JP2010010280A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
特定の反応ガスの加熱不足によるウェーハ面内、ウェーハ間の膜厚不均一、及び膜質悪化を改善し、省スペースで安価な基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板5を収納し処理する反応室と、該反応室を画成する反応管2,3と、該反応管を収納するヒータ1と、前記反応室内にガスを導入するガス導入管8と、基板を前記反応室内で保持する基板保持具4と、前記ガス導入管に接続されて前記反応室内に設けられたノズル33とを具備し、該ノズルは、内部流路と該内部流路の周囲に形成された外部流路を有する二重構造となっており、前記内部流路と前記外部流路は最上部で連通し、前記内部流路より導入されたガスは、該内部流路を上昇して最上部で折返し、前記外部流路を下降し、該外部流路の下部に設けられた排出口よりガスを前記反応室内に供給する。
【選択図】 図2
特定の反応ガスの加熱不足によるウェーハ面内、ウェーハ間の膜厚不均一、及び膜質悪化を改善し、省スペースで安価な基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板5を収納し処理する反応室と、該反応室を画成する反応管2,3と、該反応管を収納するヒータ1と、前記反応室内にガスを導入するガス導入管8と、基板を前記反応室内で保持する基板保持具4と、前記ガス導入管に接続されて前記反応室内に設けられたノズル33とを具備し、該ノズルは、内部流路と該内部流路の周囲に形成された外部流路を有する二重構造となっており、前記内部流路と前記外部流路は最上部で連通し、前記内部流路より導入されたガスは、該内部流路を上昇して最上部で折返し、前記外部流路を下降し、該外部流路の下部に設けられた排出口よりガスを前記反応室内に供給する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成処理、拡散処理、熱処理等の基板処理を行う基板処理装置に関するものである。
半導体装置を製造する工程の一部に基板に薄膜の生成処理、拡散処理、熱処理等を行う基板処理がある。又、基板処理を行う基板処理装置としては、基板(ウェーハ)を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置と、所要枚数のウェーハを一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがあり、更にバッチ式の基板処理装置の1つとして、縦型処理炉を有し、処理炉中に基板(ウェーハ)を水平姿勢で上下方向に多段に保持して処理する縦型基板処理装置がある。
従来の縦型処理炉を図7に示す。
ヒータ1の内側に、反応管2と内部反応管3が同心で配置され、該内部反応管3は反応室を画成し、該反応室に基板保持具(以下、ボートと称す)4が収納され、該ボート4に所定枚数のウェーハ5が保持され、該ウェーハ5は前記ボート4に保持された状態で処理される様になっている。前記反応管2の下部には、石英製のアダプタ6が設置され、該アダプタ6を、前記内部反応管3の下端よりも下側から、1本以上のガス供給口7が貫通している。該ガス供給口7の外端にはガス導入管8が連通し、前記ガス供給口7の内端にはノズル9が連通している。又、前記内部反応管3の下端よりも上側から、ガス排気口10が前記アダプタ6を貫通し、前記ガス排気口10はガス排気管11と連通している。前記ボート4は、図示しないボートエレベータによって昇降され、前記反応室に装脱される様になっている。
基板処理は、前記ヒータ1により前記ウェーハ5を所定温度に加熱し、前記ガス供給口7、前記ノズル9より反応ガスを反応室の下部に導入する。導入された反応ガスは、前記反応室を上昇し、前記反応管2と前記内部反応管3の間を下降して、前記ガス排気口10より排出される。
基板処理に用いる反応ガスの中には、加熱して熱分解させる必要があるものもあり、反応ガスの加熱が不足すると、充分に熱分解しない状態でウェーハ5に供給されることによりウェーハ面内、ウェーハ間の膜厚の不均一及び膜質に斑が生じる。その為、特定の反応ガスを加熱する場合、従来は前記ガス導入管8の上流側に加熱部を設置して反応ガスを予備加熱していたが、専用の加熱部が必要となり、加熱部のスペースが必要であり、コストも高くなる。
