JP5188326B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置 Download PDF

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Description

本発明は、基板処理装置に関する。
例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以
下、ウエハという。）に酸化膜や金属膜や半導体膜を形成する成膜、アニール、酸化、拡
散およびイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフロー等の熱処理（thermal treatment ）に使用される熱処理装置（furnace）に利用して有効なものに関する。
ＩＣの製造方法において、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）お
よびポリシリコン等をウエハに堆積（デポジション）するのに、熱処理装置の一例である
バッチ式縦形ホットウオール形ＣＶＤ装置が、広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）は、アウタチ
ューブと、アウタチューブの内側に設けられて処理室を形成するインナチューブと、アウ
タチューブ内を加熱する加熱装置（ヒータ）と、アウタチューブおよびインナチューブを
載置し処理室を排気する排気管および処理室にガスを供給するガス導入管が接続されたマ
ニホールドと、複数枚のウエハを垂直方向に整列させて保持して処理室に搬入するボート
とを備えている。
そして、複数枚のウエハを保持したボートが処理室に下端の炉口から搬入（ボートロー
ディング）され、処理室に成膜ガスがガス導入管から供給されるとともに、加熱装置によ
って処理室が加熱されることにより、ウエハの上にＣＶＤ膜が堆積される。
従来のこの種のＣＶＤ装置においては、特許文献１のように、マニホールド（炉口フラ
ンジ）は金属によって形成されている。
金属製のマニホールドの場合には、板厚が薄く熱容量も小さいために、炉口外に放熱し
易かった。
特開２００２−３３４８６８号公報
しかし、金属製マニホールドを使用した従来のＣＶＤ装置においては、反応ガスおよびクリー
ニングガスによる反応生成物の付着によって金属製マニホールドが腐蝕されるという問題点があった。
また、ＩＣの微細化に伴って、金属製マニホールドを使用したＣＶＤ装置においては、金属製マニホールドからの金属の放出が問題となって来ている。そこで、最近はマニホールドやアウタチューブ、シールキャップを石英により製造している。
半導体製造装置において、石英のアウタチューブ等のフランジ部にＯリングによる真空シール部があり、そのシール面（接合面）にキズ等があった場合はその個所から処理ガス等のリークが発生するという問題が生じる。アウタチューブ等は下面にシール面が配置されており、アウタチューブ等を半導体製造装置から取り外し、保管や仮置きする場合は床等に清浄なシート等を敷いて床置きするが、異物等があった場合はシール面に傷がついてしまうことがあった。
また、アウタチューブの排気管のフランジがアウタチューブの下面より下に設置しなければならない場合がある。その場合は、フランジの排気管でアウタチューブの自重を直接受けることになり、排気管の破損の危険性があった。
また、石英部品を床置きした場合、床の汚れがシール面に付着して炉内に持ち込まれることにより炉内の汚染の原因となっていた。
本発明の目的は、半導体製造装置において、石英部品を床置きした際にＯリングシール面を保護し、排気管に自重をかけることがなく、石英部品にキズをつけることや排気管の破損の危険性を少なくし、メンテナンス時の床の汚れなどが炉内に入り込むことを防止することができる半導体製造装置を提供することにある。
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
