JP2009016532A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
反応管とアダプタを有する基板処理装置に於いて、反応管とアダプタの境界部をシールガスでシールする場合に、リーク量を減少させ、基板の処理品質を向上させると共にランニングコストを低減する。
【解決手段】
反応室7がフランジ状のアダプタ15と該アダプタに立設される反応管2とで形成され、該反応管と前記アダプタとの境界部にシール溝42を設け、該シール溝にシールガスを供給する様に構成した基板処理装置に於いて、前記アダプタは前記反応管との境界部に面した接合面15cが機械加工された面で形成され、少なくとも前記反応室側の面が表面処理された面で形成され、前記シール溝にシールガスを供給しつつ、前記反応室内で基板を処理する。
【選択図】 図2
反応管とアダプタを有する基板処理装置に於いて、反応管とアダプタの境界部をシールガスでシールする場合に、リーク量を減少させ、基板の処理品質を向上させると共にランニングコストを低減する。
【解決手段】
反応室7がフランジ状のアダプタ15と該アダプタに立設される反応管2とで形成され、該反応管と前記アダプタとの境界部にシール溝42を設け、該シール溝にシールガスを供給する様に構成した基板処理装置に於いて、前記アダプタは前記反応管との境界部に面した接合面15cが機械加工された面で形成され、少なくとも前記反応室側の面が表面処理された面で形成され、前記シール溝にシールガスを供給しつつ、前記反応室内で基板を処理する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、シリコンウェーハ等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理等の熱処理をして半導体装置を製造する基板処理装置及び該基板処理装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に関するものである。
基板処理装置の1つとして、縦型熱処理炉を具備し、該縦型熱処理炉の処理室に所定数の基板を水平姿勢で多段に収納して、基板に薄膜の生成、アニール処理する等の基板処理するバッチ式の基板処理装置があり、該基板処理装置では前記基板は基板保持具(ボート)に保持され、該ボートは昇降装置(ボートエレベータ)によって処理炉下端の炉口部より前記処理室に装脱される。又、ボートの装入状態では、前記炉口部はボートエレベータに載置される蓋体(シールキャップ)により気密に閉塞され、ボート引出し時には前記炉口部はゲートバルブによって気密に閉塞される様になっている。
従来の縦型熱処理炉について、図7により概略を説明する。
熱処理炉1は石英製の反応管2、該反応管2を収納し、該反応管2と同心に設けられた均熱管3、該均熱管3を収納する様に設けられた加熱装置4を具備し、前記反応管2の上端にガス供給口5が連通し、前記反応管2の下端部にはガス排気口6が連通している。
前記反応管2は処理室7を画成し、該処理室7にはボート8に保持された基板(ウェーハ)9が収納される。前記ボート8はシールキャップ10に載置される様になっており、該シールキャップ10は前記ボート8が前記処理室7に収納された状態で、前記反応管2の下端開口(炉口部)11を気密に閉塞する。尚、図7中、13は前記ボート8の一部として、或は該ボート8とは分離して設けられる断熱部である。
前記ボート8が前記処理室7に収納され、前記加熱装置4により前記処理室7が処理温度に加熱され、前記ガス供給口5から処理ガスが導入され、前記ガス排気口6から前記処理室7が処理圧に維持される様排気される。
前記反応管2と前記シールキャップ10との間にはOリング12が設けられ、外気の浸入がない様に、又前記処理室7のガスが外部に漏出しない様に、シールされている。
反応管として石英が用いられる熱処理炉は、石英の耐熱温度との関連で処理温度が1200℃以下となっており、石英の熱伝導率が小さい等より、Oリングの使用が可能となっている。
これに対し、1300℃以上の高温で熱処理が行われる熱処理炉では、耐熱性の問題から反応管の材質にはSiCが用いられる。SiCを用いた場合複雑な加工が困難であり、反応管に直接、処理ガス供給管を接続したり、排気管を接続したりすることが困難である。
この為、ガスの給排を行う為、処理ガス供給管を接続し、又、排気管を接続する為の石英製のアダプタが用いられる。
高温処理を行う基板処理装置の熱処理炉1について図8により概略を説明する。尚、図8に示される熱処理炉1では、前記均熱管3が省略されている。
