CN220710248U - 一种晶圆的脱膜装置和晶圆脱膜的自动化设备 - Google Patents
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 97
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 73
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 96
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 40
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种晶圆的脱膜装置,包括中央支撑台,包括吸附盘,吸附盘朝向载晶膜的一侧为工作面,吸附盘在所述工作面上开设有至少一个用于产生负压的气孔;夹持机构,围设于中央支撑台外圈,用于夹持载有晶圆的载晶膜的外圈;升降机构,与夹持机构或中央支撑台连接;升降机构驱动夹持机构相对于中央支撑台运动,以将夹持机构上载有晶圆的载晶膜覆盖并压紧至吸附盘上进行平铺拉伸,吸附盘上的气孔处产生负压使载晶膜与所述工作面之间也形成负压状态,载晶膜在负压作用下与所述晶圆脱离。另外本实用新型还公开了采用上述脱模装置的自动化设备。本实用新型的优点在于能够实现将晶圆与载晶膜之间快速分离,同时对晶圆的损伤较小。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及一种晶圆的脱膜装置和晶圆脱膜的自动化设备,属于半导体晶圆加工设备领域。
【背景技术】
半导体领域是目前我们国家重点研发领域,其中半导体领域中较为核心的就是晶圆的加工,目前主流的晶圆加工工艺中,其中就包括将晶圆粘贴到载晶膜(比如蓝膜)上,以便于对晶圆表面进行一系列的切割、划片等操作,后续还需要将晶圆与载晶膜之间进行分离,也就是常说的脱膜处理。
目前主流的脱膜设备中,主要采用的脱膜方式是采用顶出销的方式进行顶出脱膜,例如最新公布的中国专利CN217349833U、CN216054646U,就是采用这种类似的原理,但是这种利用顶出销的脱膜方式存在弊端是:
首先:利用顶出销进行脱膜,这种顶出的结构精度要求比较高,结构上相对较为复杂,使得脱膜设备的硬件成本比较高;
其次,使用顶出销的方式,其原理是独立式的单体剥离或者分离,这样的脱膜效率比较低下;
最后,利用顶出销强制顶出的方式,容易对晶片产生应力损伤,从而造成晶片的质量受到影响。
【实用新型内容】
本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足而提供一种晶圆的脱膜装置,能够实现将晶圆与载晶膜之间快速分离,同时对晶圆的损伤较小。
解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一种晶圆的脱膜装置,用于对载有晶圆的载晶膜进行脱膜,包括:
中央支撑台,包括吸附盘,所述吸附盘朝向载晶膜的一侧为工作面,所述吸附盘在所述工作面上开设有至少一个用于产生负压的气孔;
夹持机构,围设于中央支撑台外圈,用于夹持所述载有晶圆的载晶膜的外圈;
升降机构,与所述夹持机构或中央支撑台连接;
所述升降机构驱动夹持机构相对于中央支撑台运动,以将夹持机构上载有晶圆的载晶膜覆盖并压紧至吸附盘上进行平铺拉伸,所述吸附盘上的气孔处产生负压使载晶膜与所述工作面之间也形成负压状态,载晶膜在负压作用下与所述晶圆脱离。
采用本实用新型的有益效果:
本实用新型改变了传统主流的顶出销的脱膜方式,而是采用负压原理进行吸附脱膜的方式,即将载有晶圆的载晶膜覆盖到吸附盘上,然后利用吸附盘上的气孔产生负压,由于晶圆的硬度要大于载晶膜的硬度,相对较软的载晶膜则会在吸附力的作用下与晶圆进行分离。利用这种负压吸附的方式进行脱膜,首先结构上相对于传统的顶出销而言,精度要求没那么高,同时结构上也相对简单,如此一来硬件的成本得以控制;其次,由于负压吸附通常是一次性对整个载晶膜进行吸附,而并非是单体分离,所以在脱膜效率上非常高;最后,由于负压吸附的方式,晶圆不会受到直接的硬件作用力,这样晶圆受到应力损伤的几率就非常小,从而能够保证晶圆的质量。
