップホイール１７が回転し、カップホイール１７の下面の外周部に全周にわたって環状に配列されて固定された多数の砥石セグメント１８が、ワークを研削するものである。砥石セグメント１８の円形の研削軌跡の外径は、ウエーハ１のデバイス領域５の直径の半径にほぼ等しい。

チャックテーブル１１と研削ユニット１２とは、チャックテーブル１１に対して研削ユニット１２がオフセットされている。詳しくは、図６に示すように、環状に配列された多数の砥石セグメント１８のうちの最もチャックテーブル１１の内側に位置するものの刃先の刃厚（径方向長さ）のほぼ中央部分が、チャックテーブル１１の中心を通る鉛直線Ｌ上に位置するように、相対位置が設定されている。

ウエーハ１は、保護テープ７側をチャックテーブル１１の上面に対面させ、かつ、中心をチャックテーブル１１の回転中心に合わせて、チャックテーブル１１上に保持される。そして、カップホイール１７を回転させながら研削ユニット１２を降下させて、露出するウエーハ１の裏面に全ての砥石セグメント１８を押し付け、かつ、チャックテーブル１１を回転させることにより、裏面のデバイス領域５に対応する部分を研削して半導体チップ３の仕上がり厚さに薄化する。するとウエーハ１は、図７に示すようにデバイス領域５の周囲の外周余剰領域６に対応する部分に、元の厚さが残って裏面側に突出する環状の補強部８が形成されるとともに、薄化の研削が分離溝９に達することによりデバイス領域５と補強部８とは分断状態となる。しかしながら、分断された両者は保護テープ７によって互いに連結された状態となっている。

以上の研削工程を経たウエーハ１は、次のウエーハ搬出工程に移されるが、その前に、裏面を研磨処理あるいはエッチング処理したり、また、裏面に蒸着またはスパッタリング等の手法で金属薄膜が形成されるものがある。さらに、半導体チップ３を積層して使用する際の接着フィルムが裏面に貼られる場合もある。蒸着やスパッタリングで金属薄膜を形成する仕様のものは、その処理の際に溶融しないように上記保護テープ７は耐熱性を有するものが用いられる。

（４）ウエーハ搬出工程
薄化されたデバイス領域５と元の厚さの補強部８とが保護テープ７で連結された状態のウエーハ１を、研削装置１０のチャックテーブル１１から搬出し、次のデバイス領域残存工程に送り込む。

（５）デバイス領域残存工程
デバイス領域残存工程では、図８〜図１０に示すウエーハ処理装置３０によって、上記補強部８をデバイス領域５から分離させてデバイス領域５を残存させる。ウエーハ処理装置３０は、ベース３１と、ベース３１上に設置された載置テーブル３２とを備えている。載置テーブル３２は、円筒状の固定台３３の上部に、回転駆動される円盤状のターンテーブル３４が取り付けられたものである。載置テーブル３２の周囲には、ベース３１に立てられたガイドポスト３５に沿って昇降駆動される複数（図示例では４つ）の弧状のプッシャパッド３６が、周方向に沿って、かつ等間隔をおいて配置されている。各プッシャパッド３６は、上下方向の位置が互いに揃った状態で昇降する。

載置テーブル３２の固定台３３およびターンテーブル３４の外径は同じであってウエーハ１のデバイス領域５の直径に等しく、ターンテーブル３４上に、保護テープ７側を対面させてウエーハ１が同軸的に載置される。ウエーハ１は補強部８をクランプするなどの方法で載置テーブル３２まで搬送される。この載置状態で、図９（ａ）に示すように、ウエーハ１の下面すなわち保護テープ７で覆われている表面は、デバイス領域５がターンテーブル３４の上面に重なっており、補強部８がターンテーブル３４からはみ出ている。

このように補強部８はターンテーブル３４からはみ出ることになり、上記各プッシャパッド３６は、ガイドポスト３５の上方の位置から下降すると、はみ出た補強部８のみに当たるように、位置関係および形状が設定されている。また、ベース３１上には、補強部８の下面に紫外線を照射する紫外線ランプ３７が配設されている。この紫外線ランプ３７は、照射方向が斜め上方に向いており、ベース３１上に設置されたガイドレール３８に沿って固定台３３に対し進退するように設けられている。

デバイス領域残存工程を実施するには、上記ウエーハ処理装置３０の全てのプッシャパッド３６を上昇させてから、載置テーブル３２のターンテーブル３４上に、保護テープ７側を対面させてウエーハ１を同軸的に載置する。次に、図１０に示すように、載置テーブル３２側に移動させた紫外線ランプ３７から紫外線を補強部８の下面に照射しながら、ターンテーブル３４を少なくとも１回転させる。これによって、補強部８に貼着された保護テープ７の環状部分の全域にわたって紫外線が照射され、その貼着部分の粘着力が低下し、保護テープ７が補強部８から剥がれやすくなる。この動作が終了したら、紫外線ランプ３７を退避させ、また、ターンテーブル３４を停止させる。

なお、この参考形態では、１つの紫外線ランプ３７とターンテーブル３４の回転によって補強部８の全周に紫外線を照射する構成であるが、載置テーブル３２上にウエーハ１を固定的に載置し、紫外線ランプ３７を全周にわたる環状のものにしたり多数の紫外線ランプ３７を環状に配置するといった構成で、補強部８の全周にわたって紫外線を照射できるようにしてもよい。

次に、図９（ａ）〜（ｂ）に示すように、補強部８の上方に待機していたプッシャパッド３６を下降させる。すると、図９（ｂ）に示すように、保護テープ７で支持されていた状態の補強部８は、保護テープ７の粘着力が低下させられたことによりプッシャパッド３６で押し下げられ、保護テープ７から離れてベース３１上に落下する。すなわち補強部８はデバイス領域５から分離し、デバイス領域５のみが載置テーブル３２上に残存する。なお、ベース３１上に落下した補強部８は端材として適宜に回収される。

（６）ダイシングフレーム装着工程
この工程では、図１１〜図１２に示すようにして、ウエーハ処理装置３０の載置テーブル３２上に残存させたデバイス領域５のみのウエーハ１の上面すなわち裏面に、ダイシングテープ４１を介して環状のダイシングフレーム４２を装着する。ダイシングテープ４１は、例えば、厚さ１００μｍ程度のポリ塩化ビニルを基材とし、その片面に厚さ５μｍ程度でアクリル樹脂系の粘着剤が塗布されたものが用いられる。ダイシングテープ４１はウエーハ１よりも大径の円形で、その外周部の粘着剤側に、環状のダイシングフレーム４２が同心状に貼り付けられている。ダイシングフレーム４２の内径は、デバイス領域５のみとなったウエーハ１の径よりも大径である。

ダイシングフレーム４２をウエーハ１に装着するには、図１１に示すように、まず、搬送アーム５０の先端に設けられた真空チャック式のチャック部５１の吸着パッド５２に、ダイシングテープ４１の、ダイシングフレーム４２が貼り付けられていない非粘着剤側を吸着、保持する。そして、搬送アーム５０によってダイシングテープ４１およびダイシングフレーム４２を、ウエーハ処理装置３０の載置テーブル３２上に載置されているウエーハ１の直上まで搬送し、さらに降下させて、ダイシングフレーム４２がウエーハ１と同心状になる状態にダイシングテープ４１をウエーハ１の上面（裏面）に貼り付ける。

次いで、図１２に示すように、ウエーハ１の直径を上回る長さを有する押し付けローラ４５によって、ウエーハ１の上面全面に対してダイシングテープ４１を強く押し付け、貼り付け状態を強固にする。なお、この工程では、上記プッシャパッド３６はダイシングフレーム４２に干渉しない位置まで下げられる。

（７）分割工程
載置テーブル３２上において、下面（表面）に保護テープ７が、また、上面（裏面）にダイシングテープ４１が貼られたウエーハ１を、適宜な方法で裏返し、そのウエーハ１を、図１３に示すように、上記搬送アーム５０におけるチャック部５１の吸着パッド５２にダイシングフレーム４２を吸着、保持して真空チャック式のチャックテーブル６１上に搬送し、図１４に示すようにチャックテーブル６１上に載置する。チャックテーブル６１上のウエーハ１は、保護テープ７が貼られた表面が上側、ダイシングテープ４１が貼られた裏面が下側となっており、このウエーハ１を、チャックテーブル６１上に吸着、保持する。

次に、図１４（ａ）〜（ｂ）に示すように、回転ローラ６２に巻かれた強粘着テープ６３を保護テープ７の外周部に押し付けて内周側に転動させることにより、保護テープ７を強粘着テープ６３に巻き取ってウエーハ１から剥離させる。なお、チャックテーブル６１に搬送中、または搬送後に、保護テープ７に対して紫外線を照射して予め保護テープ７の粘着力を低下させておくと、保護テープ７を容易に剥離させることができるので、この方法を採ることが望ましい。

このようにして保護テープ７を剥離させたウエーハ１は、半導体チップ３に分割するための装置に移され、その装置によってストリート２を切断して半導体チップ３に分割される。その分割装置としては、図２に示した切削装置２０を流用して、チャックテーブル２１上に保持したウエーハ１を切削ブレード２３で切断して分割してもよく、また、分割専用の装置を用いても勿論よい。

参考形態によれば、はじめの分離溝形成工程でデバイス領域５と外周余剰領域６との境界部に分離溝９を形成し、研削工程でデバイス領域５のみを裏面側から研削して薄化すると、デバイス領域５の厚さは分離溝９まで達し、これによって補強部８とデバイス領域５とは分離溝９によって分離した状態になるが、表面に貼着された保護テープ７によって両者は連結された状態となっている。ウエーハ１がこの状態となることにより、半導体チップ３に分割する分割工程までのウエーハ１の取扱い性や耐損傷性が向上する。

そして分割工程では、補強部８が分離されてデバイス領域５のみとされたウエーハ１を分割するので、通常の平板状のチャックテーブル上にそのウエーハ１を保持して半導体チップ３に分割する作業を容易に行うことができる。補強部８の除去から半導体チップ３に分割するまでの過程が一連的に進むので効率的であり、また、半導体チップ３への分割も上記のように通常通りに行うことができるため、コストの上昇も抑えられる。
続いて、上記参考形態を基にして工程の内容を変更した本発明に係る一実施形態の加工方法を以下に説明する。

［２］一実施形態の加工方法
一実施形態の加工方法は、上記参考形態の最初の工程である分離溝形成工程が異なり、また、この後の保護テープ貼着工程からダイシングフレーム装着工程までは参考形態と全く同じで、最後の分割工程は省略される。したがって、ここでは分離溝形成工程を主として説明する。

その分離溝形成工程は、図１に示した加工前のウエーハ１に対し、全てのストリート２に分離溝９を形成して、予め複数の半導体チップ３を予備的に分割する。分離溝９の形成は、図２に示した切削装置２０を用いて、図１５および図１６に示すように、ストリート２に沿って切削ユニット２２の切削ブレード２３を切り込んでいき、得ようとする半導体チップ３の仕上がり厚さに相当する深さの分離溝９を格子状に形成する。切削装置２０は、チャックテーブルと切削ユニットとが、図１５のＸ方向およびＹ方向に相対的に移動するように設けられ、この相対移動とチャックテーブル２１の回転とを組み合わせて、切削ブレード２３の切り込み位置が特定される。

この後の保護テープ貼着工程では、図１７に示すように分離溝９が形成された表面に保護テープ７が貼着される。そして、図１８および図１９に示すように、参考形態と同様に研削工程でウエーハ１のデバイス領域５の裏面側を研削して外周余剰領域６を補強部８として形成する。

これによって、薄化されたデバイス領域５の厚さが分離溝９に達するので、デバイス領域５は最外周部分のストリート２を境界として補強部８から分離するとともに、デバイス領域５中の各半導体チップ３が個々に分離した状態になる。しかしながら、表面に貼着された保護テープ７によって補強部８とデバイス領域５、ならびにデバイス領域５中の各半導体チップ３は連結された状態となっている（図２０参照）。この後、ウエーハ１はデバイス領域残存工程およびダイシングフレーム装着工程を経た後、ダイシングテープ４１から適宜な手段で半導体チップ３がピックアップされる

上記本発明に係る一実施形態によれば、デバイス領域５のみを研削して薄化すると同時に分割された半導体チップ３を得ることができ、また、参考形態の分離溝形成工程のようにデバイス領域５と外周余剰領域６との境界部に環状の分離溝９を形成する必要もないので、生産効率がより向上するといった利点がある。

本発明の参考形態で半導体チップに分割されるウエーハの全体斜視図であり、拡大部分は半導体チップを示す。 切削装置で参考形態の分離溝形成工程を行っている状態を示す斜視図である。 分離溝が形成されたチャックテーブル上のウエーハを示す断面図である。 保護テープ貼着工程で表面に保護テープが貼着されたウエーハの断面図である。 研削工程で用いる研削装置の斜視図である。 図５の側面図である。 研削工程後のウエーハの断面図である。 デバイス領域残存工程で用いるウエーハ処理装置の斜視図である。 デバイス領域残存工程での補強部の分離動作を（ａ）〜（ｂ）で示す側面図である。 デバイス領域残存工程での紫外線照射の状態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。 ダイシングフレーム装着工程でウエーハをウエーハ処理装置にセットする状態を示す側面図である。 ダイシングフレーム装着工程で押し付けローラによってウエーハにダイシングテープを強固に貼着させる状態を示す側面図である。 分割工程で保護テープを剥離させるためのチャックテーブル上にウエーハを載置する状態を示す側面図である。 分割工程で保護テープを剥離している状態を（ａ）〜（ｂ）で示す側面図である。 本発明に係る一実施形態において切削装置によって分離溝形成工程を行っている状態を示す斜視図である。 分離溝が形成されたチャックテーブル上のウエーハを示す断面図である。 保護テープ貼着工程で表面に保護テープが貼着されたウエーハの断面図である。 一実施形態の研削工程を行っている状態を示す斜視図である。 図１８の側面図である。 研削工程後のウエーハの断面図である。

１…ウエーハ
２…ストリート（分割予定ライン）
３…半導体チップ（デバイス）
５…デバイス領域
６…外周余剰領域
７…保護テープ
８…補強部
９…分離溝
１０…研削装置
１１…研削装置のチャックテーブル
２０…切削装置
２１…切削装置のチャックテーブル
４１…ダイシングテープ
４２…ダイシングフレーム

Claims (1)

1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって表面に区画されたデバイス領域と、このデバイスの周囲に形成された外周余剰領域とを有するウエーハの加工方法であって、
   該ウエーハの表面側における前記分割予定ラインに、加工後に得ようとする前記デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝を形成する分離溝形成工程と、
   前記デバイス領域および前記外周余剰領域の表面に紫外線照射によって粘着力が低下する特性を有する保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
   前記保護テープ側を研削装置のチャックテーブルに対面させて該ウエーハを該チャックテーブルに保持し、その状態で露出するウエーハの裏面の前記デバイス領域に対応する部分を、前記デバイスの仕上がり厚さに相当する厚さに研削して、前記外周余剰領域に対応する部分に肉厚の補強部を形成するとともに、この補強部と前記デバイス領域、ならびに該デバイス領域中の各デバイスを前記保護テープによって互いに連結された状態とする研削工程と、
   該研削工程を経たウエーハを前記チャックテーブルから搬出するウエーハ搬出工程と、
   前記保護テープの前記補強部に貼着された領域に紫外線を照射してから、前記補強部を前記保護テープから離すとともに前記デバイス領域から分離させて、ウエーハを前記デバイス領域のみとして残存させるデバイス領域残存工程と、
   該ウエーハの裏面に、ダイシングテープを介してダイシングフレームを装着するダイシングフレーム装着工程とを備えることを特徴とするウエーハの加工方法。

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