JP2010141202A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＳｉＣ製補助支持板とＳｉ製支持板との間の位置ずれによって発生する基板間の膜の不均一を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板７を処理する反応炉と、該反応炉内で基板７を保持する基板保持具１と、基板保持具１内に設けられ、基板７と接触するリング状の支持板４と、支持板４と異なる材質で形成された支持板４を載置する補助支持板３とを具備し、支持板４の裏面に凹部３９を形成し、補助支持板３には凹部３９に嵌合する凸部３８を設けた。
【選択図】図４

Description

本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に、薄膜を生成し、或は不純物の拡散、エッチング、アニール処理等の処理を行う基板処理装置に関するものである。

シリコンウェーハ等の基板から半導体装置を製造する工程に、熱ＣＶＤ法による薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング、熱処理等の基板処理が有り、斯かる基板処理を行うものとして基板処理装置がある。

基板処理をする際には、ウェーハを載置した基板保持具（以下、ボートと称す）を反応炉内に装入し、各種処理ガスを導入して各処理を行う。

又、従来、前記基板処理装置を用いて複数枚のウェーハを熱処理する場合、前記ボートの支柱に設けられた炭化珪素（ＳｉＣ）製補助支持板載置部にＳｉＣ製の補助支持板を載置し、該補助支持板上にシリコン（Ｓｉ）製の支持板を載置し、該Ｓｉ製の支持板上に処理すべきウェーハを載置していた。

図１１、図１２に於いて、従来のウェーハ載置方法について説明する。

ボート１は、本体部２と補助支持部としての補助支持板３、支持部としてのリング状の支持板４から構成されている。前記本体部２は、炭化珪素（ＳｉＣ）又はシリコンを含浸させた炭化珪素から成り、図示しない円盤状の上板、図示しない円盤状の下板、及び前記上板と前記下板を接続する例えば３本の支柱５を有する。該支柱５は互いに９０度ずつ隔てて配設され、図示しないツイーザが両端の前記支柱５，５間に挿入可能となっている。又、前記補助支持板３を載置する為の溝部６が垂直方向に一定間隔を隔てて水平に多数形成されている。前記補助支持板３は炭化珪素（ＳｉＣ）又はシリコンを含浸させた炭化珪素から成り、前記支柱５に形成されている各溝部６で溝数と同数支持される。又前記支持板４は、前記補助支持板３の同心となる様該補助支持板３の上面に設置され、ウェーハ７は下面が前記支持板４の上面と当接し、支持されている。該支持板４は、例えばシリコン（Ｓｉ）製の板状部材から成り、円筒形状に形成されている。又、該支持板４の径は前記ウェーハ７よりも小さく、該ウェーハ７はウェーハ周縁部と接触することなく前記支持板４に支持される。

尚、該支持板４の径は、ウェーハ７を前記支持板４に載置した際に、ウェーハ７との接触部よりも外側のウェーハ７の面積と、前記接触部よりも内側のウェーハ７の面積が等しくなる様な径が望ましい。

然し乍ら、上記の構成で熱処理をした場合、熱処理中に前記支持板４から金属原子が放出され、該金属原子がウェーハ７に付着してウェーハ７の歩留りを減少させる問題や、前記補助支持板３と該補助支持板３の上に載置される前記支持板４の間には位置ずれ防止機構がなく、昇温時の前記支持板４と前記補助支持板３との熱膨張率が違う為、前記支持板４と前記補助支持板３との間に位置ずれが発生し、ウェーハ７間の膜の均一性が悪くなる問題や、ウェーハ７と該ウェーハ７を支持している前記支持板４との間に熱膨張による摩擦が生じ、パーティクルが発生し、該パーティクルが前記ウェーハ７に付着し、該ウェーハ７の歩留りを低下させる問題等があった。

尚、ボートバー長手方向側面から先端を垂直に突設させた接触部を設け、該接触部がウェーハを裏面から支持する機構を持つウェーハ支持装置として、特許文献１に示されるものがある。

特開平９−１８６２２８号公報

本発明は斯かる実情に鑑み、ＳｉＣ製補助支持板とＳｉ製支持板との間の位置ずれによって発生する基板間の膜の不均一を防止する基板処理装置を提供するものである。

本発明は、基板を処理する反応炉と、該反応炉内で基板を保持する基板保持具と、該基板保持具内に設けられ、前記基板と接触するリング状の支持板と、該支持板と異なる材質で形成された前記支持板を載置する補助支持板とを具備し、前記支持板の裏面に凹部を形成し、前記補助支持板には前記凹部に嵌合する凸部を設けた基板処理装置に係るものである。

