JP2008042016A - 半導体ウエハの保持方法および半導体ウエハ保持構造体 - Google Patents

半導体ウエハの保持方法および半導体ウエハ保持構造体 Download PDF

Info

Publication number
JP2008042016A
JP2008042016A JP2006215959A JP2006215959A JP2008042016A JP 2008042016 A JP2008042016 A JP 2008042016A JP 2006215959 A JP2006215959 A JP 2006215959A JP 2006215959 A JP2006215959 A JP 2006215959A JP 2008042016 A JP2008042016 A JP 2008042016A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
adhesive tape
holding
wafer
ring frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006215959A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4841355B2 (ja
Inventor
Masayuki Yamamoto
雅之 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Seiki Co Ltd
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Seiki Co Ltd
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Seiki Co Ltd, Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Seiki Co Ltd
Priority to JP2006215959A priority Critical patent/JP4841355B2/ja
Priority to US11/882,665 priority patent/US7896049B2/en
Priority to KR20070078807A priority patent/KR101489966B1/ko
Priority to CN2007101432695A priority patent/CN101123175B/zh
Priority to TW096128947A priority patent/TWI412098B/zh
Publication of JP2008042016A publication Critical patent/JP2008042016A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4841355B2 publication Critical patent/JP4841355B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C09J5/02—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving pretreatment of the surfaces to be joined
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1002—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina
    • Y10T156/1028—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with permanent bending or reshaping or surface deformation of self sustaining lamina by bending, drawing or stretch forming sheet to assume shape of configured lamina while in contact therewith

