TWI412098B - 半導體晶圓之保持方法及半導體晶圓之保持裝置 - Google Patents

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Description

半導體晶圓之保持方法及半導體晶圓之保持裝置
本發明係關於在運送半導體晶圓或對工件實施各種處理之前步驟中，保持半導體晶圓之半導體晶圓保持方法及半導體晶圓保持構造體，尤其是關於經由支持用黏著帶而將半導體晶圓貼附保持於環形框架上的技術。
在自半導體晶圓(以下，簡稱為「晶圓」)切割成半導體晶片之步驟中，進行如下之處理。將晶圓貼附保持在貼附於環形框架上之支持用黏著帶上，將此半導體晶圓之保持構造體移入切割步驟，並對貼附支持後之晶圓實施切割處理及晶片分離處理(參照日本國特開2003-234392號公報)。
然而，近年來因應於電子機器之小型化、高密度組裝等之需要，正不斷地朝晶圓的薄型化進展，其厚度已經作成為極薄之數十μm。作成如此極薄之晶圓，因彎曲或翹曲而容易產生裂紋或缺口等的破損，成為在處理上極其困難的狀況。因此，在從背面研磨後至保持於環形框架的期間，為了能容易進行晶圓之處理，而將晶圓中央部分加以研磨，以在背面外周部分形成殘留之環狀凸部，使晶圓具有剛性。
形成有殘留環狀凸部之晶圓，使直至保持於環形框架之前的處理容易進行很有效。然而，在切割步驟之前，在經由黏著帶而將晶圓背面保持於環形框架的情況，雖黏著帶密接於環狀凸部上，但黏著帶並不密接在中央部分之扁平 凹部。因此，在進行切割處理及晶片分離時，會有容易造成以處於非保持狀態之晶圓部分為起點的晶圓破損之問題。
本發明之目的在提供一種半導體晶圓之保持方法及其裝置、以及半導體晶圓之保持構造體，不論晶圓是否薄型化，均不會產生破損等，且可經由支持用黏著帶而精度良好地將晶圓貼附於環形框架上。
為了達成上述目的，本發明係採用如下之構成。
一種半導體晶圓之保持方法，係經由支持用黏著帶將半導體晶圓貼附保持於環形框架上，該方法包含以下過程：在該半導體晶圓之背面外周形成殘留之環狀凸部，以圍繞著藉由背面研磨而形成之扁平凹部，將此半導體晶圓之背面側按壓於貼附在環形框架上之黏著帶的黏著面上，而將該環狀凸部貼附於黏著帶上，同時從非黏著面側按壓黏著帶以使其變形，而壓入並貼附於晶圓背面之該扁平凹部內。
根據本發明之半導體晶圓的保持方法，與半導體晶圓之薄型化無關，而可在由外周部之環狀凸部所補強的高剛性狀態下來處理半導體晶圓。另外，藉由使支持用黏著帶進入扁平凹部內的方式，而由黏著帶貼附保持半導體晶圓之背面全體，可在更提高強度之狀態下將半導體晶圓保持於環形框架上。
又，在此方法中，以貼附過程係利用從該扁平凹部之中 心朝向外周以渦卷狀地迴轉移動之貼附構件來按壓黏著帶，而將黏著帶壓入並貼附於扁平凹部內為較佳。
根據此方法時，藉由從扁平凹部之中心朝向外周，一面按壓拉長黏著帶一面進行貼附，可順利地進行無波紋及皺紋之貼附。其結果，可達成貼附精度之提升。
又，作為貼附構件係利用例如、可彈性變形之刷子狀者。藉此，不會過分地按壓拉長黏著帶，且可於整個細部進行。因此，亦可確實地將黏著帶貼附於扁平凹部之外周角落部。
另外，在此方法中，以在貼附構件迴轉移動時，由按壓構件按壓環形框架為較佳。