本発明によれば、基板を処理する反応炉と、該反応炉内で基板を保持する基板保持具と、該基板保持具内に設けられ、前記基板と接触するリング状の支持板と、該支持板と異なる材質で形成された前記支持板を載置する補助支持板とを具備し、前記支持板の裏面に凹部を形成し、前記補助支持板には前記凹部に嵌合する凸部を設けたので、前記支持板と前記補助支持板の位置ずれを防止し、前記基板間の膜の均一性の向上を図るという優れた効果を発揮する。

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。

先ず、図１に於いて、本発明が実施される基板処理装置８の構成について説明する。

該基板処理装置８は、バッチ式縦型基板処理装置であり、主要部が配置される筐体９を有する。該筐体９の正面側には、ポッドステージ１１が接続されており、該ポッドステージ１１にポッド１２が搬送される。該ポッド１２には、例えば２５枚の被処理基板としてのウェーハ７が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態で前記ポッドステージ１１にセットされている。

前記筐体９内の正面側であって、前記ポッドステージ１１に対向する位置には、ポッド搬送装置１３が配置されている。又、該ポッド搬送装置１３の近傍には、ポッド棚１４、ポッドオープナ１５、及び基板枚数検知器１６が配置されている。前記ポッド棚１４は前記ポッドオープナ１５の上方に配置され、前記基板枚数検知器１６は前記ポッドオープナ１５に隣接して配置される。前記ポッド搬送装置１３は、前記ポッドステージ１１と前記ポッド棚１４と前記ポッドオープナ１５との間で前記ポッド１２を搬送する。前記ポッドオープナ１５は前記ポッド１２の蓋を開けるものであり、該蓋が開けられた前記ポッド１２内のウェーハ７の枚数が前記基板枚数検知器１６により検知される。

更に、前記筐体９内には、基板移載機１７、ノッチアライナ１８、及びボート（基板保持具）１が配置されている。前記基板移載機１７は、例えば５枚のウェーハ７を取出すことができるツイーザ（アーム）１９を有しており、該ツイーザ１９を動かすことで、前記ポッドオープナ１５の位置におかれた前記ポッド１２、前記ノッチアライナ１８、及び前記ボート１間でウェーハ７を搬送する。前記ノッチアライナ１８は、ウェーハ７に形成されたノッチ又はオリフラを検出し、ウェーハ７のノッチ又はオリフラを一定の位置に揃えるものである。

更に、前記筐体９内の背面側上部には、反応炉２１が配置されている。該反応炉２１内に、複数枚のウェーハ７を装填した前記ボート１が装入され、熱処理が行われる。

次に、図２に於いて、前記反応炉２１の一例を示す。

該反応炉２１は、炭化珪素（ＳｉＣ）製の反応管２２を有する。該反応管２２は、上端部が閉塞され、下端部が開放された円筒形状であり、開放された下端部にはフランジが形成されている。前記反応管２２の下方には石英製のアダプタ２３が配置され、該アダプタ２３は上端部と下端部が開放された円筒形状であり、開放された上端部と下端部にはフランジが形成され、前記反応管２２の下端部フランジは前記アダプタ２３の上端部フランジと当接して支持されている。前記反応管２２と前記アダプタ２３により反応容器２４が形成され、該反応容器２４のうち、前記アダプタ２３を除いた前記反応管２２の周囲にはヒータ２５が配設されている。

前記反応容器２４下部は、前記ボート１を挿入する為に開放され、この開放部分（炉口部）は炉口シールキャップ２６がＯリングを挾んで前記アダプタ２３の下端部フランジの下面に当接することにより密閉される様にしている。前記炉口シールキャップ２６は前記ボート１を支持し、該ボート１と共に昇降可能に設けられている。又、前記炉口シールキャップ２６と前記ボート１との間には、石英製の第１の断熱部材２７と、該第１の断熱部材２７の上部に配置された炭化珪素（ＳｉＣ）製の第２の断熱部材２８とが設けられている。前記ボート１は、多数枚、例えば２５〜１００枚のウェーハ７を略水平状態で隙間をもって多段に支持し、前記反応管２２内に装填される。