図8中、図7中で示したものと同等のものには同符号を付しその説明を省略する。
SiC製の反応管2の下端には円筒形状をした石英製のアダプタ15が連設され、該アダプタ15の下端開口部が炉口部11を構成する。前記アダプタ15にガス供給口5が接続され、又該ガス供給口5に接続されたガスノズル16が設けられる。又ガス排気口6が前記アダプタ15に接続される。
前記炉口部11が前記アダプタ15によって構成され、前記炉口部11がシールキャップ10で閉塞される。前記アダプタ15は石英製であり、伝熱性が悪いので、前記シールキャップ10のシールにOリング12の使用が可能となる。
一方で、前記反応管2と前記アダプタ15との間に、接合部が構成され、該接合部もシールされなければならないが、前記反応管2はSiC製であるので、熱伝導性がよく高温となるので、Oリングを使用することはできない。
従って、前記接合部にはリング状の溝又はリング状の室17が形成され、該室17にシールガス供給管18を連通し、該シールガス供給管18より前記室17に不活性ガスを供給し、該室17を反応室、反応室外よりも圧力を高く(正圧)して、前記処理室7からのガス漏れ、該処理室7への外部ガスの浸入を防止している。
前記室17の圧力を正圧とすると、前記アダプタ15と前記反応管2との境界からのリークは避けられないが、リーク量は接合部の面精度に影響される。
基本的に石英製品については加工時の微細なクラック、残留応力を除去する為に、表層を溶かす焼仕上げが行われる。ところが、焼仕上げをすることで、表面粗さは減少するが、平面度自体は低下する。この為、リーク量が多くなることは避けられなかった。
リーク量が多くなると、反応室で局所的に流れるシールガスが処理室7の圧力バランス、ガスの流れに悪影響を及ぼし、ウェーハの成膜の均一性を悪化させる。これは、ゲート酸化膜等について、薄膜化が進むにつれて顕著な問題となっている。
更に、基板処理がアニール処理であった場合、前記処理室7の圧力は排気側のAPC弁(自動排気制御弁)により制御しているので、リークガスが混入すると、正しい制御でなくなり、前記処理室7の圧力制御が困難になる。
更に、シールガスのリーク量が増大すると、シールガスの使用流量が増大し、ランニングコストが増大するという問題も生じる。
尚、反応管2とアダプタ15の接合部にシールガスを供給してシールすることについては、特許文献1に示されている。
本発明は斯かる実情に鑑み、反応管とアダプタの境界部をシールガスでシールする場合に、リーク量を減少させ、基板の処理品質を向上させると共にランニングコストを低減しようとするものである。
本発明は、反応室がフランジ状のアダプタと該アダプタに立設される反応管とで形成され、該反応管と前記アダプタとの境界部にシール溝を設け、該シール溝にシールガスを供給する様に構成した基板処理装置に於いて、前記アダプタは前記反応管との境界部に面した接合面が機械加工された面で形成され、少なくとも前記反応室側の面が表面処理された面で形成されている基板処理装置に係るものである。
又本発明は、前記基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記シール溝にシールガスを供給しつつ、前記反応室内で基板を処理する工程を有する半導体装置の製造方法に係るものである。
本発明によれば、反応室がフランジ状のアダプタと該アダプタに立設される反応管とで形成され、該反応管と前記アダプタとの境界部にシール溝を設け、該シール溝にシールガスを供給する様に構成した基板処理装置に於いて、前記アダプタは前記反応管との境界部に面した接合面が機械加工された面で形成され、少なくとも前記反応室側の面が表面処理された面で形成されているので、又、前記基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記シール溝にシールガスを供給しつつ、前記反応室内で基板を処理する工程を有するので、前記アダプタの境界部を形成する面の面精度が高くシールガスのリーク量が減少し、基板の処理品質が安定し、又シールガスの消費量が減少してランニングコストの低減が図れる等の優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
先ず、本発明が実施される基板処理装置について、図1、図2を参照して説明する。又、図1、図2中、図8中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