又，按壓構件係為按壓環形框架之複數個部位的複數個滾筒，且與貼附構件之迴轉移動同步地轉動於環形框架上為較佳。
根據此方法，可一面阻止環形框架f之浮動或振動一面將黏著帶貼附於扁平凹部內。
另外，在此方法中，貼附過程係將可內嵌於扁平凹部之按壓構件壓入扁平凹部內，而將黏著帶壓入並貼附於扁平凹部內為較佳。
根據此方法時，僅利用將按壓構件一次壓入並移動於扁平凹部內，可一舉將黏著帶壓入並貼附於扁平凹部的全域內。因此，可有效縮短處理時間。
又，在此方法中，一面加熱按壓構件而加溫黏著帶一面將黏著帶壓入並貼附於扁平凹部內為較佳。
根據此方法，利用使黏著帶接觸於按壓構件而使其適度 軟化，以使黏著帶對扁平凹部內之壓入變形變得容易，可確實進行對扁平凹部之外周角落部的貼附。
另外，在此方法中，對扁平凹部內的貼附係在減壓氣體環境中進行為較佳。
根據此方法，不會使氣泡捲入貼附面，而可確實地將支持用黏著帶貼附於扁平凹部之各角落。
另外，在此方法中，以吸附保持環形框架為較佳。
根據此方法時，可阻止迴轉貼附作動時之共轉或微動。
另外，為了達成上述目的，本發明係採用如下之構成。
一種半導體晶圓之保持裝置，係經由支持用黏著帶而將半導體晶圓貼附保持於環形框架上，該裝置包含以下構成要素：在該半導體晶圓之背面外周形成殘留之環狀凸部，以圍繞著背面研磨區域，且在該環狀凸部之內徑側形成扁平凹部；晶圓支持台，係支持該半導體晶圓之平坦背面；環形框架支持台，係保持貼附有該黏著帶之環形框架；貼附機構，係一面從該黏著帶之非黏著面側進行按壓，一面將黏著帶貼附於該半導體晶圓之扁平凹部。
根據此構成，可適於實現上述方法。
為了達成上述目的，本發明係採用如下之構成。
一種半導體晶圓保持構造體，係經由支持用黏著帶而將半導體晶圓貼附保持於環形框架上，該構造體包含以下構成要素： 在該半導體晶圓之背面外周形成殘留之環狀凸部，以圍繞著藉由背面研磨而形成之扁平凹部，貼附於環形框架上之該黏著帶，係貼附至該扁平凹部內。
根據此構造時，半導體晶圓之扁平凹部雖係薄形且強度低者，但外周部之環狀凸部可用作為補強肋的功能，而可提高晶圓全體之剛性。如此，在將貼附於環形框架上之支持用黏著帶壓入扁平凹部內之狀態下所貼附並保持之保持構造體，和習知上將整體為薄型之半導體晶圓貼附並保持於黏著帶上的保持構造體比較，可進一步提高晶圓強度。因此，即使在將扁平凹部(背面研磨部位)構成為極薄的半導體晶圓時，亦可在破損風險少之狀態下進行處理。
另外，因為在使晶圓補強用之環狀凸部殘留之狀態下直接進行將半導體晶圓貼附並保持於黏著帶上以後之處理，所以，可省略研磨消除環狀凸部之步驟，因此，可有效地提高半導體晶片之製造步驟整體的作業效率。
以下，為了說明本發明而圖示目前被認為是較佳之幾個形態，但並不意味本發明受此等圖示之構成及方法所限定。
以下，參照圖面說明本發明之一實施例。
首先，參照第13至第15圖，說明本發明之半導體晶圓的構造。
第13圖為從表面側看本發明之處理對象的晶圓W之一部分缺口的立體圖，第14圖為從其背面側所見之立體圖，及第15圖為其縱剖視圖。
晶圓W係在形成有圖案之表面貼上保護帶PT以保護其表面之狀態下被進行背面研磨處理者。其背面係使用將外周部於徑方向殘留約2mm而進行研磨(背面研磨)，而在背面形成扁平凹部b，同時加工成沿其外周形成殘留有環狀凸部r之形狀者。也就是說，加工成扁平凹部b之深度d成為數百μm，研磨範圍內之晶圓厚度t成為數十μm。因此，形成於背面外周之環狀凸部r係用作為提高晶圓W之剛性的環狀肋之功能。因此，而抑制搬運或其他處理步驟時之晶圓W的彎曲變形。