石英からなるアウタチューブとインナチューブからなる反応管と、前記アウタチューブと石英からなるマニホールドとの間を気密に接合する第1の接合面と、前記マニホールドと石英からなるシールカバーとの間を気密に接合する第２の接合面と、前記シールカバーとシールキャップとの間を気密に接合する第３の接合面と、を有する熱処理装置であって、前記第１または第２または第３の接合面の少なくとも１つの接合面にはＯリングが設けられており、前記接合面のＯリング部より外側に突起を設ける構成としたことを特徴とする熱処理装置。
前記手段によれば、マニホールド、アウタチューブ、シールキャップといった石英製の部品を床置きした際にシール面を保護し、傷をつけることや、排気管の破損の危険性が少なく、メンテナンス時の床の汚れなどが炉内に入り込むことを防止することができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法における成膜工
程を実施するＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウオール形ＣＶＤ装置）として構成されて
いる。
図１に示されているように、ＣＶＤ装置１０は加熱装置であるヒータ１２を有する。
ヒータ１２は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース１１に支持されることによ
り垂直に据え付けられている。
ヒータ１２の内側には反応管としてのプロセスチューブ１３が、ヒータ１２と同心円状
に配設されている。プロセスチューブ１３は外部反応管としてのアウタチューブ１４と、
内部反応管としてのインナチューブ１５とから構成されている。
アウタチューブ１４は、石英が使用されて、内径がインナチューブ１５の外径よりも大き
い円筒形状に形成されている。アウタチューブ１４は上端が閉塞し下端が開口した円筒形状
に形成されている。
インナチューブ１５は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて、上端および下端が開口し
た円筒形状に形成されている。インナチューブ１５の筒中空部は処理室１６を形成している。
処理室１６はウエハ１を後述するボートによって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態
で収容可能に構成されている。
アウタチューブ１４とインナチューブ１５とは同心円状に設けられている。アウタチュ
ーブ１４とインナチューブ１５との隙間によって筒状空間１７が形成されている。
アウタチューブ１４の下側には後述するマニホールド５０がアウタチューブ１４と同心円
状に配設されている。マニホールド５０の上にはアウタチューブ１４およびインナチューブ
１５が載置されている。プロセスチューブ１３とマニホールドとによって処理容器１８が構成
されている。
アウタチューブ１４には排気管２０が接続されており、排気管２０は処理室１６内の雰
囲気を排気する。排気管２０は筒状空間１７の下端部に配置されており、筒状空間１７に
連通している。
排気管２０のアウタチューブ１４との接続側と反対側である下流側には、真空ポンプ等
の排気装置２３が圧力検出器としての圧力センサ２１および圧力調整装置２２を介して接
続されている。排気装置２３は処理室１６内の圧力が所定の圧力（真空度）となるように
排気する。
圧力センサ２１および圧力調整装置２２には圧力制御部２４が電気配線Ｂによって電気
的に接続されている。圧力制御部２４は圧力調整装置２２を、圧力センサ２１により検出
された圧力に基づいて、処理室１６内の圧力が所望の圧力となるように、かつ、所望のタ
イミングをもって制御する。
排気管２０は傾斜部２０ａを有する。傾斜部２０ａはヒータベース１１から後述するア
ウタチューブ受けまで延在するように傾斜している。排気管２０に傾斜部２０ａを設ける
ことにより、均熱エリア外の処理容器１８の高さを小さくすることができる。
ここで、均熱エリア外の処理容器１８の高さを大きくした場合には、それに応じてボー
トの高さを大きくしないと、ヒータ１２が形成する均熱エリアにウエハを配置することが
できない。また、ボートが高くなると、処理容器１８下方の待機室（予備室）の高さをも
、それに応じて大きくする必要がある。そのため、均熱エリア外の処理容器１８の高さが
大きくなると、それに応じて、その部分の高さの約２倍分、ＣＶＤ装置１０全体の高さが
