KR20020033169A - 반도체 제조장치 - Google Patents

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KR20020033169A
KR20020033169A KR1020027002512A KR20027002512A KR20020033169A KR 20020033169 A KR20020033169 A KR 20020033169A KR 1020027002512 A KR1020027002512 A KR 1020027002512A KR 20027002512 A KR20027002512 A KR 20027002512A KR 20020033169 A KR20020033169 A KR 20020033169A
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토시유키 쯔카모토
유지 마에다
이치로 카와이
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조셉 제이. 스위니
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

열 처리장치(1)의 처리 챔버(2) 내에 있는 스테인리스 스틸제의 베어링 커버(4a) 윗면의 금속면 위에, 다공성 석영으로 이루어진 링 형상의 피복 부재(20)를 설치한다. 이 때, 열 처리 실행시에 있어서의 베어링 커버(4a) 윗면으로부터의 금속 성분의 확산이 줄어들기 때문에, 피처리 기판인 웨이퍼(W)에 대한 금속 오염의 발생이 억제된다. 또한, 피복 부재에 의해 금속면에 대한 가열도 동시에 억제되기 때문에, 이것에 의해서도 확산 금속의 발생이 줄어든다.

Description

반도체 제조장치 {APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
반도체 제조장치의 하나인 열 처리장치는, 예를 들어, 처리 챔버와, 이 처리 챔버 내에 설치되고 반도체 웨이퍼를 지지하는 회전 가능한 기판 지지 부재와, 이 기판 지지 부재의 상방에 배치되며 기판 지지 부재에 의해 지지된 반도체 웨이퍼를 가열하는 가열 램프와, 처리 챔버의 베이스부에 설치되어 반도체 웨이퍼의 온도를 광학적으로 검출하는 온도 센서를 구비하고 있다. 기판 지지 부재로서는, 예컨대, 처리 챔버의 베이스부에 장착된 원통 프레임과, 이 원통 프레임의 상단에 결합된 지지용 링 프레임으로 구성된 것이 있다.
상기 열 처리장치에 의해 반도체 웨이퍼를 열 처리할 경우에는, 반도체 웨이퍼를 기판 지지 부재에 의해 지지시켜서 처리 챔버 내부의 소정 위치에 배치한 후, 처리 챔버 내에 프로세스 가스를 공급한다. 그리고, 기판을 회전시키는 동시에, 온도 센서에 의해 반도체 웨이퍼의 온도를 감시하면서 가열용 램프를 이용하여 반도체 웨이퍼를 소정의 온도까지 가열한다.
본 발명은, 반도체 웨이퍼(기판)를 가열하는 반도체 제조장치에 관한 것이다.
도 1은, 반도체 제조장치인 열 처리장치의 일 실시 형태를 일부 단면으로 도시하는 사시도이다.
도 2는, 도 1에 도시한 열 처리장치의 처리 챔버를 포함하는 부위를 도시하는 측면 단면도이다.
도 3은, 형성되는 막 두께의 재현성에 대해 도시하는 그래프이다.
도 4는, 웨이퍼에 발생하는 금속 오염의 감소에 대해 도시하는 도표이다.
도 5는, 반도체 제조장치인 열 처리장치의 변형예를 도시하는 측면 단면도이다.
최근에, 상기 열 처리장치에서 급속 열 처리(RTP, Rapid Thermal Processing) 가능한 등의 서멀 버짓(thermal budget)의 이점 때문에, 한 매씩 처리하는 매엽식(枚葉式)의 급속 열 처리장치의 이용이 증가하고 있다. 이와 같은 매엽식 급속 열 처리장치는, 처리 챔버의 내부 전체가 고온이 되기 때문에, 처리 챔버나 그 내부에 설치되는 각 부재 등의 대부분이 스테인리스 스틸 등의 금속제로 이루어진다.