而对于本实用新型中的夹持机构和升降机构,则是对于这种负压吸附的方式的辅助,通过夹持机构和升降机构,可以将载晶膜覆盖并压紧至吸附盘上进行平铺拉伸,载晶膜在被拉伸后,一方面便于晶粒之间分开,另一方面让载晶膜也相对变得松弛,从而便于后续通过负压作用进行吸附分离。
作为优选,所述吸附盘的工作面上点状分布有若干个独立的支撑凸块,相邻的支撑凸块之间形成脱膜空间,载晶膜在负压作用下与所述晶圆脱离并部分收容在所述脱膜空间内。
作为优选,所述支撑凸块为锥形体,所述锥形体的横截面朝载晶膜方向逐渐变小,所述锥形体与载晶膜接触面为平面。
作为优选,所述脱膜装置还包括用于对载晶膜进行加热软化的加热单元。
作为优选,所述加热单元包括加热盘,所述加热盘位于吸附盘的下方。
作为优选,所述加热盘朝向吸附盘一侧平面设有凹腔,所述吸附盘密封安装于所述凹腔内,所述凹腔内设有与所述气孔连通的空气通道,所述空气通道用于连接抽气设备。
作为优选,所述加热盘内嵌设有加热丝,且所述加热盘上设有温度传感器。
作为优选,所述中央支撑台在所述吸附盘的外圈设有外圈围板,所述外圈围板的顶部设有多节可转动的辊轮,载晶膜下压至中央支撑台时与所述辊轮接触。
作为优选,所述外圈围板包括多片连接板围设而成,所述连接板的顶部两侧设有凸耳,两个凸耳之间转动连接有所述辊轮。
作为优选,所述外圈围板为圆环形围板,所述多节可转动的辊轮在周向方向上间隔组成环形圈。
作为优选,所述升降机构的伸缩方向为第一方向,与所述第一方向相互垂直的为第二方向,所述夹持机构具有夹持缝隙,载有晶圆的载晶膜沿第二方向平移进入所述夹持缝隙,所述夹持机构沿第一方向贯通设有避让所述中央支撑台的中央通孔。
作为优选,所述夹持机构包括上夹板和下夹板,所述上夹板和下夹板之间形成所述夹持缝隙,所述上夹板和下夹板上设有供外部机械部件平移穿过的缺口,所述缺口沿第二方向贯通。
作为优选,所述夹持机构还包括膜托板,所述膜托板位于下夹板的下方,所述上夹板在载晶膜入口方向处的缺口为第一缺口,所述下夹板在载晶膜入口方向处的缺口为第二缺口,所述第二缺口的宽度大于第一缺口的宽度,所述膜托板与上夹板之间形成导向入口,导向入口的缝隙高度大于所述夹持缝隙的高度。
作为优选,所述升降机构包括基台和驱动器,所述中央支撑台与所述基台相对固定连接或通过弹性支撑件连接,所述驱动器驱动所述夹持机构升降。
作为优选,所述升降机构还包括驱动板,所述驱动器包括电机、转动螺杆和传动螺母,所述传动螺母与所述驱动板连接,所述驱动板与夹持机构之间通过至少两根连接柱连接,所述连接柱分布在转动螺杆的传动螺母的外围。
另外,本实用新型还公开了一种晶圆脱膜的自动化设备,采用上述任意一种方案中的脱膜装置,所述自动化设备还包括第一导轨,所述第一导轨上设有输送机构,所述输送机构将载有晶圆的载晶膜平移输送进入到夹持机构中的夹持缝隙中。采用这种本实用新型的自动化设备,把晶圆的脱膜以及后续的晶圆转移做成整套全自动化流水线,自动化程度更高。
作为优选,所述自动化设备还包括第二导轨,所述脱膜装置整体安装于第二导轨上,所述第一导轨和第二导轨在水平方向上相互垂直。
作为优选,所述载有晶圆的载晶膜固定于载体框架上,所述载体框架中央镂空,载晶膜四周与载体框架固定,所述输送机构输送所述载体框架平移进入到所述夹持缝隙中。
本实用新型的这些特点和优点将会在下面的具体实施方式、附图中详细的揭露。
【附图说明】
下面结合附图对本实用新型做进一步的说明:
图1为本实用新型实施例一脱膜装置在初始状态下的整体结构示意图;
图2为本实用新型实施例一脱膜装置在工作状态下的整体结构示意图;
图3为本实用新型实施例一脱膜装置的爆炸示意图;
图4为本实用新型实施例一脱膜装置中吸附盘的局部放大示意图;
图5为本实用新型实施例一脱膜装置中吸附盘的底部示意图;
图6为本实用新型实施例一脱膜装置工作时载晶膜与晶圆之间脱膜分离的示意图;
图7为本实用新型实施例一脱膜装置中夹持机构的底部示意图;
图8为本实用新型实施例一脱膜装置中升降机构的结构示意图;
图9为本实用新型实施例二晶圆脱膜的自动化设备的整体结构示意图。
【具体实施方式】
