JP2011176320A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエハホルダによるウエハのスリップや反り等の弊害の発生を防止する。
【解決手段】ウエハ１の下面に面接触してウエハ１を保持するウエハホルダ７０をボート６０に多数段装着しておき、多数段のウエハホルダ７０にウエハ１をそれぞれチャージした状態で、処理室内にボートローディングし、ウエハ１のアニール処理後にボートアンローディングする。ボート６０の多数段のウエハホルダ７０からウエハ１をディスチャージする際に、ボート６０の最上段領域Ｕのウエハホルダ７０からウエハ１Ａをディスチャージし、その後に、最下段領域Ｂに向かってウエハ１をディスチャージして行く。取り出そうとしているウエハ１から落下した異物は下側のウエハ１に付着するので、異物が下側のウエハホルダに付着するのは防止でき、ウエハホルダに付着した異物による次回のウエハ１でのスリップや反り等の弊害の発生を未然に防止できる。
【選択図】図５

Description

本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にアニール処理や酸化処理や拡散処理やリフロー処理等の熱処理（thermal treatment ）を施す熱処理装置（furnace)に利用して有効な技術に関する。

ＩＣの製造方法のアニール処理や酸化処理や拡散処理等の熱処理には、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置（以下、熱処理装置という。）が、広く使用されている。
従来のこの種の熱処理装置として、ウエハと面接触する支持プレート（治具）によってウエハを直接的に支持することにより、ウエハに熱ストレスが急激に加わった際に、接触面の引張応力や自重応力の関係から結晶欠陥（スリップ）が発生したりウエハが反ったりするという問題点の解決を図ったものがある。例えば、特許文献１参照。

特開２００４−３３５６８４号公報

しかしながら、支持プレートを使用した熱処理装置においては、高温度の熱処理後に酸化膜がウエハから剥がれ落ちてパーティクルとなって下方の支持プレートの上に付着し、その後、次のウエハチャージでその支持プレートにより面接触にて支持されたウエハが当該パーティクルによってスリップや反り等の弊害を発生させられるという問題点がある。

本発明の目的は、治具による基板のスリップや反り等の弊害の発生を防止することができる基板処理装置を提供することにある。

本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）複数の基板を略水平に載置する治具を備えた基板保持具に移載した後に、この基板保持具を反応炉に搬入して密閉し、この反応炉内を所定の温度および圧力に維持して所定のガスを供給することにより前記基板に処理を施し、この処理後に、前記基板保持具を前記反応炉から搬出し、この基板保持具から前記基板を取り出す基板処理装置において、
前記基板保持具から基板を取り出す際に、前記基板保持具の最も上側の治具に載置されている前記基板から取り出し、その後に、下側の治具に向かって載置されている前記基板を取り出して行くことを特徴とする基板処理装置。
（２）複数の基板を略水平に載置する治具を備えた基板保持具に移載した後に、この基板保持具を反応炉に搬入して密閉し、この反応炉内を所定の温度および圧力に維持して所定のガスを供給することにより前記基板に処理を施し、この処理後に、前記基板保持具を前記反応炉から搬出し、この基板保持具から前記基板を取り出す半導体装置の製造方法において、
前記基板保持具から基板を取り出す際に、前記基板保持具の最も上側の治具に載置されている前記基板から取り出し、その後に、下側の治具に向かって載置されている前記基板を取り出して行くことを特徴とする半導体装置の製造方法。

前記手段によれば、取り出そうとしている基板から異物が落下したとしても、その異物は下側の治具に載置されているウエハに付着することにより、下側の治具に付着することはないので、治具に付着した異物による基板のスリップや反り等の弊害の発生を未然に防止することができる。
なお、基板表面に付着する異物は、次の工程の酸化膜除去工程において、酸化膜といっしょに除去されるので何等問題とはならない。

本発明の一実施の形態である熱処理装置を示す概略の斜視図である。 その反応炉を示す断面図である。 ウエハホルダの部分を示しており、（ａ）は平面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。 ウエハのチャージステップを示す各模式図である。 ウエハのディスチャージステップを示す各模式図である。 ウエハホルダの変形例を示す各平面断面図である。