그러나, 이와 같은 급속 열 처리장치에서는, 처리 챔버 내측의 금속면, 또는 내부에 설치되어 있는 부재의 금속면으로부터 금속 성분이 확산되며, 이 확산 금속에 의해 반도체 웨이퍼가 금속 오염되는 문제가 발생한다. 한편, 처리 챔버 등을 금속 이외의 재질로 제작하면, 급속한 열 변화 등에 대한 장치의 충분한 내구성을 확보할 수 없다.
본 발명은, 이상의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 처리 챔버 내부에 확산된 금속 성분으로 인한 웨이퍼의 금속 오염의 발생이 억제되는 반도체 제조장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 반도체 제조장치는, 처리 챔버와, 처리 챔버 내에 설치되어 피처리 기판을 지지하는 기판 지지 부재와, 기판 지지 부재에 의해 지지된 피처리 기판을 가열하는 가열 수단을 구비하는 반도체 제조장치로서, 처리 챔버 내측의 금속면 위와, 처리 챔버 내에 설치된 부재의 금속면 위 중에서 적어도 어느 한쪽의 소정 부위에, 피복 부재가 설치되어 있음을 특징으로 한다.
이와 같이, 처리 챔버 내부에 있는 금속면 위에 피복 부재를 설치함으로써, 스테인리스 스틸 등의 금속면이 직접 처리 챔버 내부에서 노출되지 않게 할 수 있다. 이것에 의해, 처리 챔버 내에 확산되는 금속 성분의 양을 줄여서, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 피처리 기판 상에 발생하는 금속 오염을 억제할 수 있다. 또한, 금속면을 갖는 처리 챔버 또는 부재에 대한 불필요한 가열에 따른 온도 상승이 줄어들게 되므로, 이것에 의해서도 금속 성분의 확산이 억제된다.
피복 부재를 금속면의 어느 부위에 설치할 지에 대해서는, 각각의 면의 피처리 기판과의 위치 관계나, 가열 프로세스 중에 있어서의 각 부위의 가열 상황 및 온도 변화 등, 개개의 반도체 제조장치의 구성에 맞게 필요한 부위를 선택하는 것이 바람직하다.
이하, 도면과 함께 본 발명에 의한 반도체 제조장치의 바람직한 실시 형태에 대해 상세히 설명한다. 한편, 도면의 설명에 있어서는, 동일한 요소에는 같은 부호를 사용하고, 중복되는 설명을 생략한다. 또한, 도면의 크기 비율은, 설명과 반드시 일치하지 않는다.
도 1은, 본 발명에 관한 반도체 장치의 일 실시 형태인 열 처리장치를 일부 단면으로 도시하는 사시도이고, 도 2는, 그 열 처리장치를 일부 확대하여 도시하는 측면 단면도이다. 도 1 및 도 2에 도시한 열 처리장치(1)는, 피처리 기판인 실리콘 웨이퍼(기판)(W)를 온도 제어하면서 열 처리하는 매엽식 급속 열 처리장치로서, 베이스부(2a), 측벽부(2b), 뚜껑부(2c)로 구성된 처리 챔버(2)를 구비하고 있다.
한편, 열 처리장치(1)에 의해 열 처리되는 웨이퍼(W)에 대해서는, 도 1에서는 도시하지 않고 장치 구성만을 도시하며, 도 2에서는 웨이퍼(W)를 설치한 상태를 도시하고 있다. 또한, 피처리 기판으로서는, 반도체 웨이퍼 및 유리 기판 등의 기판이 있으나, 이하에서는 실리콘 웨이퍼로 했을 경우에 대해서 설명한다.
이러한 처리 챔버(2) 내에는, 웨이퍼(W)를 지지하는 기판 지지 부재(3)가 설치되어 있다. 이 기판 지지 부재(3)는, 베이스부(2a)에 베어링(4)을 통해서 회전 가능하게 장착된 원통 프레임(5)과, 이 원통 프레임(5)의 상단에 설치된 링 프레임(6)으로 이루어지고, 링 프레임(6)의 내측 가장자리부에는, 웨이퍼(W)의 엣지부가 지지되는 지지용 단차부(6a)가 형성되어 있다. 또한, 베어링(4)의 상부에는, 베어링 커버(4a)가 설치되어 있다.