下面结合本实用新型实施例的附图对本实用新型实施例的技术方案进行解释和说明,但下述实施例仅为本实用新型的优选实施例,并非全部。基于实施方式中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其他实施例,都属于本实用新型的保护范围。
在下文描述中,出现诸如术语“内”、“外”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示方位或者位置关系的,仅是为了方便描述实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。但注明直接连接则说明连接地两个主体之间并不通过过度结构构建连接关系,只通过连接结构相连形成一个整体。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
实施例一:
如图1所示,本实施例展示的为一种晶圆的脱膜装置,其主要用于对载有晶圆的载晶膜进行分离脱膜,主要部件包括中央支撑台100、夹持机构200和升降机构300,其中中央支撑台100,包括吸附盘10,所述吸附盘10朝向载晶膜的一侧为工作面,为了便于与图对应描述,本实施例中吸附盘10朝向载晶膜的一侧为顶面,即吸附盘10的顶面为工作面,所述吸附盘10在所述工作面上开设有至少一个用于产生负压的气孔11(可参见图4),该气孔11是用于与抽气设备连接,从而对工作面处形成负压,对载晶膜产生吸附力;
夹持机构200,围设于中央支撑台100外圈,用于夹持所述载有晶圆的载晶膜的外圈,本实施例中的夹持机构200主要用于夹持住载晶膜从而驱动载晶膜靠近或远离中央支撑台100;
升降机构300,与所述夹持机构200或中央支撑台100连接,升降机构300主要用于驱动夹持机构200和中央支撑台100之间相对运动,具体驱动时,可以选择驱动夹持机构200运动,也可以驱动中央支撑台100运动,在本实施例中,则优选驱动夹持机构200,从图1到图2,就是升降机构300将夹持机构200从初始状态驱动下行一定行程。
参见图6所示,本实施例的这种脱膜方式,改变了传统主流的顶出销的脱膜方式,而是采用负压原理进行吸附脱膜的方式,即将载有晶圆的载晶膜覆盖到吸附盘10上,然后利用吸附盘10上的气孔11产生负压,由于晶圆41的硬度要大于载晶膜42的硬度,相对较软的载晶膜42则会在吸附力的作用下与晶圆41进行分离。利用这种负压吸附的方式进行脱膜,首先结构上相对于传统的顶出销而言,精度要求没那么高,同时结构上也相对简单,如此一来硬件的成本得以控制;其次,由于负压吸附通常是一次性对整个载晶膜42进行吸附,而并非是单体分离,所以在脱膜效率上非常高;最后,由于负压吸附的方式,晶圆41不会受到直接的硬件作用力,这样晶圆41受到应力损伤的几率就非常小,从而能够保证晶圆41的质量。
而对于本实施例中的夹持机构200和升降机构300,则是对于这种负压吸附的方式的辅助,通过夹持机构200和升降机构300,可以将载晶膜覆盖并压紧至吸附盘10上进行平铺拉伸,载晶膜42在被平面拉伸后,一方面便于晶粒之间分开,另一方面让载晶膜42也相对变得松弛,从而便于后续通过负压作用进行吸附分离,故利用夹持机构200和升降机构300对载晶膜42进行平铺拉伸后再配合负压吸附,可以让脱膜分离的效果更好。
同时,为了进一步加强脱膜分离效果,本实施例中对吸附盘10也做了优化,具体而言,是在吸附盘10的工作面上点状分布有若干个独立的支撑凸块12,相邻的支撑凸块12之间形成脱膜空间121,具体可参见图4和图6所示,载晶膜在负压作用下与所述晶圆脱离并部分收容在所述脱膜空间121内。这种点状分布的支撑凸块12,使得支撑凸块12的四周都处于镂空状态,一方面给后续的载晶膜的分离收纳提供了足够的空间,另一方面这种点状式的支撑凸块12与载晶膜42之间的接触面积小,使得载晶膜42被吸附后与晶圆41之间的连接的区域面积也比较小,使得单体晶粒与载晶膜之间的附着力变小,方便后续的晶粒吸取。对于支撑凸块12的分布,优选是均匀分布在工作面表面,这样对载晶膜的支撑更为均匀。