如上述構成之晶圓W，如第18圖所示，係從環狀凸部r所在之背面側貼附保持在貼附張緊於環形框架f上之支持用黏著帶(切割帶)DT之黏著面，而製作成第16、第17及第18圖所示之晶圓保持構造體(黏晶框架)MF。
根據以下所示之2個實施例，說明經由黏著帶DT而將在背面研磨形成扁平凹部b後之晶圓W貼附保持於環形框架f上之晶圓貼附裝置及其貼附程序。
第1至第6圖顯示第1實施形態之晶圓貼附裝置及其貼附程序。
如第1圖所示，在晶圓貼附裝置上具備腔室1，其係由圓筒狀之深腔室本體1a、以及接合及分離於其上端之淺圓形盤狀之蓋體1b所構成。此腔室本體1a係連通接續於真空裝置2。
在腔室本體1a之底部固定地立設有數根導引軸3。在此導引軸3上裝設有經由滑動襯套4導引且可平行昇降之可 動台5。在腔室本體1a之底部中心經由軸承支架8配備有立設之藉由馬達6驅動的螺桿軸7。此螺桿軸7係螺合插入到固定安裝於可動台5之中心的陰螺紋襯套9內。藉此，藉由螺桿軸7之正反旋轉，以使可動台5螺旋式地昇降。
在可動台5之上部，固定地連結具備相當於晶圓W外徑之外徑的圓板狀晶圓支持台10，同時配備有可上下移動之外嵌於此晶圓支持台10的環形框架支持台11。環形框架支持台11係可於上下方向維持小範圍之移動而支持於固設在可動台5上面之周方向的複數個部位之附頭銷12。藉由此構成，以限制環形框架支持台11的上下移動範圍。另外，環形框架支持台11係藉由介插於周方向複數個部位上之彈簧13而彈壓提升到上限位置。在環形框架支持台11上面裝載形成有與環形框架f之厚度相同或略淺而凹入之凹入段部11a，其係用以定位嵌合此環形框架f。
蓋體1b係藉由未圖示之昇降機構而被驅動昇降者。在其內部裝備有貼附機構15。貼附機構15係由可繞與晶圓支持台10之中心同軸心的縱軸心X轉動之迴轉框架16、水平地架設於迴轉框架16下部之導引軸17、及被支持為可由導引軸17所引導而作水平移動的一對貼附構件18所構成。貼附構件18係使用構成為可適度彈性變形之刷子狀者。
在蓋體1b之中心，經由軸承支架20貫穿支承著可繞縱軸心X隨意轉動之筒軸狀的迴轉驅動軸19，同時在此迴轉驅動軸19之下端連結迴轉框架16。迴轉驅動軸19之上部 及配備於蓋體1b之上部一側的馬達21係由皮帶22繞掛而連動。藉由此構成，利用馬達21之驅動，以使迴轉框架16圍繞縱軸心X作迴轉驅動。
在迴轉驅動軸19之中心內插入內軸24，其係藉由配備於蓋體1b之中心上方的馬達23作正反轉驅動。皮帶27係分別繞掛張設於於此內軸24之下部所具備的上下較長之驅動皮帶輪25及軸支於迴轉框架16之兩端附近的一對從動皮帶輪26上。即，一對貼附構件18連結於兩皮帶27之反向轉動位置。藉此，當內軸24朝指定方向轉動時，連結於兩皮帶27之貼附構件18朝相互分離之方向、或是朝相互靠近之方向移動。
晶圓貼附裝置係如上述所構成，以下，說明其貼附動作。
(1)如第1圖所示，在蓋體1b朝上方退避而開放腔室1之狀態，使藉由背面研磨而形成有扁平凹部b之背面朝向上方之姿勢搬入晶圓W。此時，使貼附於晶圓W之支持用黏著帶DT之黏著面朝向下方的姿勢搬入環形框架f。另外，此時，可動台5係處於下降位置，同時貼附機構15之兩貼附構件18係處於相互接近之初期位置。