여기에서, 웨이퍼(W)가 기판 지지 부재(3)에 의해 지지된 상태(도 2 참조)에서는, 웨이퍼(W)의 이면측에, 베이스부(2a)와, 원통 프레임(5) 및 링 프레임(6)으로 이루어진 기판 지지 부재(3)와, 웨이퍼(W)에 의해 둘러싸인 웨이퍼 이면측 공간(Sa)이 형성된다.
베이스부(2a)의 하부에는, 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해 처리 챔버(2) 내에 반송된 웨이퍼(W)를 기판 지지 부재(3)에 의해 지지시키기 위한 리프트 부재(7)가 설치되어 있다. 이 리프트 부재(7)는, 베이스부(2a)를 관통하여 웨이퍼(W)를 들어올리는 복수개(예를 들어, 3개)의 지지 핀(8)을 가지고 있다.
처리 챔버(2)의 뚜껑부(2c)의 상방에는, 기판 지지 부재(3)에 의해 지지된 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 수단으로서, 복수개의 가열 램프(9)로 이루어진 램프 그룹(9G)이 배치되어 있다. 뚜껑부(2c)에는 원형의 램프용 창문부(Lw)가 설치되어 있어, 가열 램프(9)의 열은 그 램프용 창문부(Lw)를 통해서 웨이퍼(W)에 전달된다. 또한, 베이스부(2a)에는, 웨이퍼(W)의 온도를 광학적으로 검출하는 온도 센서(10)가 설치되어 있다.
이 온도 센서(10)는, 기판 지지 부재(3)에 둘러싸인 베이스부(2a) 상의 원형 플레이트(11)에서, 그 중심과 가장자리의 일부를 포함해 소정의 각도(예를 들어, 90도)를 지닌 대략 부채꼴의 센서 설치 영역 내에, 예컨대 도 1에 도시하는 바와 같이 복수개 내장(built-in)되어 있다. 또한, 상술한 웨이퍼 이면측 공간(Sa)은 광학적으로는 완전한 폐쇄 공간으로 되어 있고, 따라서, 이 폐쇄 공간(Sa)을 이용함으로써, 광학적으로 온도를 측정하는 온도 센서를 이용해 웨이퍼(W)의 온도를 검출할 수 있다.
처리 챔버(2)의 측벽부(2b)에는, 가스 공급구(12)와 가스 배출구(13)가 대향하여 설치되어 있다. 가스 공급구(12)에는, 처리 챔버(2) 내의 웨이퍼(W) 표면측의 웨이퍼 표면측 공간(Sb)에 프로세스 가스를 공급하기 위한 가스 공급 시스템(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 또한, 가스 배출구(13)에는, 웨이퍼 표면측 공간(Sb) 내의 가스를 처리 챔버(2)의 외부로 배출하기 위한 가스 배출 시스템(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 한편, 프로세스 가스라고 함은, 프로세스에 사용되는 가스를 말하며, 여기에서는 질소 가스(N2가스)가 사용된다.
처리 챔버(2)내에서 베어링(4)의 상방에 설치되어 있는 상기한 베어링 커버(4a)는, 스테인리스 스틸 등의 금속 재료를 이용하여 형성되어 있다. 본 실시 형태의 열 처리장치(1)에서는, 이 베어링 커버(4a)의 윗면측의 금속면 위에, 바람직하게는 석영으로 된 피복 부재(20)가 형성되어 있다.
