CN114695243A - 半导体腔室的承载装置及半导体腔室 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种半导体腔室的承载装置及半导体腔室，承载装置包括加热器、多个承载台、顶升机构和工位转换机构；加热器具有沿其周向间隔分布的多个容纳槽；每个承载台设置于加热器的一个容纳槽内，承载台用于承载晶圆；顶升机构位于加热器的下方，顶升机构的顶针依次穿过第一通孔和第二通孔，顶升机构用于驱动晶圆升降；工位转换机构用于晶圆在多个承载台之间传输，工位转换机构包括驱动件和多个环形叉指，多个环形叉指沿驱动件的周向间隔分布，环形叉指用于承载所述晶圆，驱动件驱动多个环形叉指转动和升降，每个环形叉指位于其中一个容纳槽时，环形叉指环绕承载台。

Description

半导体腔室的承载装置及半导体腔室
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体腔室的承载装置及半导体腔室。
背景技术
半导体腔室在取放片工艺时，有单次取放片和多站流动式取放片两种模式。为了提高半导体腔室的加工效率，通常会采用多站流动式取放片模式。
针对多站流动式取放片模式，目前较为普遍使用的流程为：如图1所示，机械手将晶圆传输至半导体腔室内，半导体腔室内设置有加热器700，加热器700上设置有叉指机构800，叉指机构800能够接住机械手上的晶圆，并将晶圆转载在加热器700上。另外，叉指机构800还能够旋转，将晶圆传输至加热器700的下一个工位上。
相关技术中，如2图所示，叉指机构800的叉指由相平行的两个支撑杆组成，两个支撑杆支撑晶圆底部，加热器700上设置有用于容纳叉指的凹槽，当晶圆落下时，叉指位于凹槽内。
然而由于叉指位于晶圆正下方，其位置穿过晶圆大部分区域，在工艺过程中，由于叉指与加热器材质不同，因此加热器上叉指所处位置的电磁场与加热器其他位置的电磁场不同，因此晶圆的电磁场的均匀性较差，从而造成晶圆的工艺性能较差。
发明内容
本发明公开一种半导体腔室的承载装置及半导体腔室，以解决晶圆的工艺性能较差的问题。
为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：
一种半导体腔室的承载装置，包括：
加热器，所述加热器具有沿其周向间隔分布的多个容纳槽，至少一个所述容纳槽上开设有沿所述加热器厚度方向贯穿的第一通孔；
多个承载台，每个所述承载台设置于所述加热器的一个所述容纳槽内，所述承载台用于承载晶圆，至少一个所述承载台设置有沿其厚度方向贯穿的第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔相对设置；
顶升机构，所述顶升机构位于所述加热器的下方，所述顶升机构的顶针依次穿过第一通孔和第二通孔，所述顶升机构用于驱动所述晶圆升降；
工位转换机构，所述工位转换机构用于所述晶圆在多个所述承载台之间传输，所述工位转换机构包括驱动件和多个环形叉指，多个所述环形叉指沿所述驱动件的周向间隔分布，且与多个所述承载台对应设置，所述环形叉指用于承载所述晶圆，所述驱动件驱动多个所述环形叉指转动和升降，每个所述环形叉指位于其中一个所述容纳槽时，所述环形叉指环绕所述承载台。
一种半导体腔室，包括腔室本体和上述的承载装置，所述承载装置位于所述腔室本体内。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：
本发明公开的承载装置中，承载台用于承载晶圆，顶针机构用于实现晶圆的升降，工位转换机构用于晶圆在多个承载台之间传输。此方案中，工艺时，晶圆承载至承载台上，每个环形叉指位于其中一个容纳槽时，环形叉指环绕承载台，此时叉指位于晶圆的边缘区域，靠近晶圆中心的大部分区域均无环形叉指穿过，因此环形叉指对晶圆的电磁场影响较小。另外，环形叉指沿着晶圆的周向设置，晶圆周向分布的电磁场均匀性进一步提高。因此，本方案中晶圆电磁场的均匀性较好，提高了晶圆的工艺均匀性。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为相关技术中半导体腔室的结构示意图；