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。

図１は本発明の一実施の形態に係る熱処理装置１０の一例を示している。
この熱処理装置１０はバッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筺体１２を有する。この筺体１２の正面側にはポッドステージ１４が接続されており、このポッドステージ１４にはＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）１６が搬送される。
ポッド１６には基板としてのウエハ１が、例えば、２５枚収納されている。ポッド１６は図示しない蓋が閉じられた状態で、ポッドステージ１４にセットされる。

筺体１２内における正面側であってポッドステージ１４に対向する位置には、ポッド搬送装置１８が配置されている。
このポッド搬送装置１８の近傍には、ポッド棚２０、ポッドオープナ２２および基板枚数検知器２４が配置されている。ポッド棚２０はポッドオープナ２２の上方に配置されており、基板枚数検知器２４はポッドオープナ２２に隣接して配置されている。
ポッド搬送装置１８はポッドステージ１４とポッド棚２０とポッドオープナ２２との間で、ポッド１６を搬送する。ポッドオープナ２２はポッド１６の蓋（図示せず）を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド１６内のウエハ１の枚数が基板枚数検知器２４により検知される。

さらに、筺体１２内には基板移載機２６、ノッチアライナ２８および基板保持具としてのボート６０が配置されている。
基板移載機２６は、例えば、５枚のウエハ１を保持して搬送することができるアーム（ツィーザ）２７を有する。基板移載機２６はアーム２７を動かすことによって、ポッドオープナ２２の位置に置かれたポッド１６、ノッチアライナ２８およびボート６０間でウエハ１を搬送する。
ノッチアライナ２８はウエハ１に形成されたノッチまたはオリエンテーションフラットを検出して、ウエハ１のノッチまたはオリエンテーションフラットを一定の位置に揃えるものである。

筺体１２内の背面側の上部には反応炉４０が配置されている。複数枚のウエハ１を装填したボート６０が、この反応炉４０内に搬入されて熱処理が行われる。

図２は反応炉４０の一例を示している。
反応炉４０は炭化珪素（ＳｉＣ）製の反応管４２を有する。反応管４２は上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状に形成されており、反応管４２の開放された下端部は、フランジ形状に形成されている。
反応管４２の下方には石英製のアダプタ４４が、反応管４２を支持するように配置されている。アダプタ４４は上端部と下端部が開放された円筒形状に形成されており、アダプタ４４の開放された上端部および下端部はそれぞれフランジ形状に形成されている。アダプタ４４の上端部フランジの上面には、反応管４２の下端部フランジの下面が当接している。
反応管４２とアダプタ４４とにより、処理室４３を構成する反応容器４１が形成されている。反応容器４１のうちアダプタ４４を除いた反応管４２の周囲には、ヒータ４６が配置されている。

反応管４２とアダプタ４４とにより形成された反応容器４１の下部は、ボート６０を搬入するために開放されており、この開放部分（炉口部）は炉口シールキャップ４８がＯリング（図示せず）を挟んでアダプタ４４の下端部フランジの下面に当接することにより、密閉されるようになっている。
炉口シールキャップ４８はボート６０を支持し、ボート６０と共に昇降可能に設けられている。
炉口シールキャップ４８とボート６０との間には、石英製の下側の断熱部材５２と、下側の断熱部材５２の上方に配置された炭化珪素（ＳｉＣ）製の上側の断熱部材５０とが設けられている。

本実施の形態においては、１２００℃以上の高温度での熱処理を可能とするため、反応管４２は炭化珪素（ＳｉＣ）製としてある。
このＳｉＣ製の反応管４２を炉口部まで延ばし、この炉口部をＯリングを介して炉口シールキャップ４８でシールする構造とすると、ＳｉＣ製の反応管４２を介して伝達された熱によりシール部まで高温となるために、シール材料であるＯリングを溶かしてしまう危惧がある。
Ｏリングを溶かさないように、ＳｉＣ製の反応管４２のシール部を冷却すると、ＳｉＣ製の反応管４２が温度差による熱膨張差により破損してしまう。
そこで、反応容器４１のうちヒータ４６による加熱領域をＳｉＣ製の反応管４２で構成し、ヒータ４６による加熱領域から外れた部分を石英製のアダプタ４４で構成することで、ＳｉＣ製の反応管からの熱の伝達を和らげることができるため、Ｏリングを溶かすことなく、かつ、反応管４２を破損することなく、炉口部をシールすることが可能となる。
また、ＳｉＣ製の反応管４２と石英製のアダプタ４４とのシールは、双方の面精度を良くすれば、ＳｉＣ製の反応管４２はヒータ４６の加熱領域に配置されているために、温度差が発生せず、等方的に熱膨張する。
よって、ＳｉＣ製の反応管４２の下端部のフランジ部分は平面を保つことができ、アダプタ４４との間に隙間が形成されないために、ＳｉＣ製の反応管４２を石英製のアダプタ４４に載せるだけで充分なシール性能を確保することができる。