前記ガス導入管8や、前記アダプタ6等の接続部には、Oリング等のシール部材が用いられるが、シール部材は耐熱温度が低く、更に予備加熱すると、該シール部材の熱劣化が生じやすい。更に、前記ガス導入管8からの熱伝達による周辺部材の熱劣化をどう防ぐかという断熱上の問題から、反応ガスの温度を200℃程度迄にしか上げることができなかった。
又、特に反応ガスを予め熱分解させた後に成膜するプロセスに於いては、供給した反応ガスの温度が分解するのに充分な温度ではない為、前記ヒータ1で反応ガスを充分に加熱して分解する迄に前記ボート4下部のウェーハ5(ガス上流側のウェーハ)に到達してしまい、成膜される膜厚が薄くなってしまうという問題が生じていた。
尚、反応ガスを加熱する手段を具備する縦型CVD膜生成装置として、特許文献1に示されるものがある。
本発明は斯かる実情に鑑み、特定の反応ガスの加熱不足によるウェーハ内、ウェーハ間の膜厚不均一、及び膜質を改善し、省スペースで安価な基板処理装置を提供するものである。
本発明は、基板を収納し処理する反応室と、該反応室を画成する反応管と、該反応管を収納するヒータと、前記反応室内にガスを導入するガス導入管と、基板を前記反応室内で保持する基板保持具と、前記ガス導入管に接続されて前記反応室内に設けられたノズルとを具備し、該ノズルは、内部流路と該内部流路の周囲に形成された外部流路を有する二重構造となっており、前記内部流路と前記外部流路は最上部で連通し、前記内部流路より導入されたガスは、該内部流路を上昇して最上部で折返し、前記外部流路を下降し、該外部流路の下部に設けられた排出口よりガスを前記反応室内に供給する基板処理装置に係るものである。
本発明によれば、基板を収納し処理する反応室と、該反応室を画成する反応管と、該反応管を収納するヒータと、前記反応室内にガスを導入するガス導入管と、基板を前記反応室内で保持する基板保持具と、前記ガス導入管に接続されて前記反応室内に設けられたノズルとを具備し、該ノズルは、内部流路と該内部流路の周囲に形成された外部流路を有する二重構造となっており、前記内部流路と前記外部流路は最上部で連通し、前記内部流路より導入されたガスは、該内部流路を上昇して最上部で折返し、前記外部流路を下降し、該外部流路の下部に設けられた排出口よりガスを前記反応室内に供給するので、簡単で安価且つ省スペースの装置で、反応ガスの加熱時間が増加し、反応ガスを充分加熱でき、基板の膜厚や膜質等の品質を高められるという優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
図1は本発明が実施される縦型基板処理装置の一例を示している。
図中、12は筐体を示し、該筐体12の正面には基板収納容器授受ステージであるポッド授受ステージ13が配設され、該ポッド授受ステージ13に密閉式の基板収納容器であるポッド14が搬送される。該ポッド14は所定枚数、例えば25枚の基板(ウェーハ)5を収納し、開閉可能な蓋(図示せず)を具備している。
前記筐体12の内部で、前記ポッド授受ステージ13に対向する位置にはポッドオープナ15が設けられ、該ポッドオープナ15に隣接して基板枚数検出器16が設けられ、前記ポッドオープナ15の上方にはポッド格納棚17が配設されている。前記ポッドオープナ15、前記ポッド格納棚17と前記ポッド授受ステージ13の間にはポッド搬送装置18が設けられている。
該ポッド搬送装置18によって前記ポッドオープナ15、前記ポッド格納棚17、前記ポッド授受ステージ13の間で前記ポッド14が搬送される。前記ポッドオープナ15は、載置された前記ポッド14の蓋を開放するものであり、前記基板枚数検出器16は前記ポッドオープナ15に載置された前記ポッド14内に収納されているウェーハ5の枚数を検出する。
前記筐体12の内部で、前記ポッド格納棚17の背面側には処理炉19が設けられ、該処理炉19の下方には基板保持具昇降手段であるボートエレベータ21が配設されている。該ボートエレベータ21と前記ポッドオープナ15間には基板移載機22が配設され、該基板移載機22に対峙して基板姿勢整合手段であるノッチアライナ23が設けられている。