图2为相关技术中半导体腔室的叉指结构的示意图；
图3为本申请实施例公开的承载装置的爆炸图；
图4为本申请实施例公开的承载装置的剖视图；
图5和图6为图4的局部放大图；
图7为本申请实施例公开的承载装置中工位转换机构的结构示意图；
图8和图9为本申请实施例公开的承载装置中工位转换机构的爆炸图；
图10为图9的局部放大图；
图11为本申请实施例公开的承载装置中工位转换机构的环形叉指的局部剖视图；
图12为本申请实施例公开的承载装置中工位转换机构的局部剖视图；
图13为本申请实施例公开的承载装置中工位转换机构的局部放大图；
图14和图15为本申请实施例公开的承载装置中工位转换机构的部分部件示意图；
图16为图14的局部放大图；
图17至图19为本申请实施例公开的承载装置中承载台的结构示意图。
附图标记说明：
100-加热器、110-第一通孔、200-承载台、210-第二通孔、220-支撑凸起、221-排气孔、300-顶升机构、310-顶针、320-支撑座、330-配重块、400-工位转换机构、410-环形叉指、411-第一环体、4111-第一定位部、412-第二环体、4121-第二定位部、413-搭接凸起、414-连接件、4141-第二调节孔、420-转盘、421-固定盘、422-压盘、4221-第一调节孔、500-晶圆。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下结合附图，详细说明本发明各个实施例公开的技术方案。
如图3至19所示，本发明实施例公开一种半导体腔室的承载装置，所公开的半导体工艺设备包括加热器100、多个承载台200、顶升机构300和工位转换机构400。
加热器100具有沿其周向间隔分布的多个容纳槽，至少一个容纳槽上可以开设有沿加热器100厚度方向贯穿的第一通孔110。每个承载台200设置于加热器100的一个容纳槽内，承载台200用于承载晶圆500，至少一个承载台200可以设置有沿其厚度方向贯穿的第二通孔210，第一通孔110与第二通孔210相对设置。可选地，承载台200可以采用铝合金材料制作，当然，还可以采用其他材料制作，本文不作限制。
顶升机构300位于加热器100的下方，顶升机构300的顶针310依次穿过第一通孔110和第二通孔210，顶升机构300用于驱动晶圆500升降。具体地，顶升机构300驱动晶圆500沿加热器100的厚度方向移动。顶升机构300还包括驱动源，驱动源用于驱动顶针310移动。可选地，驱动源可以为驱动电机、液压缸、气压缸等动力结构，当然，驱动源还可以为其他结构，本文不作限制。
工位转换机构400用于晶圆500在多个承载台200之间传输，工位转换机构400包括驱动件和多个环形叉指410，多个环形叉指410沿驱动件的周向间隔分布，且与多个承载台200对应设置，环形叉指410用于承载晶圆500。具体地，每个环形叉指410对应传输一个承载台200上的晶圆500。此时，环形叉指410可以用于在晶圆500传输过程中承载晶圆500，这里的晶圆500传输过程是晶圆500在多个承载台200之间的传输。环形叉指410可以在晶圆500承载至承载台200上时，同时支撑在晶圆500的边缘，与承载台200同时支撑晶圆500。驱动件驱动多个环形叉指410转动和升降。具体地，驱动件驱动多个环形叉指410沿驱动件的转动中心转动和加热器100的厚度方向移动。此时，驱动件能够驱动每个环形叉指410在多个容纳槽之间转换。每个环形叉指410位于其中一个容纳槽时，环形叉指410环绕承载台200。
可选地，驱动件可以包括第一驱动电机和第二驱动电机，此时，第一驱动电机与多个环形叉指410相连接，第二驱动机构与第一驱动机构相连接。第一驱动电机驱动多个环形叉指410升降，第二驱动电机通过第一驱动电机带动多个环形叉指410转动。当然，驱动件还可以采用同一个驱动电机实现两种运动，驱动件的结构本文不作限制。