アダプタ４４にはガス排気口５４とガス供給口５６とがそれぞれ設けられている。ガス排気口５４には排気管５５が接続されており、ガス供給口５６にはガス導入管５７が接続されている。

アダプタ４４の側壁部（円筒部）は反応管４２の側壁部（円筒部）よりも肉厚に形成されている。アダプタ４４の側壁分（肉厚部）には、ガス供給口５６と連通し、かつ、垂直方向に向かうガス導入経路５８が設けられており、そのガス導入経路５８の上部にはノズル取付孔が上方に開口するように設けられている。
このノズル取付孔はガス供給口５６およびガス導入経路５８と連通している。このノズル取付孔にはノズル５９が挿入され固定されている。すなわち、アダプタ４４の上面にはノズル５９が接続されている。
この構成により、ノズル接続部は熱で変形しにくく、また破損しにくくなる。
また、ノズル５９とアダプタ４４の組立て解体が容易になるというメリットもある。
ガス導入管５７からガス供給口５６に導入された処理ガスは、アダプタ４４の側壁部に設けられたガス導入経路５８、ノズル５９を介して反応管４２内に供給される。
なお、ノズル５９は反応管４２の側壁に沿ってウエハ配列領域の上端よりも上方、すなわち、ボート６０の上端よりも上方まで延びるように構成されている。

ボート６０は炭化珪素（ＳｉＣ）またはシリコンを含浸させた炭化珪素によって形成されている。
ボート６０は円板形状の上板６１と、円板形状の下板６３と、上板６１と下板６３とを接続する例えば３本の支柱６５、６５、６５と、これら支柱６５、６５、６５から延びる支持片６７、６７、６７とを有する。
図３に示されているように、支柱６５、６５、６５は、互いに９０度ずつ隔てて配置されているとともに、２本はツィーザ２７が挿入される側に１８０度隔てて配置され、１本はツィーザ２７の反挿入側に配置されている。
３個の支持片６７、６７、６７は３本の支柱６５、６５、６５から水平方向に延びている。図２で参照されるように、これらの支持片６７、６７、６７は垂直方向に一定間隔てて３本の支柱６５、６５、６５に多数形成され、この多数の支持片６７、６７、６７には、ウエハ１を面接触にて支持する治具（以下、ウエハホルダという。）７０がそれぞれ支持されている。

ウエハホルダ７０は、例えば、単結晶シリコン（Ｓｉ）、多結晶シリコン（Poly−Ｓｉ）または炭化珪素（ＳｉＣ）が使用されて円盤形状に形成されている。
ウエハホルダ７０の外径はウエハ１の外径より小さい。すなわち、ウエハホルダ７０の上面はウエハ１の下面である平坦面の面積より小さな面積を有し、ウエハ１はその周縁部を残して（周縁部とは接触することなく）ウエハホルダ７０に支持される。
ウエハホルダ７０自体の熱容量を低減するために、ウエハホルダ７０の裏面（下面）における支持片６７、６７、６７の先端部よりも内側の部分には、図３に示されているように、ザグリ（ｓｐｏｔ ｆａｃｉｎｇ）７０ａがウエハホルダ７０と同心円状に設けられている。
すなわち、ザグリ７０ａの内径は３個の支持片６７、６７、６７の先端が構成する円形の直径以下に設定されている。ザグリ７０ａの深さはウエハホルダ７０の厚さの半分程度に設定されている。ザグリ７０ａはウエハホルダ７０のウエハ１との接触面に及ばない範囲に設けるのが好ましい。

以上ように構成された熱処理装置１０の作用を、ＳＯＩ（silicon on insulator) ウエハの一種であるＳＩＭＯＸ（separation by implanted oxygen) ウエハを製造する場合について説明する。

