CN114566453A - 晶圆压膜机及托盘 - Google Patents

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CN114566453A CN202210179689.3A CN202210179689A CN114566453A CN 114566453 A CN114566453 A CN 114566453A CN 202210179689 A CN202210179689 A CN 202210179689A CN 114566453 A CN114566453 A CN 114566453A
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孔跃春
孙汉富
张志杰
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Abstract

本申请实施例提供了一种托盘及晶圆压膜机，晶圆压膜机包括：机体，包括工作盘，工作盘具有工作面；托盘，可活动地设置于工作面上；以及真空吸附装置，设置于工作盘背离工作面的一侧，用于将晶圆吸附在托盘上。本申请通过在工作盘上设置托盘来承载晶圆，可以将晶圆与工作盘进行隔离，有效防止压膜后的残留物黏附晶圆与工作盘，避免晶圆被取出过程中因受力不均导致损坏的发生，大大降低晶圆的破损率，有利于提高晶圆的压膜质量。另外，通过设置托盘，避免了压膜过程后膜体残留在工作盘上，降低工作盘的清理难度，极大地提高晶圆的压膜效率。

Description

晶圆压膜机及托盘
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种托盘及晶圆压膜机。
背景技术
晶圆(wafer)必须经过压膜才能进行后续曝光、显影等工艺。在压膜过程中，先将单一芯片放置在用临时键合材料或热释放胶带(TRT)处理过的衬底上，然后再用环氧树脂成型化合物(EMC)包覆成型并固化。
目前真空压膜机在对晶圆进行压膜时，通常直接将晶圆放置在工作盘上执行压膜作业，压合完成后，由于晶圆与工作盘边缘不能完全吻合，部分EMC会与晶圆边缘粘连而残留在工作盘上，导致晶圆取出时容易因受力不均而破损，且工作盘清理困难，降低了晶圆的压膜效率及压膜质量。
发明内容
本申请的目的在于提供一种托盘及晶圆压膜机，其可以防止压膜后晶圆边缘与工作盘粘连，提高晶圆的压膜效率及压膜质量。
为此，第一方面，本申请实施例提供了一种晶圆压膜机，包括：机体，包括工作盘，工作盘具有工作面；托盘，可活动地设置于工作面上；以及真空吸附装置，设置于工作盘背离工作面的一侧，用于将晶圆吸附在托盘上。
在一种可能的实现方式中，托盘包括托盘本体和设置于托盘本体上的限位部，托盘本体和限位部形成容纳晶圆的容纳空间。
在一种可能的实现方式中，限位部包括平边限位凸起，晶圆包括定位平面，平边限位凸起包括与定位平面配合的限位平面。
在一种可能的实现方式中，限位部还包括弧形限位凸起，晶圆还包括与定位平面连接的弧形面，弧形限位凸起包括与弧形面配合的限位弧形面。
在一种可能的实现方式中，弧形限位凸起的数量为三个，三个弧形限位凸起与平边限位凸起沿托盘本体的圆周方向间隔设置。
在一种可能的实现方式中，限位部的高度等于或者大于晶圆的厚度。
在一种可能的实现方式中，托盘本体上还设置有多个第一通孔，多个第一通孔围绕托盘本体的中心呈环形阵列排布；
工作盘的工作面上设置有同心布置的多个环形凹槽，多个环形凹槽内设置有与多个第一通孔一一对应的多个第二通孔，多个第二通孔与真空吸附装置连通。
在一种可能的实现方式中，托盘本体背离限位部的一侧还设置有定位凸台。
在一种可能的实现方式中，还包括驱动装置，驱动装置包括动力源和与动力源的输出端连接的顶杆，顶杆远离动力源的一端贯穿工作盘并抵接至托盘，以驱动托盘靠近或者远离工作面。
第二方面，本申请实施例还提供了一种托盘，包括托盘本体和设置于托盘本体上的限位部，托盘本体和限位部形成容纳晶圆的容纳空间。