必要になってしまう。
本実施の形態においては、排気管２０に傾斜部２０ａを設けることにより、均熱エリア
外の処理容器１８の高さを小さくすることができるので、約２倍分、ＣＶＤ装置１０全体
の高さを小さくすることができる。
処理容器１８にはガス供給部２５が処理室１６内に連通するように設けられている。ガ
ス供給部２５にはガス供給管２６が接続されている。
ガス供給管２６にはガス供給部２５との接続側と反対側である上流側に、ガス流量制御
器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２７が接続されており、ＭＦＣ２７はガス
供給源２８に接続されている。ガス供給源２８は処理ガスや不活性ガスを供給する。
ＭＦＣ２７にはガス流量制御部２９が電気配線Ｃによって電気的に接続されている。ガ
ス流量制御部２９はＭＦＣ２７を、供給するガスの流量が所望の量となるように、かつ、
所望のタイミングをもって制御する。
処理容器１８の下方にはシールキャップ３０が設けられている。シールキャップ３０は
処理室１６の下端開口を気密に閉塞可能な蓋体を構成している。シールキャップ３０は例
えばステンレスやニッケル合金等の金属材料あるいは石英が使用されて円盤形状に形成さ
れている。
シールキャップ３０の処理室１６側にはシールキャップカバー３１が設けられている。
シールキャップカバー３１は、例えば石英のような非金属材料によって形成されている。
シールキャップカバー３１はシールキャップ３０を被覆することにより、金属部分が処理
室１６側に露出するのを防止している。
シールキャップカバー３１は処理容器１８下面に垂直方向下側から当接する。
図２に示されているように、シールキャップ３０には上面にＯリング３０ａが設けられ
ている。Ｏリング３０ａはシールキャップカバー３１下面と当接する密閉部材である。
シールキャップカバー３１上面にもＯリング３１ａが設けられている。Ｏリング３１ａ
は処理容器１８下面と当接する密閉部材である。
シールキャップ３０には中央部に円形孔３０ｂが開設されており、シールキャップカバ
ー３１にも中央部に円形孔３１ｂが開設されている。シールキャップ３０の円形孔３０ｂ
と、シールキャップカバー３１の円形孔３１ｂとは重なり合っている。
シールキャップ３０にはシールキャップカバー３１と反対側（下側）に、フランジ３２
が設けられている。フランジ３２の外径は円形孔３０ｂの口径よりも大きい。フランジ３
２はシールキャップ３０に下方から、取り付けねじ３２ｃにより固定されている。フラン
ジ３２には中央部に挿通孔３２ａが開設されている。フランジ３２上面には窪み３２ｂが
挿通孔３２ａと同心円状に形成されている。窪み３２ｂの口径は挿通孔３２ａの口径より
も大きく、シールキャップ３０の円形孔３０ｂおよびシールキャップカバー３１の円形孔
３１ｂの口径以下のサイズとなっている。
フランジ３２には下面中央部に回転機構３３が軸受３４を介して設置されている。回転
機構３３の回転軸３３ａ上端にはボート受け３５が回転軸３３ａと一体回転するように取
り付けられている。ボート受け３５は、例えばステンレスまたはニッケル合金のような金
属が使用されて、上部が大径で下部が小径の二段円柱形状に形成されている。ボート受け
３５はフランジ３２の挿通孔３２ａおよび窪み３２ｂと、シールキャップ３０の円形孔３
０ｂとが画成する室内に嵌入されている。
ボート受け３５上には台座３６がボート受け３５および回転軸３３ａと一体回転するよ
うに載せられている。台座３６はアルミナセラミックスまたは透明石英もしくは不透明石
英が使用されて円柱形状に形成されている。台座３６はシールキャップカバー３１の円形
孔３１ｂ内に回転可能に嵌入されている。台座３６の上にはボート３７が台座３６とボー
ト受け３５、回転軸３３ａと一体回転するように載せられている。
基板保持具としてのボート３７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料によって形成
されている。ボート３７は複数枚のウエハ１を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で