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】ウエハの薄型化にかかわらず、破損させることなくウエハを支持用粘着テープを介してリングフレームに貼付け保持する方法および保持構造を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷの裏面外周には、バックグラインドによって形成された扁平凹部を囲繞するように環状凸部が残存形成されており、この半導体ウエハＷの裏面側を、リングフレームｆに貼付けられた支持用粘着テープの粘着面に押圧して、環状凸部を支持用粘着テープに貼付けるとともに、支持用粘着テープを非粘着面側から押圧変形させて、ウエハ裏面の扁平凹部に押し込み貼付けする。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体ウエハを搬送やワークに各種処理を施す前工程において半導体ウエハを保持する半導体ウエハの保持方法および半導体ウエハ保持構造体に関し、特に、半導体ウエハを支持用粘着テープを介してリングフレームに貼付け保持する技術に関する。
半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と略称する）から半導体チップを切り出す工程においては、リングフレームに貼付けた支持用粘着テープにウエハを貼付け保持し、この半導体ウエハの保持構造体をダイシング工程に持ち込み、貼付け支持されたウエハにダイシング処理およびチップ分断処理が施される（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、近年、電子機器の小型化、高密度実装などの必要からウエハの薄型化が進められており、その厚みが数十μｍに極薄化されている。このように極薄化されたウエハは、撓みや反りにより割れや欠けなど破損しやすく取り扱いが困難な状況になってきている。そのため、裏面研削後からリングフレームに保持されるまでの間、ウエハの取り扱いを容易にするためにウエハ中央部分を研削し、裏面外周部分に環状凸部を残存形成してウエハに剛性を持たせるようにしている。
特開２００３−２３４３９２号公報
環状凸部が残存形成されたウエハは、リングフレームに保持されるまでの取り扱いを容易にするのに有効である。しかしながら、ダイシング工程前に、リングフレームに支持用粘着テープを介してウエハ裏面を保持する場合、環状凸部には粘着テープが密着するが、中央部分の扁平凹部には支持用粘着テープが密着しない。そのため、ダイシング処理およびチップ分断処理時に非保持状態にあるウエハ部分を起点にウエハが破損しやすくなるといった問題がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、ウエハの薄型化にかかわらず、破損などさせることなくウエハを支持用粘着テープを介してリングフレームに精度よく貼付け保持することのできる半導体ウエハの保持方法および半導体ウエハの保持構造体を提供することを主たる目的としている。
この発明は、上記目的を達成するために次のような手段をとる。
すなわち、第１の発明は、半導体ウエハを支持用粘着テープを介してリングフレームに貼付け保持する半導体ウエハの保持方法であって、
前記半導体ウエハの裏面外周には、バックグラインドによって形成された扁平凹部を囲繞するように環状凸部が残存形成されており、
この半導体ウエハの裏面側を、リングフレームに貼付けられた支持用粘着テープの粘着面に押圧して、前記環状凸部を支持用粘着テープに貼付けるとともに、支持用粘着テープを非粘着面側から押圧変形させて、ウエハ裏面の前記扁平凹部に押し込み貼付けすることを特徴とする。
（作用・効果） この方法によれば、半導体ウエハの薄型化にかかわらず、外周部の環状凸部で補強された剛性の高い状態で半導体ウエハを取り扱うことができるとともに、支持用粘着テープが扁平凹部にまで入り込むように半導体ウエハの裏面全体を支持用粘着テープで貼り付け保持することで、一層強度の高められた状態で半導体ウエハをリングフレームに保持させることができる。
第２の発明は、上記第１の発明方法において、
前記扁平凹部の中心から外周に向けて渦巻き状に旋回移動する貼付け部材で前記支持用粘着テープを押圧して、扁平凹部への支持用粘着テープの押し込み貼付けを行うことを特徴とする。
（作用・効果） この発明方法によると、扁平凹部の中心部から外周に向けて支持用粘着テープを押し伸ばしながら貼付けが進行することで、波打ちやシワのない貼り付けを円滑に行うことができ、貼り付け精度の向上に有効となる。
第３の発明は、上記第２の発明方法において、
弾性変形可能なブラシ状の前記貼付け部材で支持用粘着テープの前記扁平凹部への押し込み貼付けを行うことを特徴とする。
（作用・効果） この発明方法によると、支持用粘着テープの押し伸ばしを無理なく、かつ、細部に亘って行うことができ、扁平凹部の外周隅部へも支持用粘着テープを確実に貼り付けることができる。
第４の発明は、上記第１の発明方法において、
前記扁平凹部に内嵌可能な押圧部材を扁平凹部に押し込み移動させて、前記支持用粘着テープの扁平凹部への押し込み貼付けを行うことを特徴とする。
（作用・効果） この発明方法によると、押圧部材を扁平凹部に１回押し込み移動させるだけで、一挙に扁平凹部の全域に支持用粘着テープを押し込み貼り付けすることができ、処理時間の短縮化に有効となる。
第５の発明は、上記第４の発明方法において、
前記押圧部材を加熱して前記支持用粘着テープに作用させることを特徴とする。