根据本申请实施例提供的晶圆压膜机及托盘，通过在工作盘上设置可活动的托盘来承载晶圆，可以将晶圆与工作盘进行隔离，有效防止压膜后的残留物黏附晶圆与工作盘，取出晶圆时，顶杆不直接与晶圆接触，而是通过托盘将晶圆顶出，使晶圆受力均匀，而且托盘采用金属材质，具有更高的结构强度，能够有效避免晶圆被取出过程中因受力不均导致损坏的发生，大大降低晶圆的破损率，有利于提高晶圆的压膜质量。另外，通过设置托盘，避免了压膜过程后膜体残留在工作盘上，降低工作盘的清理难度，极大地提高晶圆的压膜效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。另外，在附图中，相同的部件使用相同的附图标记，且附图并未按照实际的比例绘制。
图1示出本申请实施例提供的一种晶圆压膜机的局部结构示意图；
图2示出本申请实施例提供的一种托盘的立体结构示意图；
图3示出本申请实施例提供的一种托盘的俯视结构示意图；
图4示出本申请实施例提供的一种托盘的仰视结构示意图；
图5示出本申请实施例提供的晶圆压膜机的工作过程示意图。
附图标记说明：
W、晶圆；W1、限位平面；W2、弧形面；
1、托盘；11、托盘本体；111、第一通孔；12、限位部；121、平边限位凸起；121a、限位平面；122、弧形限位凸起；122a、限位弧形面；13、定位凸台；
2、机体；21、工作盘；22、工作面；23、环形凹槽；231、第二通孔；
3、驱动装置；31、动力源；32、顶杆。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图1示出本申请实施例提供的一种晶圆压膜机的局部结构示意图。
如图1所示，本申请实施例提供一种晶圆压膜机，包括：托盘1、机体2、和真空吸附装置(图中未示出)。
托盘1包括托盘本体11和设置于托盘本体11上的限位部12，托盘本体11和限位部12形成容纳晶圆W的容纳空间。可选地，托盘本体11为金属材质，例如铝合金，且托盘本体11的形状为圆形，托盘本体11的内圈尺寸与晶圆W的外圈尺寸一致，使托盘本体11与晶圆W具有更高的配适度。限位部12可以限制晶圆W在托盘本体11上发生移动，提高晶圆W的定位精度。
机体2包括工作盘21，工作盘21具有工作面22。托盘1可活动地设置于工作面22上。
真空吸附装置设置于工作盘21背离工作面22的一侧，用于将晶圆W吸附在托盘1上。
真空吸附装置以大气压为作用力，在晶圆W、托盘1与工作盘21之间形成的密闭空腔内，通过真空源抽出一定量的气体分子来使压力降低，使托盘1与晶圆W及托盘1与工作盘21之间形成压力差，在这个压力差的作用下晶圆W被吸附在托盘1上。当真空吸附装置启动时，托盘1与晶圆W之间产生负压，晶圆W被吸附在托盘1上，真空吸附的设置方式使晶圆W可以简便快捷地设置在托盘1上，当关闭真空吸附装置或者向密闭空腔反向吹气时，可以将晶圆W从托盘1上取下，操作简单、可靠，提高了晶圆的压膜效率。
相关技术中，在工作盘21的工作面22上铺设采用临时键合材料或热释放胶带(TRT)处理过的衬底上，然后直接将单一芯片放置在工作面22的衬底上，再用环氧树脂成型化合物(EMC)包覆成型并固化完成压膜工艺，以形成晶圆W。压膜作业完成后，EMC会残留在工作盘21上，并与晶圆W的边缘粘连，将晶圆W从工作盘21上取下时容易因受力不均导致晶圆W破损。
本申请实施例中，通过在工作盘21上设置可活动的托盘1，并通过真空吸附装置将晶圆W吸附在托盘1上，压膜完成后裁剪掉多余的EMC膜体，可以避免残留的EMC膜体黏附在工作盘21上与晶圆W发生粘连，取出晶圆W时，顶杆32不直接与晶圆W接触，而是通过托盘1将晶圆W顶出，使晶圆W受力均匀，而且托盘1采用金属材质，具有更高的结构强度，能够有效防止晶圆W在取出过程中因压膜残留物粘连导致受力不均发生损坏，大大降低晶圆W的破损率，提高晶圆W的压膜质量。
另外，相关技术中，每完成1片晶圆的压膜作业，均需要清理洁工作盘51，否则将增加晶圆4的破裂风险。而本申请中，通过在工作盘21上设置托盘1来承载晶圆W，避免晶圆W与工作盘21直接接触，可以将晶圆W与工作盘21进行隔离，防止避免残留的EMC膜体黏附在工作盘21上，大大降低了工作盘21的清理次数。并且工作盘21设置于机体2上，清理工作盘21需要暂停生产，无法继续工作，严重影响晶圆W的压膜效率。
而本申请中，由于托盘1与工作盘21可活动连接，且晶圆W与托盘1直接接触，完成晶圆W的压膜作业后，可以将托盘1拆卸下来清理托盘1，并且托盘1可以制作多个，清理托盘1时，只需要将待清理的托盘1更换为洁净的托盘1继续工作即可，不影响压膜作业，极大地提高了压膜效率，降低晶圆W的异常风险率。为了避免压膜过程中部分EMC有可能黏附于工作盘21的非工作面处，可以在例如每完成一个批次25片晶圆W的压膜作业后清理一次工作盘51，在提高压膜效率的同时进一步提高晶圆W的压膜质量。