整列させて多段に保持する。
なお、ボート３７の下部には断熱部材としての断熱板３８が複数枚、水平姿勢で多段に
配置されている。この断熱板３８は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料が使用されて
円板形状に形成されている。断熱板３８はヒータ１２からの熱がシールキャップ３０側に
伝わり難くさせる。
図１に示されているように、ベース３９はボートエレベータ４０のアーム４１に、垂直
に支持されている。
ボートエレベータ４０はプロセスチューブ１３の外部に垂直に設備されている。ボート
エレベータ４０はボートを垂直方向に昇降させる昇降機構である。すなわち、ボートエレ
ベータ４０はボート３７を処理室１６へ搬入したり、処理室１６から搬出したりする。
回転機構３３およびボートエレベータ４０には駆動制御部４２が電気配線Ａによって電
気的に接続されている。駆動制御４２は回転機構３３およびボートエレベータ４０を、所
望の動作をするように、かつ、所望のタイミングをもって制御する。
プロセスチューブ１３内には温度検出器としての温度センサ４３が設置されている。
ヒータ１２と温度センサ４３には温度制御部４４が電気配線Ｄによって電気的に接続さ
れている。温度制御部４４はヒータ１２への通電具合を、温度センサ４３によって検出さ
れた温度情報に基づき、処理室１６内の温度が所望の温度分布となるように、かつ、所望
のタイミングをもって制御する。
圧力制御部２４、ガス流量制御部２９、駆動制御部４２および温度制御部４４は、操作
部および入出力部をも構成し、ＣＶＤ装置１０全体を制御する主制御部４５に電気的に接
続されている。
圧力制御部２４、ガス流量制御部２９、駆動制御部４２、温度制御部４４および主制御
部４５はコントローラ４６を構成している。
マニホールド５０は非金属部材としての石英が使用されて、円形リング形の扁平ブロッ
ク形状（図３参照）に形成されている。マニホールド５０は透明または半透明に形成され
ている。また、マニホールド５０は、アウタチューブ１４内周面より内側に突き出された
突出部５０ａを有している。
なお、図２に示されているように、マニホールド５０にガス供給部２５が外側壁５０ｂ
から突出部５０ａの内側壁５０ｃに至るまで形成された貫通孔５０ｄと貫通孔５０ｄに貫
通されて設けられたノズル２６Ａにより形成されている。
このように、マニホールド５０は非金属部材である石英によって形成されているため、
処理容器１８内に金属部材を腐食させるガスを流したり、処理容器１８内をエッチングガ
スを使用してドライクリーニングしたりしても腐食による金属汚染物を放出することはな
い。
円形リング形の扁平ブロック形状に形成されたマニホールド５０は、特に、突出部５０
ａを有するため、ヒータ１２からの熱線を直接受ける表面積を大きくすることができる。
これにより、ヒータ１２からの輻射熱を受け易くでき、かつ、厚みが薄いため、熱容量を
小さくできるので、マニホールド５０全体に熱が伝わり易い。
このため、マニホールド５０の表面には副生成物が付着し難くなる。
さらに、マニホールド５０はガス供給部２５のガス等の供給ガスを予備加熱する。
マニホールド５０の第一接合面５１にはＯリング５３が敷設されている。Ｏリン
グ５３はアウタチューブ１４下面と当接する密閉部材である。
図５は処理室の構成を概略的に示したものであるが、図５に示されるように、石英製のアウタチューブ１４等のフランジ部にＯリングによるＯリングシール面があり、そのシール面（接合面）にキズ等があった場合はその個所から処理ガス等がリークする問題が発生する。アウタチューブ１４等は下面にシール面が配置されており、アウタチューブ１４等を保管や仮置きする場合は床等に清浄なシート等を敷いて床置きするが、異物等があった場合はシール面に傷がついてしまうという問題があった。
また、アウタチューブ１４の排気管２０のフランジがアウタチューブ１４の下面より下に設置しなければならない場合がある。その場合は、排気管２０のフランジでアウタチューブ１４の自重を受けることになり、排気管２０の破損の危険性があった。また、石英部品を床置きした場合、床の汚れが付着して炉内に持ち込まれ汚染の原因となっていた。