（作用・効果） この発明方法によると、支持用粘着テープが押圧部材に接触することで適度に軟化され、扁平凹部へのテープ押し込み変形が容易となり、扁平凹部の外周隅部への貼り付けを的確に行うことができる。
第６の発明の発明は、第１ないし５のいずれかの発明方法において、
前記扁平凹部への前記支持用粘着テープの押し込み貼付けを減圧雰囲気中で行うことを特徴とする。
（作用・効果） この発明方法によると、貼付け面に気泡を巻き込むことなく支持用粘着テープを扁平凹部の隅々まで確実に貼り付けることができる。
第７の発明の発明は、半導体ウエハを支持用粘着テープを介してリングフレームに貼付け保持した半導体ウエハ保持構造体であって、
前記半導体ウエハの裏面外周には、バックグラインドによって形成された扁平凹部を囲繞するように環状凸部が残存形成されており、
リングフレームに貼付けられた支持用粘着テープが前記扁平凹部にまで貼付けられていることを特徴とする。
（作用・効果） この構成によると、半導体ウエハの扁平凹部は薄くて強度が低いものであるが、外周部の環状凸部が補強リブとして機能し、ウエハ全体の剛性が高いものとなる。このような半導体ウエハを、リングフレームに貼り付けられている支持用粘着テープに、扁平凹部にまで支持用粘着テープが押し込まれた状態で貼り付け保持された保持構造体は、全体が薄い半導体ウエハを支持用粘着テープに貼り付け保持した従来の保持構造体に比較して、一層ウエハ強度が高められたものとなり、扁平凹部（バックグラインド部位）が極薄に構成された半導体ウエハでも破損リスクの少ない状態で扱うことができる。
また、ウエハ補強用の環状凸部を残したままで半導体ウエハを支持用粘着テープに貼付け保持して以降の処理を行うので、環状凸部を研削除去する工程を省略することができ、半導体チップの製造工程全体における作業能率の向上にも有効となる。
以上のように、この発明に係る半導体ウエハの保持方法および保持構造によれば、ウエハの薄型化にかかわらず、破損などさせることなくウエハを支持用粘着テープを介してリングフレームに貼付け保持することのできる。
先ず、図１３〜図１５を参照して本発明の半導体ウエハの構造を説明する。
図１３は、本発明の処理対象となるウエハＷの表面側からみた一部切欠き斜視図、図１４は、その裏面側から見た斜視図、および、図１５は、その縦断面図がそれぞれ示されている。
ウエハＷは、パターンが形成された表面に保護テープＰＴが貼付けられて表面保護された状態でバックグラインド処理されたものである。その裏面は、外周部を径方向に約２ｍｍほど残して研削（バックグラインド）され、裏面に扁平凹部ｂが形成されるとともに、その外周に沿って環状凸部ｒが残存された形状に加工されたものが使用される。因みに、扁平凹部ｂの深さｄが数百μｍ、研削域のウエハ厚さｔが数十μｍになるよう加工されている。したがって、裏面外周に形成された環状凸部ｒは、ウエハＷの剛性を高める環状リブとして機能し、ハンドリングやその他の処理工程におけるウエハＷの撓み変形を抑止する。
このように構成されたウエハＷは、図１８に示すように、リングフレームｆに貼付け張設された支持用粘着テープ（ダイシングテープ）ＤＴの粘着面に、環状凸部ｒの在る裏面側から貼付け保持され、図１６，図１７，図１８に示されるウエハ保持構造体（マウントフレーム）ＭＦが製作される。
裏面に扁平凹部ｂが研削形成されたウエハＷを支持用粘着テープＤＴを介してリングフレームｆに貼付け保持するウエハ貼付け装置、および、その貼付け手順を、以下に示す２つの実施例に基づいて説明する。
図１〜図６は、第１実施形態に係るウエハ貼付け装置とその貼付け手順が示されている。
図１に示すように、ウエハ貼付け装置には、円筒状の深いチャンバー本体１ａと、その上端に接合および分離される浅い円形皿状の蓋ケース１ｂとからなるチャンバー１が備えられており、チャンバー本体１ａに真空装置２が連通接続されている。
チャンバー本体１ａの底部には複数本のガイド軸３が立設固定され、このガイド軸３にスライドブッシュ４を介して案内されて平行に昇降する可動テーブル５が装備されている。チャンバー本体１ａの底部中心には、モータ６によって駆動されるねじ軸７が軸受けブラケット８を介して立設配備されている。このねじ軸７が可動テーブル５の中心には、装着固定された雌ねじブッシュ９に螺合挿通され、ねじ軸７の正逆回転によって可動テーブル５がねじ送り昇降されるようになっている。
可動テーブル５の上部には、ウエハＷの外径に相当する外径を備えた円板状のウエハ支持台１０が連結固定されるとともに、このウエハ支持台１０に外嵌する環状のリングフレーム支持台１１が上下動可能に配備されている。リングフレーム支持台１１は、可動テーブル５における上面の周方向複数個所に固設された頭付きピン１２に、小範囲の上下融通をもって支持され、その上下移動範囲が規制されている。また、リングフレーム支持台１１は周方向複数個所に介在したバネ１３によって上限位置に持ち上げ付勢されている。リングフレーム支持台１１の上面には、リングフレームｆを位置決め嵌合して載置する凹入段部１１ａがリングフレームｆの厚さと同じ、あるいは、これより若干浅く凹入形成されている。
蓋ケース１ｂは図示されない昇降機構によって駆動昇降されるものであり、その内部に貼付け機構１５が装備されている。貼付け機構１５は、ウエハ支持台１０の中心と同心の縦軸心Ｘ周りに回動可能な旋回フレーム１６、旋回フレーム１６の下部に水平に架設されたガイド軸１７、このガイド軸１７に案内されて水平移動可能に支持された一対の貼付け部材１８とで構成されている。貼付け部材１８は、適度に弾性変形可能なブラシ状の構成されたものが用いられる。