図示される基板処理装置21は、バッチ式縦型基板処理装置であり、主要部が配置される筺体22を有する。該筺体22の正面側には、ポッドステージ23が接続されており、該ポッドステージ23に基板搬送容器であるポッド24が搬送される。該ポッド24には、例えば25枚の被処理基板としてのウェーハ9が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態で前記ポッドステージ23にセットされる。
前記筺体22内の正面側であって、前記ポッドステージ23に対向する位置に、ポッド搬送装置25が配置されている。該ポッド搬送装置25の近傍には、ポッド棚26、ポッドオープナ27及び基板枚数検知器28が配置されている。前記ポッド棚26は前記ポッドオープナ27の上方に配置され、前記基板枚数検知器28は前記ポッドオープナ27に隣接して配置される。前記ポッド搬送装置25は、前記ポッドステージ23と前記ポッド棚26と前記ポッドオープナ27との間でポッド24を搬送する。前記ポッドオープナ27は、ポッド24の蓋を開けるものであり、蓋が開けられたポッド24内のウェーハの枚数が前記基板枚数検知器28により検知される。
更に、前記筺体22内には、基板移載機30、ノッチアライナ31及びボート8が配置されている。前記基板移載機30は、例えば5枚のウェーハを取出すことができるアーム(ツイーザ)33を有し、該アーム33を進退、回転、昇降することにより、前記ポッドオープナ27の位置に置かれたポッド24、前記ノッチアライナ31及び前記ボート8間でウェーハを搬送する。前記ノッチアライナ31は、ウェーハ9に形成されたノッチ又はオリエンテーションフラットを検出してウェーハのノッチ又はオリエンテーションフラットを一定の位置に揃えるものである。
更に、前記筺体22内の背面側上部には熱処理炉1が配置されている。該熱処理炉1内に、複数枚のウェーハ9を装填したボート8が装入され熱処理が行われる。
図2に熱処理炉1の一例を示す。該熱処理炉1は、炭化珪素(SiC)製の反応管2を有する。該反応管2は、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状をしており、開放された下端部にはフランジが形成されている。該反応管2の下方には該反応管2を支持する様石英製のアダプタ15が配置される。
該アダプタ15は上端部と下端部が開放された円筒形状をしており、開放された上端部と下端部にはそれぞれフランジ部15a,15bが形成されている。前記フランジ部15aの上面に前記反応管2のフランジ部2aの下面が当接している。前記反応管2と前記アダプタ15により反応容器34が構成され、該反応容器34は処理室7を画成する。前記反応容器34のアダプタ15を除いた周囲には、加熱装置としてヒータ35が配置されている。
前記反応容器34の下部は、炉口部11を構成し、該炉口部11は炉口蓋であるシールキャップ10がOリングを挾んで気密に閉塞される。前記シールキャップ10には前記ボート8が載置され、前記シールキャップ10は前記ボート8と共に昇降手段(ボートエレベータ)(図示せず)により昇降可能となっている。前記シールキャップ10と前記ボート8との間は、断熱部36となっており、前記炉口部11からの放熱を抑制している。
前記ボート8はウェーハ保持部を有し、該ウェーハ保持部には、多数枚、例えば25〜100枚のウェーハ9が略水平状態で隙間を持って多段に保持される。前記ボート8は、図示しない昇降装置(ボートエレベータ)によって前記反応管2内(処理室7)に装脱される。
前記アダプタ15には、該アダプタ15と一体にガス供給口5とガス排気口6とが設けられている。前記ガス供給口5にはガス導入管37が、前記ガス排気口6には排気管38がそれぞれ接続されている。
前記アダプタ15の内壁は前記反応管2の内壁よりも内側にあり(突出しており)、前記アダプタ15の側壁部(肉厚部)には、前記ガス供給口5と連通し、垂直方向に向かうガス導入経路39が設けられ、該ガス導入経路39は、前記反応管2の内部であり、前記アダプタ15の上面に開口している。前記ガス導入経路39の上端にガスノズル16が挿入され固定されている。該ガスノズル16は、前記反応管2の内壁に沿ってウェーハ配列領域の上端よりも上方、即ち前記ボート8の上端よりも上方迄延びる様に構成される。
前記ガスノズル16は、前記アダプタ15の上面の前記処理室7に臨接する部分に接続され、前記アダプタ15の上面により前記ガスノズル16が支持されることとなる。斯かる構成により、ノズル接続部は熱で変形し難く、又破損し難い。又、前記ガスノズル16と前記アダプタ15の組立て、解体が容易になるという利点もある。
前記反応管2のフランジ部2a下面と前記アダプタ15の上面によって境界部が形成される。