本实施例中对支撑凸块12的形状结构也有所优化,如图4或图6所示,本实施例中所述支撑凸块12为锥形体,所述锥形体的横截面朝载晶膜方向逐渐变小,以图4或图6为例,本实施例锥形体优选为棱椎体,其中上方的横截面小,底部的横截面大,这样的形状构造,使得支撑凸块12与载晶膜之间的接触面积进一步减少,同时相邻的支撑凸块12之间的脱膜空间121也变得更大,更加有助于脱膜分离,而且这种棱锥体结构,本身支撑凸块12的强度也有了保证。另外,为了尽量减少支撑凸块12对晶圆的损伤,所述锥形体与载晶膜接触面为平面,锥形体的顶部不能过于尖锐。
需要说明的是,本实施例中展示的支撑凸块12仅仅是较为优选的方案,但是本实用新型中并不局限于此,在其他实施例中,支撑凸块12可以是圆锥体,甚至支撑凸块12也可以不是锥形体,是直柱体,这些均落入本实用新型的保护范围内。
另外,为了使得脱膜分离的效果更佳,本实施例中锥形体之间的距离也做了优化,参见图6所示,锥形体包括中心轴线X,相邻锥形体的中心轴线X之间的距离L1满足1mm~5mm,通常为1mm、3mm、5mm为佳,具体可以根据晶圆的尺寸大小也选择,距离过大容易导致支撑不到位,而距离过小,则会使得脱膜分离的空间不足影响脱膜效果。
如图3所示,为了让吸附盘10对载晶膜吸附时保持一定的密闭空间,本实施例中吸附盘的外圈设有外圈围板15,载有晶圆的载晶膜覆盖到中央支撑台100时与外圈围板15接触,如此载晶膜与外圈围板15的顶部接触以形成外圈侧部密封。
如图5所示,为了使得负压吸附时更为均匀,本实施例中所述气孔11设有多个,多个气孔11间隔式分布在所述吸附盘10上,气孔11的分布主要还是以均匀分布为目的,尽量让工作面的多处区域同时产生负压,如果仅集中在某几处,则容易导致某些区域压力过于集中,而其他区域压力不足的问题。本实施例的图5中的分布方式仅仅是一种优选。
为了让载晶膜能够能容易地脱离,所述脱膜装置还包括用于对载晶膜进行加热软化的加热单元,载晶膜被加热软化后,则更有助于从晶圆上脱离,对于加热单元的位置可以有多种,本实施例中优选是在吸附盘10的下方进行加热。具体可参见图3所示,所述加热单元包括加热盘14,所述加热盘14位于吸附盘10的下方。加热盘14产生的热量通过吸附盘10再传递到载晶膜。同时需要说明的是,加热盘14在工作状态下,吸附盘10上的气孔11在此时可作为热量传递孔进行传递,即吸附盘10上的气孔11既是用于产生负压,也用于传递热量,一举两得。
为了让加热盘14与吸附盘10之间的密封效果更好,本实施例中所述加热盘14朝向吸附盘10一侧平面设有凹腔141,所述吸附盘10密封安装于所述凹腔141内,所述凹腔141内设有与所述气孔11连通的空气通道142,所述空气通道142用于连接抽气设备。如此设计,就把吸附盘10与加热盘14两者形成一个整体,气密性更好。只要对加热盘14中的空气通道142进行抽气后,即可以连通吸附盘10上的气孔11,从而形成负压。
需要说明的是,在其他实施例中,也可以在吸附盘10的底部设置凹腔141,将加热盘14安装容纳于凹腔141内,也是可以的。
本实施例中的加热盘14,优选是内嵌有环状的加热丝142,且加热盘14上内嵌有多圈环状加热丝142,这样的加热会更加均匀。另外,本实施例中加热盘14上设有温度传感器143,温度传感器143则主要用于检测加热盘14或吸附盘10的温度,以便于适时调整加热温度,利用这种温度传感器143,使得脱膜装置具有高精度的温度控制能力,通常温度范围可在35-80℃,温度精度可控制在1℃。
如图3所示,为了让载晶膜压紧到中央支撑台100上时,能够更为顺畅的被平铺拉伸,所述中央支撑台100在所述吸附盘10的外圈设有外圈围板15,所述外圈围板15的顶部设有多节可转动的辊轮151,载晶膜下压至中央支撑台100时与所述辊轮151接触,由于载晶膜在进行平铺拉伸过程中,需要往吸附盘10的外周进行平移,故在外圈围板15上设置辊轮151,可以将滑动摩擦转化为滚动摩擦,有助于载晶膜更加顺畅的被拉伸。
对于外圈围板15的具体结构,本实施例中所述外圈围板15包括多片连接板152围设而成,所述连接板152的顶部两侧设有凸耳153,两个凸耳153之间转动连接有所述辊轮151。设置成多片连接板152的结构,使得每片连接板152上均设有辊轮151,使得整个外圈围板15均对载晶膜起到减少摩擦的作用。
由于大部分的晶圆均为圆形,故本实施例中的吸附盘10、加热盘14均为圆形,同时相适配的外圈围板15也为圆环形围板,所述多节可转动的辊轮151在周向方向上间隔组成环形圈,之所以设置成多节辊轮151,可以把整个圆形的弧度做成接近于多个直线段组成,由于辊轮151的转轴通常是直线轴,利用多节辊轮151间隔的方式,是便于辊轮151的组装和转动。