アウタチューブ１４、マニホールド５０、シールキャップ３０の下面にＯリングシール面がある場合、床置きした際に、このシール面に傷がつく場合がある。

図６は、従来の構成である図５の点線で囲まれた部分の拡大図である。また、図７は、図６に対応する本発明の構成である。
図７、図８に示すようにアウタチューブ１４下面のＯリングシール面である接合面にブロック形状もしくはリング形状の石英からなる突起部７０を設置して、床置きしてもＯリングシール面が直接床に接触しないような構成とした。ブロック形状あるいはリング形状の突起部７０は、Ｏリングシール位置より外側にあるため、Ｏリングシール面に傷がつくことが防止でき、床の汚れが床との接触面すなわち突起部に付着しても接触面はＯリングシール位置の外側となるため、汚れを炉内に持ち込むことがない。
また、図８の点線にて示すようにアウタチューブ１４の排気管２０のフランジ７１がアウタチューブ１４の下面より下に設置しなければならない場合がある。その際も、下面にブロック形状やリング形状の突起部７０を設置してアウタチューブ１４の最下面が排気管２０のフランジ７１部分ではなく、突起部７０とすることができる。これにより、アウタチューブ１４を床置きした場合には、排気管２０のフランジ部７１は、Ｏリングシール面５１より高い位置となり、床に接するのは突起部７０となるため、排気管２０のフランジ７１でアウタチューブ１４の自重を受けることなく、アウタチューブ１４を床置きすることができる。なお、前記突起部７０は、数箇所にブロック形状のものをＯリングシール面（接合面）に設けることにより、床置きの際に接合面を保護することが可能となる。また、突起部７０は、Ｏリングシール面の外周縁の近傍を一周にわたるようなリング形状でももちろんかまわない。
図３に示されているように、アウタチューブ１４の外側には、垂直方向に延在する３本
の支柱６０が周方向に所定の間隔、好ましくは等間隔に配置されている。図４（ａ）に示
されているように、支柱６０は上端をヒータベース１１に固定されている。
３本の支柱６０はアウタチューブ受け（第一支持部材）６１を吊持している。すなわち
、アウタチューブ受け６１の外周に所定の間隔、好ましくは等間隔で突設された３個のブ
ラケット６２ａが、３本の支柱６０、６０、６０下端面に各ボルト（締結部材）６３によ
って締結されている。
アウタチューブ受け６１はアウタチューブ１４下端のフランジ部１４ａに対応した円形
リング形状に形成されている。アウタチューブ受け６１はフランジ部１４ａ外周に装着さ
れている。したがって、アウタチューブ１４はアウタチューブ受け６１によって支持され
ている。
図３に示されているように、アウタチューブ受け６１の外周には、支柱６０のためのブ
ラケット（以下、第一ブラケットという。）６２ａとは別のブラケット（以下、第二ブラ
ケットという。）６２ｂが６個、周方向に所定の間隔、好ましくは等間隔で突設されてい
る。
図４（ｂ）に示されているように、６個の第二ブラケット６２ｂはマニホールド受け（
第二支持部材）６４を吊持している。すなわち、マニホールド受け６４外周部に所定の間
隔、好ましくは等間隔で突設された６個のブラケット６５が、６個の第二ブラケット６２
ｂ下端面に各ボルト（締結部材）６６によって締結されている。
マニホールド受け６４はマニホールド５０に対応した円形リング形状に形成されている
。マニホールド受け６４はマニホールド５０外周に装着されている。したがって、マニホ
ールド５０はマニホールド受け６４によって支持されている。また、インナチューブ１５
はマニホールド５０によって支持されているので、インナチューブ１５もマニホールド受
け６４によって支持されている。
ヒータベース１１に固定された支柱６０がアウタチューブ受け６１とマニホールド受け
６４とを兼用支持しているので、ＣＶＤ装置１０をコンパクト化することができる。
支柱６０からアウタチューブ受け６１を取り外すことにより、アウタチューブ１４、マ
ニホールド５０およびインナチューブ１５を同時に取り外すことができる。したがって、
アウタチューブ１４、マニホールド５０およびインナチューブ１５の交換作業を容易とす
ることができる。
なお、好ましくは、アウタチューブ受け６１およびマニホールド受け６４を周方向等間