前記アダプタ15の上面で、前記反応管2の下端に形成されたフランジ部2aの下面に接合する部分には環状の溝42が形成され、該溝42にはシールガス供給管18が連通し、該シールガス供給管18より前記溝42にシールガスを供給する様になっている。好ましくは、このシールガスの供給により、前記溝42内を前記反応容器34外より加圧状態にすると、反応容器34内外間のシール性が向上する。更に好ましくは、シールガスの供給により、前記溝42内を前記反応容器34内外より加圧状態にするとより一層反応容器内外間のシール性が向上する。好ましくは、シールガスとして、後述する処理ガスと同じガスを用いるか、若しくは不活性ガスを用いる。
尚、前記シールガス供給管18は複数箇所に設けてもよく、更に前記溝42には排気管(図示せず)を連通させて押出し排気してもよいし、前記排気管から、シールガスを吸引して排気してもよい。又、シール性を向上させる為には、前記溝42には、シールガスを供給する方が好ましいが、シールガスを供給せず、前記溝42を吸収するのみでもよいし、前記溝42を処理室外に自然開放する様にしてもよい。
前記アダプタ15は、上面、少なくとも前記フランジ部2aと接合する接合面15cは機械加工した状態とし、該接合面15cを除く他の部分を表面処理する。表面処理としては、機械加工時の微細なクラック、残留応力を除去する為の焼仕上げが行われる。或は、残留応力除去の為の熱処理がなされている。
前記接合面15cを機械加工のままとすることで、平面度は0.02mm程度に維持される。尚、焼仕上げとした場合には平面度は0.1mm程度に低下する。又、前記アダプタ15について、前記接合面15c以外を焼仕上げとすることで、特に前記処理室7に臨接する面を焼仕上げすることで、鏡面状態となり、微細なクラック、或は加工時に発生した微粉が除去される。このことで、反応生成物等のパーティクルの原因となる物質の付着が防止され、パーティクルの発生が抑制できる。
前記接合面15cについて、前記アダプタ15全体を焼仕上げした後、前記接合面15c部分を機械加工してもよいが、焼仕上げにより硬化した表面に亀裂等が発生する虞れがあり、機械加工後前記接合面15c部分を残置して焼仕上げすることが好ましい。
前記接合面15cの平面度が向上することで、反応室内外へのリーク量が減少する。
従って、反応室で局所的に流れるシールガスがなくなり、或は減少して処理ガスの流れが影響を受けることがなく、ウェーハの成膜の均一性が向上する。
更に、前記処理室7の圧力は排気側のAPC弁(自動排気制御弁)による圧力制御が容易に、且つ精度よく行える。又、シールガスの使用量が減少するので、ランニングコストが低減する。
尚、前記反応管2の処理については、材質がSiCであることから、焼仕上げはせず、最後に酸化処理をして表面の汚染レベルの高い部分を酸化膜として除去する。
次に上述した様に構成された基板処理装置21の作用について説明する。
尚、以下の説明に於いて、基板処理装置21を構成する各部の動作はコントローラ41により制御される。
先ず、前記ポッドステージ23に複数枚のウェーハ9を収容したポッド24が載置されると、前記ポッド搬送装置25により前記ポッド24を前記ポッドステージ23から前記ポッド棚26へ搬送し、該ポッド棚26に収納する。次に、前記ポッド搬送装置25により、前記ポッド棚26に収納されたポッド24を前記ポッドオープナ27に搬送してセットし、該ポッドオープナ27によりポッド24の蓋を開き、前記基板枚数検知器28により前記ポッド24に収容されているウェーハ9の枚数を検知する。
次に、前記基板移載機30により、前記ポッドオープナ27の位置にあるポッド24からウェーハ9を取出し、前記ノッチアライナ31に移載する。該ノッチアライナ31に於いては、ウェーハ9を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚のウェーハ9のノッチを同じ位置に整列させる。次に、前記基板移載機30により、前記ノッチアライナ31からウェーハ9を取出し、前記ボート8に移載する。
同様にして、1バッチ分のウェーハ9を前記ボート8に移載すると、例えば600℃程度の温度に設定された前記熱処理炉1内(処理室7)にウェーハ9が装填された前記ボート8を装入し、前記シールキャップ10により前記処理室7を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度迄昇温させて、前記ガス導入管37から前記ガス供給口5、前記ガス導入経路39、及び前記ガスノズル16を介して前記処理室7に処理ガスを導入する。