对于夹持机构200而言,具体结构如下:
所述升降机构300的伸缩方向为第一方向,与所述第一方向相互垂直的为第二方向,在本实施例中,第一方向是竖直方向,而第二方向则是水平方向。其中本实施例中的夹持机构200具有夹持缝隙201,该夹持缝隙201为水平方向的缝隙,载有晶圆的载晶膜沿第二方向平移进入所述夹持缝隙201,如图3所示,载晶膜被输送机构,例如机械臂从夹持机构200的左侧方向沿箭头所示方向平移进入到夹持缝隙201中,所述夹持机构200沿竖直方向贯通设有中央通孔202,该中央通孔202主要用于避让中央支撑台100,以便于夹持机构200能够穿过中央支撑台100,例如图2所示的穿过的状态。
对于夹持机构200对载晶膜的夹持方式,由于现有的主流载晶膜均固定于一载体框架上,这种载体框架通常是中央镂空,载晶膜四周与载体框架固定,这种载体框架已经在现有技术中有大量公开,本实施例不作过多阐述。而这种载体框架都是硬质材料制成,故当载体框架平移进入到所述夹持缝隙201中后,载体框架在上下方向的自由度被夹持缝隙201所约束,从而实现夹持。需要说明的是,如果载晶膜没有硬质的载体框架固定时的,夹持机构200可以采用外置独立气缸的方式实现以浮动式的夹持缝隙。
对于夹持机构200,本实施例中包括上夹板21和下夹板22,所述上夹板21和下夹板22之间形成所述夹持缝隙201,同时,为了方便输送载晶膜的外部机械部件穿过,所述上夹板21和下夹板22上设有供外部机械部件平移穿过的缺口,所述缺口沿竖直方向是贯通的。如图3或图7所示,本实施例中在夹持机构200的两侧分别有缺口,一个在入口处,一个在出口处。
出于对夹持效果的考虑,夹持缝隙201一般不会设置很大,这样对刚开始平移进入夹持缝隙201内载晶膜或载体框架的精准度有一定要求,为了让载晶膜或载体框架进入时更具有导向性,本实施例中对夹持机构200进行了优化,将下夹板22的形状轮廓设计成与上夹板21不一样,具体可参见图7所示,下夹板22在入口处的为第二缺口的宽度K2更大,要大于上夹板21的在入口处的第一缺口的宽度K1,单侧上夹板21的形状类似于U型,而单侧下夹板22的形状类似于L型,如此在入口处,夹持缝隙201的上下高度就变大了,变得更加有利于载晶膜或载体进入。
同时,下夹板22缺口变大后,容易造成夹持的不稳定,尤其是在载晶膜或载体框架在受到负压后可能会有形变问题导致夹持不稳或掉落问题,故本实施例中的夹持机构200还包括一个膜托板23,膜托板23是固定在下夹板22的下方,同时膜托板23在上夹板21的投影下方形成延伸部231,在该延伸部231处,所述膜托板23与上夹板21之间形成导向入口203,导向入口203的缝隙高度大于所述夹持缝隙201的高度,该延伸部可以放置载晶膜掉落,同时不影响对载晶膜的导向作用。
如图8所示,是本实施例中升降机构300的结构示意图,所述升降机构300包括基台31和驱动器,基台31在竖直方向是保持不动的,所述中央支撑台100与所述基台31相对固定连接或通过弹性支撑件16连接,所述驱动器驱动所述夹持机构200沿竖直方向伸缩。
需要说明的是,本实施例中,中央支撑台100是通过弹性支撑件16与基台31连接,弹性支撑件16可以是类似于气弹簧、橡胶柱等兼具了支撑功能和弹性性能的部件,可参见图3或图8所示,本实施例中弹性支撑件16优选是气弹簧,且有四个气弹簧,设置这种弹性支撑件16的目的在于让中央支撑台100具备一定的浮动空间,一方面可以对下压的载晶膜、晶圆有一定的缓冲保护,另一方面让中央支撑台100被小幅下压后具备一定的顶升能力,用于辅助载晶膜和晶圆脱膜。
此外,所述升降机构300还包括驱动板32,考虑到夹持机构200在进行下压时,压力要相对均匀,否则会容易产生两侧翘边的问题,故本实施例的升降机构300设计了驱动板32,所述驱动板32与夹持机构200之间通过至少两根连接柱321连接,驱动板32与夹持机构200是同步升降。用多根连接柱321的方式,让驱动板32对夹持机构200的驱动力更加均匀。本实施例中的驱动器包括电机331、转动螺杆332和传动螺母333,电机331与转动螺杆332之间通过传动带334传动,转动螺杆332和传动螺母333位于升降机构300的中心位置,所述传动螺母333与所述驱动板32连接,所述连接柱321分布在转动螺杆332的传动螺母333的外围。
