JP2010123806A - 支持装置、支持方法、ダイシング装置、およびダイシング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】テープ切断装置8によってマウント用テープTを切断し、この切断によって形成された切断テープT1をウェハWの凹部底面WCに接着することで、切断装置4でウェハWを切断して個片化する際にチップWGの散乱を防止することができる。
【選択図】図5
Description
図1は、第1実施形態に係る半導体ウェハのダイシング装置1を示す部分断面図である。
図1において、ダイシング装置1は、表面に回路が形成された半導体ウェハを切断して所定形状のチップWG(図5参照)に個片化するものである。ここで、ウェハWは、例えば、前記特許文献2に記載されたように、外縁部がそれ以外の部分よりも薄く研削されることで、厚さ方向(裏面側)に突出した環状の凸部WAが外縁部に形成され、凸部WAで囲まれた内側に凹部底面WCと凹部周面WDとからなる凹部WBが形成されるとともに、その表面(研削面の反対側であり、図1の上側の面)WEに回路が形成された半導体ウェハである。このウェハWの表面WEには、研削工程等において回路面を保護する保護シートSが貼付され、ウェハWの裏面には、凹部WBとの間に空間W1を形成するように、凸部WAの頂面WFにマウント用テープTが貼付され、リングフレームRFと一体化されている。
次に、図2に示すように、支え手段9が下降して保護シートSを介して吸引口91でウェハWを吸引して支える。そして、テープ切断装置8のエアシリンダ82を駆動して切断刃84がマウント用テープTを貫通する位置まで上昇させるとともに、回転モータ73を駆動して切断刃84をウェハWの凹部周面WDに沿って回転させ、マウント用テープTを切断し、凹部底面WCに対応した切断テープT1を形成する。この後、テープ切断装置8は、エアシリンダ82で切断刃84を下降させて切断位置から退避させる。
次に、図5に示すように、切断装置4は、回転ブレード41によってウェハWの表面WE側から切断テープT1に達する切り込みを形成し、ウェハWを複数のチップWGに個片化する。この際、個片化された各チップWGは、切断テープT1に接着されているため散乱してしまうような不都合は発生しない。
すなわち、テープ切断装置8によってマウント用テープTを切断して切断テープT1を形成し、この切断テープT1を内側テーブル6で押し上げて凹部底面WCに接着することで、切断装置4でウェハWを切断して個片化する際に、凹部底面WCが浮き上がったり沈み込んだりすることがなくなり、正確にウェハWを個片化することができる上、チップWGの散乱を防止することができる。
また、凹部底面WCが切断テープT1を介して内側テーブル6に吸引支持されているので、保護シートSの剥離工程においては、保護シートSの剥離と共に凹部底面WCが引っ張られてウェハWが破損することを防止できる。
また、前記実施形態では、テープ切断装置8で切断したマウント用テープT(切断テープT1)を凹部底面WCに接着させたが、これに限らず、切断テープT1を除去し、新たなダイシング用テープを凹部底面WCに接着してもよい。
さらに、保護シートSが貼付された状態でウェハWを切断してから、各チップWG上に残る保護シートSを剥離装置3で剥離するように構成してもよい。この場合、剥離用テープRTは、切断された保護シートS全てに貼付できるサイズとすればよい。
また、剥離装置3は省略することができる。
さらに、前記実施形態では、支持装置2において、内側テーブル6が外側テーブル5に対して昇降するように構成したが、外側テーブル5が内側テーブル6に対して昇降するように構成してもよいし、内側テーブル6と外側テーブル5との両方が昇降するように構成してもよい。
また、内側テーブル6が昇降する構成以外に、図6に示すように、内側テーブル6がその上面に所定の曲面6Aを有して形成され、この曲面6Aの中心を回転中心として回転しながら凹部底面WCの面方向への移動を可能なように構成してもよい。この場合には、切断テープT1を凹部底面WCに接着する際に、内側テーブル6を適宜に回動させることで、凹部底面WCと切断テープT1との間の気体を排除しながら貼付することができる。