피복 부재(20)는 두께 약 3㎜이고 균일한 두께로 형성된 판(plate)형상 부재로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 베어링 커버(4a) 상측의 금속면의 거의 전체를 덮도록 링 형상으로 형성되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 베어링 커버(4a)의 윗면의 높이를 가스 공급구(12) 및 가스 배출구(13)의 내측 하부면보다 약간 낮게 하며, 그 위에 피복 부재(20)를 설치하고 있다. 이것은, 가스 공급구(12)에서부터 가스 배출구(13)로의 가스 흐름을 적절하게 유지하기 위해서 이다.
여기에서, 이상과 같이 구성한 열 처리장치(1)를 이용하여 웨이퍼(W)를 한 매씩 열 처리하는 순서에 대해 설명한다. 먼저, 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해처리될 웨이퍼(W)가 처리 챔버(2) 내로 반송된다. 그리고, 리프트 부재(8)에 의해 3개의 지지 핀(8)이 상승하여 웨이퍼(W)를 들어올리고, 그런 다음에 지지 핀(8)이 하강하여 웨이퍼(W)가 기판 지지 부재(3)의 링 프레임(6) 상의 소정 위치에 놓여진다.
계속해서, 웨이퍼(W)의 열 처리의 프로세스가 시작된다. 먼저, 웨이퍼 표면측 공간(Sb)에 가스 공급구(12)로부터 프로세스 가스가 공급된다. 그리고, 구동 수단(도시하지 않음)에 의해 기판 지지 부재(3)를 회전 구동시켜서 웨이퍼(W)를 회전시킴과 동시에, 웨이퍼(W)의 상방에 위치하는 램프 그룹(9G)의 복수개의 가열 램프(9)를 점등시킨다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 온도는 실온에서부터 서서히 상승해, 웨이퍼(W)의 온도가 소정의 온도(예컨대, 약 1000℃)에 이른다. 그 후, 소정 시간이 경과하면 열 처리가 종료된다. 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키고, 복수개의 가열 램프(9)의 온도가 웨이퍼 반출 온도(예컨대 750℃)가 되도록 제어된다. 그리고, 반송 로봇에 의해 웨이퍼(W)가 처리 챔버(2)의 외부로 꺼내어진다.
상기한 실시 형태에 의한 열 처리장치(1)의 효과에 대해, 구체적인 실시예와 함께 설명한다.
급속 열 처리장치 등의 반도체 제조장치에서는, 그 내부에서의 고온이나 급속한 온도 변화에 대한 내구성을 유지하기 위해, 처리 챔버나 내부에 설치되는 각 부재의 대부분이 스테인리스 스틸 등의 금속으로 형성되어 있다. 이 때, 가열 프로세스 실행시에 챔버나 각 부재의 금속면으로부터 불필요한 금속 성분이 확산되어 버려, 이 확산 금속으로 인한 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판으로의 금속 오염의발생이 문제가 된다.
이에 반해, 상기한 실시 형태에서는, 처리 챔버(2)의 내부에 설치된 금속 부재인 스테인리스 스틸제 베어링 커버(4a)의 상측 금속면에, 석영제의 판형상 피복 부재(20)를 설치하고 있다. 이와 같이, 비금속 재질로 이루어진 피복 부재에 의해 금속면을 피복함으로써, 금속면으로부터의 금속 성분의 확산이 줄어들어, 반도체 웨이퍼에 대한 금속 오염이 억제된다.
여기에서, 석영은 불필요한 금속 성분을 발생하지 않고, 또한 배출 가스가 적기 때문에, 확산 금속의 영향을 효과적으로 억제할 수 있는 동시에, 처리 챔버(2) 내부의 상태를 알맞게 유지할 수 있다. 또한, 석영은 열로 인한 변화가 작기 때문에, 열 처리 실행시에 고온이 되어도 온도 상승에 따른 변형 등의 문제를 일으키는 일이 없다. 이와 같은 피복 부재의 재질로서는, 석영 이외에도, SiC, SiN, 폴리실리콘이나, 세라믹스 등의 비금속 재질을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 피복 부재는, 거의 균일한 두께를 갖는 평면 형상 또는 곡면 형상의 판형상 부재로 하는 것이, 효과의 균일성이나 제작 및 설치가 용이한 점 등에서 바람직하다.