(2)搬入後之晶圓W係被載置於晶圓支持台10並定位在環形框架支持台11之內周。搬入後之環形框架f係被定位載置於環形框架支持台11之凹入段部11a內。
(3)當晶圓W及環形框架f之搬入裝填作業結束時，如第2圖所示，蓋體1b下降而密封接合於腔室本體1a的上端。其後，藉由真空裝置2之吸引動作以使腔室1內減壓。此 時，貼附構件18係處於未接觸於黏著帶DT之高度的位置。
(4)當使腔室1之內壓被減壓至接近於真空的指定壓力時，如第3圖所示，可動台5被驅動上昇至指定位置。此時，待機於縱軸心X附近之初期位置的貼附構件18，被推壓於黏著帶DT上面(非黏著面)的中央部。由貼附構件18按壓而朝下方變形之黏著帶DT的中央部位，係貼附於晶圓W之扁平凹部b的中心附近。
(5)然後，藉由馬達21之驅動，以使迴轉框架16朝指定方向迴轉，同時藉由馬達23之驅動，以使兩貼附構件18朝相互分離之方向移動。藉由此移動，各貼附構件18一面從中心朝向外方呈渦卷狀地迴轉移動，一面逐漸地將黏著帶DT貼附晶圓W上面之扁平凹部b內及環狀凸部r上。
如第4圖所示，當由適宜的檢測構件檢測出貼附構件18已到達外端時，一面繼續朝相同方向迴轉，一面僅由馬達23作反向轉動之驅動。即，各貼附構件18一面朝相互接近之方向移動一面迴轉，而朝向中心方向進行渦卷狀之迴轉貼附。其後，在貼附構件18回歸至初期位置的時點，停止兩馬達21,23的驅動。
在上述貼附動作中，隨貼附構件18越接近於外周，則從貼附構件18對環形框架f作用之朝向下方的按壓力越大。藉此，環形框架支持台11對抗彈簧13而被下壓，利用環形框架支持台11之上面下降至環狀凸部r之上面位準，以確實地進行對環狀凸部r之帶貼附。
又，如第6圖所示，在環形框架支持台11之凹入段部11a 突設比環形框架厚度更低之卡止銷28，以抵接於環形框架f之外周所形成的扁平切割部c或缺口n。藉此，用以阻止被拉離貼附迴轉移動而與環形框架f共轉之情況。
(6)當該貼附動作結束時，可動台5下降至初期位置，同時外氣流入腔室1內，而使內壓返回至大氣壓。其後，如第5圖所示，蓋體1b上昇而被開放，貼附保持著晶圓W的黏晶框MF，藉由未圖示之搬出機構取出。
以上完成一次之貼附處理，然後，重複進行上述動作。
根據該實施形態之裝置，藉由從黏著帶DT的非黏著面之中央部按壓貼附構件18，並在保持施加此按壓之狀態下使貼附構件18從中心朝向外方迴轉移動，可精度良好地將黏著帶DT貼附於晶圓W之扁平凹部b內及環狀凸部r上，其中，此黏著帶DT係將黏著面朝向扁平凹部b而貼附於對向配置之環形框架f上。
另外，因為在腔室1內之減壓下將黏著帶DT貼附於晶圓W上，所以，在貼附界面不會捲入空氣。又，在腔室1從減壓狀態返回至大氣壓時，黏著帶DT之不黏著被均勻地加壓而可消除貼附不均勻。
第8至第12圖顯示第2實施形態之晶圓貼附裝置及其貼附步驟。
本實施形態之裝置，僅貼附機構15與第1實施形態的構造相異，而其他構成相同，所以，對相同構件及部位賦予相同之元件符號，而僅對相異之部分作具體說明。