蓋ケース１ｂの中心には筒軸状の旋回駆動軸１９が軸受けブラケット２０を介して縦軸心Ｘ周りに回動自在に貫通支障されるとともに、この旋回駆動軸１９の下端に旋回フレーム１６が連結されている。旋回駆動軸１９の上部と、蓋ケース１ｂの上部一側に配備されたモータ２１とがベルト２２を介して巻き掛け連動され、モータ２１が作動することで旋回フレーム１６が縦軸心Ｘ周りに旋回駆動されるようになっている。
旋回駆動軸１９の中心には、蓋ケース１ｂの中心上方に配備されたモータ２３で正逆転駆動される内軸２４が挿通されている。この内軸２４の下部に備えた上下に長い駆動プーリ２５と旋回フレーム１６の両端近くに軸支した一対の遊転プーリ２６に亘ってそれぞれベルト２７が巻回張設されている。つまり、両ベルト２７の逆向き回動位置に、一対の貼付け部材１８が連結されている。これによって、内軸２４が所定の方向に回動されると、両ベルト２７に連結された貼付け部材１８が互いに離反する方向、あるいは、互いに接近する方向に移動されるようになっている。
ウエハ貼付け装置は以上のように構成されており、次に、その貼付け作動について説明する。
（１）図１に示すように、蓋ケース１ｂが上方に退避されてチャンバー１が開放された状態で、バックグラインドによって扁平凹部ｂが形成された裏面を上向きにした姿勢でウエハＷが搬入されるとともに、貼り付けた支持用粘着テープＤＴの粘着面が下向きになる姿勢でリングフレームｆが搬入される。この時、可動テーブル５は下降位置にあるとともに、貼付け機構１５の両貼付け部材１８は互いに接近した初期位置にある。
（２）搬入されたウエハＷは、ウエハ支持台１０に載置されてリングフレーム支持台１１の内周で位置決めされると、搬入されたリングフレームｆは、リングフレーム支持台１１の凹入段部１１ａに位置決め載置される。
（３）ウエハＷおよびリングフレームｆの搬入装填が終了すると、図２に示すように、蓋ケースが下降されてチャンバー本体１ａの上端に接合封止された後、真空装置２の吸引作動によってチャンバー１内が減圧される。このとき、貼付け部材１８は支持用粘着テープＤＴには接触しない高さにある。
（４）チャンバー１の内圧が真空近くの所定圧まで減圧されると、図３に示すように、可動テーブル５が所定位置まで駆動上昇され、縦軸心Ｘ近くの初期位置に待機している貼付け部材１８が支持用粘着テープＤＴの上面（非粘着面）の中央部に押し付けられる。貼付け部材１８で押圧されて下方に変形された支持用粘着テープＤＴの中央部位がウエハＷにおける扁平凹部ｂの中心近くに貼付けられる。
（５）次に、モータ２１の作動によって旋回フレーム１６が所定方向に旋回されるとともに、モータ２３の作動によって両貼付け部材１８が互いに離反する方向に移動する。この移動によって、各貼付け部材１８は中心から外方に渦巻き状に旋回移動しながら支持用粘着テープＤＴをウエハ上面の扁平凹部ｂおよび環状凸部ｒに貼付けてゆく。
図４に示すように、貼付け部材１８が外端に到達したことが適宜検知手段で検知されると、同じ方向への旋回を続行しながらモータ２３のみが逆転作動し、各貼付け部材１８が互いに接近する方向に移動しながら旋回して、中心に向けて渦巻き状の旋回貼付けが行われ、貼付け部材１８が初期位置に復帰した時点で両モータ２１，２３が停止する。
上記貼付け作動において、貼付け部材１８が外周に近づくほど貼付け部１８からリングフレームｆに働く下方への押圧力が大きくなり、これによってリングフレーム支持台１１がバネ１３に抗して押し下げられ、リングフレーム支持台１１の上面が環状凸部ｒの上面レベルまで下がることで環状凸部ｒへのテープ貼付けが確実に行われる。
なお、図６に示すように、リングフレーム支持台１１の凹入段部１１ａに係止ピン２８をリングフレーム厚さより低く突設して、リングフレームｆの外周に形成された扁平カット部ｃやノッチｎに当接させることで、貼付け旋回移動に引きずられてリングフレームｆが共回りすることが阻止される。
（６）上記貼付け作動が終了すると、可動テーブル５が初期位置まで下降されるとともにチャンバー１に外気が流入され、内圧が大気圧に戻ると、図５に示すように、蓋ケース１ｂが上昇開放され、ウエハＷを貼付け保持したマウントフレームＭＦが図示されない搬出手段によって取り出される。
以上で１回の貼付け処理が完了し、以後、上記作動を繰り返す。
上記実施形態の装置によれば、粘着面を扁平凹部ｂに向けて対向配置されたリングフレームｆに貼付けられている支持用粘着テープＤＴの非粘着面の中央部から貼付け部材１８を押し付け、その押圧を加えたまま貼付け部材１８を中心から外方に旋回移動させることにより、支持用粘着テープＤＴをウエハＷの扁平凹部ｂと環状凸部ｒとの亘って精度よく貼付けることができる。
また、チャンバー１内の減圧下で支持用粘着テープＤＴをウエハＷに貼付けるので貼付け界面に空気を巻き込むことがない。さらに、チャンバー１を減圧状態から大気圧に戻すとき、支持用粘着テープＤＴの非粘着が均一に加圧され貼付けムラが解消される。
図８〜図１２は、第２実施形態に係るウエハ貼付け装置とその貼付け手順が示されている。
この実施形態の装置は、貼付け機構１５の第１実施形態の構造が相違しているだけで他の構成は同じであるので、同じ部材および部位に同一の符号を付すに留め、相違する部分について具体低に説明する。