实施例二:
如图9所示,本实施例展示的相对较为完整的一套自动化设备,该自动化设备主要用于晶圆加工过程中的流水线转移,其中自动化设备就包括了上述实施例一以及与实施例一相等同的脱膜装置,此外还包括第一导轨5,所述第一导轨5上设有输送机构,所述输送机构将载有晶圆的载晶膜平移输送进入到夹持机构200中的夹持缝隙201中,输送机构连接的机械臂在图中未展示,由于第一导轨属于平移进入,可以非常方便与前一道流水线工序对接。
此外,所述自动化设备还包括第二导轨6,所述脱膜装置整体安装于第二导轨6上,所述第一导轨5和第二导轨6在水平方向上相互垂直。利用第二导轨6,可以将脱膜装置整体进行滑动,以方便将脱膜后的晶圆转移到下一道工序中,从而形成整套的自动化流水线。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,熟悉该本领域的技术人员应该明白本实用新型包括但不限于附图和上面具体实施方式中描述的内容。任何不偏离本实用新型的功能和结构原理的修改都将包括在权利要求书的范围中。
Claims (18)
1.一种晶圆的脱膜装置,用于对载有晶圆的载晶膜进行脱膜,其特征在于,包括:
中央支撑台,包括吸附盘,所述吸附盘朝向载晶膜的一侧为工作面,所述吸附盘在所述工作面上开设有至少一个用于产生负压的气孔;
夹持机构,围设于中央支撑台外圈,用于夹持所述载有晶圆的载晶膜的外圈;
升降机构,与所述夹持机构或中央支撑台连接;
所述升降机构驱动夹持机构相对于中央支撑台伸缩运动,以将夹持机构上载有晶圆的载晶膜覆盖并压紧至吸附盘上进行平铺拉伸,所述吸附盘上的气孔处产生负压使载晶膜与所述工作面之间也形成负压状态,载晶膜在负压作用下与所述晶圆脱离。
2.如权利要求1所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述吸附盘的工作面上点状分布有若干个独立的支撑凸块,相邻的支撑凸块之间形成脱膜空间,载晶膜在负压作用下与所述晶圆脱离并部分收容在所述脱膜空间内。
3.如权利要求2所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述支撑凸块为锥形体,所述锥形体的横截面朝载晶膜方向逐渐变小,所述锥形体与载晶膜接触面为平面。
4.如权利要求1所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述脱膜装置还包括用于对载晶膜进行加热软化的加热单元。
5.如权利要求4所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述加热单元包括加热盘,所述加热盘位于吸附盘的下方。
6.如权利要求5所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述加热盘朝向吸附盘一侧平面设有凹腔,所述吸附盘密封安装于所述凹腔内,所述凹腔内设有与所述气孔连通的空气通道,所述空气通道用于连接抽气设备。
7.如权利要求5所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述加热盘内嵌设有加热丝,且所述加热盘上设有温度传感器。
8.如权利要求1至7之一所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述中央支撑台在所述吸附盘的外圈设有外圈围板,所述外圈围板的顶部设有多节可转动的辊轮,载晶膜下压至中央支撑台时与所述辊轮接触。
9.如权利要求8所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述外圈围板包括多片连接板围设而成,所述连接板的顶部两侧设有凸耳,两个凸耳之间转动连接有所述辊轮。
10.如权利要求8所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述外圈围板为圆环形围板,所述多节可转动的辊轮在周向方向上间隔组成环形圈。
