CN112670230B - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112670230B
CN112670230B CN202011095077.3A CN202011095077A CN112670230B CN 112670230 B CN112670230 B CN 112670230B CN 202011095077 A CN202011095077 A CN 202011095077A CN 112670230 B CN112670230 B CN 112670230B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
pin
pin portion
processing apparatus
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011095077.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112670230A (zh
Inventor
崔宇镇
朴永秀
金学杜
金永镐
朴商弼
许成壹
许东根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STI Co Ltd
Original Assignee
STI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STI Co Ltd filed Critical STI Co Ltd
Publication of CN112670230A publication Critical patent/CN112670230A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112670230B publication Critical patent/CN112670230B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种基板处理装置，该基板处理装置由于能够在一个装置内处理大小不同的基板而不需要部件更换时间及装置启动准备时间，从而能够提升工序效率。用于实现此的本发明的基板处理装置用于处理基板，包括：平台，为了加热或者冷却所述基板而配备；升降销，配备为沿上下方向贯通所述平台而支撑所述基板的底面，并且以用于安置彼此不同大小的基板的方式形成有至少两个销部。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种能够在一个装置内处理彼此不同的大小的基板的基板处理装置。
背景技术
通常，在半导体工序中，可以在多样的条件下的基板处理工序，例如在与外部隔离的腔室内部进行加热或者冷却基板等。进行如上所述的基板处理工序的基板处理装置中配备有支撑基板的底面的基板支撑销。
所述基板被不同的半导体制造商制造成多样的大小，而制造所述基板处理装置的公司会制造用于处理半导体制造商要求的大小的基板的装置。由于半导体制造商要求的基板的大小彼此不同，因此，在处理预定的大小的基板之后，为了处理或移送不同大小的基板，需要更换装置的部分构成部件而进行设置。
如上所述，为了更换装置的部分构成部件，存在需要更换准备时间、更换时间、装置启动准备时间等大量的时间的问题。
作为用于处理基板的基板处理装置的现有技术，公开有韩国授权专利第一0-1491992号。
在所述现有技术中配备有为了将基板移送到另一腔室而可旋转的转盘，在所述转盘配备有安置基板的安置环。所述安置环只能安置一个大小的基板，因而如果要安置不同大小的基板则需要更换较多的部件。
发明内容
本发明为了解决上述的诸多问题而提出，其目的在于提供一种由于能够在一个装置内处理大小不同的基板而不需要部件更换时间及装置启动准备时间，从而能够提升工序效率的基板处理装置。
用于达成上述的目的的本发明的基板处理装置，用于处理基板，包括：平台，为了加热或者冷却所述基板而配备；升降销，配备为沿上下方向贯通所述平台而支撑所述基板的底面，并且以用于安置彼此不同大小的基板的方式形成有至少两个销部。
所述升降销可以沿所述平台内侧区域的边缘而配备有多个。
所述至少两个销部包括：第一销部，安置第一基板；第二销部，安置与所述第一基板大小不同的第二基板，所述第一销部可以以所述平台的中心为基准相比于所述第二销部位于外侧。
所述第一销部和第二销部可以在沿所述基板的中心方向隔开的位置以具有阶梯差的方式形成。
所述第一销部的上端位置高于所述第二销部的上端位置，并且在所述第一销部与所述第二销部之间，可以以高度低于所述第一销部的上端和所述第二销部的上端的方式凹入地形成。
所述至少两个销部分别具有上下方向的长度，并且水平剖面可以形成为圆形的棒状。
所述至少两个销部可以包括：第一销部，从所述升降销的上端中央部向上延伸；多个第二销部，以上端位置低于所述第一销部的上端位置的方式配备于所述第一销部的周围。
所述多个第二销部沿可以所述第一销部的周围相隔预定间隔而配备，并且配备为，以所述第一销部为中心，从所述第一销部的距离彼此相同。
所述多个第二销部的上端高度可以均相同。