上述实施例中，顶升机构300用于晶圆500传入或者传出半导体腔室时，对晶圆500进行升降。工位转换机构400用于晶圆500在多个承载台200之间的传输，也就是说，晶圆500在半导体腔室内不同的工位之间转换。
具体的操作过程中，机械手传输晶圆500至顶升机构300所对应的容纳槽处，顶升至晶圆500所在的位置接住晶圆500。然后顶针310下降并将晶圆500转载至顶针310所对应的承载台200上。然后驱动件驱动环形叉指410升起，并将晶圆500转载至环形叉指410上，环形叉指410升至高于加热器100的位置，驱动件带动环形叉指410转动至下一个容纳槽所对应的位置处，然后环形叉指410下降，并将晶圆500转载至承载台200上。
机械手传输晶圆500的过程中，需要将顶升机构300所对应的承载台200空出，因此，每次在机械手传输晶圆500之前，需要将每个承载台200上承载的晶圆通过工位转换机构400传输至相邻的下一个承载台200上。依次循环多次，以使每个承载台200上均承载有晶圆500，从而完成传片工作。然后多个晶圆500同时进行加工工艺。
例如，如图3所示，承载台200的数量可以为六个。顶升机构300所对应的承载台200为1号承载台，其他承载台依次为2号、3号、4号、5号和6号承载台。机械手传输晶圆500的过程中，晶圆500先传输至1号承载台上，工位转换机构400将1号承载台上的晶圆500传输至2号承载台。机械手重复为1号承载台传输晶圆500，工位转换机构400将1号承载台上的晶圆500传输至2号承载台，而原来2号承载台上的晶圆500传输至3号承载台。重复上述步骤，机械手每次为1号承载台传输一个晶圆500，每个承载台200上的晶圆500传输至下一个承载台200上，直到所有承载台200均承载有晶圆500。
当加工完成后的晶圆500需要传输出半导体腔室时，首先顶升机构300所对应的承载台200上的晶圆500首先传输出半导体腔室，然后依次将晶圆500传输至顶升机构300所对应的承载台200上，依次将晶圆500传输出半导体腔室。
本申请公开的实施例中，工艺时，晶圆500承载至承载台200上，每个环形叉指410位于其中一个容纳槽时，环形叉指410环绕承载台200，此时环形叉指410位于晶圆500的边缘区域，靠近晶圆中心的大部分区域均无环形叉指410穿过，因此环形叉指410对晶圆500的电磁场影响较小。另外，环形叉指410沿着晶圆500的周向设置，晶圆500周向分布的电磁场均匀性进一步提高。此时，晶圆500电磁场的均匀性较好，能够使得半导体腔室内的等离子体分布较为均匀，因此，本方案能够提高晶圆500的工艺均匀性。
相关技术中，如图1所示，叉指落入凹槽内，叉指的上表面低于加热器上表面，此时叉指所对的晶圆的区域和加热器的上表面所对应的晶圆的区域所形成的缝隙尺寸不同。工艺时，由于形成的缝隙尺寸的差别，缝隙中进入气体的流量不同，因此会造成晶圆温度不均匀。而本申请公开的实施例中，晶圆500加工时，承载至承载台200上，环形叉指410环绕在承载台200的外侧，因此承载台200上无需开设上述凹槽，使得承载台200与晶圆500形成的缝隙的尺寸相同，缝隙中进入的气体的流量基本相同，从而使得晶圆500的温度均匀性较高。
本申请公开的实施例相比于采用整体承载盘上设置多个工位，且承载盘转动的方式来说，承载盘与加热器之间需要预留间隙，来使得承载盘转动，承载盘在转动或者安装过程中容易造成其与加热器之间的间隙不同，因此多个工位之间的加热温度不同，造成站位间差异。而本申请公开的实施例中，每个承载台200设置于加热器100的对应的容纳槽上，因此多个承载台200与加热器100的装配间隙相同，因此每个工位的温度基本相同，从而不容易出现站位间差异，进一步提高了工艺均匀性。
上述实施例中，晶圆500支撑在承载台200时，环形叉指410可以与晶圆500的边缘相贴合，具体地，环形叉指410和承载台200同时支撑晶圆500。当然，环形叉指410也可以不与晶圆500的边缘相贴合。在环形叉指410和承载台200不同时支撑晶圆500的情况下，晶圆500与环形叉指410的间隙应该越小越好。