１２００℃以上の高温での処理を可能とする為、前記反応管２２は炭化珪素（ＳｉＣ）製としてある。該反応管２２を炉口部迄延し、該炉口部をＯリングを介して前記炉口シールキャップ２６でシールする構造とすると、前記ＳｉＣ製の反応管２２を介して伝達された熱によりシール部迄高温となり、シール材料であるＯリングを溶かしてしまう虞れがある。又、Ｏリングを溶かさない様に前記反応管２２のシール部を冷却すると、温度差による熱膨張で破損してしまう。そこで、前記反応容器２４のうち、前記ヒータ２５による加熱領域を前記反応管２２で構成し、加熱領域から外れた部分を前記石英製のアダプタ２３で構成することで、前記反応管２２からの熱の伝達を和らげ、Ｏリングを溶かすことなく、又前記反応管２２を破損することなく炉口部をシールすることが可能となる。又、前記反応管２２と前記アダプタ２３とのシールは、双方の面精度をよくすれば前記反応管２２は前記ヒータ２５の加熱領域に配置されている為温度差が発生せず、等方的に熱膨張する。従って、前記反応管２２の下端部フランジを平面に保つことができ、前記アダプタ２３との間に隙間ができないので、前記反応管２２を前記アダプタ２３に載せるだけでシール性を確保することができる。

前記アダプタ２３には、該アダプタ２３と一体にガス供給口２９とガス排気口３１が設けられており、前記ガス供給口２９にはガス導入管３２が接続され、前記ガス排気口３１にはガス排気管３３が接続されている。

前記アダプタ２３の内壁は前記反応管２２の内壁よりも内側に突出しており、前記アダプタ２３の側壁部には、前記ガス供給口２９と連通し、垂直方向に向かうガス導入経路３４が設けられ、該ガス導入経路３４の上部にはノズル取付孔が上方に開口する様に設けられている。該ノズル取付孔は、前記反応管２２の内部に於ける前記アダプタ２３の上端部フランジの上面に開口しており、前記ガス供給口２９及び前記ガス導入経路３４と連通し、又前記ノズル取付孔にはノズル３５が挿入され、固定されている。即ち、前記反応管２２の内壁よりも内側に突出した前記アダプタ２３の上面に前記ノズル３５が接続され、又該ノズル３５は前記アダプタ２３によって支持される。

上記構成により、ノズル接続部は熱で変形し難く、破損し難い。又、前記ノズル３５と前記アダプタ２３の組立てや解体が容易になる。前記ガス導入管３２から前記ガス供給口２９に導入された処理ガスは、前記アダプタ２３の側壁部に設けられた前記ガス導入経路３４、前記ノズル３５を介して前記反応管２２内に供給される、尚、前記ノズル３５は前記反応管２２の内壁に沿って基板配列領域の上端よりも上方、即ち前記ボート１の上端よりも上方迄延びる様に構成される。

次に、上述した様に構成された基板処理装置８の作用について説明する。尚、以下の説明に於いて、前記基板処理装置８を構成する各部の動作はコントローラ３６によって制御される。

先ず、前記ポッドステージ１１に複数枚のウェーハ７を収容した前記ポッド１２がセットされると、前記ポッド搬送装置１３により前記ポッド１２を前記ポッドステージ１１から前記ポッド棚１４へ搬送し、収納する。次に、前記ポッド搬送装置１３が前記ポッド１２を前記ポッドオープナ１５に搬送、セットし、該ポッドオープナ１５が前記ポッド１２の蓋を開き、前記基板枚数検知器１６により前記ウェーハ７の枚数を検知する。

次に、前記基板移載機１７により、前記ポッドオープナ１５の位置にある前記ポッド１２から前記ウェーハ７を取出し、前記ノッチアライナ１８に移載する。該ノッチアライナ１８は、前記ウェーハ７を回転させながらノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚の前記ウェーハ７のノッチを同じ位置に整列させる。整列させた前記ウェーハ７を前記基板移載機１７により前記ノッチアライナ１８から取出し、前記ボート１に移載する。