予め、イオン注入工程において、単結晶シリコンウエハ１の内部に酸素イオンがイオン注入装置等によって注入される。酸素イオンが注入されたウエハ１はポッド１６に複数枚（通例は２５枚ずつ）収納される。
酸素イオンを注入されたウエハ１を複数枚収納したポッド１６は、熱処理装置１０に工程内搬送装置によって搬送されて、ポッドステージ１４にセットされる。

酸素イオンが注入されたウエハ１を収容したポッド１６がポッドステージ１４にセットされると、ポッド搬送装置１８はポッド１６をポッドステージ１４からポッド棚２０へ搬送し、このポッド棚２０にストックする。

その後、ポッド搬送装置１８はこのポッド棚２０にストックされたポッド１６をポッドオープナ２２に搬送してセットする。
次いで、ポッドオープナ２２はポッド１６の蓋を開く。このとき、筐体１２内は窒素ガスでパージされているので、ポッド１６は窒素ガス雰囲気に連通した状態になる。
基板枚数検知器２４はポッド１６に収容されているウエハ１の枚数を検知する。

次に、基板移載機２６はポッドオープナ２２の位置にあるポッド１６からウエハ１を取り出し、ノッチアライナ２８に移載する。
ノッチアライナ２８はウエハ１を回転させながらノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚のウエハ１のノッチを同じ位置に整列させる。
次いで、基板移載機２６はノッチアライナ２８からウエハ１を取り出し、ボート６０に移載して行く。

このウエハチャージステップにおいては、基板移載機２６は図４に示されている手順によってウエハ１をボート６０にウエハチャージする。
なお、ウエハチャージステップおよびウエハディスチャージステップの説明では、サイドダミーウエハとフィルダミーウエハとが共用されるものとし、かつ、このダミーウエハ１Ａはボート６０の最上段領域と最下段領域とに装填（チャージ）されるものとする。
また、酸素イオンを注入されたウエハ１はプロダクトウエハ１という。
基板移載機２６のツィーザ２７が一度に移載するウエハ１の枚数は５枚とする。

まず、基板移載機２６は５枚のツィーザ２７によって、５枚のダミーウエハ１Ａを一度にピックアップしてボート６０に搬送し、図４（ａ）に示されたボート６０の最下段領域Ｂにおける最下部に位置する５段のウエハホルダ７０の上に一度に移載する。
基板移載機２６はこのダミーウエハ１Ａの移載作業を上方に向かって複数回繰り返して実施することにより、最下段領域Ｂに予め指定された枚数（例えば、５〜１０枚）のダミーウエハ１Ａを装填する。

最下段領域Ｂへの予め指定された枚数のダミーウエハ１Ａの装填が完了すると、基板移載機２６は５枚のツィーザ２７によって、５枚のプロダクトウエハ１を一度にピックアップしてボート６０に搬送し、最下段領域Ｂの上のプロダクトウエハ装填領域Ｃにおける最下部に位置する５段のウエハホルダ７０の上に一度に移載する。
図４（ｂ）に示されているように、基板移載機２６はプロダクトウエハ１の移載作業を上方に向かって複数回繰り返して実施することにより、プロダクトウエハ装填領域Ｃに予め指定された枚数（例えば、２５〜１００枚）のプロダクトウエハ１を装填する。

プロダクトウエハ装填領域Ｃへの指定された枚数のプロダクトウエハ１の装填が完了すると、基板移載機２６は５枚のツィーザ２７によって、５枚のダミーウエハ１Ａを一度にピックアップしてボート６０に搬送し、図４（ｃ）に示されているように、最上段領域Ｕにおける最下部に位置する５段のウエハホルダ７０の上に一度に移載する。
基板移載機２６はこのダミーウエハ１Ａの移載作業を上方に向かって複数回繰り返して実施することにより、最上段領域Ｕに予め指定された枚数（例えば、５〜１０枚）のダミーウエハ１Ａを装填する。

以上のようにして、１バッチ分のプロダクトウエハ１およびダミーウエハ１Ａがボート６０に装填されると、ボート６０は、例えば、６００℃程度の温度に予め維持された処理室４３内に搬入（ボートローディング）される。
ボート６０が上限に達すると、炉口シールキャップ４８は処理室４３内を密閉する。
次に、ヒータ４６は炉内温度を熱処理温度まで昇温させる。
また、ガス導入管５７はガス供給口５６、ガス導入経路５８およびノズル５９を介して処理室４３内に処理ガスを導入する。
本実施の形態においては、アルゴン（Ａｒ）や酸素（Ｏ₂ ）雰囲気の下で、１３００℃〜１４００℃程度（例えば、１３５０℃以上）の高温をもってアニール処理される。
このアニール処理によって、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）層がウエハ１の内部に形成された（酸化シリコン層が埋め込まれた）ＳＩＭＯＸウエハが製造される。