11.如权利要求1至7之一所述的晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述升降机构的伸缩方向为第一方向,与所述第一方向相互垂直的为第二方向,所述夹持机构具有夹持缝隙,载有晶圆的载晶膜沿第二方向平移进入所述夹持缝隙,所述夹持机构沿第一方向贯通设有避让所述中央支撑台的中央通孔。
12.如权利要求11所述的晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述夹持机构包括上夹板和下夹板,所述上夹板和下夹板之间形成所述夹持缝隙,所述上夹板和下夹板上设有供外部机械部件平移穿过的缺口,所述缺口沿第二方向贯通。
13.如权利要求12所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述夹持机构还包括膜托板,所述膜托板位于下夹板的下方,所述上夹板在载晶膜入口方向处的缺口为第一缺口,所述下夹板在载晶膜入口方向处的缺口为第二缺口,所述第二缺口的宽度大于第一缺口的宽度,所述膜托板与上夹板之间形成导向入口,导向入口的缝隙高度大于所述夹持缝隙的高度。
14.如权利要求1至7之一所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述升降机构包括基台和驱动器,所述中央支撑台与所述基台相对固定连接或通过弹性支撑件连接,所述驱动器驱动所述夹持机构升降。
15.如权利要求14所述的一种晶圆的脱膜装置,其特征在于:所述升降机构还包括驱动板,所述驱动器包括电机、转动螺杆和传动螺母,所述传动螺母与所述驱动板连接,所述驱动板与夹持机构之间通过至少两根连接柱连接,所述连接柱分布在转动螺杆的传动螺母的外围。
16.一种晶圆脱膜的自动化设备,其特征在于,采用权利要求1至15之一所述的脱膜装置,所述自动化设备还包括第一导轨,所述第一导轨上设有输送机构,所述输送机构将载有晶圆的载晶膜平移输送进入到夹持机构中的夹持缝隙中。
17.如权利要求16所述的一种晶圆脱膜的自动化设备,其特征在于,所述自动化设备还包括第二导轨,所述脱膜装置整体安装于第二导轨上,所述第一导轨和第二导轨在水平方向上相互垂直。
18.如权利要求16所述的一种晶圆脱膜的自动化设备,其特征在于,所述载有晶圆的载晶膜固定于载体框架上,所述载体框架中央镂空,载晶膜四周与载体框架固定,所述输送机构输送所述载体框架平移进入到所述夹持缝隙中。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202222651853.4U CN220710248U (zh) | 2022-10-09 | 2022-10-09 | 一种晶圆的脱膜装置和晶圆脱膜的自动化设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202222651853.4U CN220710248U (zh) | 2022-10-09 | 2022-10-09 | 一种晶圆的脱膜装置和晶圆脱膜的自动化设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220710248U true CN220710248U (zh) | 2024-04-02 |
Family
ID=90441035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202222651853.4U Active CN220710248U (zh) | 2022-10-09 | 2022-10-09 | 一种晶圆的脱膜装置和晶圆脱膜的自动化设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN220710248U (zh) |
-
2022
- 2022-10-09 CN CN202222651853.4U patent/CN220710248U/zh active Active
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