在另一种可选的实施例中，环形叉指410可以包括第一环体411、第二环体412和连接件414，第一环体411可以环绕第二环体412设置，且第一环体411与第二环体412可拆卸连接，第一环体411可以通过连接件414与驱动件相连接。第二环体412可以用于承载晶圆500，每个环形叉指410位于其中一个容纳槽时，第二环体412可以环绕承载台200设置。此方案中，第二环体412用于承载晶圆500，第一环体411用于支撑第二环体412，第一环体411与第二环体412可拆卸连接，因此通过更换第二环体412，能够实现不同尺寸的晶圆500的承载，从而提高承载装置的兼容性。
具体地，第二环体412的外径尺寸已经确定，因此可以通过选用不同内径的第二环体412，以实现不同尺寸的晶圆500的承载。
在另一种可选的实施例中，第二环体412的内周壁具有环形容置槽，用以支撑晶圆500的下表面的边缘区域。容置槽的内径比晶圆500的直径小，容置槽内边缘与晶圆的边缘的距离不大于1mm。容置槽的外径比晶圆的直径大1mm-1.5mm。这里的容置槽内径就是容置槽的内边缘的直径，容置槽的外径就是容置槽外边缘的直径。
此方案中，晶圆500在传输的过程中能够位于容置槽内，容置槽的内壁能够对晶圆500进行限位，从而防止晶圆500发生滑动而掉落。另外，容置槽的内径比晶圆500的直径小，从而使得容置槽能够对晶圆500进行支撑，而容置槽内边缘与晶圆500的边缘的距离不大于1mm，使得容置槽与晶圆500的搭接面积小，因此进一步减小对晶圆500均匀性的影响。此外，容置槽的外径比晶圆500的直径大1mm-1.5mm，此时，容置槽与晶圆500的间隙小，因此进一步提高了晶圆500的工艺均匀性。
上述实施例中，承载台200也会限制承载装置的兼容性。为此，在另一种可选的实施例中，承载台200与加热器100可拆卸连接。此方案中，通过选用不同尺寸的承载台200和不同内径的第二环体412，能够进一步提高承载装置的兼容性。
在另一种可选的实施例中，第二环体412的外侧面径向可以延伸有搭接凸起413，搭接凸起413可以环绕第二环体412设置，搭接凸起413搭接在第一环体411的顶面上。此方案中，第一环体411与第二环体412装配时，仅需要将第二环体412搭接在第一环体411上，从而方便第一环体411和第二环体412安装和拆卸。
由于第一环体411和第二环体412发生相对转动和滑动，从而造成第一环体411和第二环体412发生错位。基于此，在另一种可选的实施例中，连接件414可以设置有第一定位部4111，搭接凸起413可以设置有第二定位部4121，第一定位部4111和第二定位部4121相互配合，以实现定位。此方案中，第二环体412在第一环体411上的安装位置可以通过第一定位部4111和第二定位部4121确定，从而使得第一环体411和第二环体412在装配时能够保持同心，避免发生错位，提高晶圆500的位置精度。
可选地，第一定位部4111可以是设置于连接件414顶部的定位凸起，第二定位部4121可以是开设于搭接凸起413底面上的定位凹槽或定位孔，定位凸起可以位于定位凹槽或定位孔内。
在另一种可选的实施例中，工位转换机构400还可以包括转盘420，转盘420与驱动件相连接，连接件414与转盘420相连接，驱动件通过转盘420和连接件414驱动第一环体411运动。
转盘420可以包括固定盘421和压盘422，压盘422与固定盘421叠置，固定盘421与驱动件相连接。连接件414部分位于固定盘421与压盘422之间，固定盘421与压盘422压接每个连接件414。
此方案中，连接件414通过固定盘421与压盘422压接固定，因此连接件414仅需要放置于固定盘421与压盘422之间，然后紧固固定盘421与压盘422即可实现连接件414的固定，从而使得工位转换机构400的结构简单，装配方式简单。
另外，连接件414压接在固定盘421与压盘422之间，连接件414与压盘422或固定盘421之间的单一部件无连接，因此连接件414可以在固定盘421与压盘422之间位置可调节，连接件414的位置改变，环形叉指410的位置也发生改变，因此可以通过调节连接件414的位置，从而调节环形叉指410的位置，以解决由于环形叉指410与加热器100的热膨胀量不同导致的承载台200与环形叉指410不同心的问题。
可选地，固定盘421与压盘422通过螺钉和垫片固定。为了防止螺钉被腐蚀，螺钉上可以包裹有耐腐蚀层，耐腐蚀层可以采用树脂等材料制作。
为了方便对调节连接件414的位置，在另一种可选的实施例中，压盘422可以开设有沿径向延伸的第一调节孔4221，连接件414可以开设有第二调节孔4141，第一调节孔4221可以与第二调节孔4141相对，第二调节孔4141的正投影位于第一调节孔4221的正投影内。第二调节孔4141的正投影位于第一调节孔4221的正投影内，此时，第二调节孔4141的尺寸小于第一调节孔4221的尺寸，因此第二调节孔4141外露于第一调节孔4221，因此操作人员可以通过第二调节孔4141驱动连接件414，从而对连接件414的位置进行调节。
例如，操作人员可以通过使用细的六角扳手通过调节第二调节孔4141相对第一调节孔4221的位置，进而对连接件414的位置进行调节。
可选地，第一调节孔4221可以为条形孔，当然也可以为其他结构，本文不作限制。
此方案中，连接件414调节时，仅需要拧松压盘422与固定盘421的固定件，通过第二调节孔4141调节连接件414，连接件414调节完成后，紧固固定件，以固定压盘422与固定盘421的固定件，使得连接件414的调节方式简单，可靠。
可选地，压盘422与固定盘421可通过螺栓紧固，当然，还可以通过其他方式紧固，本文不作限制。第一调节孔4221可以为条状结构，当然，也可以为其他结构，本文不作限制。
上述实施例中，调节其中一个连接件414时，需要将需要拧松压盘422与固定盘421之间的螺栓，然而拧松螺栓后，所有的连接件414均没有固定，其他无需调节的连接件414容易发生移动，从而造成环形叉指410的位置发生变化。
基于此，在另一种可选的实施例中，压盘422可以由多个扇形板依次拼接而成，每个扇形板压盖一个连接件414。此方案中，当需要调节对应的环形叉指410时，仅需拧松相应的扇形压板的螺栓即可，其他环形叉指410对应的扇形板的螺栓无需拧松，从而使得其他环形叉指410的位置不会发生变化，进而提高环形叉指410的调节可靠性。
在另一种可选的实施例中，连接件414与环形叉指410可拆卸连接。此方案中，当环形叉指410或连接件414中的任一者损坏时，方便更换，从而提高工位转换机构400的可维修性能。
在另一种可选的实施例中，顶升机构300还可以包括支撑座320和配重块330，驱动源与支撑座320相连接，顶针310和配重块330均设置于支撑座320，驱动源通过支撑座320带动顶针310和配重块330升降。此方案中，支撑座320和配重块330能够提高顶针310移动的稳定性，从而使得顶针310承载晶圆移动时不容从顶针310上掉落，进而提高顶升机构300的可靠性。
上述实施例中，在晶圆500承载至承载台200上时，承载台200可以与晶圆相贴合，也就是说，晶圆500直接放置在承载台200上，晶圆500的背面与承载台200的顶面相贴合。
在另一种可选的实施例中，承载台200可以设置有多个支撑凸起220，多个支撑凸起220均可以间隔分布在承载台200的顶面上，多个支撑凸起220可以用于共同支撑晶圆500。此方案中，晶圆500在承载至承载台200上时，多个支撑凸起220共同支撑晶圆500，使得晶圆500与承载台200之间具有间隙，此时，晶圆500和承载台200形成的电容结构进一步提高晶圆500的电磁场均匀性，进一步晶圆500的工艺均匀性。
具体地，支撑凸起220的数量可以为三个，当然还可以为其他数量，本文不作限制。