ウエハ１の熱処理が終了すると、例えば、炉内温度が６００℃程度の温度に降温された後に、熱処理後のウエハ１を支持したボート６０が処理室４３から搬出（ボートアンローディング）される。
ボート６０に支持された全てのウエハ１が冷えるまで、ボート６０は所定の位置で待機される。

その後に、基板移載機２６はボート６０からウエハ１を取り出し（ディスチャージ）してポッドオープナ２２へ搬送し、ポッドオープナ２２において開放された空のポッド１６に収納する。

このウエハディスチャージステップにおいては、基板移載機２６は図５に示されている手順によってウエハ１をボート６０からディスチャージする。

まず、図５（ａ）に示されているように、基板移載機２６は５枚のツィーザ２７によって、ボート６０の最上段領域Ｕにおける最上部に位置する５段のウエハホルダ７０の上から５枚のダミーウエハ１Ａを一度にピックアップしてポッドオープナ２２に搬送してポッド１６に収納する。
基板移載機２６はこのダミーウエハ１Ａの移載作業を下方に向かって複数回繰り返して実施することにより、最上段領域Ｕに装填されたダミーウエハ１Ａを全てディスチャージする。

最上段領域Ｕのダミーウエハ１Ａのディスチャージが完了すると、基板移載機２６は５枚のツィーザ２７によって、プロダクトウエハ装填領域Ｃにおける最上部に位置する５段のウエハホルダ７０の上から５枚のダミーウエハ１Ａを一度にピックアップしてポッドオープナ２２に搬送してポッド１６に収納する。
図５（ｂ）に示されているように、基板移載機２６はこのプロダクトウエハ１の移載作業を下方に向かって複数回繰り返して実施することにより、プロダクトウエハ装填領域Ｃに装填されたプロダクトウエハ１を全てディスチャージする。

プロダクトウエハ装填領域Ｃのプロダクトウエハ１のディスチャージが完了すると、基板移載機２６は５枚のツィーザ２７によって、最下段領域Ｂにおける最下部に位置する５段のウエハホルダ７０の上から５枚のダミーウエハ１Ａを一度にピックアップしてポッドオープナ２２に搬送してポッド１６に収納する。
基板移載機２６はこのダミーウエハ１Ａの移載作業を下方に向かって複数回繰り返して実施することにより、図５（ｃ）に示されているように、最下段領域Ｂに装填されたダミーウエハ１Ａを全てディスチャージする。

以上のようにしてウエハ１が収納された各ポッド１６は、ポッド搬送装置１８によってポッド棚２０またはポッドステージ１４に搬送される。
以上の作動により、一連のバッチ処理が完了する。
そして、熱処理装置１０でのバッチ処理が完了したら、次の酸化膜除去工程のために、処理済ウエハ１が収納された各ポッド１６は、工程内搬送装置により別の処理装置へ搬送される。
そして、この酸化膜除去処理により、ウエハ１の表面のパーティクルも酸化膜とともに除去されることになる。

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

1) ボートからウエハをディスチャージする際に、ボートの最上段領域の最上部に位置するウエハホルダに載置されたウエハから下方に順次にディスチャージして行くことにより、ウエハホルダからピックアップするウエハから酸化膜が剥離してパーティクル等の異物が落下したとしても、その異物は下側のウエハホルダに載置されているウエハに付着することにより、ウエハホルダに付着することはないので、ウエハホルダに付着した異物による次回以降のバッチのウエハでのスリップや反り等の弊害の発生は未然に防止することができる。

2) 異物が付着したウエハはウエハのディスチャージによって、その都度排出されることになるので、異物が処理室内に残留するのを防止することができる。

3) ＳＩＭＯＸウエハはその特性上、アニール処理後に表面の酸化膜を除去されるので、ウエハに付着した異物は完全に除去される。つまり、熱処理装置においてＳＩＭＯＸウエハに付着した異物が、ＳＩＭＯＸウエハの性能の低下やＳＩＭＯＸウエハの製造歩留りの低下等の原因になることはない。

