KR20050120905A - 반도체 기판 지지용 핀 및 이를 갖는 급속 열처리 장치 - Google Patents

반도체 기판 지지용 핀 및 이를 갖는 급속 열처리 장치 Download PDF

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Abstract

반도체 기판 지지용 핀 및 상기 핀을 갖는 급속 열처리 장치에서, 상기 지지용 핀은 반도체 기판과 점접촉하는 다수개의 돌기와, 상기 돌기와 일체로 형성되어 상기 돌기를 지지하는 몸체를 포함한다. 가열 부재는 챔버 내에 배치된 다수의 상기 지지용 핀들 상에 지지된 반도체 기판을 가열하며, 상기 다수의 지지용 핀들은 회전 구동부에 의해 회전 가능하도록 배치된 플레이트 상에 지지된다. 따라서, 상기 다수의 돌기는 상기 반도체 기판과의 사이에서 마찰력을 증가시키므로, 상기 반도체 기판이 회전하는 동안 상기 마찰력이 원심력을 능가하게 되어 반도체 기판의 슬립(slip) 현상이 방지될 수 있다.

Description

반도체 기판 지지용 핀 및 이를 갖는 급속 열처리 장치{PIN FOR SUPPORTING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND RTP-APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 반도체 기판 지지용 핀 및 상기 지지용 핀을 갖는 급속 열처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 개선된 반도체 기판 지지용 핀 및 상기 지지용 핀을 이용하는 급속 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위한 단위 공정에는 여러 가지 열처리 공정이 요구되어진다. 예컨대, 실리콘 기판을 산화시켜 실리콘산화막(SiO2)으로 만들어 절연층, 에칭 마스크 또는 트랜지스터용 게이트 산화막으로 사용할 경우, 여러 가지 방법으로 형성된 박막의 어닐링(annealing) 공정 및 BPSG(borophosphosilicate glass)막과 같은 유동성 막의 평탄화를 위한 리플로우(reflow) 공정 등을 들 수 있다.
열처리 공정을 수행하는 장치로는 급속 열처리(Rapid Thermal Processing) 장치를 들 수 있으며, 급속 열처리 장치는 기존의 확산로에서 수행하던 다양한 공정을 대부분 수행할 수 있다.
상기 급속 열처리 장치는 가열과 냉각이 반도체 기판에서 고속으로 이루어지므로 초고집적 회로(VLSI) 공정에 적합한 불순물 재확산과 확산로 벽면으로부터 방출되는 오염 등을 방지할 수 있다는 점에서 널리 사용되고 있다.
상기와 같은 급속 열처리 장치에서 열처리 공정을 원활하게 수행하기 위해 최근 급속 열처리 장치의 구성 부재들에 대한 연구가 지속적으로 진행되고 있다. 특히 급속 열처리 장치에서 반도체 기판을 슬립(slip)시키지 않고 안정적으로 회전시키기 위한 노력이 더욱 활발하게 진행되고 있다.
이에 따라, 최근 회전하는 반도체 기판이 슬립되지 않도록 상기 반도체 기판을 지지하는 핀 구조를 개선할 필요성이 큰 관심사로 대두되고 있다.
상기 반도체 기판 지지용 핀에 대한 일 실시예가 대한민국특허청 등록실용신안공보 등록번호 제20-0301465호에 개시되어 있다.
도 1은 종래 반도체 기판 지지용 핀을 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1의 반도체 기판 지지용 핀을 갖는 급속 열처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 급속 열처리 장치(200)의 급속 열처리 챔버(210) 내부에 구비된 원판형 플레이트 (220)상에 3개의 반도체 기판 지지용 핀(100)들이 고정된다. 상기 각 지지용 핀(100)은 상단에 단일의 돌기(100a)을 갖는다.
그리하여, 상기 지지용 핀(100)들 상에 지지된 반도체 기판(W)은 상기 각 지지용 핀(W)과 단일의 점접촉을 한다.
상기 급속 열처리 챔버(210) 내부의 열은 가열부재(250)에 의해 발생하고, 상기 발생한 열은 상기 지지용 핀(100)들 상에 지지된 반도체 기판(W)에 가해진다. 상기 가열부재(250)는 다수의 램프(미도시) 등으로 구성된다.
상기 원판형 플레이트(220)는 회전축(230)과 연결되고 상기 회전축(230)은 모터(240)로부터 제공된 회전력에 의해 회전한다. 따라서, 상기 지지용 핀(100)들 상에 지지된 상기 기판(W)은 상기 원판형 플레이트(220)의 회전과 함께 회전하게 된다. 상기 기판(W)이 회전되는 동안 상기 가열부재(250)로부터 제공되는 열을 이용하여 상기 기판(W)을 급속 열처리한다.
하지만, 상기와 같은 급속 열처리 장치(200)에 사용되는 각 지지용 핀(100)은 반도체 기판(W)과 단일의 점접촉을 하므로써 상기 기판(W)과의 접촉 면적이 극히 미비하다.