根据本申请实施例提供的晶圆压膜机及托盘1，通过在工作盘21上设置可活动的托盘1来承载晶圆W，可以将晶圆W与工作盘21进行隔离，有效防止压膜后的残留物黏附晶圆W与工作盘21，取出晶圆W时，顶杆32不直接与晶圆W接触，而是通过托盘1将晶圆W顶出，使晶圆W受力均匀，而且托盘1采用金属材质，具有更高的结构强度，能够有效避免晶圆W被取出过程中因受力不均导致损坏的发生，大大降低晶圆W的破损率，有利于提高晶圆W的压膜质量。另外，通过设置托盘1，避免了压膜过程后膜体残留在工作盘21上，降低工作盘21的清理难度，极大地提高了晶圆W的压膜效率。
下面结合附图进一步详细描述本申请实施例提供的托盘的具体结构。
图2示出本申请实施例提供的一种托盘的立体结构示意图，图3示出本申请实施例提供的一种托盘的俯视结构示意图。
如图2和图3所示，在一些实施例中，限位部12包括平边限位凸起121，晶圆W包括定位平面W1，平边限位凸起121包括与定位平面W1配合的限位平面121a。
定位平面W1作为晶圆W的定位基准，通过将定位平面W1与平边限位凸起121的限位平面121a贴合，可以将晶圆W初步定位于托盘1上，防止晶圆W在托盘本体11上发生转动，避免影响晶圆W的压膜质量和压膜效果。
如图2和图3所示，在一些实施例中，限位部12还包括弧形限位凸起122，晶圆W还包括与定位平面W1连接的弧形面W2，弧形限位凸起122包括与弧形面W2配合的限位弧形面122a。
弧形限位凸起122的内周侧设置有限位弧形面122a，晶圆W的外周侧包括与定位平面W1连接的弧形面W2，限位弧形面122a与晶圆W的弧形面W2贴合，进一步限制晶圆W在托盘本体11上发生移动。由此，限位部12的平边限位凸起121和弧形限位凸起122共同作用，防止晶圆W在托盘本体11上发生移动和转动，提高晶圆W在托盘本体11上的定位精度，提高晶圆W的压膜质量。
在一个可选的示例中，弧形限位凸起122的数量为一个，弧形限位凸起122与平边限位凸起121间隔设置。弧形限位凸起122与平边限位凸起121围合成一个用于容纳晶圆W的区域，弧形限位凸起122与平边限位凸起121的间隔位置用于取出晶圆W，如此可以使托盘1未被晶圆W覆盖的区域大幅减小，进而减少黏附在托盘1上的残留膜体EMC。
在另一个可选的示例中，弧形限位凸起122的数量为三个，三个弧形限位凸起122与平边限位凸起121沿托盘本体11的圆周方向间隔设置。限位部12的三个弧形限位凸起122和一个平边限位凸起121位于同一圆周上，以使三个限位弧形面122a与一个限位平面121a包围形成的空间能够更好地容纳晶圆W，提高晶圆W在托盘本体11上的定位精度。
需要说明的是，弧形限位凸起122的数量不限于三个，在保证限定晶圆W的定位精度的前提下，弧形限位凸起122的数量可以根据实际情况设置为任意个，不再赘述。
在一些实施例中，限位部12的高度等于或者大于晶圆W的厚度。如此设置，可以防止晶圆W在压膜过程中从托盘本体1上脱落。在一个可选的示例中，限位部12的高度为0.5mm。即平边限位凸起121和弧形限位凸起122的高度均为0.5mm。在一个可选的示例中，平边限位凸起121和弧形限位凸起122的最大宽度均为0.5mm，以减少托盘1的占用空间，同时能够减少黏附在托盘1上的残留膜体EMC，降低托盘1的清理难度。
在一些实施例中，托盘本体11上还设置有多个第一通孔111，多个第一通孔111围绕托盘本体11的中心呈环形阵列排布。
进一步地，工作盘21的工作面22上设置有同心布置的多个环形凹槽23，多个环形凹槽23内设置有与多个第一通孔111一一对应的多个第二通孔231，多个第二通孔231与真空吸附装置连通。
多个第一通孔111所在的环形分别与多个环形凹槽23对应，位于同一环形上的第一通孔111与对应的环形凹槽23内的第二通孔231一一对应，且第一通孔111的直径不大于环形凹槽23的宽度。真空吸附装置与环形凹槽23内的第二通孔231连通，在真空吸附装置启动状态下，气体通过环形凹槽23将托盘1吸附在工作面22内，同时气体还通过第一通孔111将晶圆W吸附在托盘1上，通过设置环形凹槽23，使第一通孔111与第二通孔231未处于完全对准的位置状态下仍具有真空吸附作用。真空吸附的方式可以将晶圆W简便、快捷地定位在托盘1上，提高晶圆W的压膜工作效率，且晶圆W受到的吸附力均匀，晶圆W的位置状态保持稳定，确保晶圆W在压膜过程中不会发生转动或者移动，提高了晶圆W的压膜质量。