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。

例えば、基板を略水平に載置する治具は、前記実施の形態に係るウエハホルダのように構成するに限らず、図６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示されているように構成してもよい。
なお、図６中、７０ｂは透孔である。

ウエハ１のボートへのウエハチャージステップは、下から上へと実施して行くように設定に限らず、上から下へと実施して行くように設定してもよい。

ダミーウエハをバッチ毎にディスチャージするように設定するに限らず、必要に応じて、定期または不定期にディスチャージするように設定してもよい。

前記実施の形態においては、ＳＩＭＯＸウエハの製造方法において酸素イオンが注入されたウエハ１をアニールするアニール工程について説明したが、本発明は水素アニールウエハの製造方法のアニール工程にも適用することができる。
この場合には、ウエハ１を水素雰囲気中で、１２００℃程度以上の高温をもってアニールすることになる。
これによって、ＩＣが製造されるウエハ１の表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。
この他には、エピタキシャルウエハの製造方法の熱処理工程にも、本発明を適用することができる。

本発明はＩＣの製造方法の他の熱処理工程に適用することもできる。
特に、比較的に高い温度で実施される熱処理、例えば、ウエット酸化やドライ酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）および塩酸（ＨＣｌ）酸化等の熱酸化工程、硼素（Ｂ）や燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）およびアンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程、アニール工程等に適用するのが好ましい。

本発明は、アニール装置に限らず、酸化装置や拡散装置および金属膜や絶縁膜や半導体膜を成膜する成膜装置等の基板処理装置全般に適用することができる。

被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。

１…ウエハ（基板）、１Ａ…ダミーウエハ、１０…熱処理装置（基板処理装置）、１２…筺体、１４…ポッドステージ、１６…ポッド、１８…ポッド搬送装置、２０…ポッド棚、２２…ポッドオープナ、２４…基板枚数検知器、２６…基板移載機、２７…ツィーザ（アーム）、２８…ノッチアライナ、４０…反応炉、４１…反応容器、４２…反応管、４３…処理室、４４…アダプタ、４６…ヒータ、４８…炉口シールキャップ、５０、５２…断熱部材、５４…ガス排気口、５５…排気管、５６…ガス供給口、５７…ガス導入管、５８…ガス導入経路、５９…ノズル、６０…ボート、６１…上板、６３…下板、６５…支柱、６７…支持片、７０…ウエハホルダ（治具）、７０ａ…ザグリ、７０ｂ…透孔。

Claims (6)

1. 基板の内部にイオンを注入するイオン注入工程と、前記基板にアニール処理を施すアニール処理工程と、このアニール処理後に実施される酸化膜除去工程とを有し、
   前記アニール処理工程では、少なくともダミー基板及び基板を略水平に載置する治具を備えた基板保持具に前記ダミー基板及び前記基板を前記治具の表面を覆うように移載した後に、この基板保持具を反応炉に搬入して密閉し、この反応炉内を所定の温度及び圧力に維持して所定のガスを供給することにより前記基板に処理を施す基板の製造方法。
2. 前記基板は、ＳＩＭＯＸウエハである請求項１の基板の製造方法。
3. 前記所定の温度は、１３００℃〜１４００℃である請求項１の基板の製造方法。
4. 前記酸化膜除去処理は、前記基板の表面のパーティクルを酸化膜と共に除去する請求項１の基板の製造方法。
5. 少なくともダミー基板及び基板を略水平に載置する治具を備えた基板保持具に前記ダミー基板及び前記基板を前記治具の表面を覆うように移載した後に、この基板保持具を反応炉に搬入して密閉し、この反応炉内を所定の温度及び圧力に維持して所定のガスを供給することにより前記基板に処理を施し、この処理後に、前記基板保持具を前記反応炉から搬出し、この基板保持具から前記ダミー基板及び前記基板を取り出す半導体集積回路の製造方法。
6. 少なくともダミー基板及び基板を略水平に載置する治具を備えた基板保持具に前記ダミー基板及び前記基板を前記治具の表面を覆うように移載した後に、この基板保持具を反応炉に搬入して密閉し、この反応炉内を所定の温度及び圧力に維持して所定のガスを供給することにより前記基板に処理を施し、この処理後に、前記基板保持具を前記反応炉から搬出し、この基板保持具から前記ダミー基板及び前記基板を取り出す基板処理装置。