따라서, 상기 지지용 핀(100)들 상에 지지된 반도체 기판(W)이 회전할 때, 상기 회전하는 기판(W)의 원심력이 상기 지지용 핀(100)들 상에 지지된 반도체 기판(W)과 상기 지지용 핀(100)들과의 마찰력보다 크게 되어 상기 지지용 핀(100)들로부터 미끄러지는 슬립현상이 발생한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 그 상에 지지된 반도체 기판의 슬립 현상을 방지할 수 있는 반도체 기판 지지용 핀 및 이를 갖는 급속 열처리 장치를 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 지지용 핀은, 반도체 기판과 점접촉하는 다수개의 돌기를 구비하고, 상기 돌기와 일체로 형성되어 상기 돌기를 지지하는 몸체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 급속 열처리 장치는, 반도체 기판에 대한 급속 열처리 공정(RTP process)을 수행하기 위한 챔버를 구비한다. 상기 챔버 내에 배치되고, 상기 반도체 기판과 점접촉하는 다수의 돌기와, 상기 돌기와 일체로 형성되어 상기 돌기를 지지하는 몸체를 포함하는 적어도 3개의 지지용 핀을 구비한다. 상기 챔버 내에서 회전 가능하도록 배치되어 상기 핀들을 지지하기 위한 플레이트를 구비한다. 상기 핀들 상에 지지된 반도체 기판을 가열하는 가열부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 반도체 기판 지지용 핀 구조를 개선시켜 상기 지지용 핀 상에 지지되어 회전하는 웨이퍼의 슬립 현상 등을 방지하므로써 열처리 공정을 원활하게 수행할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 지지용 핀을 나타낸 단면도이고, 도 4는 도 3의 반도체 기판 지지용 핀을 갖는 급속 열처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 일 실시예에 따른 반도체 기판 지지용 핀(300)은 반도체 기판(W)과 점접촉하는 다수개의 돌기(300a) 및 상기 돌기(300a)와 일체로 형성되어 상기 돌기(300a)를 지지하는 몸체(300b)를 포함한다.
상기 지지용 핀(300) 상에 상기 반도체 기판(W)이 놓일 때, 상기 반도체 기판(W)에 가해지는 충격을 완화하기 위해 상기 지지용 핀(300)의 몸체(300b) 등 일부 재질은 부드러운 실리콘 등으로 구성되어 있다.
상기 반도체 기판(W)과 직접 접촉하는 부분인 상기 돌기(300a)는 상기 반도체 기판(W)과 점접촉을 할 수 있도록 상기 지지용 핀(300) 상단이 볼 형상으로 구성되어 있다.
이와 같은 상기 돌기(300a)는 기계적, 화학적으로 내성이 우수하고 대전 방지가 용이한 테플론(teflon) 재질 등으로 구성되어 있다.
특히, 상기 돌기(300a)는 2개 이상을 갖고, 바람직하게는 5개 이상을 구비하는 것이 좋다. 다만, 상기 반도체 기판(W)의 무게나 크기를 감안하여 상기 돌기(300a)의 개수를 적절하게 조절하는 것이 더욱 바람직하다.
따라서, 상기와 같은 지지용 핀(300)은 반도체 기판(W)과 점접촉하는 돌기(300a)가 종래 하나에서 다수개로 증가하여 상기 반도체 기판(W)과 지지용 핀(300) 사이의 마찰력이 증가된다.
도 4를 참조하면, 상기 급속 열처리 장치(400)는 급속 열처리 챔버(410)와, 상기 지지용 핀(300)과, 플레이트(420)와, 회전 구동부(430) 및 가열부재(440) 등을 포함한다.
상기 급속 열처리 챔버(410) 내부에 배치된 상기 플레이트(420) 상에는 상기 반도체 기판(W)과 점접촉하는 적어도 3개 이상의 상기 지지용 핀(300)들이 구비되고, 상기 지지용 핀(300)들의 몸체(300b)가 상기 플레이트(420)에 고정된다. 상기 몸체(300b)의 형상은 상기 플레이트(420)에 고정될 수 있는 적당한 형태로 변형될 수 있다.
여기서, 상기 지지용 핀(300)들은 상기 반도체 기판(W)과의 접촉 면적을 최소화하기 위해 3개로 구비되는 것이 바람직하고, 상기 플레이트(420)의 형상은 상기 반도체 기판(W)의 형상과 유사한 원판형으로 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 각 지지용 핀(300)은 핀(300)의 높이를 조절할 수 있는 조절부재(미도시)를 마련하여 상기 핀(300)의 높이를 용이하게 조절할 수 있다.
예컨대, 상기 지지용 핀(300)의 몸체(300b) 하단부에 나사산(미도시)을 구비하여 상기 나사산(미도시)을 회전시킴으로써 상기 핀(300)의 높이를 상하로 조절할 수 있다.
상기 플레이트(420)에는 상기 지지용 핀(300)을 고정시킬 수 있는 고정부재(450)가 장착될 수 있다.
이때, 상기 고정부재(450)는 상기 지지용 핀(300)의 몸체와 결합될 수 있는 형상으로 구비된다. 예컨대, 상기 몸체(300b)가 T자 형상이면 상기 고정부재(450)는 상기 몸체(300b)를 끼워 고정시킬 수 있도록 요홈을 포함하여 형성될 수 있다.
상기 가열부재(440)는 상기 급속 열처리 챔버(410) 내부에 배치된 상기 반도체 기판(W)에 열을 공급하여 상기 반도체 기판(W)를 가열시킨다. 상기 가열부재(440)는 열을 발생시키기 위한 다수의 가열램프(미도시)로 구비될 수 있다.