処理ガスには、窒素(N2 )、アルゴン(Ar)、水素(H2 )、酸素(O2 )等が含まれる。ウェーハ9を熱処理する際、ウェーハ9は、例えば1200℃程度以上の温度に加熱される。
ウェーハ9の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を600℃程度の温度に降温した後、熱処理後のウェーハ9を支持した前記ボート8を前記熱処理炉1からアンロードし、前記ボート8に支持された全てのウェーハ9が冷却される迄、前記ボート8を所定位置で待機させる。
次に、ウェーハ9が所定温度迄冷却されると、前記基板移載機30により、前記ボート8からウェーハ9を取出し、前記ポッドオープナ27にセットされている空のポッド24に搬送する。次に、前記ポッド搬送装置25により、ウェーハ9が収納されたポッド24を前記ポッド棚26、又は前記ポッドステージ23に搬送して一連の処理が完了する。
尚、上記実施の形態の説明に於いては、一度に所定枚数のウェーハを熱処理するバッチ式の基板処理装置を用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、枚葉式のものであってもよい。
本発明の基板処理装置は、ウェーハの製造工程にも適用することができる。
SOI(Silicon On Insulator)ウェーハの一種であるSIMOX(Separation by Implanted Oxygen)ウェーハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用する例について説明する。
先ずイオン注入装置等により単結晶シリコンウェーハ内へ酸素イオンをイオン注入する。その後、酸素イオンが注入されたウェーハを上記実施の形態の基板処理装置を用いて、例えばAr、O2 雰囲気の下、1300℃〜1400℃、例えば1350℃以上の高温でアニールする。これらの処理により、ウェーハ内部にSiO2 層が形成された(SiO2 層が埋込まれた)SIMOXウェーハが作製される。
又、SIMOXウェーハの他、水素アニールウェーハやArアニールウェーハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。この場合、ウェーハを本発明の基板処理装置を用いて、水素雰囲気中若しくはAr雰囲気中で1300℃程度以上の高温でアニールすることとなる。これによりIC(集積回路)が作られるウェーハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。又、この他、エピタキシャルウェーハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。
以上の様なウェーハの製造工程の一工程として行う高温アニール処理を行う場合であっても、本発明の基板処理装置を適用することができる。
本発明の基板処理装置は、半導体装置(デバイス)の製造工程に適用することも可能である。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化(パイロジェニック酸化)、HCl酸化等の熱酸化工程や、硼素(B)、リン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)等の不純物(ドーパント)を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
この様な半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合に於いても、本発明の基板処理装置を適用することができる。
次に、図3により、前記反応管2と前記アダプタ15との境界部について説明する。
前記フランジ部15aの上面に内縁に沿って凸段差43を形成し、前記接合面15cは前記凸段差43の外周部の低くなった位置に形成され、少なくとも前記接合面15cが焼仕上げ等の表面処理がなされる。又、前記接合面15cに前記溝42が環状に刻設される。
前記フランジ部2aの下面には内縁に沿って凹段差44が形成され、該凹段差44に前記凸段差43が嵌合する様に形成される。又、前記凹段差44の深さは、前記凸段差43の高さより若干大きく、前記接合面15cが確実に前記フランジ部2aの下面に接合する様になっている。前記凸段差43、前記凹段差44が形成されることで、屈曲した境界部が形成され、反応室内外へのシールガスのリーク量が減少する。又、前記凸段差43と前記凹段差44との嵌合で前記反応管2と前記アダプタ15との位置合せが容易となる。