所述至少两个销部包括：第一销部，安置第一基板；第二销部，安置与所述第一基板大小不同的第二基板，在将所述基板安置到所述升降销时，所述基板的边缘位置可以借由所述第一销部的侧面而被引导。
所述基板处理装置可以配备有：升降销驱动部，提供用于使所述升降销沿上下方向升降的驱动力；以及平台驱动部，提供用于使所述平台沿上下方向升降的驱动力。
根据本发明的基板处理装置能够在无额外地更换部件的情况下在一个基板处理装置内处理彼此不同大小的基板，从而能够缩短基板处理所需的时间，进而提升工序效率。
附图说明
图1是表示本发明的基板处理装置的平面图。
图2是表示本发明的基板处理装置中各个腔室的内部结构的立体图。
图3是表示本发明的基板处理装置的平台中设置有升降销的状态的立体图。
图4是表示构成根据本发明的基板处理装置的升降销的立体图。
图5是构成根据本发明的基板处理装置的升降销的侧面图。
图6是表示根据本发明的基板处理装置中第一基板被升降销支撑的状态的图。
图7是表示根据本发明的基板处理装置中第二基板被升降销支撑的状态的图。
图8是表示本发明的基板处理装置中在第一空间和第二空间被隔离的状态下基板被升降销支撑的状态的剖面图。
图9是表示在图8的状态下升降销下降而基板安置于平台上表面的状态的剖面图。
图10是表示在图9的状态下平台与升降销下降至转盘环安置于转盘主体的位置的状态的剖面图。
图11是表示在图10的状态下转盘上升而基板从平台上表面隔开的状态的剖面图。
图12是表示在图11的状态下转盘旋转而第一腔室的基板被移送到第二腔室的状态的剖面图。
附图标记说明：
1：基板处理装置 2：设备前端模块
2a：基板装载部 2b：基板移送部
100：第一腔室 100a：上部腔室
100b：下部腔室 100c：薄片部
110、210、310、410、510：平台 160：升降销
161：第一销部 162：第二销部
163：销主体 164：间隔部
200：第二腔室 300：第三腔室
400：第四腔室 500：第五腔室
600：转盘 610：转盘主体
620：开口部 630：转盘环
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施例的构成及作用进行详细说明。
参照图1及图2对根据本发明的一实施例的基板处理装置进行说明。
所述基板处理装置1包括：多个腔室100、200、300、400、500，为了处理基板而沿圆周方向以预定间隔布置；转盘600，配备为为了在所述多个腔室100、200、300、400、500之间移送基板而旋转。
在本发明的基板处理装置1中作为一例，可以执行回流工序。并且，本发明的基板处理装置1中，在不是执行回流工序的情况下也可以执行使用热的工序。并且，本发明除了在图1中示出的装置以外也可以应用于多样的基板处理装置中。
所述多个腔室100、200、300、400、500可以包括：第一腔室100，进行所述基板的装载和卸载；第二腔室200、第三腔室300、第四腔室400，用于对装载在所述第一腔室100的基板加热而进行热处理；第五腔室500，冷却在所述第四腔室400中经过热处理的基板。
在所述第一腔室100中进行基板的装载及卸载，不仅如此，还执行依次经过所述第二腔室200、第三腔室300、第四腔室400、第五腔室500而被加热处理的基板的冷却，并且在所述第二腔室200、第三腔室300、第四腔室400、第五腔室500中可以执行伴随基板的加热处理的工序。
所述第五腔室500可以构成为在第一腔室100的冷却之前执行冷却工序。此时，所述第五腔室500也可以构成为配备加热器以加热基板，但是将基板的加热温度设定为低于在第四腔室400中加热基板的温度，从而实现基板的冷却。
所述第一腔室100的一侧连接设置有设备前端模块2(EFFM：Equipment Front EndModule)。
所述设备前端模块2具有如下功能：将装载于基板装载部2a的未处理的基板利用配备于基板移送部2b的移送机器人(未示出)装载到基板处理装置1的第一腔室100，或者将基板处理装置1中已完成处理的基板从第一腔室100卸载而装载到基板装载部2a。
所述第二腔室200、第三腔室300、第四腔室400、第五腔室500中加热基板的温度可以设定为100℃至450℃。并且，所述第二腔室200、第三腔室300、第四腔室400、第五腔室500分别可以配备有为了加热基板而产生热的加热器。所述加热器的形状和大小可以变更为多种多样，所述加热器可以分别配备于基板的上部和下部。
所述第一腔室100、第二腔室200、第三腔室300、第四腔室400、第五腔室500可以各自配备有平台110、210、310、410、510。所述第一腔室100的平台110的上表面安置基板，可以通过冷却单元而对基板进行冷却。除了所述第一腔室100的平台110以外的其余腔室200、300、400、500的平台210、310、410、510配备有加热器，从而可以实现对基板施加热的处理。
配备有主体外壳10，该主体外壳10围绕所述第一腔室100、第二腔室200、第三腔室300、第四腔室400、第五腔室500及转盘600的整个外侧，并具有能够设置所述各个部件的支撑架的功能。