本實施形態之貼附機構15係構成為將按壓構件30固定 安裝於蓋體1b之內部。按壓構件30係形成為比晶圓W之背面所研磨形成的扁平凹部b略小徑的圓板狀，且自蓋體1b之內面僅朝下方突出一指定量。即，按壓構件30成為可內嵌於扁平凹部b內之形狀。另外，在按壓構件30內建有加熱器31，為了阻止對蓋體1b之熱傳導，按壓構件30係間經由隔熱材32而安裝於蓋體1b上。
其次，說明上述構成之晶圓貼附裝置的貼附動作。
(1)如第8圖所示，在蓋體1b朝上方退避而開放腔室1之狀態，使藉由背面研磨而形成有扁平凹部b之背面以朝向上方之姿勢搬入晶圓W。此時，晶圓W係使被貼附之黏著帶DT之黏著面朝向下方的姿勢，搬入環形框架f。另外，此時，可動台5係處於下降位置，
(2)搬入後之晶圓W係被載置於晶圓支持台10並定位在環形框架支持台11之內周。搬入後之環形框架f係被定位載置於環形框架支持台11之凹入段部11a內。
(3)當晶圓W及環形框架f之搬入裝填作業結束時，如第9圖所示，蓋體1b下降而密封接合於腔室本體1a的上端，並藉由真空裝置2之吸引動作以使腔室1內減壓。
(4)當使腔室1之內壓被減壓至接近於真空的指定壓力時，如第10圖所示，可動台5被驅動上昇至指定位置而暫時停止。此時，黏著帶DT係輕輕地接觸於由加熱器31所加熱之按壓構件30之下面。藉此，黏著帶DT被加溫而適度軟化。
(5)然後，如第11圖所示，可動台5再僅略微上昇一指定 量，而將按壓構件30相對地壓入晶圓W之扁平凹部b內。藉此，軟化後之黏著帶DT被壓入變形而貼附於扁平凹部b內。
在此情況時，環形框架支持台11對抗彈簧13而被下壓至下限，以使環形框架支持台11之上面下降至環狀凸部r之上面位準。藉此，以確實地進行對環狀凸部r之帶貼附。
(6)當該貼附動作結束時，可動台5下降至初期位置，同時外氣流入腔室1內，而使內壓返回至大氣壓。其後，如第12圖所示，蓋體1b上昇而開放，貼附保持著晶圓W的黏晶框MF，藉由適宜之搬出機構而取出。
以上完成一次之貼附處理，然後，重複進行上述動作。
根據該實施形態之裝置，由按壓構件30將藉由加熱器31加溫而適度軟化之狀態的黏著帶DT壓入扁平凹部b內。藉此，可一舉將黏著帶DT貼附於扁平凹部b之全域。
本發明亦可實施以下之變化的形態。
(1)上述第1實施形態之貼附構件18不限於刷子狀者，亦可使用橡膠括片、隨意惰轉之彈性滾筒等。
(2)上述第1實施形態，如第7圖所示，在迴轉框架16之外周複數個部位，裝設由隨意惰轉之橡膠滾筒所構成的按壓構件29。在迴轉貼附步驟中，亦可構成為藉由按壓構件29按壓於環形框架f而作轉動移動，一面阻止環形框架f之浮動或振動一面進行貼附動作。根據此構成，可進行精度更高之晶圓貼附。
(3)在上述第1實施形態中，亦能以在環形框架支持台11 之凹入段部11a內形成真空吸附孔，以吸附固定被載置之環形框架f，而阻止迴轉貼附動作時之共轉或微動的形態來實施。
(4)在上述各實施形態中，藉由環形框架支持台11之上面下降至環狀凸部r之上面位準，以使黏著帶DT之黏著面接觸於環形框架支持台11之上面，所以將環形框架支持台11之上面構成為不易黏著面較佳為非黏著面。根據此構成時，可使得黏晶框MF不易貼附於環形框架支持台11之上面。其結果，可避免晶圓框架f不易搬出之情況。
(5)在上述各實施形態中，可使裝置上下反轉而加以利用。
本發明只要未超出其思想及實質範圍，便可以其他之具體形態加以實施，因此，本發明之範圍不是由以上之說明所出示，而應參照附加之申請專利範圍。