可选地，第一通孔111的直径大小例如可以为1mm。多个第一通孔111呈环形阵列排布，在不影响托盘本体11的结构强度的情况下，可以增大第一通孔111的直径以减轻托盘本体11的重量。
为了使晶圆W能够快速放置在托盘1上或者从托盘1上取出，本申请实施例提供的晶圆压膜机还包括驱动装置3，驱动装置3包括动力源31和与动力源31的输出端连接的顶杆32，顶杆32远离动力源31的一端贯穿工作盘21并抵接至托盘1，以驱动托盘1靠近或者远离工作盘21。
如图1所示，在一个可选的示例中，工作盘21上设置有允许顶杆32穿过的导向孔，顶杆32远离动力源31的一端抵接至托盘1，以驱动托盘1沿顶杆32的轴向往复运动，从而靠近或者远离工作盘21。
可选地，动力源31为电机、气缸和液压缸中的任一者，只要能够驱动顶杆32做直线往复运动的动力机械均可作为动力源。
当压膜完成后，动力源31驱动顶杆32举升托盘1，以将晶圆W沿远离工作盘21的方向移动，便于取出压膜后的晶圆W。当再次压膜时，动力源31驱动顶杆32将托盘1沿靠近工作盘21的方向移动，以使托盘1恢复原位。
可选地，顶杆32的数量为三个，三个顶杆32沿工作盘21的圆周方向呈环形阵列排布。如此设置，可以使托盘1受力均匀，提高晶圆W的压膜质量。
可以理解的是，顶杆32的数量不限于三个，在满足托盘1受力均匀的条件下，顶杆32的数量可以为任意值，显而易见地，导向孔的数量应该与顶杆32的数量相同。
如图4所示，在一些实施例中，托盘本体11背离限位部12的一侧还设置有定位凸台13，定位凸台13的高度小于2mm。定位凸台13的位置与顶杆32的位置对应，定位凸台13的数量与顶杆32的数量相同，顶杆32穿过工作盘21的导向孔与托盘本体11的定位凸台13连接，需要进行压膜时，顶杆32向靠近工作盘21的方向移动并缩入到工作盘21的导向孔内，此时定位凸台13嵌入到工作盘21的导向孔内起到定位作用，定位凸台13与工作盘21的导向孔配合时第一通孔111与第二通孔231对准，使真空吸附效果达到最佳状态。
当动力源31驱动顶杆32将托盘1沿靠近工作盘21的方向移动至极限位置时，位于同一环形上的第一通孔111与对应的环形凹槽23内的第二通孔231对准，通过真空吸附装置将晶圆W吸附至托盘1上进行压膜作业。当动力源31驱动顶杆32将托盘1沿远离工作盘21的方向移动至极限位置时，可以将晶圆W从托盘1上取出。由此，可以代替人工将托盘1放置在工作盘21，节省了人力，使托盘1可以快速准确地相对工作盘21升降，同时使真空吸附装置的吸附效果达到最佳。
如图5所示，本申请实施例提供的晶圆压模机的工作过程如下：
步骤S1：在工作盘21的工作面22上放置托盘1，然后将晶圆W放置在托盘1上，启动真空吸附装置，使晶圆W被真空吸附于托盘1上；
步骤S2：将EMC膜体覆盖至晶圆W上，对晶圆W进行压膜，压膜完成后裁剪掉多余的膜体；
步骤S3：关闭真空吸附装置，启动驱动装置3的动力源31，驱动顶杆32带动托盘1向远离工作盘21的方向移动，待托盘1脱离工作面22到达预定位置后，取下托盘1及晶圆W；
步骤S4：动力源31驱动顶杆32向靠近工作盘21的方向缩回，将托盘1放回到工作盘21上，完成一次压膜循环。
由此，本申请实施例提供的托盘及晶圆压模机，通过在工作盘21上设置托盘1来承载晶圆W，可以将晶圆W与工作盘21进行隔离，有效防止压膜后的残留物黏附晶圆W与工作盘21，避免晶圆W被取出过程中因受力不均导致损坏的发生，大大降低晶圆W的破损率，提高晶圆W的压膜质量。另外，通过设置托盘1，可以避免压膜过程后膜体残留在工作盘21上，降低工作盘21的清理难度。通过在托盘1上设置平边限位凸起121和弧形限位凸起122，可以使晶圆W在托盘1上定位稳固，通过托盘1上设置的第一通孔111和工作盘21上设置的第二通孔231，可以采用真空吸附的方式将晶圆W简便、快捷地定位在托盘1上，提高了压膜工作效率。