所述主体外壳10中，在对应于所述平台110、210、310、410、510的位置形成有开口部101、102、103、104、105，使所述平台110、210、310、410、510能够上下贯通所述主体外壳10而设置。
所述转盘600包括：转盘主体610，借由转盘驱动部(未示出)而旋转；多个开口部620，贯通所述转盘主体610并以对应于所述多个腔室100、200、300、400、500的数量沿圆周外围而形成；环形的转盘环630，配备为支撑并安置在各个所述开口部620的边缘位置的状态下能够从所述转盘主体610分离。
所述转盘驱动部可以配备为能够使转盘600旋转，并且能够使转盘600以上下方向升降。借由如此的构成，可以执行将基板从一个腔室移送到相邻的腔室的功能。
所述第一腔室100、第二腔室200、第三腔室300、第四腔室400、第五腔室500各自配备有多个所述基板支撑销700。配备于各个腔室的所述多个基板支撑销700配备为沿中央的平台110、210、310、410、510的外围而以预定间隔隔开布置。
所述第一腔室100、第二腔室200、第三腔室300、第四腔室400、第五腔室500配备有安置基板W或用于加热基板的平台110、210、310、410、510，并且配备有通过上下贯通所述平台110、210、310、410、510且支撑所述基板W的底面而使基板升降的升降销160。
提供用于使所述平台110、210、310、410、510沿上下方向升降的驱动力的平台驱动部(未示出)配备为对应于所述多个平台110、210、310、410、510。
并且，配备有提供用于使所述平台110、210、310、410、510沿上下方向升降的驱动力的升降销驱动部(未示出)。
参照图3至图5对根据本发明的升降销的构成进行说明。
所述升降销包括：销主体163，构成升降销的主体；至少两个销部161、162，形成在所述销主体163的上表面，以能够安置彼此不同大小的基板。
所述销主体163可以形成为圆柱形状，其上端面向上突出地形成有所述至少两个销部161、162。
所述销主体163的下部连接于升降销驱动部(未示出)，当所述升降销驱动部驱动时，所述升降销160沿上下方向升降。
所述升降销160在各个所述平台110、210、310、410、510的内侧区域以上下贯通平台的方式以预定间隔隔开设置有多个。以下，以配备于所述多个平台中的第一腔室100的平台110为基准进行说明。
所述至少两个销部包括：第一销部161，安置第一基板；第二销部162，安置与所述第一基板大小不同的第二基板。
所述第一销部161和第二销部162可以分别具有上下方向的长度，并且水平剖面形成为圆形的棒状。
所述第一销部161可以配备为从所述销主体163的上端中央部向上延伸。在这种情况下，所述第二销部162可以围绕第一销部161而配备有多个。并且，所述第二销部162的上端位置可以配备为低于第一销部161的上端位置。当所述第一基板的大小大于所述第二基板的大小时，第一基板安置于第一销部161，并且第二基板安置于第二销部162。
所述多个第二销部162沿所述第一销部161的周围相隔预定间隔而配备，并且可以配备为，以所述第一销部161为中心，从所述第一销部161的距离彼此相同。并且，所述多个第二销部162可以构成为其上端高度均相同。若构成为如上所述的构成，则在将所述升降销160设置于所述平台110的情况下，与设置的方向性无关地能够稳定地支撑第一基板和第二基板。
所述第二销部162还可以构成为仅配备于第一销部161的一侧，而并非沿着第一销部161的周围而以预定间隔配备。此时，所述第一销部161应配备为以所述平台110的中心为基准相比于所述第二销部162位于外侧。因此，在组装所述升降销160时，应以具有方向性的方式进行组装。
在所述第一销部161和第二销部162之间可以形成有间隔部164。通过所述间隔部164而最小化所述第一基板或第二基板的底面与所述第一销部161或第二销部162之间的接触面积，从而在进行热处理的情况下，可以最小化所述升降销160的热通过所述第一销部161或者第二销部162被传递到所述第一基板或者第二基板。
并且，所述第一销部161和第二销部162可以在沿着基板的中心方向隔开的位置处以具有阶梯差的方式形成。换句话说，还可以构成为，其剖面形状从所述第一销部161到所述第二销部162形成阶梯形状。此时，还可以构成为，所述第一销部161的上端位置高于所述第二销部162的上端位置，并且在所述第一销部161与所述第二销部162之间，以高度低于所述第一销部161的上端和所述第二销部162的上端的方式凹入地形成。
在所述基板为第二基板的情形下，在所述第二基板安置于所述升降销160时，所述第二基板的边缘位置可以借由所述第一销部161的侧面而被引导。因此，所述第二基板可以被稳定地安置。此时，为了引导所述第二基板的边缘位置，优选地，所述第一销部161形成为棒形状。
参照图6，第一基板W1安置于第一销部161上。所述第一基板W1的底面仅接触于第一销部161的上端，并且与第二销部162的上端和位于间隔部164的下部的销部主体163的上表面隔开而未接触。
参照图7，直径小于所述第一基板W1的第二基板W2安置于第二销部162上。所述第二基板W2的底面仅与第二销部162接触。在所述第二基板W2被安置到第二销部162上的过程中，第二基板W2的边缘位置可以借由第一销部161的侧面而被引导。