尚、前記フランジ部15aの上面に凹段差を形成し、前記フランジ部2aの下面に凸段差を形成する様にしてもよいが、上記した様に前記凹段差44は、前記反応管2に形成することが好ましい。該反応管2の材質はSiC製であり、前記アダプタ15の材質は石英製であり、SiCの方が熱膨張係数が大きく、前記反応管2、前記アダプタ15が熱膨張した際に前記凸段差43の外側側壁と前記凹段差44の内側側壁との間で寸詰りすることがない。この為、前記凸段差43と前記凹段差44の嵌合隙間を小さく設定できる。
又、図4は他の境界部を示すものであり、図4に示す様に、段差は前記溝42を挾んで内径側、外径側に2段に設けてもよい。即ち、前記フランジ部15aの上面に内径側から、第1凸段差43a、該第1凸段差43aより低い第2凸段差43bを形成し、前記フランジ部2aの下面に第1凹段差44a、該第1凹段差44aより浅い第2凹段差44bを形成し、前記第1凸段差43aが前記第1凹段差44aに嵌合し、前記第2凸段差43bが前記第2凹段差44bに嵌合する様にする。
図4に示される境界部では、更に屈曲することになり、シールガスのリーク量が一層減少する。
段差を形成することで径方向の位置合せが容易となったが、図5、図6に示す様に所要箇所に、フランジ部2a、フランジ部15aのいずれか一方に凸部45を突設し、又いずれか他方に該凸部45と嵌合する凹部46を凹設する。
前記凸部45、前記凹部46を形成することで、反応管2の周方向の位置決めが行え、組立性が向上すると共に再現性が向上し、万一リークした場合も、リーク箇所が同じとなり、ウェーハ処理の再現性が増大する。
尚、前記凸部45、前記凹部46を設ける場合、熱膨張を考慮して前記凹部46は前記反応管2側に設けることが好ましい。
尚、上記実施の形態に於いては、シールガスを供給する溝42は、境界部に設ける様に説明した。然し、溝42より若干加工し難さ、シール性等の面で劣るものの溝42に替えて、前記フランジ部2aより内径側に前記フランジ部15aを突出させた突出部を設け、前記フランジ部2aの外径側に該フランジ部2aの外周全周に亘って覆い部を設ける様にしてもよい。又、溝42に加えて、前記覆い部を設ける様にしてもよい。
(付記)
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
(付記1)反応室がフランジ状のアダプタと該アダプタに立設される反応管とで形成され、該反応管と前記アダプタとの境界部にシール溝を設け、該シール溝にシールガスを供給する様に構成した基板処理装置に於いて、前記アダプタは前記反応管との境界部に面した接合面が機械加工された面で形成され、少なくとも前記反応室側の面が表面処理された面で形成されていることを特徴とする基板処理装置。
(付記2)前記表面処理は、熱処理である付記1の基板処理装置。
(付記3)前記表面処理は、焼仕上げである付記1の基板処理装置。
(付記4)前記表面処理は、機械加工後なされる付記1の基板処理装置。
(付記5)前記アダプタは接合面を除き、少なくとも処理室に立設する部分が焼仕上げされた付記1の基板処理装置。
(付記6)前記境界部に段差が形成された付記1の基板処理装置。
(付記7)前記段差は、前記反応管側が凹、前記アダプタ側が凸である付記6の基板処理装置。
(付記8)前記段差は、前記シール溝と前記反応室との間に形成された付記6の基板処理装置。
1 熱処理炉
2 反応管
2a フランジ部
4 加熱装置
7 処理室
8 ボート
15 アダプタ
15a フランジ部
18 シールガス供給管
21 基板処理装置
42 溝
43 凸段差
44 凹段差
2 反応管
2a フランジ部
4 加熱装置
7 処理室
8 ボート
15 アダプタ
15a フランジ部
18 シールガス供給管
21 基板処理装置
42 溝
43 凸段差
44 凹段差
Claims (2)
- 反応室がフランジ状のアダプタと該アダプタに立設される反応管とで形成され、該反応管と前記アダプタとの境界部にシール溝を設け、該シール溝にシールガスを供給する様に構成した基板処理装置に於いて、前記アダプタは前記反応管との境界部に面した接合面が機械加工された面で形成され、少なくとも前記反応室側の面が表面処理された面で形成されていることを特徴とする基板処理装置。
- 請求項1の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記シール溝にシールガスを供給しつつ、前記反応室内で基板を処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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