应当指出，在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外，这样的短语未必是指同一实施例。此外，在结合实施例描述特定特征、结构或特性时，结合明确或未明确描述的其他实施例实现这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的知识范围之内。
应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本公开中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。
此外，文中为了便于说明可以使用空间相对术语，例如，“下面”、“以下”、“下方”、“以上”、“上方”等，以描述一个元件或特征相对于其他元件或特征的如图所示的关系。空间相对术语意在包含除了附图所示的取向之外的处于使用或操作中的器件的不同取向。装置可以具有其他取向(旋转90度或者处于其他取向上)，并且文中使用的空间相对描述词可以同样被相应地解释。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种晶圆压膜机，其特征在于，包括：
机体，包括工作盘，所述工作盘具有工作面；
托盘，可活动地设置于所述工作面上；以及
真空吸附装置，设置于所述工作盘背离所述工作面的一侧，用于将晶圆吸附在所述托盘上。
2.根据权利要求1所述的晶圆压膜机，其特征在于，所述托盘包括托盘本体和设置于所述托盘本体上的限位部，所述托盘本体和所述限位部形成容纳晶圆的容纳空间。
3.根据权利要求2所述的晶圆压膜机，其特征在于，所述限位部包括平边限位凸起，所述晶圆包括定位平面，所述平边限位凸起包括与所述定位平面配合的限位平面。
4.根据权利要求2所述的晶圆压膜机，其特征在于，所述限位部还包括弧形限位凸起，所述晶圆还包括与所述定位平面连接的弧形面，所述弧形限位凸起包括与所述弧形面配合的限位弧形面。
5.根据权利要求4所述的晶圆压膜机，其特征在于，所述弧形限位凸起的数量为三个，三个所述弧形限位凸起与所述平边限位凸起沿所述托盘本体的圆周方向间隔设置。
6.根据权利要求2所述的晶圆压膜机，其特征在于，所述限位部的高度等于或者大于所述晶圆的厚度。
7.根据权利要求2所述的晶圆压膜机，其特征在于，所述托盘本体上还设置有多个第一通孔，所述多个第一通孔围绕所述托盘本体的中心呈环形阵列排布；
所述工作面上设置有同心布置的多个环形凹槽，所述多个环形凹槽内设置有与所述多个第一通孔一一对应的多个第二通孔，所述多个第二通孔与所述真空吸附装置连通。
8.根据权利要求2所述的晶圆压膜机，其特征在于，所述托盘本体背离所述限位部的一侧还设置有定位凸台。
9.根据权利要求1所述的晶圆压膜机，其特征在于，还包括驱动装置，所述驱动装置包括动力源和与所述动力源的输出端连接的顶杆，所述顶杆远离所述动力源的一端贯穿所述工作盘并抵接至所述托盘，以驱动所述托盘靠近或者远离所述工作面。
10.一种托盘，其特征在于，包括托盘本体和设置于所述托盘本体上的限位部，所述托盘本体和所述限位部形成容纳晶圆的容纳空间。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101013019B1 (ko) * 2010-06-21 2011-02-14 김정태 웨이퍼 이송 시스템 및 이송 방법
CN102157348A (zh) * 2010-02-03 2011-08-17 志圣工业股份有限公司 晶圆压膜机整平机构
JP2015005709A (ja) * 2012-08-24 2015-01-08 株式会社名機製作所 積層方法および積層システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157348A (zh) * 2010-02-03 2011-08-17 志圣工业股份有限公司 晶圆压膜机整平机构
KR101013019B1 (ko) * 2010-06-21 2011-02-14 김정태 웨이퍼 이송 시스템 및 이송 방법
JP2015005709A (ja) * 2012-08-24 2015-01-08 株式会社名機製作所 積層方法および積層システム

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