如此，由于将互不相同的大小的第一基板W1与第二基板W2在无额外地更换部件的情况下能够在一个基板处理装置中进行基板处理，因此不需要部件更换的时间，从而能够提升工序效率。
参照图8针对作为所述多个腔室100、200、300、400、500中的一个的本发明的配备有基板支撑销700的第一腔室100的结构及内部构成进行说明。
所述第一腔室100由上部腔室100a和配备于所述上部腔室100a的下侧的下部腔室100b组成。
所述上部腔室100a的内部形成有第一空间S1，所述下部腔室100b的内部形成有第二空间S2。
所述第一腔室100中基板W的装载及卸载是在所述第一空间S1与第二空间S2在空间上隔离而互不连通的状态下执行。
所述第一空间S1具有借由移送机器人而装载基板装载部2a的基板W或借由移送机器人将已完成基板处理的基板W卸载到基板装载部2a的作为装载锁定部的功能。
所述第二空间S2布置有转盘600，并且与相邻的另外腔室200、300、400、500连通而提供各个腔室100、200、300、400、500之间移送基板W的通路。即，所述第二空间S2具有将装载的基板从第一腔室100移送到第二腔室200的通路的功能、将所述第五腔室500中已完成处理的基板移送到装载锁定部的通路的功能以及卸载之前执行基板的冷却的作为工序腔室的功能。
所述上部腔室100a的一侧面形成用于使装载及卸载的基板的出入的开口部(未示出)，所述开口部通过闸阀(未示出)进行开闭。
所述第一腔室100配备有如下部件：平台110，安置基板W；升降销160，支撑所述基板W的底面而升降基板。
所述平台110可以配备有用于冷却装载在平台110的上部的基板的冷却方式(未示出)。并且，可以配备有提供驱动力以使所述平台110能够沿上下方向进行升降的平台驱动部(未示出)。
所述上部腔室100a与下部腔室100b的边界部分形成有向内侧突出的薄片部100c。所述平台110与转盘环630上升，从而所述转盘环630的上表面紧贴于所述薄片部100c。所述转盘环630的上表面与所述薄片部100c之间夹设有第一密封部件170，从而保持气密。并且，所述转盘环630的底面与平台110的上表面之间夹设有第二密封部件180，从而保持气密。在这种状态下，第一腔室100的内部空间以平台110为基准其上侧的第一空间S1与下侧的第二空间S2相互隔离。
配备有贯通所述平台110的升降销160。配备有用于使所述升降销160沿上下方向升降的升降销驱动部(未示出)。如果驱动所述升降销驱动部而使所述升降销160上升或下降，则可以在升降销160的上端支撑基板W的底面的状态下实现基板W的升降。
平台110与升降销160借由所述平台驱动部与升降销驱动部的驱动而成为上升的状态。在此状态下将会借由移送机器人将基板W从基板装载部2a装载到上部腔室100a的内部或者将上部腔室100a内部的基板W卸载到基板装载部2a。
图9表示在图8的状态下驱动升降销驱动部而使升降销160下降的状态。若所述升降销160下降，则基板W将安置于平台110上。
图10表示在图9的状态下驱动平台驱动部而使平台110下降的状态。此时，升降销160借由升降销驱动部的驱动而向下移动。所述转盘环630和基板支撑销700与平台110一起下降，此时将下降到所述转盘环630安置于转盘主体610为止。
图11表示在图10的状态下驱动转盘驱动部而使转盘600上升的状态。若所述转盘600上升，则基板W在其底面被基板支撑销700支撑的状态下与转盘600一起上升。
图12表示在图11的状态下驱动转盘驱动部而使转盘600旋转的状态。若所述转盘600旋转，则基板W将从第一腔室100移送到相邻的第二腔室200。
如上所述，本发明并不局限于上述实施例，在不脱离权利要求书中请求的本发明的技术思想的情况下，本发明所属的技术领域中配备基本知识的人员可实现显而易见的变形实施，这些变形实施属于本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，用于处理基板，包括：
平台，为了加热或者冷却所述基板而配备；
多个升降销，配备为沿上下方向贯通所述平台而支撑所述基板的底面，并且以用于安置彼此不同大小的基板的方式形成有至少两个销部，
其中，所述至少两个销部包括：
第一销部，从所述升降销的上端中央部向上延伸；
多个第二销部，以上端位置低于所述第一销部的上端位置的方式配备于所述第一销部的周围。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