또한, 이와 같은 피복 부재(20)를 설치함으로써, 가열 수단인 복수개의 가열 램프(9)로부터 가열광이나 열의 투과가 감소되므로, 베어링 커버(4a)의 온도 상승이 억제된다. 이와 같이 베어링 커버(4a)에 대한 가열 감소에 의해서도, 금속 성분의 확산이 억제된다. 이 경우, 피복 부재(20)를 다공성 석영 등의 내부에 기포를 포함하는 다공성 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 다공성으로 함으로써, 복수개의 가열 램프(9)로부터의 빛이 베어링 커버에 투과되는 것이나, 열 자체의 전도가 더욱 감소하게 되므로, 베어링 커버(4a)의 온도 상승을 더욱 억제할 수 있다.
처리 챔버 내에 있는 금속면 중에서, 어느 면에 피복 부재를 설치할 것인지에 대해서는, 웨이퍼(W) 등의 피처리 기판을 향하는(면하는) 면 위에, 혹은 상기한 실시 형태에서는 웨이퍼 표면측 공간(Sb)을 향하는 면 위에 형성하는 것이 바람직하다. 이와 같은 금속면은, 발생된 확산 금속의 피처리 기판에 대한 영향이 특히 큰 면이다. 또한, 가열 수단에 의해 가열되기 쉬운 면 위에 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 금속면은, 열 처리 중에 고온이 되기 쉬운 면이기 때문에, 확산 금속의 발생이 특히 많아지는 면이다.
상기한 실시 형태의 열 처리장치(1)에 있어서는, 이들 조건에 근거하여, 베어링 커버(4a)의 윗면에 피복 부재(20)를 설치하고 있다. 특히, 이 금속면은 복수개의 가열 램프(9)로부터의 가열광이 직접 조사되기 때문에, 온도 상승이 두드러져, 금속 성분이 많이 확산된다. 따라서, 이 면을 석영제의 판형상 피복 부재(20)로 피복함으로써, 확산 금속의 발생을 효과적으로 줄여서 금속 오염을 억제할 수 있다.
도 3은, 상기한 실시 형태에 의한 열 처리장치(1)를 이용한 막 형성에 의해 얻어지는 평균 막 두께 및 막 두께 균일성을, 피복 부재를 사용하지 않은 종래의 열 처리장치를 이용한 막 형성의 경우와 비교하여 그 재현성을 나타내는 그래프이다. 여기에서는, 25매의 웨이퍼에 대해 순차적으로 열 처리했을 경우의 평균 막 두께 및 막 두께 균일성의 변화를 나타내고 있으며, 그래프의 가로축은 열 처리를한 웨이퍼의 번호를 나타내고, 또한 세로축은 평균 막 두께(Å) 및 막 두께 균일성(%)을 나타내고 있다. 막 두께 측정은, 타원계(ellipsometer)를 이용하여 8인치 웨이퍼로 3㎜ 엣지 단부를 삭제하여 49점을 측정하여, 측정값의 평균을 평균 막 두께로 나타내고, 측정값 분포의 1시그마(표준편차)를 막 두께 균일성으로 나타내고 있다.
이들 중에서, 평균 막 두께에 대해서는, 피복 부재(20)를 설치한 본 발명의 실시예에 의한 데이터를 그래프(T1)로 나타내고, 또한 종래예에 의한 데이터를 그래프(T2)로 나타내고 있다. 이들 평균 막 두께 데이터에서는, 막 두께의 절대값은 막 형성 조건의 차이에 따라 양자에서 약간 다른데, 그 막 두께의 웨이퍼 번호에 의한 변동에 대해서는 전부 양호하게 안정되고, 각 웨이퍼에서 일정한 막 두께가 얻어진다.