한편, 회전축(430a)과 모터(430b)를 포함하는 상기 회전구동부(430)는 상기 플레이트(420)와 연결된다. 상기 회전축(430a)의 하단은 상기 모터(430b)와 전기적, 기계적으로 연결된다.
상기 모터(430b)의 구동에 의해 상기 회전축(430a)은 회전하게 된다. 상기 회전축(430a)이 회전하므로써 상기 회전축(430a)과 연결된 상기 플레이트(420)는 회전하게 되고, 동시에 상기 플레이트(420)에 고정된 상기 지지용 핀(300)들도 회전하게 된다.
이에 따라, 상기 지지용 핀(300)들 상에 놓인 상기 반도체 기판(W)은 회전을 하면서 급속 열처리 공정을 수행한다.
이와 같이 상기 반도체 기판(W)를 회전시키는 이유는, 상기 반도체 기판(W)이 회전하지 않는다면, 급속 열처리 공정을 수행하는 반도체 기판(W)의 부분별 온도 분포가 불균일하게 되어 급속 열처리 공정을 마친 반도체 기판(W)의 균일성을 저하시킴으로써 반도체 기판(W)의 수율을 감소시키기 때문이다.
한편, 상기 급속 열처리 공정을 수행하는 상기 반도체 기판(W)의 온도를 측정하기 위한 온도 측정기(미도시)가 상기 급속 열처리 챔버(410)에 장착될 수 있다.
이상에서와 같이, 본 발명의 급속 열처리 장치(400)는 상기 지지용 핀(300)과 반도체 기판(W) 사이의 마찰력을 증가시키기 위해 핀 구조를 개선시킨 상기 지지용 핀(300)을 급속 열처리 공정에 사용한다.
그리하여, 상기 급속 열처리 공정에서 회전하는 상기 반도체 기판(W)은 원심력을 능가하는 마찰력에 의해 슬립현상이 발생하지 않고, 상기 급속 열처리 공정 진행시 반도체 기판(W)을 회전시킴으로써 반도체 기판(W)의 온도 분포를 균일하게 하여 반도체 기판(W)의 균일성을 향상시킬 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 종래 급속 열처리 장치에서 회전하는 반도체 기판을 지지하는 핀 구조는 단일 점접촉이었는데 반해, 본 발명은 반도체 기판이 상기 지지용 핀과 다수의 점접촉을 할 수 있도록 상기 핀 구조를 개선한 것이다.
즉, 상기 다수의 점접촉으로 인해, 상기 지지용 핀들 상에 지지되어 회전하는 반도체 기판의 원심력보다 상기 지지용 핀들과 반도체 기판 사이의 마찰력이 더 커지도록 상기 핀 구조를 개선한 것이다.
따라서, 상기 회전하는 반도체 기판은 상기 지지용 핀들로부터 미끄러지는 슬립 현상 등이 방지되어 급속 열처리 공정을 수행하는 반도체 기판의 결함을 최소화시킬 수 있다.
상기에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 반도체 기판 지지용 핀을 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 반도체 기판 지지용 핀을 갖는 급속 열처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 지지용 핀을 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 2의 반도체 기판 지지용 핀을 갖는 급속 열처리 장치를 나타낸 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
반도체 기판 지지용 핀 : 300 돌기 : 300a
몸체 : 300b 급속 열처리 장치 : 400
급속 열처리(RTP) 챔버 : 410 플레이트 : 420
회전구동부 : 430 회전축 : 430a
모터 : 430b 가열부재 : 440
고정부재 : 450 반도체 기판 : W

Claims (4)

  1. 반도체 기판과 점접촉하는 다수개의 돌기; 및
    상기 돌기와 일체로 형성되어 상기 돌기를 지지하는 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 지지용 핀.
  2. 반도체 기판에 대한 급속 열처리 공정(RTP process)을 수행하기 위한 챔버;
    상기 챔버 내에 배치되고, 상기 반도체 기판과 점접촉하는 다수의 돌기와, 상기 돌기와 일체로 형성되어 상기 돌기를 지지하는 몸체를 포함하는 적어도 3개의 지지용 핀;
    상기 챔버 내에서 회전 가능하도록 배치되어 상기 핀들을 지지하기 위한 플레이트; 및
    상기 핀들 상에 지지된 반도체 기판을 가열하는 가열부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 플레이트에 상기 지지용 핀을 고정시키는 고정부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 플레이트와 연결되어 상기 플레이트에 회전력을 제공하기 위한 회전 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
KR1020040046019A 2004-06-21 2004-06-21 반도체 기판 지지용 핀 및 이를 갖는 급속 열처리 장치 KR20050120905A (ko)

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