隔の複数箇所で支持することにより、アウタチューブ１４、マニホールド５０およびイン
ナチューブ１５の荷重を均等に分散させて支持することができるので、Ｏリング３０ａ、
３１ａおよび５３のシール状態を良好に維持することができる。
次に、以上の構成に係るＣＶＤ装置１０を用いる本発明の一実施の形態であるＩＣの製
造方法における成膜工程を説明する。
なお、以下の説明において、ＣＶＤ装置１０を構成する各部の動作はコントローラ４６
により制御される。
複数枚のウエハ１がボート３７に装填（ウエハチャージ）されると、図１に示されてい
るように、複数枚のウエハ１を保持したボート３７は、ボートエレベータ４０によって持
ち上げられて処理室１６に搬入（ボートローディング）される。
この状態で、シールキャップ３０はＯリング３０ａ、シールキャップカバー３１および
Ｏリング３１ａを介してマニホールド５０の下面をシールした状態となる。
処理室１６内が所望の圧力（真空度）となるように排気装置２３によって排気される。
この際、処理室１６内の圧力は圧力センサ２１で測定され、この測定された圧力に基づき
圧力調節装置２２がフィードバック制御される。
また、処理室１６内が所望の温度となるようにヒータ１２によって加熱される。この際
、処理室１６内が所望の温度分布となるように、温度センサ４３が検出した温度情報に基
づきヒータ１２への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構３３によってボート３７が回転されることにより、ウエハ１が回転さ
れる。
ガス供給源２８から供給されＭＦＣ２７によって所望の流量となるように制御されたガ
スは、ガス供給管２６を流通してガス供給部２５から処理室１６内に導入される。
導入されたガスは処理室１６内を上昇し、インナチューブ１５の上端開口から筒状空間
１７に流出して排気管２０から排気される。
ガスは処理室１６内を通過する際にウエハ１の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応に
よってウエハ１の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
予め設定された処理時間が経過すると、ガス供給源２８から不活性ガスが供給されて、
処理室１６内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室１６内の圧力が常圧に復帰され
る。
その後、ボートエレベータ４０によってシールキャップ３０が下降されて、処理室１６
の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ１がボート３７に保持された状態で、処理室
１６の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
その後、処理済ウエハ１はボート３７から取出される（ウエハディスチャージ）。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、マニホールドは石英によって形成するに限らず、アルミナによって形成しても
よい。
但し、アルミナ部材は熱勾配に弱く割れる可能性がある。例えば、アルミナ製のマニホ
ールドは炉内温度７００℃で１００℃以上の温度差が生じる場合に割れる可能性がある。
したがって、マニホールドは石英によって形成することが好ましい。
例えば、均熱エリア外の処理容器１８の高さを小さくすることができない点で劣るもの
の、排気管２０に傾斜部２０ａを設けなくてもよい。
例えば、シールキャップからの金属汚染を抑制し難い点で劣るものの、シールキャップ
カバーは設けなくてもよい。
前記実施の形態ではＣＶＤ装置について説明したが、本発明はこれに限らず、アニール
、酸化、拡散およびリフローのような熱処理に使用される熱処理装置等の基板処理装置全
般に適用することができる。
基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、光ディスクおよ
び磁気ディスク等であってもよい。