前記ボートエレベータ21は前記処理炉19の下端開口部(炉口部)を気密に閉塞する炉口蓋24を具備し、該炉口蓋24には基板保持具であるボート4が載置され、前記ボートエレベータ21は前記炉口蓋24を昇降させることで、前記ボート4を前記処理炉19に挿脱可能であり、前記ボート4の装入状態で前記炉口蓋24は前記炉口部を気密に閉塞する。
前記基板移載機22は、前記ポッドオープナ15に載置された前記ポッド14と前記ノッチアライナ23と降下状態の前記ボート4との間でウェーハ5の移載を行い、前記ノッチアライナ23は前記ウェーハ5に形成されたノッチ、又はオリエンテーションフラットを検出して前記ウェーハ5の姿勢を一定に整合するものである。
前記ボート4は、前記基板移載機22によって1バッチ分の前記ウェーハ5が水平姿勢で多段に装填され、前記ボートエレベータ21によって前記処理炉19内に装入されることで、前記ウェーハ5は前記ボートエレベータ21に保持された状態で処理される。
図2に於いて、前記処理炉19の一例を説明する。尚、図2中、図7中で示したものと同等のものには同符号を付している。
前記処理炉19は、炉体ベース25に立設された円筒状のヒータ1と、該ヒータ1内に同心多重に配設された炭化珪素(SiC)製の反応管2及び内部反応管3を有する。前記反応管2は、上端部が閉塞されて下端部が開放された円筒形状をしており、開放された下端部にフランジ部(以下、下端フランジと称す)26が形成されている。又、前記内部反応管3は、前記反応管2の内部に配設され、上端部及び下端部が開放された円筒形状をしており、上端部は前記反応管2に触れない高さに位置し、下端部は前記下端フランジ26よりも下部に位置している。
前記反応管2の下方には、該反応管2を支持する石英製のアダプタ6が配置される。該アダプタ6は上端部と下端部が開放された円筒形状をしており、開放された上端に上フランジ27、下端部に下フランジ28、及び中途部内面に内フランジ29が形成されている。
前記上フランジ27の上面に、前記下端フランジ26の下面が当接し、前記内フランジ29の上面に、前記内部反応管3の下端面が当接しており、前記反応管2、前記内部反応管3、前記アダプタ6により反応容器31が構成されている。
前記反応容器31の下部は、前記ボート4を装入する為に開放され、下端開口部(炉口部)を形成している。前記反応容器31は、前記ボートエレベータ21によって支持された前記炉口蓋24が、Oリングを挾んで前記下フランジ28の下面と当接することでシールされる。
前記炉口蓋24は、前記ボート4を支持し、該ボート4と共に昇降可能に設けられている。前記炉口蓋24と前記ボート4の間には、断熱部32が設けられている。前記ボート4は、多数枚、例えば25〜100枚の前記ウェーハ5を略水平状態で隙間を以て多段に支持し、前記反応容器内31に装入される。
1200℃以上の高温での処理を可能とする為、前記反応管2は炭化珪素(SiC)製としてある。該反応管2を炉口部まで延ばし、該炉口部をOリングを介して前記炉口蓋24でシールする構造とすると、前記反応管2を介して伝達された熱によりシール部まで高温となり、シール材料であるOリングを溶かしてしまう虞がある。又、該Oリングを溶かさない様前記反応管2のシール部を冷却すると、該反応管2が温度差による熱膨張差によって破損してまう。
その為、前記反応容器31のうち、前記ヒータ1による加熱領域をSiC製の前記反応管2で構成し、前記ヒータ1の加熱領域から外れた部分を石英製の前記アダプタ6で構成することで、前記反応管2からの熱の伝達を和らげ、Oリングを溶かすことなく、又前記反応管2を破損することなく炉口部をシールすることが可能となる。
又、SiC製の前記反応管2と石英製の前記アダプタ6とのシールは、双方の面積精度をよくすれば、前記反応管2は前記ヒータ1の加熱領域に配置されている為に温度差は発生せず、等方的に膨張する。その為、前記下端フランジ26は平面を保つことができ、前記アダプタ6との間に隙間ができないので、前記反応管2を前記アダプタ6に乗せるだけでシール性を確保することができる。
前記アダプタ6には、該アダプタ6と一体にガス供給口7とガス排気口10が設けられている。又、前記ガス供給口7にはガス導入管8が、前記ガス排気口10にはガス排気管11がそれぞれ接続されている。又、前記ガス供給口7は前記内フランジ29と前記下フランジ28の間に位置し、前記ガス排気口10は前記上フランジ27と前記内フランジ29の間に位置する。
前記ガス供給口7と連通した石英製のノズル33は、前記ボート4と前記内部反応管3の間を垂直に延びるL字形状となっている。又、前記ノズル33は前記ガス供給口7に対して着脱可能であり、取外して交換が可能である。
次に図3〜図6を参照に、前記ノズル33の形状について説明する。
図3〜図6に示された該ノズル33の断面形状は、円形の内管34を、同心に設けられた外管35が覆う形となっており、該外管35の断面形状は、長円形状となっており、平行する直線及び直線の両端が円弧で結ばれた形状となっている。
円形の断面形状を持つ前記内管34は、前記ガス供給口7と連通し、垂直方向に延びるL字状をしている。前記内管34は途中で細くなり、細くなった円筒形状の該内管34を長円筒形状の前記外管35が覆っている。又、前記内管34と前記外管35とは同心であり、該外管35の短径部分の面と、前記内管34の外面の間に固定ブロック36が少なくとも前記内管34の上下2箇所に設けられ、前記固定ブロック36により前記内管34と前記外管35とが固定されている。
該外管35の上端は、天板37で閉塞され、前記外管35下部には1つの排出孔38が穿設されている。又、該排出孔38は、前記ヒータ1の加熱領域よりも下方に位置する。
前記内管34は上端が開放されており、該内管34の上端は、前記外管35の上端より低くなっている。前記内管34の上端は、前記天板37の下面よりも下に位置する為、前記内管34の上端と前記天板37との間には空間42が形成される。前記内管34の内側の空間(以下、内部流路と称す)39と、該内管34の外側と前記外管35の内側の間の空間(以下、外部流路と称す)41とは前記空間42で連通している。
ここで、長さの異なる複数の前記ノズル33を用意し、交換することで、前記ヒータ1の加熱領域内にある前記ノズル33の上下方向の長さを調節できる。この為、必要に応じて該ノズル33を交換し、加熱領域内の該ノズル33の長さを変えることにより、反応ガスの加熱時間を調整し、反応ガス温度を調整することが可能となる。更に、前記ノズル33の上下方向の調節は、反応ガスの必要な分だけ加熱することができる為、前記ノズル33が必要以上に長い場合と比較して、該ノズル33の不要な部位への膜の付着を防止することができる。尚、前記ノズル33の長さを調節し、交換したとしても、前記排出孔38の位置は変化しないものとする。
反応ガスは、前記ガス導入管8、前記ガス供給口7より前記ノズル33内の前記内部流路39に導入される。導入された反応ガスは、前記内部流路39を上昇し、前記空間42で折返し、前記外部流路41を降下し、前記排出孔38より前記反応容器31内部へ供給される。
該反応容器31内部に供給された反応ガスは、反応室を上昇し、前記反応管2と前記内部反応管3の間を降下し、前記ガス排気口10、ガス排気管11より排出される。
前記ノズル33を、特許文献1の様に折返しではなく二重構造としたので、流路長に比して外部面積を減少させることができ、特に成膜装置に於いて、成膜される部位が少なくなり、必要以上のガスが消費されることを防ぐことができる。又、外部形状が複雑ではない為、付着した膜の除去が容易にでき、メンテナンス性もよい。更に、前記内部流路39よりも前記外部流路41の表面積を大きくでき、受熱面積が大きくなり、加熱を促進できる。
又、断面が長円形状の前記外管35の効果として、通常前記ボート4と前記内部反応管3間の径方向のスペースが取れない為、周方向のスペースを有効に使い、前記ノズル33の流路面積を確保することにより、該ノズル33の圧損が軽減され、反応ガスの供給量を確保することが可能となる。尚、本発明に於ける前記ノズル33の断面形状は、円形や楕円形であってもよい。
本発明が実施される処理の一例を以下に示す。
Si2 、Cl2 等のガスは、単独で成膜される為、前記ノズル33を前記ヒータ1の加熱領域まで延伸して予備加熱せず、前記加熱領域よりも下部から導入すればよいが、N2 Oガス等の場合は、単独では成膜されない為、前記ノズル33を前記加熱領域まで延伸し、予備加熱する必要がある。一方で、特にN2 Oガスの場合、一旦ガスがNOに分解すると、その後、若干低温になっても分解された状態を維持する為、反応室内の前記加熱領域で一旦ガスを予備加熱し、その後再び前記加熱領域より上流側までガスを戻す作用を奏する。更に、本発明のノズル33を用いることにより、最下段のウェーハ5、即ち最上流側のウェーハ5にもガス分解後のガスにより均一に成膜できる。具体的なCVD処理として、N2 OガスとSiH2 Cl2 ガスを用いてSiO2 膜を形成させるプロセスがあり、この場合、N2 Oガスを本発明のノズル33を用いて予備加熱する。
尚、本発明は、ガスの予備加熱が必要な処理である酸化、拡散、CVD、アニール等の様々な基板処理に用いることができる。
本発明の基板処理装置は、基板の製造工程にも適用することができる。SOI(Silicon On Insulator)ウェーハの一種であるSIMOX(Separation by Implanted Oxygen)ウェーハの製造工程の1工程に本発明の基板処理装置を適用する例について説明する。
先ずイオン注入装置等により単結晶シリコンウェーハ内へ酸素イオンを注入する。その後、酸素イオンが注入されたウェーハを上記実施の形態の基板処理装置を用いて、例えばAr、O2 雰囲気の下、1300℃〜1400℃、例えば1350℃以上の高温でアニールする。これらの処理により、ウェーハ内部にSiO2 層が形成された(SiO2 が埋込まれた)SIMOXウェーハが作製される。
又、SIMOXウェーハの他、水素アニールウェーハやArアニールウェーハの製造の1工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。この場合、ウェーハを本発明の基板処理装置を用いて、水素雰囲気中若しくはAr雰囲気中で1200℃以上の高温でアニールすることとなる。これによりIC(集積回路)が作られるウェーハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。又、この他、エピタキシャルウェーハの製造工程の1工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。
以上の様な基板の製造工程の1工程として行う高温アニール処置を行う場合であっても、本発明の基板処理装置を適用することができる。
本発明の基板処理装置は、半導体装置(デバイス)の製造工程に適用することも可能である。特に、比較的高い温度で行う熱処理工程過程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化(パイロジェニック酸化)、HCl酸化等の熱酸化工程や、硼素(B)、リン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)等の不純物(ドーパント)を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
この様な半導体デバイスの製造工程の1工程としての熱処理工程を行う場合に於いても、本発明の基板処理装置を適用することができる。
1 ヒータ
2 反応管
3 内部反応管
4 ボート
5 ウェーハ
8 ガス導入管
11 ガス排気管
12 筐体
19 処理炉
31 反応容器
33 ノズル
34 内管
35 外管
38 排出孔
39 内部流路
41 外部流路
2 反応管
3 内部反応管
4 ボート
5 ウェーハ
8 ガス導入管
11 ガス排気管
12 筐体
19 処理炉
31 反応容器
33 ノズル
34 内管
35 外管
38 排出孔
39 内部流路
41 外部流路
Claims (1)
- 基板を収納し処理する反応室と、該反応室を画成する反応管と、該反応管を収納するヒータと、前記反応室内にガスを導入するガス導入管と、基板を前記反応室内で保持する基板保持具と、前記ガス導入管に接続されて前記反応室内に設けられたノズルとを具備し、該ノズルは、内部流路と該内部流路の周囲に形成された外部流路を有する二重構造となっており、前記内部流路と前記外部流路は最上部で連通し、前記内部流路より導入されたガスは、該内部流路を上昇して最上部で折返し、前記外部流路を下降し、該外部流路の下部に設けられた排出口よりガスを前記反応室内に供給することを特徴とする基板処理装置。
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