上記の様に、１バッチ分の前記ウェーハ７を前記ボート１に移載すると、例えば６００℃程度の温度に設定された前記反応炉２１（反応容器２４）内に複数枚のウェーハ７を装填したまま前記ボート１を装入し、前記炉口シールキャップ２６により前記反応炉２１を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度迄昇温させ、前記ガス導入管３２から前記ガス供給口２９、前記アダプタ２３側壁部に設けられた前記ガス導入経路３４及びノズル３５を介して前記反応管２２内に処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素（Ｎ2 ）、アルゴン（Ａｒ）、水素（Ｈ2 ）、酸素（Ｏ2 ）等が含まれる。前記ウェーハ７を熱処理する際、該ウェーハ７は例えば１２００℃程度以上の温度に加熱される。

該ウェーハ７の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を６００℃程度の温度に降温した後、前記ウェーハ７を支持した前記ボート１を前記反応炉２１から払出し、前記ウェーハ７が冷える迄所定の場所で待機させる。該ウェーハ７が所定温度迄冷却されると、前記基板移載機１７により、前記ボート１から前記ウェーハ７を取出し、前記ポッドオープナ１５にセットされている空の前記ポッド１２に搬送して収容する。最後に、前記ポッド搬送装置１３により、前記ポッド棚１４又は前記ポッドステージ１１に搬出し、一連の処理が完了する。

次に、図３、図４に於いて、本発明の第１の実施の形態のボート１について説明する。尚、図３、図４中、図１１、図１２と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。

ボート１は、本体部２と補助支持部としての補助支持板３、支持部としてのリング状の支持板４から構成されている。前記本体部２は、炭化珪素（ＳｉＣ）又はシリコンを含浸させた炭化珪素から成り、図示しない円盤状の上板、図示しない円盤状の下板、及び前記上板と前記下板を接続する例えば３本の支柱５を有する。該支柱５は互いに９０度ずつ隔てて配設され、ツイーザ１９及び該ツイーザ１９に載置されたウェーハ７を、両端の前記支柱５，５間に挿入可能となっている。又、前記補助支持板３を載置する為の溝部６が垂直方向に一定間隔を隔てて水平に多数形成されている。前記補助支持板３は炭化珪素（ＳｉＣ）又はシリコンを含浸させた炭化珪素から成り、前記支柱５に形成されている各溝部６で溝数と同数支持される。

前記補助支持板３の中心部には貫通孔３７が穿設されており、前記補助支持板３の上面には、例えばリング状で前記支持板４の幅よりも小さな幅の環状凸部３８が設けられている。

又、前記支持板４は、前記補助支持板３の同心となる様該補助支持板３の上面に設置され、前記支持板４の下面には前記環状凸部３８が嵌合可能で、該環状凸部３８を嵌合した際に、半径方向と上方向に前記補助支持板３と前記支持板４の熱膨張差を吸収できるだけの隙間を有する環状凹部３９が設けられている。前記支持板４は下端面の面積よりも上端面の面積が小さく形成され、上部に支持突起４１が突設され、該支持突起４１の内周側及び外周側に平面４２が形成された凸形状であり、ウェーハ７は下面が前記支持突起４１と当接し、支持されている。前記支持板４は、例えばシリコン（Ｓｉ）製の板状部材から成り、リング状に形成されている。又、該支持板４の径は前記ウェーハ７よりも小さく、該ウェーハ７はウェーハ周縁部と接触することなく前記支持板４に支持される。

尚、前記貫通孔３７の径は、前記支持板４の内径と同じか、該支持板４の内径よりも小さいものとし、又、該支持板４の形状は上面の面積が下面の面積よりも小さければよいので、断面積が台形、或はＬ字形状であってもよい。

前記ツイーザ１９に載置されたウェーハ７を前記支持突起４１に移載し、前記ボート１を反応炉２１に装入して基板処理をする際には、前記貫通孔３７を穿設して前記補助支持板３の面積を減少させたことで、該補助支持板３から放出される金属原子の量を減少させ、ウェーハ７への金属汚染量を低減することができる。

又、前記環状凸部３８を前記環状凹部３９に嵌合させることにより、ＳｉＣ製の前記補助支持板３と、Ｓｉ製の前記支持板４の材質の違いによる熱膨張率の差により発生する位置ずれを防止し、ウェーハ７の膜の均一性を改善できる。