従来の実施の形態であるＣＶＤ装置を示す縦断面図である。 従来の処理室の主要部を示す縦断面図である。 同じく横断面図である。 （ａ）は図３のａ−ａ線に沿う断面図、（ｂ）は図３のｂ−ｂ線に沿う断面図である。 従来の処理室の概略を示す断面図である。 図５の点線枠部を拡大した従来のシール面を示す図である。 図６に対応する本発明のシール面を示す図である。 本発明の排気管とシール面の突起との位置関係を示す図である。
符号の説明
１…ウエハ（基板）、
１０…ＣＶＤ装置、１１…ヒータベース、１２…ヒータ、
１３…プロセスチューブ、１４…アウタチューブ、１４ａ…フランジ部、１５…インナ
チューブ、１６…処理室、１７…筒状空間、１８…処理容器、
２０…排気管、２０ａ…傾斜部、２１…圧力センサ、２２…圧力調整装置、２３…排気
装置、２４…圧力制御部、
２５…ガス供給部、２６…ガス供給管、２６Ａ…ノズル、２７…ＭＦＣ、２８…ガス供
給源、２９…ガス流量制御部、
３０…シールキャップ（蓋体）、３０ａ…Ｏリング、３０ｂ…円形孔、３１…シールキ
ャップカバー、３１ａ…Ｏリング、３１ｂ…円形孔、
３２…フランジ、３２ａ…挿通孔、３２ｂ…窪み、３２ｃ…取り付けねじ、３３…回転
機構、３３ａ…回転軸、３４…軸受、３５…ボート受け、３６…台座、３７…ボート、３
８…断熱板、３９…ベース
４０…ボートエレベータ、４１…アーム、４２…駆動制御部、
４３…温度センサ、４４…温度制御部、
４５…主制御部、４６…コントローラ、
５０…マニホールド、５０ａ…突出部、５０ｂ…外側壁、５０ｃ…内側壁、５０ｄ…貫
通孔、５０ｅ…突起、５１…アウタチューブとの第一接合面、５２…シールキャップカバ
ーとの第二接合面、５３…Ｏリング、５４…支持部、５５…ガス供給部溝、５６…温度セ
ンサ溝、
６０…支柱、６１…アウタチューブ受け（第一支持部材）、６２ａ…第一ブラケット、
６２ｂ…第二ブラケット、６３…ボルト（締結部材）、６４…マニホールド受け（第二支
持部材）、６５…ブラケット、６６…ボルト（締結部材）。

Claims (8)

  1. 石英からなるアウタチューブとインナチューブからなる反応管と、
    前記アウタチューブと石英からなるマニホールドとの間を気密に接合する第１の接合面と、
    前記マニホールドと石英からなるシールカバーとの間を気密に接合する第２の接合面と、
    前記シールカバーとシールキャップとの間を気密に接合する第３の接合面と、
    を有する熱処理装置であって、
    前記第１、第２および第３の接合面のうち少なくともいずれか１つの接合面にはＯリングが設けられており、
    前記第１の接合面のＯリングが設けられている部分より外側であって前記第１の接合面のアウタチューブ側、前記第２の接合面のＯリングが設けられている部分より外側であって前記第２の接合面のマニホールド側および前記第３の接合面のＯリングが設けられている部分より外側であって前記第３の接合面のシールカバー側のうち少なくともいずれか１つに突起を設ける構成としたことを特徴とする熱処理装置。
  2. 請求項１において、前記アウタチューブは排気管を有しており、前記突起の最下部は前記排気管の最下部より低く形成されることを特徴とする熱処理装置。
  3. プロセスチューブと、
    前記プロセスチューブに当接するマニホールドと、
    前記マニホールドに当接するシールカバーと、
    前記シールカバーに当接するシールキャップと、
    前記プロセスチューブと前記マニホールドとの間を気密に接合する第１の接合面と、
    前記マニホールドと前記シールカバーとの間を気密に接合する第２の接合面と、
    前記シールカバーと前記シールキャップとの間を気密に接合する第３の接合面と、
    を有し、
    前記第１の接合面、前記第２の接合面および前記第３の接合面のうち少なくともいずれか１つの接合面にはＯリングが設けられ、
    前記第１の接合面のＯリングが設けられている部分より外側であって前記第１の接合面のプロセスチューブ側、前記第２の接合面のＯリングが設けられている部分より外側であって前記第２の接合面のマニホールド側および前記第３の接合面のＯリングが設けられている部分より外側であって前記第３の接合面の前記シールカバー側のうち少なくともいずれか１つに突起が設けられる基板処理装置。