한편, 막 두께 균일성에 대해서는, 피복 부재(20)를 설치한 본 발명의 실시예에 의한 데이터를 그래프(U1)로 나타내고, 또한 종래예에 의한 데이터를 그래프(U2)로 나타내고 있다. 이러한 막 두께 균일성 데이터에서는, 전부 거의 동일한 막 두께 균일성이 각 웨이퍼에 대해 얻어지고 있다.
이상으로부터, 막이 형성되는 평균 막 두께의 변동 및 각 웨이퍼에서의 형성 막의 두께 균일성의 재현성에 대해서는, 석영제의 피복 부재 설치에 따른 재현성 저하 등의 영향은 특별히 보이지 않으며, 종래의 열 처리장치와 동일한 막 형성 조건을 얻을 수 있음을 알 수 있다.
도 4는, 상기한 실시 형태에 의한 열 처리장치(1)를 이용하여 열 처리했을경우의 금속 오염을, 피복 부재를 사용하지 않은 종래의 열 처리장치를 이용한 열 처리의 경우와 비교하여 그 감소를 나타내는 도표이다. 여기에서, 금속 오염의 측정법에 대해서는, 우선, 8인치 웨이퍼 상의 약 200Å의 산화막을 1㎖의 플루오르화 수소산과 과산화 수소수의 혼합산에 의해 용해시킨다. 이 용해 후의 용액을 증류수로 희석시킨 다음에 분석계 ICP-MS에 도입하여 각 측정 원소에 대해서 측정하고, 측정값을 웨이퍼 상의 면적 1㎠당 원자수로 환산하여 나타내고 있다.
측정은, Mg, Al, Fe 및 Cu의 각 원소에 대해서 행했다. 종래예에 의한 데이터에서는, 각 원소의 함유량은 원자수로 각각 1.50×1010개/㎠, 9.60×109개/㎠, 2.70×1011개/㎠, 및 2.30×109개/㎠이었다. 특히, 베어링 커버(4a) 재질인 스테인리스 스틸의 주성분인 Fe에 대해서, 금속 오염량이 증가하고 있다.
한편, 피복 부재(20)를 설치한 본 발명의 실시예에 의한 데이터에서는, Mg 및 Al은 각각 5.40×109/㎠, 및 4.70×109개/㎠로 종래예에 비해 크게 감소되어 있다. 또한, Fe 및 Cu에 대해서는, 분석에 의해 검출되지 않았기 때문에, 분석계의 측정 한계에 대응하는 수치 8.0×108개/㎠를 각각의 상한값으로서 나타내고 있다. 특히, Fe의 금속 오염량의 감소 효과는 현저하다.
이상으로부터, 석영제의 피복 부재를 설치함으로써, 각 금속 원소 모두 금속 오염의 발생이 크게 감소되어 있음을 알 수 있다. 즉, 처리 챔버(2)의 내부에 노출되어 있는 베어링 커버(4a) 윗면의 금속면을, 석영제의 판형상 피복 부재(20)로피복함으로써, 종래와 동일한 형성 막의 두께 재현성 등의 적합한 막 형성 조건을 유지하면서, 열 처리시에 금속면으로부터 발생하는 확산 금속 성분으로 인한 웨이퍼의 금속 오염을 대폭으로 억제할 수 있다.
본 발명에 의한 반도체 제조장치는, 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 변형이 가능하다. 예를 들어, 상기한 형태의 열 처리장치 이외의 반도체 제조장치에 대해서도 본 발명은 적용할 수 있다.
또한, 피복 부재를 설치하는 처리 챔버(2) 내의 부위에 대해서도, 도 1 및 도 2에 도시한 베어링 커버(4a)의 윗면 이외에도, 다른 금속면에 대해 설치함으로써 금속 성분의 확산을 더욱 감소시킬 수 있다. 도 5는, 상기한 실시 형태의 변형예를 도시하는 부분 확대 단면도이다.