この実施形態の貼付け機構１５は、蓋ケース１ｂの内部に押圧部材３０を固定装着して構成されている。押圧部材３０は、ウエハＷの裏面に研削形成された扁平凹部ｂより若干小径の円板状に形成され、蓋ケース１ｂの内面より所定量だけ下方に突出されている。つまり、押圧部材３０は、扁平凹部ｂに内嵌可能な形状となっている。また、押圧部材３０にはヒータ３１が内臓されており、蓋ケース１ｂへの熱伝播を阻止するために断熱材３２を介して押圧部材３０が蓋ケース１ｂに装着されている。
次に、上記構成のウエハ貼付け装置の貼付け作動について説明する。
（１）図８に示すように、蓋ケース１ｂが上方に退避されてチャンバー１が開放された状態で、バックグラインドによって扁平凹部ｂが形成された裏面を上向きにした姿勢でウエハＷが搬入されるとともに、貼り付けた支持用粘着テープＤＴの粘着面が下向きになる姿勢でリングフレームｆが搬入される。このとき、可動テーブル５は下降位置にある。
（２）搬入されたウエハＷはウエハ支持台１０に載置されてリングフレーム支持台１１の内周で位置決めされ、搬入されたリングフレーｆはリングフレーム支持台１１の凹入段部１１ａに位置決め載置される。
（３）ウエハＷおよびリングフレームｆの搬入装填が終了すると、図９に示すように、蓋ケース１ｂが下降されて、チャンバー本体１ａの上端に接合封止され、真空装置２の吸引作動によってチャンバー１内が減圧される。
（４）チャンバー１の内圧が真空近くの所定圧まで減圧されると、図１０に示すように、可動テーブル５が所定位置まで駆動上昇されて一旦停止される。このとき、支持用粘着テープＤＴがヒータ３１で加熱された押圧部材３０の下面に軽く接触され、支持用粘着テープＤＴが加温されて適度に軟化される。
（５）次に、図１１に示すように、可動テーブル５が、さらに所定少量だけ上昇され、押圧部材３０が相対的にウエハＷの扁平凹部ｂに押し込まれ、軟化された支持用粘着テープＤＴは押し込み変形されて扁平凹部ｂに貼り付けられる。
この場合、リングフレーム支持台１１がバネ１３に抗して下限まで押し下げられ、リングフレーム支持台１１の上面が環状凸部ｒの上面レベルまで下がることで環状凸部ｒへのテープ貼付けが確実に行われる。
（６）上記貼付け作動が終了すると、可動テーブル５が初期位置まで下降されるとともにチャンバー１に外気が流入され、内圧が大気圧まで戻ると、図１２に示すように、蓋ケース１ｂが開かれ、ウエハＷを貼付け保持したマウントフレームＭＦが適宜の搬出手段によって取り出される。
以上で１回の貼付け処理が完了し、以後、上記作動を繰り返す。
上記実施形態の装置によれば、ヒータ３１により加温されて適度に軟化した状態の支持用粘着テープＤＴが押圧部材３０よって扁平凹部ｂに押し込まれるので、一挙に扁平凹部ｂの全域に支持用粘着テープＤＴを貼り付けることができる。
本発明は、以下のような形態に変形して実施することもできる。
（１）上記第１実施形態における貼付け部材１８はブラシ状のものに限らず、ゴムヘラ、遊転自在な弾性ローラなどを用いることもできる。
（２）上記第１実施形態は、図７に示すように、旋回フレーム１６の外周複数個所に、遊転自在なゴムローラからなる押さえ部材２９を装備し、旋回貼付け工程において、押さえ部材２９でリングフレームｆを押さえ付けて転動移動させることで、リングフレームｆの浮動や振動を阻止しながら貼付け作動を行うように構成してもよい。この構成によれば、一層精度の高いウエハ貼付けを行うことができる。
（３）上記第１実施形態において、リングフレーム支持台１１の凹入段部１１ａに真空吸着孔を形成して、載置されたリングフレームｆを吸着固定して、旋回貼付け作動時の共回りや微動を阻止する形態で実施することもできる。
（４）上記各実施形態において、リングフレーム支持台１１の上面が環状凸部ｒの上面レベルまで下がることで、支持用粘着テープＤＴの粘着面がリングフレーム支持台１１の上面に接触するので、リングフレーム支持台１１の上面を難接着面、好ましくは非接着面に構成する。この構成によれば、マウントフレームＭＦがリングフレーム支持台１１の上面に貼り付きづらくすることができる。その結果、マウントフレームｆが搬出し難くなることを回避することができる。
（５）上記各実施形態では、装置を上下反転させて利用することもできる。
第１実施形態に係る半導体ウエハマウント装置の材料搬入工程を示す縦断面図である。 実施例１に係る貼付け工程を示す縦断面図である。 第１実施形態に係る貼付け工程を示す縦断面図である。 第１実施形態に係る貼付け工程を示す縦断面図である。 実施例１に係る貼付け後の搬出工程を示す縦断面図である。 リングフレームの共回り防止構造を示す平面図である。 第１実施形態に係る半導体ウエハマウント装置の別実施例を示す縦断面図である。 第２実施形態に係る半導体ウエハマウント装置の材料搬入工程を示す縦断面図である。 第２実施形態に係る貼付け工程を示す縦断面図である。 第２実施形態に係る貼付け工程を示す縦断面図である。 第２実施形態に係る貼付け工程を示す縦断面図である。 第２実施形態に係る貼付け後の搬出工程を示す縦断面図である。 半導体ウエハを表面側から見た一部切欠き斜視図である。 半導体ウエハを裏面側から見た斜視図である。 半導体ウエハの縦断面図である。 半導体ウエハ保持構造体を表面側から見た斜視図である。 半導体ウエハ保持構造体を裏面側から見た斜視図である。 半導体ウエハ保持構造体の縦断面図である。 半導体ウエハ保持構造体を分解した斜視図である。
符号の説明
１８ … 貼り付け部材
３０ … 押圧部材
ｂ … 扁平凹部
ｒ … 環状凸部
ＤＴ … 支持用粘着テープ
ＰＴ … 保護テープ
ｆ … リングフレーム
ＭＦ … 半導体ウエハ保持構造体（マウントフレーム）
Ｗ … 半導体ウエハ