  4. プロセスチューブと、前記プロセスチューブに当接するマニホールドと、前記マニホールドに当接するシールカバーと、前記シールカバーに当接するシールキャップと、前記プロセスチューブと前記マニホールドとの間を気密に接合する第１の接合面と、前記マニホールドと前記シールカバーとの間を気密に接合する第２の接合面と、前記シールカバーと前記シールキャップとの間を気密に接合する第３の接合面と、を有し、前記第１の接合面、前記第２の接合面および前記第３の接合面のうち少なくともいずれか１つの接合面にはＯリングが設けられ、前記第１の接合面のＯリングが設けられた部分より外側であって前記第１の接合面のプロセスチューブ側、前記第２の接合面のＯリングが設けられた部分より外側であって前記第２の接合面のマニホールド側および前記第３の接合面のＯリングが設けられた部分より外側であって前記第３の接合面の前記シールカバー側のうち少なくともいずれか１つに突起が設けられる処理容器内に基板を搬入する工程と、
    前記処理容器内で前記基板を処理する工程と、
    処理後の前記基板を前記処理容器内から搬出する工程と、
    を有する基板処理方法。
  5. プロセスチューブと、前記プロセスチューブに当接するマニホールドと、前記マニホールドに当接するシールカバーと、前記シールカバーに当接するシールキャップと、前記プロセスチューブと前記マニホールドとの間を気密に接合する第１の接合面と、前記マニホールドと前記シールカバーとの間を気密に接合する第２の接合面と、前記シールカバーと前記シールキャップとの間を気密に接合する第３の接合面と、を有し、前記第１の接合面、前記第２の接合面および前記第３の接合面のうち少なくともいずれか１つの接合面にはＯリングが設けられ、前記第１の接合面のＯリングが設けられた部分より外側であって前記第１の接合面のプロセスチューブ側、前記第２の接合面のＯリングが設けられた部分より外側であって前記第２の接合面のマニホールド側および前記第３の接合面のＯリングが設けられた部分より外側であって前記第３の接合面の前記シールカバー側のうち少なくともいずれか１つに突起が設けられる処理容器内に基板を搬入する工程と、
    前記処理容器内で前記基板を処理する工程と、
    処理後の前記基板を前記処理容器内から搬出する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  6. プロセスチューブと、
    前記プロセスチューブに当接するマニホールドと、
    前記プロセスチューブと前記マニホールドとの間を気密に接合する接合面を有し、
    前記接合面にはＯリングが設けられ、
    前記接合面のＯリングが設けられる部分よりも外側であって、前記接合面の前記プロセスチューブ側の接合面に突起が設けられる基板処理装置。
  7. プロセスチューブと、
    前記プロセスチューブに当接するマニホールドと、
    前記マニホールドに当接するシールキャップと、
    前記プロセスチューブと前記マニホールドとの間を気密に接合する第１の接合面と、
    前記マニホールドと前記シールキャップとの間を気密に接合する第２の接合面と、
    を有し、
    前記第１の接合面および前記第２の接合面のうち少なくともいずれか１つの接合面にはＯリングが設けられ、
    前記第１の接合面のＯリングが設けられている部分よりも外側であって前記第１の接合面の前記プロセスチューブ側および前記第２の接合面のＯリングが設けられた部分よりも外側であって前記第２の接合面の前記マニホールド側のうち少なくともいずれか１つに突起が設けられる基板処理装置。
  8. マニホールドと、前記マニホールドに当接するシールキャップと、前記マニホールドと前記シールキャップとの間に気密に接合する第１の接合面と、を有し、
    前記第１の接合面にはＯリングが設けられる基板処理装置に用いられるプロセスチューブであって、
    前記マニホールドとの間を気密に接合する第２の接合面を有し、前記第２の接合面のＯリングが設けられる部分よりも外側に突起が設けられるプロセスチューブ。
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