도 5에 있어서는, 도 1 및 도 2에 도시한 베어링 커버(4a) 상의 피복 부재(20) 이외에 설치할 수 있는 피복 부재의 예로서, 피복 부재(21 및 22)가 도시되어 있다. 피복 부재(21)는, 스테인리스 스틸제 등의 금속제 처리 챔버(2)의 측벽부(2b) 상의 원통형상 내벽의 금속면 위에 설치되는 것으로, 가스 공급구(12) 및 가스 배출구(13)가 설치되어 있는 부위를 제외한 내벽 전체를 덮도록 형성되어 있다. 이 내벽의 금속면은, 복수개의 가열 램프(9)로부터의 가열광이 조사되는 부분이며, 또한, 피처리 기판인 웨이퍼(W)를 향하는 위치에 있기 때문에, 이와 같은 피복 부재(21)의 설치가 금속 오염을 제어하는 데 있어 효과적이다.
또한, 피복 부재(22)는, 처리 챔버(2)의 측벽부(2b)에 설치된 가스 공급구(12) 및 가스 배출구(13) 내벽의 금속면을 덮도록 형성되어 있다. 이들 금속면은, 복수개의 가열 램프(9)로부터의 가열광의 영향이 비교적 적어서, 확산 금속 성분의 발생도 적은데, 이러한 부분에 대해서도 피복 부재(22)를 설치함으로써, 더욱더 금속 오염을 억제할 수 있다.
열 처리 기판에 대한 열 처리 실행시에 금속 성분의 확산을 일으키는 처리 챔버 내부의 각 금속면에 금속면을 덮는 피복 부재를 형성한 본 발명에 의한 반도체 제조장치는, 금속면으로부터 처리 챔버 내에 발생되는 확산 금속의 발생량을 줄이고, 확산 금속으로 인한 피처리 기판의 금속 오염이 억제되는 반도체 제조장치로서 이용할 수 있다. 이 때, 피복 부재에 의해 금속면에 대한 가열도 동시에 억제되기 때문에, 이것에 의해서도 확산 금속의 발생이 줄어든다.
이와 같은 구성으로 함으로써, 급속 열 처리장치 등의 반도체 제조장치에 있어서, 형성 막의 두께의 제조 조건의 재현성 등 막 형성 조건이나 제조 효율을 저하시키지 않고, 금속 오염의 억제에 따른 품질 향상을 실현할 수 있다. 또한, 판형상 등의 피복 부재를 금속면 위에 설치함으로써 금속면을 피복하고 있기 때문에, 피복이 용이한 점에서도 유용하다.

Claims (7)

  1. 처리 챔버와, 상기 처리 챔버 내에 설치되어 피처리 기판을 지지하는 기판 지지 부재와, 상기 기판 지지 부재에 의해 지지된 상기 피처리 기판을 가열하는 가열 수단을 구비하는 반도체 제조장치로서,
    상기 처리 챔버 내측의 금속면 위와, 처리 챔버 내에 설치된 부재의 금속면 위 중에서 적어도 어느 한쪽의 소정 부위에, 피복 부재가 설치되어 있는 반도체 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 피복 부재는, 상기 금속면 위에 균일한 두께로 설치된 판형상 부재인 반도체 제조장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 피복 부재는, 석영, SiC, SiN, 폴리실리콘, 또는 세라믹스 중에서 적어도 하나를 포함하는 재료로 이루어진 반도체 제조장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 피복 부재는, 다공성 재료로 이루어진 반도체 제조장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 피복 부재는, 상기 처리 챔버 내측의 금속면과, 상기 처리챔버 내에 설치된 부재의 금속면 중에서, 상기 피처리 기판을 향하는 면 위에 설치되어 있는 반도체 제조장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 가열 수단은, 복수의 가열용 램프로 이루어진 반도체 제조장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 피복 부재는, 상기 처리 챔버 내측의 금속면과, 상기 처리 챔버 내에 설치된 부재의 금속면 중에서, 상기 복수의 가열용 램프로부터의 빛이 조사되는 면 위에 설치되어 있는 반도체 제조장치.
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