又、前記支持突起４１にウェーハ７を載置し、該ウェーハ７と前記支持板４との接触面積を小さくすることで、熱膨張により前記ウェーハ７と前記支持板４の間の摩擦によって発生するパーティクルを低減し、又前記支持板４を凸形状としたので、発生したパーティクルは前記支持突起４１の脇から落下して前記平面４２に堆積し、ウェーハ７に対するパーティクルの付着を防ぎ、ウェーハ７の歩留りを増加させることができる。

次に、図５、図６に於いて、本発明の第２の実施の形態について説明する。尚、図５、図６中、図３、図４と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。

第２の実施の形態は、第１の実施の形態に於ける補助支持板３の環状凸部３８と支持板４の環状凹部３９を取除いたものであり、補助支持板３に貫通孔３７を穿設し、該貫通孔３７の円縁部にリング状で連続した内嵌凸部４３を設けたものである。該内嵌凸部４３の外径は前記補助支持板３の上面に設置されているリング状の支持板４の内径よりも加熱により発生する熱膨張差を吸収する為の隙間分だけ小さい径を外径としたものである。

前記支持板４の内径部に前記内嵌凸部４３を嵌合させることにより、前記支持板４を固定することができ、基板処理を行う際には、前記補助支持板３と前記支持板４の熱膨張によって発生する位置ずれを防止できる。

又、第２の実施の形態に於ける前記補助支持板３及び前記支持板４の設置方法は、前記補助支持板３のみの形状変更で実現可能な為、部品の交換や改造を行う際のコスト低減を図ることができる。

尚、前記内嵌凸部４３は、連続せずに前記貫通孔３７の円周部に所定の間隔で断続的に突設したものであってもよい。

次に図７、図８に於いて、本発明の第３の実施の形態について説明する。尚、図７、図８中、図３、図４と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。

第３の実施の形態は、第２の実施の形態に於ける補助支持板３の内嵌凸部４３を取除き、代りに支持板４と同心円状にリング状で連続した外嵌凸部４４を設けたものである。該外嵌凸部４４の内径は、前記補助支持板３の上面に設置されているリング状の前記支持板４の外径より加熱により発生する熱膨張差を吸収する為の隙間分だけ大きい径を内径としたものである。

前記支持板４の外径部に前記外嵌凸部４４を嵌合させることにより、前記支持板４を固定することができ、基板処理を行う際には、前記補助支持板３と前記支持板４の熱膨張によって発生する位置ずれを防止できる。

又、第３の実施の形態に於ける前記補助支持板３及び前記支持板４の設置方法は、前記補助支持板３のみの形状変更で実現可能な為、部品の交換や改造を行う際のコスト低減を図ることができる。

尚、前記外嵌凸部４４は、連続せずに前記支持板４の外径よりも僅かに大きい同心円状に所定の間隔で断続的に突設したものであってもよい。

次に、図９、図１０に於いて、本発明の第４の実施の形態について説明する。尚、図９、図１０中、図３、図４と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。

第４の実施の形態は、第１の実施の形態に於ける環状凸部３８の代りにリング状の支持板４と同心の円周上に円柱や方柱等の形状の位置決め凸部４５を複数個、例えば円周に対して等分の位置になる様に設け、環状凹部３９の代りに前記位置決め凸部４５を収納可能で、該位置決め凸部４５を収納した際には、径方向と上方向に補助支持板３と前記支持板４の熱膨張差を吸収できるだけの隙間を有する座刳４６を設けたものである。

前記位置決め凸部４５を前記座刳４６に収納し、固定することで、ＳｉＣ製の前記補助支持板３と、Ｓｉ製の前記支持板４の材質の違いによる熱膨張率の差により発生する位置ずれを防止し、ウェーハ７の膜の均一性の向上を図ることができる。

尚、上記実施の形態の説明に於いては、一度に複数枚のウェーハ７を処理するバッチ式の基板処理装置を用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、枚葉式のものであってもよい。

又、本発明の基板処理装置は、基板の製造工程にも適用することができる。

ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハの一種であるＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）ウェーハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用する例について説明する。

まずイオン注入装置等により単結晶シリコンウェーハ内へ酸素イオンをイオン注入する。その後、酸素イオンが注入されたウェーハを上記実施の形態の基板処理装置を用いて、例えばＡｒ、Ｏ2 雰囲気のもと、１３００℃〜１４００℃、例えば１３５０℃以上の高温でアニールする。これらの処理により、ウェーハ内部にＳｉＯ2 層が形成された（ＳｉＯ2 層が埋込まれた）ＳＩＭＯＸウェーハが作製される。