进一步地，支撑凸起220凸出承载台200的顶面的距离大于0mm，小于或等于0.5mm。这里支撑凸起220凸出承载台200的顶面的距离可以理解为，承载台200的顶面距离与支撑凸起220的顶部之间的距离。也就是说，晶圆500承载在承载台200上时，晶圆500的底面与承载台200的顶面之间的距离大于0mm，小于或等于0.5mm。此方案既能够提高晶圆500的工艺均匀性，还能使得晶圆500与承载台200之间的间隙小，不容影响承载台200对晶圆500的加热操作。
在另一种可选的实施例中，承载台200的顶面可以开设有容置槽，支撑凸起220的部分可以位于容置槽内。此时，支撑凸起220可以位于容置槽内，从而便于支撑凸起220的安装和制作。
上述实施例中，支撑凸起220安装入容置槽时，容置槽底壁和侧壁与支撑凸起220的间隙特别小，因此容置槽底壁和侧壁与支撑凸起220的间隙内的气体难以排出。
为此，在另一种可选的实施例中，沿支撑凸起220的厚度方向开设有与容置槽的槽底连通的排气孔221，用于将支撑凸起220与容置槽之间的气体排出。此方案中，支撑凸起220为中空结构，容置槽底壁和侧壁与支撑凸起220的间隙内的空气可以通过排气孔221排出，从而能够保证容置槽内的空气抽干净，不容易造成容置槽内的空气残留。
可选地，支撑凸起220可以为柱状结构、点状结构，当然，还可以为其他结构，本文不作限制。在另一种可选的实施例中，支撑凸起220可以为柱状结构，承载台200上可以开设有安装槽，支撑凸起220的部分安装在安装槽内。可选的，排气孔221的一端开口设在支撑凸起220的底部与容置槽的底部相对，另一端开口设在支撑凸起220的高出承载台200顶面的侧壁。
可选地，支撑凸起220可以采用陶瓷、蓝宝石等材料制作。
基于本申请上述任一实施例的承载装置，本申请实施例还公开一种半导体腔室，所公开半导体腔室具有上述任一实施例的承载装置。
本申请公开的半导体腔室还包括腔室本体，承载装置位于腔室本体内。
本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (14)

1.一种半导体腔室的承载装置，其特征在于，包括：
加热器(100)，所述加热器(100)具有沿其周向间隔分布的多个容纳槽，至少一个所述容纳槽上开设有沿所述加热器(100)厚度方向贯穿的第一通孔(110)；
多个承载台(200)，每个所述承载台(200)设置于所述加热器(100)的一个所述容纳槽内，所述承载台(200)用于承载晶圆(500)，至少一个所述承载台(200)设置有沿其厚度方向贯穿的第二通孔(210)，所述第一通孔(110)与所述第二通孔(210)相对设置；
顶升机构(300)，所述顶升机构(300)位于所述加热器(100)的下方，所述顶升机构(300)的顶针(310)依次穿过第一通孔(110)和第二通孔(210)，所述顶升机构(300)用于驱动所述晶圆(500)升降；
工位转换机构(400)，所述工位转换机构(400)用于所述晶圆(500)在多个所述承载台(200)之间传输，所述工位转换机构(400)包括驱动件和多个环形叉指(410)，多个所述环形叉指(410)沿所述驱动件的周向间隔分布，且与多个所述承载台(200)对应设置，所述环形叉指(410)用于承载所述晶圆(500)，所述驱动件驱动多个所述环形叉指(410)转动和升降，每个所述环形叉指(410)位于其中一个所述容纳槽时，所述环形叉指(410)环绕所述承载台(200)。
2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述环形叉指(410)包括第一环体(411)、第二环体(412)和连接件(414)，所述第一环体(411)环绕所述第二环体(412)设置，且所述第一环体(411)与所述第二环体(412)可拆卸连接，所述第一环体(411)通过所述连接件(414)与所述驱动件相连接，所述第二环体(412)用于承载所述晶圆(500)，每个所述环形叉指(410)位于其中一个所述容纳槽时，所述第二环体(412)环绕所述承载台(200)设置。
3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述第二环体(412)的内周壁具有环形容置槽，用以支撑所述晶圆(500)的下表面的边缘区域；所述容置槽的内径比所述晶圆(500)的直径小，所述容置槽内边缘与所述晶圆(500)的边缘的距离不大于1mm；所述容置槽的外径比所述晶圆的直径大1mm-1.5mm。
4.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述承载台(200)与所述加热器(100)可拆卸连接。
5.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述第二环体(412)的外侧面径向延伸有搭接凸起(413)，所述搭接凸起(413)环绕所述第二环体(412)设置，所述搭接凸起(413)搭接在所述第一环体(411)的顶面上。
6.根据权利要求5所述的承载装置，其特征在于，所述连接件(414)设置有第一定位部(4111)，所述搭接凸起(413)设置有第二定位部(4121)，所述第一定位部(4111)和所述第二定位部(4121)相互配合，实现定位。
7.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述工位转换机构(400)还包括转盘(420)，所述转盘(420)与所述驱动件相连接，所述连接件(414)与所述转盘(420)相连接，所述驱动件通过所述转盘(420)和所述连接件(414)驱动所述第一环体(411)运动；
所述转盘(420)包括固定盘(421)和压盘(422)，所述压盘(422)与所述固定盘(421)叠置，所述固定盘(421)与所述驱动件相连接，所述连接件(414)部分位于所述固定盘(421)与所述压盘(422)之间，所述固定盘(421)与所述压盘(422)压接所述连接件(414)。
8.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，所述压盘(422)开设有沿径向延伸的第一调节孔(4221)，所述连接件(414)开设有第二调节孔(4141)，所述第一调节孔(4221)与所述第二调节孔(4141)相对，所述第二调节孔(4141)的正投影位于所述第一调节孔(4221)的正投影内。
9.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，所述压盘(422)由多个扇形板依次拼接而成，每个扇形板压盖一个所述连接件(414)。
10.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述顶升机构(300)还包括驱动源、支撑座(320)和配重块(330)，所述驱动源与所述支撑座(320)相连接，所述顶针(310)和所述配重块(330)均设置于所述支撑座(320)，所述驱动源通过所述支撑座(320)带动所述顶针(310)和所述配重块(330)升降。
11.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载台(200)设置有多个支撑凸起(220)，多个所述支撑凸起(220)均间隔分布在所述承载台(200)的顶面上，多个所述支撑凸起(220)用于共同支撑所述晶圆(500)。
12.根据权利要求11所述的承载装置，其特征在于，所述支撑凸起(220)凸出所述承载台(200)的顶面的距离大于0mm，小于或等于0.5mm。
13.根据权利要求11所述的承载装置，其特征在于，所述承载台(200)的顶面开设有容置槽，所述支撑凸起(220)的部分位于所述容置槽内，沿所述支撑凸起(220)的厚度方向开设有与所述容置槽的槽底连通的排气孔(221)，所述排气孔(221)用于将所述支撑凸起(220)与所述容置槽之间的气体排出。
14.一种半导体腔室，其特征在于，包括腔室本体和权利要求1至13中任一项所述的承载装置，所述承载装置位于所述腔室本体内。
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