Claims (7)

  1. 半導体ウエハを支持用粘着テープを介してリングフレームに貼付け保持する半導体ウエハの保持方法であって、
    前記半導体ウエハの裏面外周には、バックグラインドによって形成された扁平凹部を囲繞するように環状凸部が残存形成されており、
    この半導体ウエハの裏面側を、リングフレームに貼付けられた支持用粘着テープの粘着面に押圧して、前記環状凸部を支持用粘着テープに貼付けるとともに、支持用粘着テープを非粘着面側から押圧変形させて、ウエハ裏面の前記扁平凹部に押し込み貼付けする
    ことを特徴とする半導体ウエハの保持方法。
  2. 請求項１に記載の半導体ウエハの保持方法において、
    前記扁平凹部の中心から外周に向けて渦巻き状に旋回移動する貼付け部材で前記支持用粘着テープを押圧して、扁平凹部への支持用粘着テープの押し込み貼付けを行う
    ことを特徴とする半導体ウエハの保持方法。
  3. 請求項２に記載の半導体ウエハの保持方法において、
    弾性変形可能なブラシ状の前記貼付け部材で支持用粘着テープの前記扁平凹部への押し込み貼付けを行う
    ことを特徴とする半導体ウエハの保持方法。
  4. 請求項１に記載の半導体ウエハの保持方法において、
    前記扁平凹部に内嵌可能な押圧部材を扁平凹部に押し込み移動させて、前記支持用粘着テープの扁平凹部への押し込み貼付けを行う
    ことを特徴とする半導体ウエハの保持方法。
  5. 請求項４に記載の半導体ウエハの保持方法において、
    前記押圧部材を加熱して前記支持用粘着テープに作用させる
    ことを特徴とする半導体ウエハの保持方法。
  6. 請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導体ウエハの保持方法において、
    前記扁平凹部への前記支持用粘着テープの押し込み貼付けを減圧雰囲気中で行う
    ことを特徴とする半導体ウエハの保持方法。
  7. 半導体ウエハを支持用粘着テープを介してリングフレームに貼付け保持した半導体ウエハ保持構造体であって、
    前記半導体ウエハの裏面外周には、バックグラインドによって形成された扁平凹部を囲繞するように環状凸部が残存形成されており、
    リングフレームに貼付けられた支持用粘着テープが前記扁平凹部にまで貼付けられている
    ことを特徴とする半導体ウエハ保持構造体。
JP2006215959A 2006-08-08 2006-08-08 半導体ウエハの保持方法 Expired - Fee Related JP4841355B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006215959A JP4841355B2 (ja) 2006-08-08 2006-08-08 半導体ウエハの保持方法
US11/882,665 US7896049B2 (en) 2006-08-08 2007-08-03 Semiconductor wafer holding method, semiconductor wafer holding apparatus and semiconductor wafer holding structure
KR20070078807A KR101489966B1 (ko) 2006-08-08 2007-08-07 반도체 웨이퍼의 보유 지지 방법 및 그 장치 및 반도체웨이퍼 보유 지지 구조체
CN2007101432695A CN101123175B (zh) 2006-08-08 2007-08-07 半导体晶圆的保持方法及其装置与半导体晶圆保持结构体
TW096128947A TWI412098B (zh) 2006-08-08 2007-08-07 半導體晶圓之保持方法及半導體晶圓之保持裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006215959A JP4841355B2 (ja) 2006-08-08 2006-08-08 半導体ウエハの保持方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008042016A true JP2008042016A (ja) 2008-02-21
JP4841355B2 JP4841355B2 (ja) 2011-12-21

Family

ID=39051329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006215959A Expired - Fee Related JP4841355B2 (ja) 2006-08-08 2006-08-08 半導体ウエハの保持方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7896049B2 (ja)
JP (1) JP4841355B2 (ja)
KR (1) KR101489966B1 (ja)
CN (1) CN101123175B (ja)
TW (1) TWI412098B (ja)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009206161A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Disco Abrasive Syst Ltd テープ貼り機
JP2010016147A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着テープの貼着方法
JP2010109142A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Lintec Corp テーブル及びこれを用いたシート剥離装置並びに剥離方法
JP2010118584A (ja) * 2008-11-14 2010-05-27 Takatori Corp ウエハのマウント装置
JP2010123805A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Lintec Corp 支持装置、支持方法、ダイシング装置、およびダイシング方法
JP2010123806A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Lintec Corp 支持装置、支持方法、ダイシング装置、およびダイシング方法
WO2010077597A2 (en) * 2008-12-08 2010-07-08 Fujifilm Dimatix, Inc. Wafer taping
JP2011029359A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Lintec Corp シート貼付装置及び貼付方法
JP2011029360A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Lintec Corp 押圧装置
JP2011243867A (ja) * 2010-05-20 2011-12-01 Lintec Corp 支持装置および支持方法、ならびに、シート貼付装置および貼付方法
WO2012026274A1 (ja) * 2010-08-26 2012-03-01 リンテック株式会社 シート貼付装置および貼付方法
JP2012060047A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Lintec Corp シート貼付装置及び貼付方法
JP2012084563A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Fuji Electric Co Ltd テープ貼付装置およびテープ貼付方法
JP2013207243A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Lintec Corp シート貼付装置および貼付方法
DE102013205126A1 (de) 2012-04-09 2013-10-10 Mitsubishi Electric Corporation Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
JP2014152287A (ja) * 2013-02-12 2014-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着シートの貼着方法
JP2014165196A (ja) * 2013-02-21 2014-09-08 Lintec Corp 支持装置および支持方法
JP2015035451A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 リンテック株式会社 シート貼付装置及びシート貼付方法
JP2015035452A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 リンテック株式会社 シート貼付装置及びシート貼付方法
WO2015087762A1 (ja) * 2013-12-09 2015-06-18 日東電工株式会社 封止シート貼付け方法
JP2015126183A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 日東精機株式会社 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4723614B2 (ja) * 2008-06-06 2011-07-13 リンテック株式会社 シート貼付装置及び貼付方法
JP5324232B2 (ja) * 2009-01-08 2013-10-23 日東電工株式会社 半導体ウエハのアライメント装置
CN102005395B (zh) * 2009-08-31 2013-03-06 日立设备工程股份有限公司 真空贴装方法及装置
JP5417131B2 (ja) * 2009-11-20 2014-02-12 日東電工株式会社 粘着テープ貼付け装置および粘着テープ貼付け方法
JP5542583B2 (ja) * 2010-08-26 2014-07-09 リンテック株式会社 シート貼付装置および貼付方法
JP5639958B2 (ja) 2011-05-27 2014-12-10 日東電工株式会社 半導体ウエハマウント方法および半導体ウエハマウント装置
JP2013232582A (ja) * 2012-05-01 2013-11-14 Nitto Denko Corp 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
KR101543424B1 (ko) * 2012-08-24 2015-08-10 가부시키가이샤 메이키 세이사쿠쇼 적층 방법 및 적층 시스템
EP2843695B9 (de) * 2013-08-28 2021-04-14 Mechatronic Systemtechnik GmbH Vorrichtung, insbesondere Endeffektor
JP6255259B2 (ja) * 2014-01-30 2017-12-27 株式会社ディスコ 搬送機構
EP3018703A1 (de) * 2014-11-06 2016-05-11 mechatronic Systemtechnik GmbH Vorrichtung zum Aufbringen einer Folie auf einem Substrat
JP6636696B2 (ja) * 2014-12-25 2020-01-29 日東電工株式会社 半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置
JP6603522B2 (ja) * 2015-09-11 2019-11-06 リンテック株式会社 支持装置および支持方法
JP6539929B2 (ja) 2015-12-21 2019-07-10 昭和電工株式会社 ウェハ支持機構、化学気相成長装置およびエピタキシャルウェハの製造方法
JP6641209B2 (ja) * 2016-03-22 2020-02-05 株式会社ディスコ 保護部材形成装置
KR102499977B1 (ko) * 2016-07-13 2023-02-15 삼성전자주식회사 접착 테이프 부착 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
KR101896384B1 (ko) * 2016-10-04 2018-09-07 주식회사 대성엔지니어링 진공 라미네이터용 챔버장치
JP6918563B2 (ja) * 2017-02-23 2021-08-11 日東電工株式会社 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
JP7015668B2 (ja) * 2017-10-11 2022-02-03 株式会社ディスコ 板状物の分割装置
CN109725497A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 上海微电子装备（集团）股份有限公司 运动台移动机构、运动台系统与光刻装置
JP7051379B2 (ja) * 2017-11-15 2022-04-11 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び埋込処理装置
JP7000129B2 (ja) * 2017-11-15 2022-01-19 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置
KR102119940B1 (ko) * 2018-04-09 2020-06-08 주식회사 프로텍 웨이퍼 레벨 디스펜서
CN110355016A (zh) 2018-04-09 2019-10-22 普罗科技有限公司 晶片级分配器
US11935768B2 (en) * 2018-04-24 2024-03-19 Disco Hi-Tec Europe Gmbh Device and method for attaching protective tape on semiconductor wafer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05121384A (ja) * 1991-10-25 1993-05-18 Nec Kansai Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0697268A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Nitto Denko Corp ウエハへの粘着テープ貼付け装置
JP2001210701A (ja) * 2000-01-24 2001-08-03 Hitachi Ltd 半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方法及びその装置
JP2005243888A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nitto Denko Corp 粘着シート貼付け方法およびこれを用いた装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2128580B (en) * 1982-09-06 1986-07-02 Kulicke & Soffa Handling system for laminar objects
JP3156344B2 (ja) * 1992-03-13 2001-04-16 富士通株式会社 半導体ウェーハへのテープ添着方法とその装置
JPH09219383A (ja) * 1996-02-13 1997-08-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び製造装置
US6007654A (en) * 1996-12-31 1999-12-28 Texas Instruments Incorporated Noncontact method of adhering a wafer to a wafer tape
JP4322328B2 (ja) * 1997-06-05 2009-08-26 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド ウエハをウエハテープに接着する方法および装置
JP4201564B2 (ja) 2001-12-03 2008-12-24 日東電工株式会社 半導体ウエハ搬送方法およびこれを用いた半導体ウエハ搬送装置
JP4592270B2 (ja) * 2003-10-06 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP4221271B2 (ja) * 2003-10-28 2009-02-12 Ｎｅｃエンジニアリング株式会社 テープ貼付装置
JP2007281343A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハ支持方法及びウェーハ支持装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05121384A (ja) * 1991-10-25 1993-05-18 Nec Kansai Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0697268A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Nitto Denko Corp ウエハへの粘着テープ貼付け装置
JP2001210701A (ja) * 2000-01-24 2001-08-03 Hitachi Ltd 半導体ウエハ保護用フィルムの貼付方法及びその装置
JP2005243888A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nitto Denko Corp 粘着シート貼付け方法およびこれを用いた装置

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009206161A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Disco Abrasive Syst Ltd テープ貼り機
JP2010016147A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着テープの貼着方法
JP2010109142A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Lintec Corp テーブル及びこれを用いたシート剥離装置並びに剥離方法
JP2010118584A (ja) * 2008-11-14 2010-05-27 Takatori Corp ウエハのマウント装置
JP2010123805A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Lintec Corp 支持装置、支持方法、ダイシング装置、およびダイシング方法
JP2010123806A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Lintec Corp 支持装置、支持方法、ダイシング装置、およびダイシング方法
WO2010077597A2 (en) * 2008-12-08 2010-07-08 Fujifilm Dimatix, Inc. Wafer taping
WO2010077597A3 (en) * 2008-12-08 2010-09-16 Fujifilm Dimatix, Inc. Wafer taping
JP2011029359A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Lintec Corp シート貼付装置及び貼付方法
JP2011029360A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Lintec Corp 押圧装置
JP2011243867A (ja) * 2010-05-20 2011-12-01 Lintec Corp 支持装置および支持方法、ならびに、シート貼付装置および貼付方法
JP2012049318A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Lintec Corp シート貼付装置および貼付方法
WO2012026274A1 (ja) * 2010-08-26 2012-03-01 リンテック株式会社 シート貼付装置および貼付方法
JP2012060047A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Lintec Corp シート貼付装置及び貼付方法
JP2012084563A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Fuji Electric Co Ltd テープ貼付装置およびテープ貼付方法
JP2013207243A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Lintec Corp シート貼付装置および貼付方法
US9324581B2 (en) 2012-04-09 2016-04-26 Mitsubishi Electric Corporation Method for manufacturing semiconductor device
DE102013205126A1 (de) 2012-04-09 2013-10-10 Mitsubishi Electric Corporation Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
JP2013219175A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
DE102013205126B4 (de) 2012-04-09 2023-08-03 Mitsubishi Electric Corporation Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
KR101475384B1 (ko) * 2012-04-09 2014-12-22 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체장치의 제조방법
JP2014152287A (ja) * 2013-02-12 2014-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着シートの貼着方法
JP2014165196A (ja) * 2013-02-21 2014-09-08 Lintec Corp 支持装置および支持方法
JP2015035452A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 リンテック株式会社 シート貼付装置及びシート貼付方法
JP2015035451A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 リンテック株式会社 シート貼付装置及びシート貼付方法
WO2015087762A1 (ja) * 2013-12-09 2015-06-18 日東電工株式会社 封止シート貼付け方法
JP2015126183A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 日東精機株式会社 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080013768A (ko) 2008-02-13
JP4841355B2 (ja) 2011-12-21
US7896049B2 (en) 2011-03-01
TWI412098B (zh) 2013-10-11
CN101123175A (zh) 2008-02-13
US20080038903A1 (en) 2008-02-14
TW200816363A (en) 2008-04-01
KR101489966B1 (ko) 2015-02-04
CN101123175B (zh) 2010-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4841355B2 (ja) 半導体ウエハの保持方法
JP5081643B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6120748B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5111938B2 (ja) 半導体ウエハの保持方法
KR101280670B1 (ko) 반도체 웨이퍼로의 점착 테이프 부착 방법 및 반도체웨이퍼로부터의 보호 테이프 박리 방법 및 이들을 이용한장치
TWI414037B (zh) 基板貼合方法及利用該方法之裝置
TWI533366B (zh) 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置
TW200306632A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP4895671B2 (ja) 加工装置
JP2010135436A (ja) 基板への接着テープ貼り付け装置
JP2002050670A (ja) ピックアップ装置及びピックアップ方法
TWI600073B (zh) 黏著帶貼附方法及黏著帶貼附裝置
JP7108492B2 (ja) 保護部材形成装置
TWI639671B (zh) 黏著帶貼付方法及黏著帶貼付裝置
KR20190143359A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
TW200414336A (en) Adhesive sheet expansion method and device
US8574398B2 (en) Apparatus and method for detaping an adhesive layer from the surface of ultra thin wafers
JP4066889B2 (ja) 貼り合わせ基板およびその製造方法
JP6636696B2 (ja) 半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置
JP2007294748A (ja) ウェーハ搬送方法
US11450548B2 (en) Wafer processing method
JP4238669B2 (ja) エキスパンド方法及びエキスパンド装置
JP5222756B2 (ja) 剥離装置及び剥離方法
JP2017204606A (ja) ウエーハ製造方法
JP4768963B2 (ja) ウェハの転写方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081211

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100928

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101005

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110405

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110506

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111004

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111004

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4841355

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees