JP2001127001A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理チャンバ内部に拡散された金属成分に起
因するウェハの金属汚染の発生が抑制される半導体製造
装置を提供する。 【解決手段】 熱処理装置１の処理チャンバ２内にある
ステンレススチール製のベアリングカバー４ａ上面の金
属面上に、有気泡性石英からなるリング板状の被覆部材
２０を設置する。このとき、熱処理実行時におけるベア
リングカバー４ａ上面からの金属成分の拡散が低減され
るので、被処理基板であるウェハＷに対する金属汚染の
発生が抑制される。
因するウェハの金属汚染の発生が抑制される半導体製造
装置を提供する。 【解決手段】 熱処理装置１の処理チャンバ２内にある
ステンレススチール製のベアリングカバー４ａ上面の金
属面上に、有気泡性石英からなるリング板状の被覆部材
２０を設置する。このとき、熱処理実行時におけるベア
リングカバー４ａ上面からの金属成分の拡散が低減され
るので、被処理基板であるウェハＷに対する金属汚染の
発生が抑制される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ（基
板）の加熱を行う半導体製造装置に関するものである。
板）の加熱を行う半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の１つである熱処理装置
は、例えば、処理チャンバと、この処理チャンバ内に設
置され、半導体ウェハを支持する回転可能な基板支持部
材と、この基板支持部材の上方に配置され、基板支持部
材に支持された半導体ウェハを加熱する加熱ランプと、
処理チャンバのベース部に設けられ、半導体ウェハの温
度を光学的に検出する温度センサとを備えている。基板
支持部材としては、例えば、処理チャンバのベース部に
取り付けられた円筒フレームと、この円筒フレームの上
端に結合された支持用リングフレームとで構成されたも
のがある。
は、例えば、処理チャンバと、この処理チャンバ内に設
置され、半導体ウェハを支持する回転可能な基板支持部
材と、この基板支持部材の上方に配置され、基板支持部
材に支持された半導体ウェハを加熱する加熱ランプと、
処理チャンバのベース部に設けられ、半導体ウェハの温
度を光学的に検出する温度センサとを備えている。基板
支持部材としては、例えば、処理チャンバのベース部に
取り付けられた円筒フレームと、この円筒フレームの上
端に結合された支持用リングフレームとで構成されたも
のがある。
【０００３】上記の熱処理装置により半導体ウェハの熱
処理を行う場合は、半導体ウェハを基板支持部材によっ
て支持させて処理チャンバの内部の所定位置に配置した
後、処理チャンバ内にプロセスガスを供給する。そし
て、基板を回転させるとともに、温度センサにより半導
体ウェハの温度を監視しながら、加熱用ランプを用いて
半導体ウェハを所定の温度まで加熱する。
処理を行う場合は、半導体ウェハを基板支持部材によっ
て支持させて処理チャンバの内部の所定位置に配置した
後、処理チャンバ内にプロセスガスを供給する。そし
て、基板を回転させるとともに、温度センサにより半導
体ウェハの温度を監視しながら、加熱用ランプを用いて
半導体ウェハを所定の温度まで加熱する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した熱処理装置と
して、近年、急速熱処理（ＲＴＰ、Rapid Thermal Proc
essing）が可能であるなどのサーマルバジェット面の利
点から、枚葉式の急速熱処理装置の利用が増加してい
る。このような枚葉式急速熱処理装置では、処理チャン
バ内全体が高温になるため、処理チャンバやその内部に
設置される各部材などのほとんどの部分がステンレスス
チールなどの金属製となっている。
して、近年、急速熱処理（ＲＴＰ、Rapid Thermal Proc
essing）が可能であるなどのサーマルバジェット面の利
点から、枚葉式の急速熱処理装置の利用が増加してい
る。このような枚葉式急速熱処理装置では、処理チャン
バ内全体が高温になるため、処理チャンバやその内部に
設置される各部材などのほとんどの部分がステンレスス
チールなどの金属製となっている。
【０００５】しかしながら、このような急速熱処理装置
においては、処理チャンバの内側の金属面、または内部
に設置されている部材の金属面から金属成分が拡散さ
れ、この拡散金属によって半導体ウェハが金属汚染（コ
ンタミネーション）されてしまうという問題を生じる。
一方、処理チャンバ等を金属以外の材質で作製すると、
急速な熱変化等に対する装置の充分な耐久性を確保する
ことができない。
においては、処理チャンバの内側の金属面、または内部
に設置されている部材の金属面から金属成分が拡散さ
れ、この拡散金属によって半導体ウェハが金属汚染（コ
ンタミネーション）されてしまうという問題を生じる。
一方、処理チャンバ等を金属以外の材質で作製すると、
急速な熱変化等に対する装置の充分な耐久性を確保する
ことができない。
【０００６】本発明は、以上の問題点に鑑みてなされた
ものであり、処理チャンバ内部に拡散された金属成分に
起因するウェハの金属汚染の発生が抑制される半導体製
造装置を提供することを目的とする。
ものであり、処理チャンバ内部に拡散された金属成分に
起因するウェハの金属汚染の発生が抑制される半導体製
造装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による半導体製造装置は、処理チャン
バと、処理チャンバ内に設置され被処理基板を支持する
基板支持部材と、基板支持部材に支持された被処理基板
を加熱する加熱手段とを備える半導体製造装置であっ
て、処理チャンバの内側の金属面上、及び処理チャンバ
内に設置された部材の金属面上の少なくともいずれか一
方の所定部位に、被覆部材が設けられていることを特徴
とする。
るために、本発明による半導体製造装置は、処理チャン
バと、処理チャンバ内に設置され被処理基板を支持する
基板支持部材と、基板支持部材に支持された被処理基板
を加熱する加熱手段とを備える半導体製造装置であっ
て、処理チャンバの内側の金属面上、及び処理チャンバ
内に設置された部材の金属面上の少なくともいずれか一
方の所定部位に、被覆部材が設けられていることを特徴
とする。
【０００８】このように、処理チャンバ内部にある金属
面上に被覆部材を設けることによって、ステンレススチ
ールなどの金属面が直接処理チャンバ内部で露出されな
いようにすることが可能である。これによって、処理チ
ャンバ内に拡散される金属成分の量を低減して、半導体
ウェハやガラス基板などの被処理基板上に生じる金属汚
染を抑制することができる。また、金属面を有する処理
チャンバまたは部材への余計な加熱に伴う温度上昇が低
減されるので、これによっても金属成分の拡散が抑制さ
れる。
面上に被覆部材を設けることによって、ステンレススチ
ールなどの金属面が直接処理チャンバ内部で露出されな
いようにすることが可能である。これによって、処理チ
ャンバ内に拡散される金属成分の量を低減して、半導体
ウェハやガラス基板などの被処理基板上に生じる金属汚
染を抑制することができる。また、金属面を有する処理
チャンバまたは部材への余計な加熱に伴う温度上昇が低
減されるので、これによっても金属成分の拡散が抑制さ
れる。
【０００９】被覆部材を金属面のどの部位に設けるかに
ついては、それぞれの面の被処理基板との位置関係や、
加熱プロセス中における各部位の加熱状況及び温度変化
など、個々の半導体製造装置の構成に応じて必要な部位
を選択することが好ましい。また、被覆部材としては、
金属面上に一様の厚さで設けられた板状部材とすること
が、効果の一様性や作製の容易さなどの点から好まし
い。このとき、板状部材は金属面の各部位での形状に合
わせて平面または曲面形状に形成したものを用いること
ができる。
ついては、それぞれの面の被処理基板との位置関係や、
加熱プロセス中における各部位の加熱状況及び温度変化
など、個々の半導体製造装置の構成に応じて必要な部位
を選択することが好ましい。また、被覆部材としては、
金属面上に一様の厚さで設けられた板状部材とすること
が、効果の一様性や作製の容易さなどの点から好まし
い。このとき、板状部材は金属面の各部位での形状に合
わせて平面または曲面形状に形成したものを用いること
ができる。
【００１０】また、被覆部材としては、石英、ＳｉＣ、
ＳｉＮ、ポリシリコン、またはセラミックスの少なくと
も１つを含む材料からなる部材を用いることが好まし
い。これらの材質によれば余計な拡散金属が発生される
ことがないので、加熱プロセスでの拡散金属の影響を効
果的に抑制することができる。また、脱ガスが少ないの
で、処理チャンバ内の状態を好適に保つことができる。
ＳｉＮ、ポリシリコン、またはセラミックスの少なくと
も１つを含む材料からなる部材を用いることが好まし
い。これらの材質によれば余計な拡散金属が発生される
ことがないので、加熱プロセスでの拡散金属の影響を効
果的に抑制することができる。また、脱ガスが少ないの
で、処理チャンバ内の状態を好適に保つことができる。
【００１１】あるいは、被覆部材としては、有気泡性の
材料からなる部材を用いることが好ましい。例えば有気
泡性石英など、材質中に気泡を有するものを被覆部材に
用いると、被覆部材を介した加熱光や熱自体などの金属
面への透過量を低減することができる。このとき、金属
面を有する部材への余計な加熱がさらに低減されるの
で、拡散金属の発生をさらに抑制することができる。
材料からなる部材を用いることが好ましい。例えば有気
泡性石英など、材質中に気泡を有するものを被覆部材に
用いると、被覆部材を介した加熱光や熱自体などの金属
面への透過量を低減することができる。このとき、金属
面を有する部材への余計な加熱がさらに低減されるの
で、拡散金属の発生をさらに抑制することができる。
【００１２】被覆部材を設ける部位については、被覆部
材は、処理チャンバの内側の金属面、及び処理チャンバ
内に設置された部材の金属面のうち、被処理基板に臨む
面上に設けられていることが好ましい。このような部位
から発生された拡散金属成分は、特に被処理基板の金属
汚染への寄与が大きいので、被覆部材の設置が特に有効
である。
材は、処理チャンバの内側の金属面、及び処理チャンバ
内に設置された部材の金属面のうち、被処理基板に臨む
面上に設けられていることが好ましい。このような部位
から発生された拡散金属成分は、特に被処理基板の金属
汚染への寄与が大きいので、被覆部材の設置が特に有効
である。
【００１３】また、加熱手段は、複数の加熱用ランプか
らなる構成とすることができる。このとき、被覆部材
は、処理チャンバの内側の金属面、及び処理チャンバ内
に設置された部材の金属面のうち、加熱手段である複数
の加熱用ランプからの光が照射される面上に設けられて
いることが好ましい。
らなる構成とすることができる。このとき、被覆部材
は、処理チャンバの内側の金属面、及び処理チャンバ内
に設置された部材の金属面のうち、加熱手段である複数
の加熱用ランプからの光が照射される面上に設けられて
いることが好ましい。
【００１４】ランプからの加熱光が照射される面は余計
に加熱されやすく、このような部位からは金属成分が特
に多く拡散される。したがって、このような部位を被覆
部材で覆うことによって、効果的に金属汚染の発生を抑
制することができる。これ以外の構成による加熱手段を
用いた場合においても、同様に金属面のうち加熱されや
すい面上に被覆部材を設けることが好ましい。また、冷
却が充分でない部位なども、同様に温度が上昇しやすい
ので、被覆部材の設置が有効である。
に加熱されやすく、このような部位からは金属成分が特
に多く拡散される。したがって、このような部位を被覆
部材で覆うことによって、効果的に金属汚染の発生を抑
制することができる。これ以外の構成による加熱手段を
用いた場合においても、同様に金属面のうち加熱されや
すい面上に被覆部材を設けることが好ましい。また、冷
却が充分でない部位なども、同様に温度が上昇しやすい
ので、被覆部材の設置が有効である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面とともに本発明による
半導体製造装置の好適な実施形態について詳細に説明す
る。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号
を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比
率は、説明のものと必ずしも一致していない。
半導体製造装置の好適な実施形態について詳細に説明す
る。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号
を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比
率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００１６】図１は、本発明に係る半導体製造装置の一
実施形態として熱処理装置の一部断面を示す斜視図であ
り、図２は、その熱処理装置の部分拡大断面図である。
図１及び図２に示す熱処理装置１は、被処理基板である
シリコンウェハ（基板）Ｗを温度制御しながら熱処理を
行う枚葉式急速熱処理装置であり、ベース部２ａ、側壁
部２ｂ、蓋部２ｃとで構成された処理チャンバ２を備え
ている。
実施形態として熱処理装置の一部断面を示す斜視図であ
り、図２は、その熱処理装置の部分拡大断面図である。
図１及び図２に示す熱処理装置１は、被処理基板である
シリコンウェハ（基板）Ｗを温度制御しながら熱処理を
行う枚葉式急速熱処理装置であり、ベース部２ａ、側壁
部２ｂ、蓋部２ｃとで構成された処理チャンバ２を備え
ている。
【００１７】なお、熱処理装置１で熱処理されるウェハ
Ｗについては、図１においては図示せずに装置構成のみ
を示し、図２においてはウェハＷを設置した状態を示し
ている。また、被処理基板としては、半導体ウェハ及び
ガラス基板といった基板があるが、以下においてはシリ
コンウェハとした場合について説明する。
Ｗについては、図１においては図示せずに装置構成のみ
を示し、図２においてはウェハＷを設置した状態を示し
ている。また、被処理基板としては、半導体ウェハ及び
ガラス基板といった基板があるが、以下においてはシリ
コンウェハとした場合について説明する。
【００１８】この処理チャンバ２内には、ウェハＷを支
持する基板支持部材３が設置されている。この基板支持
部材３は、ベース部２ａにベアリング４を介して回転自
在に取り付けられた円筒フレーム５と、この円筒フレー
ム５の上端に設けられたリングフレーム６とからなって
おり、リングフレーム６の内側縁部には、ウェハＷのエ
ッジ部が支持される支持用段部６ａが形成されている。
また、ベアリング４の上部には、ベアリングカバー４ａ
が設置されている。
持する基板支持部材３が設置されている。この基板支持
部材３は、ベース部２ａにベアリング４を介して回転自
在に取り付けられた円筒フレーム５と、この円筒フレー
ム５の上端に設けられたリングフレーム６とからなって
おり、リングフレーム６の内側縁部には、ウェハＷのエ
ッジ部が支持される支持用段部６ａが形成されている。
また、ベアリング４の上部には、ベアリングカバー４ａ
が設置されている。
【００１９】ここで、ウェハＷが基板支持部材３に支持
された状態（図２参照）では、ウェハＷの裏面側に、ベ
ース部２ａと、円筒フレーム５及びリングフレーム６か
らなる基板支持部材３と、ウェハＷとで囲まれたウェハ
裏面側空間Ｓａが形成される。
された状態（図２参照）では、ウェハＷの裏面側に、ベ
ース部２ａと、円筒フレーム５及びリングフレーム６か
らなる基板支持部材３と、ウェハＷとで囲まれたウェハ
裏面側空間Ｓａが形成される。
【００２０】ベース部２ａの下部には、搬送ロボット
（図示していない）により処理チャンバ２内に搬送され
たウェハＷを基板支持部材３に支持させるためのリフト
部材７が設けられている。このリフト部材７は、ベース
部２ａを貫通してウェハＷを持ち上げる複数本（例えば
３本）の支持ピン８を有している。
（図示していない）により処理チャンバ２内に搬送され
たウェハＷを基板支持部材３に支持させるためのリフト
部材７が設けられている。このリフト部材７は、ベース
部２ａを貫通してウェハＷを持ち上げる複数本（例えば
３本）の支持ピン８を有している。
【００２１】処理チャンバ２の蓋部２ｃの上方には、基
板支持部材３に支持されたウェハＷを加熱する加熱手段
として、複数の加熱ランプ９からなるランプ群９Ｇが配
置されている。蓋部２ｃには円形のランプ用窓部Ｌｗが
設けられており、加熱ランプ９の熱はそのランプ用窓部
Ｌｗを介してウェハＷに伝えられる。また、ベース部２
ａには、ウェハＷの温度を光学的に検出する温度センサ
１０が設けられている。
板支持部材３に支持されたウェハＷを加熱する加熱手段
として、複数の加熱ランプ９からなるランプ群９Ｇが配
置されている。蓋部２ｃには円形のランプ用窓部Ｌｗが
設けられており、加熱ランプ９の熱はそのランプ用窓部
Ｌｗを介してウェハＷに伝えられる。また、ベース部２
ａには、ウェハＷの温度を光学的に検出する温度センサ
１０が設けられている。
【００２２】この温度センサ１０は、ベース部２ａにお
ける基板支持部材３に囲まれた円形プレート１１におい
て、その中心と周縁の一部を含み所定の角度（例えば９
０度）をもった略扇形のセンサ設置領域内に、例えば図
１に示すように複数組み込まれている。なお、上述した
ウェハ裏面側空間Ｓａは光学的には完全な閉空間となっ
ており、したがって、この閉空間Ｓａを利用することに
よって、光学的に温度を測定する温度センサを用いてウ
ェハＷの温度を検出することができる。
ける基板支持部材３に囲まれた円形プレート１１におい
て、その中心と周縁の一部を含み所定の角度（例えば９
０度）をもった略扇形のセンサ設置領域内に、例えば図
１に示すように複数組み込まれている。なお、上述した
ウェハ裏面側空間Ｓａは光学的には完全な閉空間となっ
ており、したがって、この閉空間Ｓａを利用することに
よって、光学的に温度を測定する温度センサを用いてウ
ェハＷの温度を検出することができる。
【００２３】処理チャンバ２の側壁部２ｂには、ガス供
給口１２とガス排出口１３とが対向して設けられてい
る。ガス供給口１２には、処理チャンバ２内におけるウ
ェハＷの表面側のウェハ表面側空間Ｓｂにプロセスガス
を供給するためのガス供給系（図示していない）が接続
されている。また、ガス排出口１３には、ウェハ表面側
空間Ｓｂ内のガスを処理チャンバ２の外部に排出するた
めのガス排出系（図示していない）が接続されている。
なお、プロセスガスとは、プロセスに使用されるガスの
ことであり、ここでは、窒素ガス（Ｎ2ガス）が使用さ
れる。
給口１２とガス排出口１３とが対向して設けられてい
る。ガス供給口１２には、処理チャンバ２内におけるウ
ェハＷの表面側のウェハ表面側空間Ｓｂにプロセスガス
を供給するためのガス供給系（図示していない）が接続
されている。また、ガス排出口１３には、ウェハ表面側
空間Ｓｂ内のガスを処理チャンバ２の外部に排出するた
めのガス排出系（図示していない）が接続されている。
なお、プロセスガスとは、プロセスに使用されるガスの
ことであり、ここでは、窒素ガス（Ｎ2ガス）が使用さ
れる。
【００２４】処理チャンバ２内でベアリング４の上方に
設置されている上記したベアリングカバー４ａは、ステ
ンレススチールなどの金属材料を用いて形成されてい
る。本実施形態の熱処理装置１においては、このベアリ
ングカバー４ａの上面側の金属面上に、好ましくは石英
からなる被覆部材２０が形成されている。
設置されている上記したベアリングカバー４ａは、ステ
ンレススチールなどの金属材料を用いて形成されてい
る。本実施形態の熱処理装置１においては、このベアリ
ングカバー４ａの上面側の金属面上に、好ましくは石英
からなる被覆部材２０が形成されている。
【００２５】被覆部材２０は厚さ約３ｍｍで一様な厚さ
に形成された板状（プレート状）部材であり、図１に示
すように、ベアリングカバー４ａ上側の金属面のほぼ全
体を覆うようにリング形状に設けられている。また、本
実施形態においてはベアリングカバー４ａの上面の高さ
をガス供給口１２及びガス排出口１３の内側下面よりも
やや低くし、その上に被覆部材２０を設置している。こ
れは、ガス供給口１２からガス排出口１３へのガスの流
れを好適に保つためである。
に形成された板状（プレート状）部材であり、図１に示
すように、ベアリングカバー４ａ上側の金属面のほぼ全
体を覆うようにリング形状に設けられている。また、本
実施形態においてはベアリングカバー４ａの上面の高さ
をガス供給口１２及びガス排出口１３の内側下面よりも
やや低くし、その上に被覆部材２０を設置している。こ
れは、ガス供給口１２からガス排出口１３へのガスの流
れを好適に保つためである。
【００２６】ここで、以上のように構成した熱処理装置
１を用いてウェハＷを１枚ずつ熱処理する手順について
説明しておく。まず、搬送ロボット（図示していない）
により処理すべきウェハＷが処理チャンバ２内に搬送さ
れる。そして、リフト部材７により３本の支持ピン８が
上昇してウェハＷを持ち上げ、次いで支持ピン８が下降
してウェハＷが基板支持部材３のリングフレーム６上の
所定位置に載置される。
１を用いてウェハＷを１枚ずつ熱処理する手順について
説明しておく。まず、搬送ロボット（図示していない）
により処理すべきウェハＷが処理チャンバ２内に搬送さ
れる。そして、リフト部材７により３本の支持ピン８が
上昇してウェハＷを持ち上げ、次いで支持ピン８が下降
してウェハＷが基板支持部材３のリングフレーム６上の
所定位置に載置される。
【００２７】続いて、ウェハＷの熱処理のプロセスが開
始される。まず、ウェハ表面側空間Ｓｂにガス供給口１
２からプロセスガスが供給される。そして、駆動手段
（図示していない）により基板支持部材３を回転駆動さ
せてウェハＷを回転させるとともに、ウェハＷの上方に
位置するランプ群９Ｇの複数の加熱ランプ９を点灯させ
る。これにより、ウェハＷの温度は室温から徐々に上昇
していき、ウェハＷの温度が所定の温度（例えば約１０
００℃）に達する。その後、所定時間経過すると熱処理
が終了する。ウェハＷの回転を停止させ、複数の加熱ラ
ンプ９の温度がウェハ搬出温度（例えば約７５０℃）と
なるように制御される。そして、搬送ロボットによりウ
ェハＷが処理チャンバ２の外部に取り出される。
始される。まず、ウェハ表面側空間Ｓｂにガス供給口１
２からプロセスガスが供給される。そして、駆動手段
（図示していない）により基板支持部材３を回転駆動さ
せてウェハＷを回転させるとともに、ウェハＷの上方に
位置するランプ群９Ｇの複数の加熱ランプ９を点灯させ
る。これにより、ウェハＷの温度は室温から徐々に上昇
していき、ウェハＷの温度が所定の温度（例えば約１０
００℃）に達する。その後、所定時間経過すると熱処理
が終了する。ウェハＷの回転を停止させ、複数の加熱ラ
ンプ９の温度がウェハ搬出温度（例えば約７５０℃）と
なるように制御される。そして、搬送ロボットによりウ
ェハＷが処理チャンバ２の外部に取り出される。
【００２８】上記した実施形態による熱処理装置１の効
果について、具体的な実施例とともに説明する。
果について、具体的な実施例とともに説明する。
【００２９】急速熱処理装置などの半導体製造装置にお
いては、その内部での高温や急速な温度変化への耐久性
を保つため、処理チャンバや内部に設置される各部材の
ほとんどがステンレススチールなどの金属によって形成
されている。このとき、加熱プロセス実行時にチャンバ
や各部材の金属面から余計な金属成分が拡散されてしま
い、この拡散金属による半導体ウェハなどの被処理基板
への金属汚染（コンタミネーション）の発生が問題とな
る。
いては、その内部での高温や急速な温度変化への耐久性
を保つため、処理チャンバや内部に設置される各部材の
ほとんどがステンレススチールなどの金属によって形成
されている。このとき、加熱プロセス実行時にチャンバ
や各部材の金属面から余計な金属成分が拡散されてしま
い、この拡散金属による半導体ウェハなどの被処理基板
への金属汚染（コンタミネーション）の発生が問題とな
る。
【００３０】これに対して、上記した実施形態において
は、処理チャンバ２の内部に設置された金属部材である
ステンレススチール製ベアリングカバー４ａの上側金属
面に対して、石英製の板状被覆部材２０を設けている。
このように、非金属材質からなる被覆部材で金属面を覆
うことによって、金属面からの金属成分の拡散が低減さ
れて、半導体ウェハへの金属汚染が抑制される。
は、処理チャンバ２の内部に設置された金属部材である
ステンレススチール製ベアリングカバー４ａの上側金属
面に対して、石英製の板状被覆部材２０を設けている。
このように、非金属材質からなる被覆部材で金属面を覆
うことによって、金属面からの金属成分の拡散が低減さ
れて、半導体ウェハへの金属汚染が抑制される。
【００３１】ここで、石英は余計な金属成分を発生する
ことがなく、また、脱ガスが少ないので、拡散金属の影
響を効果的に抑制することができるとともに、処理チャ
ンバ２内の状態を好適に保つことができる。また、石英
は熱による変化が小さいので、熱処理実行時に高温にな
っても温度上昇による変形などの問題を生じることがな
い。このような被覆部材の材質としては、石英以外に
も、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ポリシリコンや、セラミックスな
どの非金属材質を用いることができる。また、このよう
な被覆部材は、略一様な厚さを有する平面形状または曲
面形状の板状部材とすることが、効果の一様性や作製及
び設置の容易さなどの点から好ましい。
ことがなく、また、脱ガスが少ないので、拡散金属の影
響を効果的に抑制することができるとともに、処理チャ
ンバ２内の状態を好適に保つことができる。また、石英
は熱による変化が小さいので、熱処理実行時に高温にな
っても温度上昇による変形などの問題を生じることがな
い。このような被覆部材の材質としては、石英以外に
も、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ポリシリコンや、セラミックスな
どの非金属材質を用いることができる。また、このよう
な被覆部材は、略一様な厚さを有する平面形状または曲
面形状の板状部材とすることが、効果の一様性や作製及
び設置の容易さなどの点から好ましい。
【００３２】また、このような被覆部材２０を設けたこ
とによって、加熱手段である複数の加熱ランプ９からの
加熱光や熱の透過が低減されるので、ベアリングカバー
４ａの温度上昇が抑制される。このようにベアリングカ
バー４ａへの加熱が低減されることによっても、金属成
分の拡散が抑制される。この場合、被覆部材２０を有気
泡性石英など、内部に気泡を含む有気泡性の材料から形
成することが好ましい。有気泡性とすることによって、
複数の加熱ランプ９からの光のベアリングカバー４ａへ
の透過や、熱自体の伝導がさらに低減されるので、ベア
リングカバー４ａの温度上昇をさらに抑制することがで
きる。
とによって、加熱手段である複数の加熱ランプ９からの
加熱光や熱の透過が低減されるので、ベアリングカバー
４ａの温度上昇が抑制される。このようにベアリングカ
バー４ａへの加熱が低減されることによっても、金属成
分の拡散が抑制される。この場合、被覆部材２０を有気
泡性石英など、内部に気泡を含む有気泡性の材料から形
成することが好ましい。有気泡性とすることによって、
複数の加熱ランプ９からの光のベアリングカバー４ａへ
の透過や、熱自体の伝導がさらに低減されるので、ベア
リングカバー４ａの温度上昇をさらに抑制することがで
きる。
【００３３】処理チャンバ内にある金属面のうち、どの
面に対して被覆部材を設けるかについては、ウェハＷな
どの被処理基板に臨む（面する）面上、あるいは上記し
た実施形態ではウェハ表面側空間Ｓｂに面する面上に形
成することが好ましい。このような金属面は、発生され
た拡散金属の被処理基板への影響が特に大きい面であ
る。また、加熱手段によって加熱されやすい面上に形成
することが好ましい。このような金属面は、熱処理中に
高温となりやすい面なので、拡散金属の発生が特に多く
なる面である。
面に対して被覆部材を設けるかについては、ウェハＷな
どの被処理基板に臨む（面する）面上、あるいは上記し
た実施形態ではウェハ表面側空間Ｓｂに面する面上に形
成することが好ましい。このような金属面は、発生され
た拡散金属の被処理基板への影響が特に大きい面であ
る。また、加熱手段によって加熱されやすい面上に形成
することが好ましい。このような金属面は、熱処理中に
高温となりやすい面なので、拡散金属の発生が特に多く
なる面である。
【００３４】上記した実施形態の熱処理装置１において
は、これらの条件に基づいて、ベアリングカバー４ａの
上面に被覆部材２０を設けている。特に、この金属面は
複数の加熱ランプ９からの加熱光が直接に照射されるの
で、温度上昇が著しく、金属成分が多く拡散される。し
たがって、この面を石英製の板状被覆部材２０で覆うこ
とによって、拡散金属の発生を効果的に低減して金属汚
染を抑制することができる。
は、これらの条件に基づいて、ベアリングカバー４ａの
上面に被覆部材２０を設けている。特に、この金属面は
複数の加熱ランプ９からの加熱光が直接に照射されるの
で、温度上昇が著しく、金属成分が多く拡散される。し
たがって、この面を石英製の板状被覆部材２０で覆うこ
とによって、拡散金属の発生を効果的に低減して金属汚
染を抑制することができる。
【００３５】図３は、上記した実施形態による熱処理装
置１を用いた成膜によって得られる平均膜厚及び膜厚一
様性を、被覆部材を用いていない従来の熱処理装置を用
いた成膜の場合と比較してその再現性を示すグラフであ
る。ここでは、２５枚のウェハに対して順次熱処理を行
った場合の平均膜厚及び膜厚一様性の変化を示してお
り、グラフの横軸は熱処理を行ったウェハの番号を、ま
た、縦軸は平均膜厚（Å）及び膜厚一様性（％）を示し
ている。膜厚測定は、エリプソメータを用いて８インチ
ウェハで３ｍｍエッジ端部を削除して４９点を測定して
行い、測定値の平均を平均膜厚、測定値分布の１シグマ
（標準偏差）を膜厚一様性として示している。
置１を用いた成膜によって得られる平均膜厚及び膜厚一
様性を、被覆部材を用いていない従来の熱処理装置を用
いた成膜の場合と比較してその再現性を示すグラフであ
る。ここでは、２５枚のウェハに対して順次熱処理を行
った場合の平均膜厚及び膜厚一様性の変化を示してお
り、グラフの横軸は熱処理を行ったウェハの番号を、ま
た、縦軸は平均膜厚（Å）及び膜厚一様性（％）を示し
ている。膜厚測定は、エリプソメータを用いて８インチ
ウェハで３ｍｍエッジ端部を削除して４９点を測定して
行い、測定値の平均を平均膜厚、測定値分布の１シグマ
（標準偏差）を膜厚一様性として示している。
【００３６】これらのうち、平均膜厚については、被覆
部材２０を設置した本発明の実施例によるデータをグラ
フＴ１に、また、従来例によるデータをグラフＴ２に示
している。これらの平均膜厚データでは、膜厚の絶対値
は成膜条件の違いによって両者で若干異なっているが、
その膜厚のウェハ番号による変動についてはいずれも良
く安定し、各ウェハでほぼ一定の膜厚が得られている。
部材２０を設置した本発明の実施例によるデータをグラ
フＴ１に、また、従来例によるデータをグラフＴ２に示
している。これらの平均膜厚データでは、膜厚の絶対値
は成膜条件の違いによって両者で若干異なっているが、
その膜厚のウェハ番号による変動についてはいずれも良
く安定し、各ウェハでほぼ一定の膜厚が得られている。
【００３７】一方、膜厚一様性については、被覆部材２
０を設置した本発明の実施例によるデータをグラフＵ１
に、また、従来例によるデータをグラフＵ２に示してい
る。これらの膜厚一様性データでは、いずれもほぼ同じ
膜厚一様性が各ウェハに対して得られている。
０を設置した本発明の実施例によるデータをグラフＵ１
に、また、従来例によるデータをグラフＵ２に示してい
る。これらの膜厚一様性データでは、いずれもほぼ同じ
膜厚一様性が各ウェハに対して得られている。
【００３８】以上から、成膜される平均膜厚の変動及び
各ウェハでの膜厚一様性の再現性については、石英製の
被覆部材を設けたことによる再現性低下などの影響は特
に見られず、従来の熱処理装置と同等の成膜条件が得ら
れていることがわかる。
各ウェハでの膜厚一様性の再現性については、石英製の
被覆部材を設けたことによる再現性低下などの影響は特
に見られず、従来の熱処理装置と同等の成膜条件が得ら
れていることがわかる。
【００３９】図４は、上記した実施形態による熱処理装
置１を用いて熱処理を行った場合の金属汚染を、被覆部
材を用いていない従来の熱処理装置を用いた熱処理の場
合と比較してその低減を示す図表である。ここで、金属
汚染の測定法については、まず、８インチウェハ上の約
２００Åの酸化膜を１ｍｌの弗化水素酸と過酸化水素水
の混酸で溶解する。この溶解後の溶液を純水で薄めた後
に分析計ＩＣＰ−ＭＳに導入して各測定元素について測
定を行い、測定値をウェハ上の面積１ｃｍ2当たりの原
子数に換算して示している。
置１を用いて熱処理を行った場合の金属汚染を、被覆部
材を用いていない従来の熱処理装置を用いた熱処理の場
合と比較してその低減を示す図表である。ここで、金属
汚染の測定法については、まず、８インチウェハ上の約
２００Åの酸化膜を１ｍｌの弗化水素酸と過酸化水素水
の混酸で溶解する。この溶解後の溶液を純水で薄めた後
に分析計ＩＣＰ−ＭＳに導入して各測定元素について測
定を行い、測定値をウェハ上の面積１ｃｍ2当たりの原
子数に換算して示している。
【００４０】測定は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｆｅ、及びＣｕの各
元素について行った。従来例によるデータでは、各元素
の含有量は原子数でそれぞれ１．５０×１０10個／ｃｍ
2、９．６０×１０9個／ｃｍ2、２．７０×１０11個／
ｃｍ2、及び２．３０×１０9個／ｃｍ2であった。特
に、ベアリングカバー４ａの材質のステンレススチール
の主成分であるＦｅについて、金属汚染量が多くなって
いる。
元素について行った。従来例によるデータでは、各元素
の含有量は原子数でそれぞれ１．５０×１０10個／ｃｍ
2、９．６０×１０9個／ｃｍ2、２．７０×１０11個／
ｃｍ2、及び２．３０×１０9個／ｃｍ2であった。特
に、ベアリングカバー４ａの材質のステンレススチール
の主成分であるＦｅについて、金属汚染量が多くなって
いる。
【００４１】一方、被覆部材２０を設置した本発明の実
施例によるデータでは、Ｍｇ、及びＡｌはそれぞれ５．
４０×１０9個／ｃｍ2、及び４．７０×１０9個／ｃｍ2
と従来に比べて大きく低減されている。また、Ｆｅ、及
びＣｕについては、分析によって検出されなかったの
で、分析計の測定限界に対応する数値８．０×１０8個
／ｃｍ2をそれぞれの上限値として示している。特に、
Ｆｅの金属汚染量の低減の効果は顕著である。
施例によるデータでは、Ｍｇ、及びＡｌはそれぞれ５．
４０×１０9個／ｃｍ2、及び４．７０×１０9個／ｃｍ2
と従来に比べて大きく低減されている。また、Ｆｅ、及
びＣｕについては、分析によって検出されなかったの
で、分析計の測定限界に対応する数値８．０×１０8個
／ｃｍ2をそれぞれの上限値として示している。特に、
Ｆｅの金属汚染量の低減の効果は顕著である。
【００４２】以上から、石英製の被覆部材を設けたこと
によって、各金属元素ともに金属汚染の発生が大きく低
減されていることがわかる。すなわち、処理チャンバ２
の内部に露出されているベアリングカバー４ａ上面の金
属面を、石英製の板状被覆部材２０で覆うことによっ
て、従来と同等の成膜膜厚再現性などの好適な成膜条件
を保持しつつ、熱処理時に金属面から発生する拡散金属
成分によるウェハの金属汚染を大幅に抑制することがで
きる。
によって、各金属元素ともに金属汚染の発生が大きく低
減されていることがわかる。すなわち、処理チャンバ２
の内部に露出されているベアリングカバー４ａ上面の金
属面を、石英製の板状被覆部材２０で覆うことによっ
て、従来と同等の成膜膜厚再現性などの好適な成膜条件
を保持しつつ、熱処理時に金属面から発生する拡散金属
成分によるウェハの金属汚染を大幅に抑制することがで
きる。
【００４３】本発明による半導体製造装置は、上記した
実施形態に限られるものではなく、様々な変形が可能で
ある。例えば、上記した形態の熱処理装置以外の半導体
製造装置に対しても本発明は適用可能である。
実施形態に限られるものではなく、様々な変形が可能で
ある。例えば、上記した形態の熱処理装置以外の半導体
製造装置に対しても本発明は適用可能である。
【００４４】また、被覆部材を設ける処理チャンバ２内
の部位についても、図１及び図２に示したベアリングカ
バー４ａ上面以外にも、他の金属面に対して設けること
によって金属成分の拡散をさらに低減することが可能で
ある。図５は、上記した実施形態の変形例を示す部分拡
大断面図である。
の部位についても、図１及び図２に示したベアリングカ
バー４ａ上面以外にも、他の金属面に対して設けること
によって金属成分の拡散をさらに低減することが可能で
ある。図５は、上記した実施形態の変形例を示す部分拡
大断面図である。
【００４５】図５においては、図１及び図２に示したベ
アリングカバー４ａ上の被覆部材２０以外で設置可能な
被覆部材の例として、被覆部材２１及び２２が示されて
いる。被覆部材２１は、ステンレススチール製などの金
属製の処理チャンバ２の側壁部２ｂに対して、円筒状内
壁の金属面上に設けられるものであり、ガス供給口１２
及びガス排出口１３が設けられている部位を除く内壁全
体を覆うように形成されている。この内壁の金属面は、
複数の加熱ランプ９からの加熱光が照射される部分であ
り、また、被処理基板であるウェハＷに臨む位置にある
ので、このような被覆部材２１の設置が金属汚染を抑制
する上で効果的である。
アリングカバー４ａ上の被覆部材２０以外で設置可能な
被覆部材の例として、被覆部材２１及び２２が示されて
いる。被覆部材２１は、ステンレススチール製などの金
属製の処理チャンバ２の側壁部２ｂに対して、円筒状内
壁の金属面上に設けられるものであり、ガス供給口１２
及びガス排出口１３が設けられている部位を除く内壁全
体を覆うように形成されている。この内壁の金属面は、
複数の加熱ランプ９からの加熱光が照射される部分であ
り、また、被処理基板であるウェハＷに臨む位置にある
ので、このような被覆部材２１の設置が金属汚染を抑制
する上で効果的である。
【００４６】また、被覆部材２２は、処理チャンバ２の
側壁部２ｂに設けられたガス供給口１２及びガス排出口
１３の内壁の金属面を覆うように形成されている。これ
らの金属面は、複数の加熱ランプ９からの加熱光の影響
が比較的少なく、拡散金属成分の発生も少ないが、この
ような部分に対しても被覆部材２２を設置することによ
り、さらに金属汚染を抑制することが可能である。
側壁部２ｂに設けられたガス供給口１２及びガス排出口
１３の内壁の金属面を覆うように形成されている。これ
らの金属面は、複数の加熱ランプ９からの加熱光の影響
が比較的少なく、拡散金属成分の発生も少ないが、この
ような部分に対しても被覆部材２２を設置することによ
り、さらに金属汚染を抑制することが可能である。
【００４７】
【発明の効果】本発明による半導体製造装置は、以上詳
細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、被処理基板に対する熱処理実行時に金属成分の拡散
を生じる処理チャンバ内の各金属面に対して、金属面を
覆う被覆部材を形成する。これによって、金属面から処
理チャンバ内に発生される拡散金属の発生量を低減し
て、拡散金属による被処理基板の金属汚染を抑制するこ
とができる。このとき、被覆部材によって金属面に対す
る加熱も同時に抑制されるので、これによっても拡散金
属の発生が低減される。
細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、被処理基板に対する熱処理実行時に金属成分の拡散
を生じる処理チャンバ内の各金属面に対して、金属面を
覆う被覆部材を形成する。これによって、金属面から処
理チャンバ内に発生される拡散金属の発生量を低減し
て、拡散金属による被処理基板の金属汚染を抑制するこ
とができる。このとき、被覆部材によって金属面に対す
る加熱も同時に抑制されるので、これによっても拡散金
属の発生が低減される。
【００４８】このような構成とすることによって、急速
熱処理装置などの半導体製造装置において、成膜膜厚の
製造条件再現性など成膜条件や製造効率を低下させるこ
となく、金属汚染の抑制による品質向上を実現すること
ができる。また、板状などの被覆部材を金属面上に設置
することによって金属面を覆っているので、被覆が容易
である点でも有用である。
熱処理装置などの半導体製造装置において、成膜膜厚の
製造条件再現性など成膜条件や製造効率を低下させるこ
となく、金属汚染の抑制による品質向上を実現すること
ができる。また、板状などの被覆部材を金属面上に設置
することによって金属面を覆っているので、被覆が容易
である点でも有用である。
【図１】半導体製造装置である熱処理装置の一実施形態
の一部断面を示す斜視図である。
の一部断面を示す斜視図である。
【図２】図１に示した熱処理装置の処理チャンバを含む
部位を示す側面断面図である。
部位を示す側面断面図である。
【図３】成膜される膜厚の再現性について示すグラフで
ある。
ある。
【図４】ウェハに生じる金属汚染の低減について示す図
表である。
表である。
【図５】半導体製造装置である熱処理装置の変形例を示
す側面断面図である。
す側面断面図である。
１…熱処理装置、２…処理チャンバ、２ａ…ベース部、
２ｂ…側壁部、２ｃ…蓋部、３…基板支持部材、４…ベ
アリング、４ａ…ベアリングカバー、５…円筒フレー
ム、６…リングフレーム、６ａ…支持用段部、７…リフ
ト部材、８…支持ピン、９…加熱ランプ、９Ｇ…ランプ
群、１０…温度センサ、１１…円形プレート、１２…ガ
ス供給口、１３…ガス排出口、２０…被覆部材。
２ｂ…側壁部、２ｃ…蓋部、３…基板支持部材、４…ベ
アリング、４ａ…ベアリングカバー、５…円筒フレー
ム、６…リングフレーム、６ａ…支持用段部、７…リフ
ト部材、８…支持ピン、９…加熱ランプ、９Ｇ…ランプ
群、１０…温度センサ、１１…円形プレート、１２…ガ
ス供給口、１３…ガス排出口、２０…被覆部材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚本 俊之 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 前田 祐二 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 川居 一郎 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K051 AA03 AA04 BB01 BB07
Claims (7)
- 【請求項１】 処理チャンバと、前記処理チャンバ内に
設置され被処理基板を支持する基板支持部材と、前記基
板支持部材に支持された前記被処理基板を加熱する加熱
手段とを備える半導体製造装置であって、 前記処理チャンバの内側の金属面上、及び前記処理チャ
ンバ内に設置された部材の金属面上の少なくともいずれ
か一方の所定部位に、被覆部材が設けられている半導体
製造装置。 - 【請求項２】 前記被覆部材は、前記金属面上に一様の
厚さで設けられた板状部材である請求項１記載の半導体
製造装置。 - 【請求項３】 前記被覆部材は、石英、ＳｉＣ、Ｓｉ
Ｎ、ポリシリコン、またはセラミックスの少なくとも１
つを含む材料からなる請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記被覆部材は、有気泡性の材料からな
る請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記被覆部材は、前記処理チャンバの内
側の金属面、及び前記処理チャンバ内に設置された部材
の金属面のうち、前記被処理基板に臨む面上に設けられ
ている請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】 前記加熱手段は、複数の加熱用ランプか
らなる請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項７】 前記被覆部材は、前記処理チャンバの内
側の金属面、及び前記処理チャンバ内に設置された部材
の金属面のうち、前記複数の加熱用ランプからの光が照
射される面上に設けられている請求項６記載の半導体製
造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30713999A JP2001127001A (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 半導体製造装置 |
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Cited By (3)
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| JP2007511725A (ja) * | 2003-05-06 | 2007-05-10 | エムアールエル インダストリーズ，インコーポレイティド | 熱処理炉のための附室アセンブリ |
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