多个所述升降销沿所述平台内侧区域的边缘而配备。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一销部中安置有第一基板，在所述第二销部中安置有与所述第一基板大小不同的第二基板。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一销部和第二销部在沿所述基板的中心方向隔开的位置以具有阶梯差的方式形成。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一销部与所述第二销部之间，以高度低于所述第一销部的上端和所述第二销部的上端的方式凹入地形成。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述至少两个销部分别具有上下方向的长度，并且水平剖面形成为圆形的棒状。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个第二销部沿所述第一销部的周围相隔预定间隔而配备，并且配备为，以所述第一销部为中心，从所述第一销部的距离彼此相同。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个第二销部的上端高度均相同。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述至少两个销部包括：第一销部，安置第一基板；第二销部，安置与所述第一基板大小不同的第二基板，
在将所述基板安置到所述升降销时，所述基板的边缘位置借由所述第一销部的侧面而被引导。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
配备有：升降销驱动部，提供用于使所述升降销沿上下方向升降的驱动力；以及平台驱动部，提供用于使所述平台沿上下方向升降的驱动力。
CN202011095077.3A 2019-10-15 2020-10-14 基板处理装置 Active CN112670230B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190127940A KR102301191B1 (ko) 2019-10-15 2019-10-15 기판처리장치
KR10-2019-0127940 2019-10-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112670230A CN112670230A (zh) 2021-04-16
CN112670230B true CN112670230B (zh) 2023-12-05

Family

ID=75403266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011095077.3A Active CN112670230B (zh) 2019-10-15 2020-10-14 基板处理装置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102301191B1 (zh)
CN (1) CN112670230B (zh)
TW (1) TWI759907B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024035614A1 (en) * 2022-08-12 2024-02-15 Applied Materials, Inc. Multi-size wafer handling frame

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06151550A (ja) * 1992-11-05 1994-05-31 Toshiba Corp ウェハーフォーク
KR980012221A (ko) * 1996-07-22 1998-04-30 김광호 웨이퍼의 자동 정렬장치
KR20120079288A (ko) * 2011-01-04 2012-07-12 권종수 서로 다른 사이즈의 기판을 고정할 수 있는 척 장치
CN102646612A (zh) * 2010-11-24 2012-08-22 台湾积体电路制造股份有限公司 用于将尺寸不同的晶圆居中的可重构导销设计
TW201324653A (zh) * 2011-08-17 2013-06-16 Tokyo Electron Ltd 半導體製造裝置及處理方法
CN103794532A (zh) * 2012-10-31 2014-05-14 千住金属工业株式会社 找位夹具和位置调整方法
CN104600018A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种基板烘烤支承装置
KR101653243B1 (ko) * 2015-05-11 2016-09-02 (주)이노맥스 스핀 척
CN108206146A (zh) * 2016-12-16 2018-06-26 系统科技公司 基板的连续处理装置以及方法
CN108565237A (zh) * 2018-05-30 2018-09-21 郑州恒之博新能源科技有限公司 一种夹持升降型转运设备

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07114233B2 (ja) * 1992-04-01 1995-12-06 株式会社ニコン 基板の位置決め装置
KR20050120905A (ko) * 2004-06-21 2005-12-26 삼성전자주식회사 반도체 기판 지지용 핀 및 이를 갖는 급속 열처리 장치
