JPH05121384A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05121384A JPH05121384A JP27814091A JP27814091A JPH05121384A JP H05121384 A JPH05121384 A JP H05121384A JP 27814091 A JP27814091 A JP 27814091A JP 27814091 A JP27814091 A JP 27814091A JP H05121384 A JPH05121384 A JP H05121384A
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- Japan
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- wafer
- polishing
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- semiconductor device
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハの裏面研磨後のソリを防止するこ
と，また現在のウェーハ厚さよりもさらに薄く裏面研磨
をしてもウェーハの割れ発生を防止する方法を提供す
る。 【構成】 ウェーハ支持部１に吸着された半導体ウェー
ハＷ上に、モータ３により高速回転している円板状でウ
ェーハＷの直径より小さい直径の研磨部２が下がってき
て、ウェーハの内周部のみ研磨する。そして、外周部の
みに厚い部分を残す。
と，また現在のウェーハ厚さよりもさらに薄く裏面研磨
をしてもウェーハの割れ発生を防止する方法を提供す
る。 【構成】 ウェーハ支持部１に吸着された半導体ウェー
ハＷ上に、モータ３により高速回転している円板状でウ
ェーハＷの直径より小さい直径の研磨部２が下がってき
て、ウェーハの内周部のみ研磨する。そして、外周部の
みに厚い部分を残す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法に関し、特にウェーハの裏面研磨の方法に関する。
法に関し、特にウェーハの裏面研磨の方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、パワートランジスタでは、ウェ
ーハの厚さは薄ければ薄い方が内部抵抗が低くなり、ま
た熱抵抗も小さくなり好ましい。
ーハの厚さは薄ければ薄い方が内部抵抗が低くなり、ま
た熱抵抗も小さくなり好ましい。
【０００３】しかし、長い拡散工程でウェーハの厚さが
最初から薄いとウェーハ割れが多発するため、可能な限
り後工程で裏面を研磨し、ウェーハ厚を薄くしている。
従来の技術では、図５の一部断面側面図に示すように、
ウェーハ支持部１に吸着された半導体ウェーハＷは、モ
ータ３により高速回転している円板上でウェーハＷの直
径より大きい直径の研磨部２ｂより、図６のウェーハ平
面図および断面図のように一様に削っている。例えば、
パワーMOS FET の直径１２５mmのウェーハでは、ウェー
ハ厚を４４０μｍを２７０μｍまで削っている。ウェー
ハを薄くする厚さには限界があり、現在の２７０μｍよ
り薄くできない。なぜならば、あまり薄くすると拡散工
程で残った歪のためにソリが大きくなるとか、割れが多
発するので以後の工程がやりにくい。
最初から薄いとウェーハ割れが多発するため、可能な限
り後工程で裏面を研磨し、ウェーハ厚を薄くしている。
従来の技術では、図５の一部断面側面図に示すように、
ウェーハ支持部１に吸着された半導体ウェーハＷは、モ
ータ３により高速回転している円板上でウェーハＷの直
径より大きい直径の研磨部２ｂより、図６のウェーハ平
面図および断面図のように一様に削っている。例えば、
パワーMOS FET の直径１２５mmのウェーハでは、ウェー
ハ厚を４４０μｍを２７０μｍまで削っている。ウェー
ハを薄くする厚さには限界があり、現在の２７０μｍよ
り薄くできない。なぜならば、あまり薄くすると拡散工
程で残った歪のためにソリが大きくなるとか、割れが多
発するので以後の工程がやりにくい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の裏面研磨は、裏面を平坦に削っているので、ウェーハ
表面につけられた絶縁膜や金属の応力により、ウェーハ
ソリが大きく、そのためキャリアへの出し入れや後工程
（ホーニング，裏面蒸着，シンター）での割れが多いと
いう欠点があった。
の裏面研磨は、裏面を平坦に削っているので、ウェーハ
表面につけられた絶縁膜や金属の応力により、ウェーハ
ソリが大きく、そのためキャリアへの出し入れや後工程
（ホーニング，裏面蒸着，シンター）での割れが多いと
いう欠点があった。
【０００５】また、ウェーハ厚さは薄い方が素子の特性
には有利なため、現在よりさらに薄くしたいが、従来の
技術ではこれ以上薄くすることができないという欠点が
あった。
には有利なため、現在よりさらに薄くしたいが、従来の
技術ではこれ以上薄くすることができないという欠点が
あった。
【０００６】そこで、この発明はウェーハソリを発生し
にくくし、さらにウェーハ厚さを薄くできるようにする
ことを目的とする。
にくくし、さらにウェーハ厚さを薄くできるようにする
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するためにウェーハ裏面の研磨時にウェーハ外周
部に厚い部分を残し、ウェーハ内周のみ所望の厚さまで
研磨することで、ウェーハソリをおさえるための厚い部
分を外周に残すことを特徴とするものである。
を解決するためにウェーハ裏面の研磨時にウェーハ外周
部に厚い部分を残し、ウェーハ内周のみ所望の厚さまで
研磨することで、ウェーハソリをおさえるための厚い部
分を外周に残すことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】ウェーハ外周部に厚い部分を残すことで、内周
部を薄く削っても、ウェーハ外周部の厚い部分の機械的
強度によって、ウェーハに残存する応力に起因するウェ
ーハソリを小さくできるとともに、ウェーハ割れを防止
することができる。さらに、従来よりも内周部のみ薄く
削ることが可能になる。
部を薄く削っても、ウェーハ外周部の厚い部分の機械的
強度によって、ウェーハに残存する応力に起因するウェ
ーハソリを小さくできるとともに、ウェーハ割れを防止
することができる。さらに、従来よりも内周部のみ薄く
削ることが可能になる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明について、図１および図３を
参照して説明する。図１の一部断面側面図において、ウ
ェーハ支持部１に吸着された半導体ウェーハＷ上に、モ
ータ３により高速回転している円板状でウェーハＷの直
径より小さい直径の研磨部２が下がってきてウェーハＷ
の内周部のみ研磨する。従って、図２のウェーハ平面図
および断面図に示すように、ウェーハ外周部を残して内
周部のみ薄くすることができる。
参照して説明する。図１の一部断面側面図において、ウ
ェーハ支持部１に吸着された半導体ウェーハＷ上に、モ
ータ３により高速回転している円板状でウェーハＷの直
径より小さい直径の研磨部２が下がってきてウェーハＷ
の内周部のみ研磨する。従って、図２のウェーハ平面図
および断面図に示すように、ウェーハ外周部を残して内
周部のみ薄くすることができる。
【００１０】
【実施例２】図３の一部断面側面図においては、図１の
研磨部２の端部の形状を上端が径大のテーパ状にかえた
研磨部２ａで、ウェーハＷの内周部のみを削る。従っ
て、図４のウェーハ平面図および断面図に示すようにウ
ェーハ外周部にテーパ状の厚い部分を残すことができ
る。
研磨部２の端部の形状を上端が径大のテーパ状にかえた
研磨部２ａで、ウェーハＷの内周部のみを削る。従っ
て、図４のウェーハ平面図および断面図に示すようにウ
ェーハ外周部にテーパ状の厚い部分を残すことができ
る。
【００１１】この実施例によれば、ウェーハＷの研磨時
に厚い部分が欠けにくいという利点があるのみならず、
水洗その他の処理時にウェーハＷの裏面の厚い部分で囲
まれた内周部からの液切れが良くなるという利点があ
る。
に厚い部分が欠けにくいという利点があるのみならず、
水洗その他の処理時にウェーハＷの裏面の厚い部分で囲
まれた内周部からの液切れが良くなるという利点があ
る。
【００１２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明は裏面の研磨時、ウェーハ外周部に厚い部分を残すよ
うにしたことにより、ウェーハソリを小さくし、以後の
工程でのウェーハ割れを防止でき、さらに従来よりウェ
ーハ厚を薄く削ることが可能になる効果がある。
明は裏面の研磨時、ウェーハ外周部に厚い部分を残すよ
うにしたことにより、ウェーハソリを小さくし、以後の
工程でのウェーハ割れを防止でき、さらに従来よりウェ
ーハ厚を薄く削ることが可能になる効果がある。
【図１】 本発明に係る実施例の裏面研磨状態を示す一
部断面側面図
部断面側面図
【図２】（ａ）本発明に係る実施例の裏面研磨後のウェ
ーハ平面図 （ｂ）断面図
ーハ平面図 （ｂ）断面図
【図３】 本発明に係る他の実施例の裏面研磨状態を示
す一部断面側面図
す一部断面側面図
【図４】（ａ）本発明に係る他の実施例の裏面研磨後の
ウェーハ平面図 （ｂ）断面図
ウェーハ平面図 （ｂ）断面図
【図５】 従来の裏面研磨状態を示す一部断面側面図
【図６】（ａ）従来の裏面研磨後のウェーハ平面図 （ｂ）断面図
Ｗ 半導体ウェーハ １ ウェーハ支持部 ２ 実施例の研磨部 ３ モータ
Claims (2)
- 【請求項１】ウェーハの裏面を削る工程で、ウェーハ径
よりも小さい研磨面で裏面を削り、ウェーハ外周に厚い
部分を残すことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】厚い半導体ウェーハの一方の面に能動部分
を形成し、その後他方の面より削り、所望の厚さを残し
て以後の工事を行う半導体装置の製造方法において、前
記他方の面より削る工事がウェーハの外周部に厚い部分
を残す方法であることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27814091A JPH05121384A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27814091A JPH05121384A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121384A true JPH05121384A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17593148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27814091A Pending JPH05121384A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121384A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7148125B2 (en) | 2001-12-12 | 2006-12-12 | Denso Corporation | Method for manufacturing semiconductor power device |
| JP2007073767A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 粘着フィルム貼着装置 |
| JP2007305835A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2007320001A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの外周部に形成される環状補強部の確認方法および確認装置 |
| JP2008034709A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法 |
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| JP2009224622A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体チップの製造方法、半導体ウエハおよび半導体チップ |
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| WO2012043349A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 富士電機株式会社 | 吸着プレート |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP27814091A patent/JPH05121384A/ja active Pending
Cited By (24)
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| JP2008034708A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハマウント装置 |
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