又、ＳＩＭＯＸウェーハの他、水素アニールウェーハやＡｒアニールウェーハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。この場合、ウェーハを本発明の基板処理装置を用いて、水素雰囲気中もしくはＡｒ雰囲気中で１２００℃程度以上の高温でアニールすることとなる。これによりＩＣ（集積回路）が作られるウェーハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。また、この他、エピタキシャルウェーハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。

以上の様な基板の製造工程の一工程として行う高温アニール処理を行う場合であっても、本発明の基板処理装置を適用することができる。

本発明の基板処理装置は、半導体装置（デバイス）の製造工程に適用することも可能である。

特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、ＨＣｌ酸化等の熱酸化工程や、硼素（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。

この様な半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合に於いても、本発明の基板処理装置を適用することができるのは言う迄もない。

（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。

（付記１）基板を処理する反応炉と、該反応炉内で基板を保持する基板保持具と、該基板保持具内に設けられ、前記基板と接触するリング状の支持板と、該支持板と異なる材質で形成された前記支持板を載置する補助支持板とを具備し、前記支持板の裏面に凹部を形成し、前記補助支持板には前記凹部に嵌合する凸部を設けたことを特徴とする基板処理装置。

（付記２）基板を処理する反応炉と、該反応炉内で基板を保持する基板保持具と、該基板保持具内に設けられ、前記基板と接触するリング状の支持板と、該支持板と異なる材質で形成された前記支持板を載置する補助支持板とを具備し、該補助支持板にリング状の凸部を設け、該突条は前記支持板の側面と嵌合可能であることを特徴とする基板処理装置。

（付記３）前記支持板の基板接触部の幅は、前記補助支持板との接触部の幅よりも狭い付記１、付記２の基板処理装置。

（付記４）前記支持板は、前記基板を支持する凸部を持つ凸形状である付記１、付記２
の基板処理装置。

（付記５）前記凸部は、前記支持板と同一円周上に所定の間隔で断続的に設けられ、前記凹部は前記凸部を収容可能に設けられた付記１の基板処理装置。

（付記６）前記補助支持板の中心部に、前記支持板の内径と同じか、該支持板の内径よりも小さい孔を穿設したことを特徴とする付記１、付記２の基板処理装置。

（付記７）基板と接触する支持板と、該支持板を支持する補助支持板とを具備し、前記支持板の裏面には凹部が形成され、前記補助支持板には前記凹部に嵌合する凸部が設けられた基板保持具により基板を支持する工程と、前記基板保持具により支持する前記基板を反応炉に装入する工程と、該反応炉内で前記基板保持具により支持する前記基板を熱処理する工程と、前記基板保持具により支持する熱処理後の前記基板を前記反応炉より装脱する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

本発明に於ける基板処理装置の構成を示す斜視図である。 本発明に於ける処理炉の縦断面図である。 本発明の第１の実施の形態を示す平面図である。 図３のＡ−Ａ矢視図である。 本発明の第２の実施の形態を示す平面図である。 図５のＢ−Ｂ矢視図である。 本発明の第３の実施の形態を示す平面図である。 図７のＣ−Ｃ矢視図である。 図１０のＤ−Ｄ矢視図である。 本発明の第４の実施の形態を示す部分正面図である。 従来のボートを示す平面図である。 図１１のＥ−Ｅ矢視図である。

符号の説明

１ ボート
３ 補助支持板
４ 支持板
７ ウェーハ
８ 基板処理装置
３７ 貫通孔
３８ 環状凸部
３９ 環状凹部
４１ 支持突起
４２ 平面
４３ 内嵌凸部
４４ 外嵌凸部
４５ 位置決め凸部
４６ 座刳

Claims (1)

1. 基板を処理する反応炉と、該反応炉内で基板を保持する基板保持具と、該基板保持具内に設けられ、前記基板と接触するリング状の支持板と、該支持板と異なる材質で形成された前記支持板を載置する補助支持板とを具備し、前記支持板の裏面に凹部を形成し、前記補助支持板には前記凹部に嵌合する凸部を設けたことを特徴とする基板処理装置。

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