さらに、ウェハWは、シリコンウエハや化合物ウェハであってもよい。
また、切断手段4は、回転ブレード41以外に、レーザ光線を利用したカッター等によって構成してもよい。
さらに、切断装置4は移動することなく、支持装置2が移動するように構成してもよいし、切断装置4と支持装置2との両方が移動してウェハWを個々のチップWGに個片化するように構成してもよい。
2 支持装置(支持手段)
4 切断装置(切断手段)
5 外側テーブル(外側支持体)
6 内側テーブル(内側支持体)
8 テープ切断装置(テープ切断手段)
T マウント用テープ
T1 切断テープ
W ウェハ(半導体ウェハ)
W1 空間
WA 凸部
WB 凹部
WC 凹部底面
WD 凹部周面
Claims (5)
- 厚さ方向に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに当該凸部で囲まれた内側に凹部を有する半導体ウェハに対し、前記凸部の突出側から前記凹部との間に空間を形成してマウント用テープが貼付された状態の当該半導体ウェハを前記マウント用テープ側から支持する支持装置であって、
前記凸部に対応する位置を支持する外側支持体と、
前記凹部に対応する位置を支持する内側支持体と、
前記半導体ウェハの凹部周面に沿って前記マウント用テープを切断して当該半導体ウェハの凹部底面に対応した切断テープを形成するテープ切断手段とを備えることを特徴とする支持装置。 - 前記外側支持体と内側支持体とは、前記半導体ウェハに対して相対移動可能に設けられ、前記内側支持体が外側支持体よりも前記半導体ウェハ側に突出することで前記切断テープを当該半導体ウェハの凹部底面に接着させることを特徴とする請求項1に記載の支持装置。
- 厚さ方向に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに当該凸部で囲まれた内側に凹部を有する半導体ウェハに対し、前記凸部の突出側から前記凹部との間に空間を形成してマウント用テープが貼付された状態の当該半導体ウェハを前記マウント用テープ側から支持する支持方法であって、
前記凸部に対応する外側位置と、前記凹部に対応する内側位置とをそれぞれ支持し、
前記半導体ウェハの凹部周面に沿って前記マウント用テープを切断して当該半導体ウェハの凹部底面に対応した切断テープを形成し、前記切断テープを前記半導体ウェハの凹部底面に接着させることを特徴とする支持方法。 - 厚さ方向に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに当該凸部で囲まれた内側に凹部を有する半導体ウェハに対し、前記凸部の突出側から前記凹部との間に空間を形成してマウント用テープが貼付された状態の当該半導体ウェハを切断するダイシング装置であって、
前記半導体ウェハを前記マウント用テープ側から支持する支持手段と、
前記支持手段で支持した前記半導体ウェハを所定形状に切断する切断手段とを備え、
前記支持手段は、
前記凸部に対応する位置を支持する外側支持体と、
前記凹部に対応する位置を支持する内側支持体と、
前記半導体ウェハの凹部周面に沿って前記マウント用テープを切断して当該半導体ウェハの凹部底面に対応した切断テープを形成するテープ切断手段とを有して構成されることを特徴とするダイシング装置。 - 厚さ方向に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに当該凸部で囲まれた内側に凹部を有する半導体ウェハに対し、前記凸部の突出側から前記凹部との間に空間を形成してマウント用テープが貼付された状態の当該半導体ウェハを切断するダイシング方法であって、
前記凸部に対応する外側位置と、前記凹部に対応する内側位置とをそれぞれ前記マウント用テープ側から支持し、
前記凹部周面に沿って前記マウント用テープを切断して当該半導体ウェハの凹部底面に対応した切断テープを形成し、前記切断テープを前記半導体ウェハの凹部底面に接着させてから、当該半導体ウェハを所定形状に切断することを特徴とするダイシング方法。
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