W‧‧‧晶圓
PT‧‧‧保護帶
b‧‧‧扁平凹部
r‧‧‧環狀凸部
f‧‧‧環形框架
DT‧‧‧支持用黏著帶
MF‧‧‧晶圓保持構造體(黏晶框)
X‧‧‧縱軸心
1‧‧‧腔室
1a‧‧‧腔室本體
1b‧‧‧蓋體
2‧‧‧真空裝置
3‧‧‧導引軸
4‧‧‧滑動襯套
5‧‧‧可動台
6‧‧‧馬達
7‧‧‧螺桿軸
8‧‧‧軸承支架
9‧‧‧陰螺紋襯套
10‧‧‧晶圓支持台
11‧‧‧環形框架支持台
12‧‧‧附頭銷
13‧‧‧彈簧
15‧‧‧貼附機構
16‧‧‧迴轉框架
17‧‧‧導引軸
18‧‧‧貼附構件
19‧‧‧迴轉驅動軸
20‧‧‧軸承支架
21‧‧‧馬達
22‧‧‧皮帶
23‧‧‧馬達
24‧‧‧內軸
25‧‧‧驅動皮帶輪
26‧‧‧從動皮帶輪
27‧‧‧皮帶
28‧‧‧卡止銷
29‧‧‧按壓構件
30‧‧‧按壓構件
31‧‧‧加熱器
32‧‧‧隔熱材
第1圖為顯示第1實施形態之半導體晶圓黏晶裝置之材料運入步驟的縱剖視圖。
第2圖為顯示第1實施例之貼附步驟的縱剖視圖。
第3至第4圖為顯示第1實施形態之貼附步驟的縱剖視圖。
第5圖為顯示第1實施例之貼附後的運出步驟的縱剖視圖。
第6圖為顯示環形框架之防止共轉構造的俯視圖。
第7圖為顯示第1實施形態之半導體晶圓黏晶裝置之另 一實施例的縱剖視圖。
第8圖為顯示第2實施形態之半導體晶圓黏晶裝置之材料運入步驟的縱剖視圖。
第9至第11圖為顯示第2實施例之貼附步驟的縱剖視圖。
第12圖為顯示第2實施形態之貼附後的運出步驟的縱剖視圖。
第13圖為顯示從表面側所見半導體晶圓之一部分缺口的立體圖。
第14圖為從背面側所見半導體晶圓之立體圖。
第15圖為半導體晶圓之縱剖視圖。
第16圖為從表面側所見半導體晶圓保持構造體之立體圖。
第17圖為顯示從背面側所見半導體晶圓保持構造體之立體圖。
第18圖為半導體晶圓保持構造體之縱剖視圖。
第19圖為將半導體晶圓保持構造體加以分解之立體圖。
W‧‧‧晶圓
f‧‧‧環形框架
1‧‧‧腔室
1a‧‧‧腔室本體
1b‧‧‧蓋體
2‧‧‧真空裝置
5‧‧‧可動台
6‧‧‧馬達
10‧‧‧晶圓支持台
11‧‧‧環形框架支持台
13‧‧‧彈簧
15‧‧‧貼附機構
16‧‧‧迴轉框架
18‧‧‧貼附構件
21‧‧‧馬達
23‧‧‧馬達
X‧‧‧縱軸心

Claims (12)

  1. 一種半導體晶圓之保持方法，係經由支持用黏著帶將半導體晶圓貼附保持於環形框架上，該方法包含以下過程：在該半導體晶圓之背面外周形成殘留之環狀凸部，以圍繞著藉由背面研磨而形成之扁平凹部，在此半導體晶圓之背面側配備與其呈對向的被貼附在環形框架上之支持用黏著帶的黏著面，對貼附在環形框架上之黏著帶的黏著面按壓，將該環狀凸部貼附於黏著帶上，同時將比該環狀凸部的內徑還小之可彈性變形的刷狀的貼附構件從晶圓中心按壓，使該環狀凸部一邊繞晶圓中心迴轉一邊朝外周移動，藉以從非黏著面側按壓黏著帶使其變形而壓入並貼附於晶圓背面之該扁平凹部內。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保持方法，其中該貼附過程係在貼附構件迴轉移動時，以按壓構件按壓住該環形框架。
  3. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓之保持方法，其中該按壓構件係按壓環形框架之複數個部位的複數個滾筒，且與該貼附構件之迴轉移動同步地轉動於環形框架上。
  4. 一種半導體晶圓之保持方法，係經由支持用黏著帶將半導體晶圓貼附保持於環形框架上，該方法包含以下過程： 在該半導體晶圓之背面外周形成殘留之環狀凸部，以圍繞著藉由背面研磨而形成之扁平凹部；將可內嵌於該扁平凹部之按壓構件一邊加熱一邊壓入扁平凹部內，而將該黏著帶壓入並貼附於扁平凹部內。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保持方法，其中該貼附過程係在減壓氣體環境中進行該黏著帶對扁平凹部內的貼附。
  6. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保持方法，其中該貼附過程係吸附保持環形框架。
  7. 一種半導體晶圓之保持裝置，係經由支持用黏著帶將半導體晶圓貼附保持於環形框架上，該裝置包含以下構成要素：在該半導體晶圓之背面外周形成殘留之環狀凸部，以圍繞著背面研磨區域，且在該環狀凸部之內徑側形成扁平凹部；晶圓支持台，係支持該半導體晶圓之平坦背面；環形框架支持台，係保持貼附有該黏著帶之環形框架；及貼附機構，係一面從該黏著帶之非黏著面側進行按壓，一面將黏著帶貼附於該半導體晶圓之扁平凹部，該貼附機構包含以下之構成要素：迴轉框架，其可環繞與該晶圓支持台之中心同軸心的縱軸心轉動； 導引軸，係水平架設於該迴轉框架之下部；及一對可彈性變形的刷狀的貼附構件，係支持成可由該導引軸所引導而水平移動，且，該貼附構件係構成為與該迴轉框架之旋轉同步而呈渦卷狀地迴轉移動。
  8. 如申請專利範圍第7項之半導體晶圓之保持裝置，其中該裝置更包含以下之構成要素：按壓構件，係在該貼附構件呈渦卷狀地迴轉移動時，用以按壓該環形框架。
  9. 如申請專利範圍第8項之半導體晶圓之保持裝置，其中該按壓構件係按壓該環形框架之複數個部位的複數個滾筒，且其構成為與該貼附構件之迴轉移動同步而轉動於環形框架上。
  10. 一種半導體晶圓之保持裝置，係經由支持用黏著帶將半導體晶圓貼附保持於環形框架上，該裝置包含以下構成要素：在該半導體晶圓之背面外周形成殘留之環狀凸部，以圍繞著背面研磨區域，且在該環狀凸部之內徑側形成扁平凹部；晶圓支持台，係支持該半導體晶圓之平坦背面；環形框架支持台，係保持貼附有該黏著帶之環形框架；及貼附機構，係一面從該黏著帶之非黏著面側進行按壓，一面將黏著帶貼附於該半導體晶圓之扁平凹部， 該貼附機構係可內嵌於該半導體晶圓之扁平凹部，且係構成為可移動於該黏著帶之貼附位置及待機位置之間的圓板狀按壓構件，且構成為將可內嵌於該扁平凹部的按壓構件一邊以加熱器加熱一邊壓入扁平凹部內，而將該黏著帶壓入並貼附於扁平凹部內。
  11. 如申請專利範圍第7或10項之半導體晶圓之保持裝置，其中該裝置更包含：真空裝置，係在腔室內具有該晶圓支持台、環形框架支持台、及貼附機構，且使腔室內成為減壓氣體環境。
  12. 如申請專利範圍第7或10項之半導體晶圓之保持裝置，其中建構成吸附保持該環形框架支持台所支持的環形框架。
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