TWI667722B (zh) * 2014-02-27 2019-08-01 日商斯克林集團公司 基板處理裝置
JP6219522B2 (ja) 2014-07-29 2017-10-25 シャープ株式会社 基板処理装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06151550A (ja) * 1992-11-05 1994-05-31 Toshiba Corp ウェハーフォーク
KR980012221A (ko) * 1996-07-22 1998-04-30 김광호 웨이퍼의 자동 정렬장치
CN102646612A (zh) * 2010-11-24 2012-08-22 台湾积体电路制造股份有限公司 用于将尺寸不同的晶圆居中的可重构导销设计
KR20120079288A (ko) * 2011-01-04 2012-07-12 권종수 서로 다른 사이즈의 기판을 고정할 수 있는 척 장치
TW201324653A (zh) * 2011-08-17 2013-06-16 Tokyo Electron Ltd 半導體製造裝置及處理方法
CN103794532A (zh) * 2012-10-31 2014-05-14 千住金属工业株式会社 找位夹具和位置调整方法
CN104600018A (zh) * 2013-10-30 2015-05-06 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种基板烘烤支承装置
KR101653243B1 (ko) * 2015-05-11 2016-09-02 (주)이노맥스 스핀 척
CN108206146A (zh) * 2016-12-16 2018-06-26 系统科技公司 基板的连续处理装置以及方法
CN108565237A (zh) * 2018-05-30 2018-09-21 郑州恒之博新能源科技有限公司 一种夹持升降型转运设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN112670230A (zh) 2021-04-16
TW202117919A (zh) 2021-05-01
TWI759907B (zh) 2022-04-01
KR20210044586A (ko) 2021-04-23
KR102301191B1 (ko) 2021-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7332691B2 (en) Cooling plate, bake unit, and substrate treating apparatus
KR20180070755A (ko) 기판의 연속 처리 장치 및 방법
CN112670230B (zh) 基板处理装置
KR101680071B1 (ko) 열처리 장치 및 열처리 방법
KR102516087B1 (ko) 휜 기판 기능을 갖는 배치 기판 지지부
KR101940580B1 (ko) 로드록 챔버와, 그를 이용하여 기판을 처리하는 방법
KR102166269B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR102295249B1 (ko) 기판처리장치
CN113097113B (zh) 基板处理装置
KR102367302B1 (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판이송방법
KR100526924B1 (ko) 반도체 제조용 챔버의 웨이퍼 리프트 장치
CN111048444B (zh) 加热板冷却方法和基板处理装置及方法
KR101394109B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
KR20110045570A (ko) 열교환용 플레이트가 구비된 트랜스퍼 챔버 및 이를 구비한 반도체 제조장비
KR102053593B1 (ko) 리프트핀유닛의 이동방법 및 기판처리장치
KR20220067365A (ko) 기판 처리 장치
KR100861090B1 (ko) 열처리 장치
KR20170024216A (ko) 베이크 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102235493B1 (ko) 기판처리장치
KR102296280B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101521464B1 (ko) 열처리 장치
KR20020094353A (ko) 웨이퍼 쿨링 스테이지
KR20160127867A (ko) 서셉터 유닛을 포함한 급속 열처리 장치
KR100615094B1 (ko) 베이크장치의 핀어셈블리
CN116845024A (zh) 用于晶圆承载装置的顶针机构与晶圆承载装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant