JP2013016635A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
基板処理装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013016635A JP2013016635A JP2011148288A JP2011148288A JP2013016635A JP 2013016635 A JP2013016635 A JP 2013016635A JP 2011148288 A JP2011148288 A JP 2011148288A JP 2011148288 A JP2011148288 A JP 2011148288A JP 2013016635 A JP2013016635 A JP 2013016635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- substrate
- mounting
- boat
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。
【選択図】図5
Description
本発明の目的は、高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供することにある。
基板が載置された載置体と、
前記載置体が複数支持された載置体支持具と、
前記載置体支持具が収容される反応管と、
前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、
前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されたことを特徴とする基板処理装置。
載置体上に基板を載置する基板載置工程と、
載置体を載置体支持具に複数支持する載置体支持工程と、
基板が載置された載置体支持具を反応管内に収容する載置体支持具収容工程と、
前記反応管内に収容された載置体支持具が支持する載置体上に載置された基板を熱処理する熱処理工程とを備え、
前記基板載置工程より前に、前記載置体の前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面を、同じ粗さに表面加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。
図1に示されるように、処理炉202は加熱部としてのヒータ206を有する。ヒータ206は円筒形状であり、ヒータ素線とその周囲に設けられた断熱部材より構成され、図示しない保持体に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ガス排気管231の下流側には、図示しない圧力検出器としての圧力センサ及び圧力調整器としてのAPCバルブ242を介して真空ポンプ等の真空排気装置246が接続されている。圧力センサ及びAPCバルブ242には、圧力制御部236が電気的に接続されており、圧力制御部236は、圧力センサにより検出された圧力に基づいてAPCバルブ242の開度を調節することにより、処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。
天板251の下側には、炉口161を気密に閉塞するための炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属よりなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、天板251の下側と当接するシール部材としてのOリングが設けられている。
シールキャップ219には、回転機構254が設けられている。回転機構254の回転軸255はシールキャップ219を貫通してボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウェハ200を回転させるように構成されている。
シールキャップ219は、処理炉202の外側に設けられた昇降機構としての後述する昇降モータ248によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構254及び昇降モータ248には、駆動制御部237が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。
サセプタ(載置体)支持具としてのボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、ウェハ200を載置したサセプタ2を複数、水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。サセプタ2は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で形成されている。
図2は、本実施形態におけるサセプタ2がボート217に支持されている状態を示す側面図であり、ボート217の一部を示す図である。図3は、本実施形態におけるサセプタ2の平面図である。図3に示すように、本実施形態におけるサセプタ2は、上面視(上側から見た形状)がC字のリング状(C字状)をしており、2つのウェハ支持部2bを、繋ぎ部2aで接続する構造である。ウェハ支持部2bは、その上面及び下面が同じ表面粗さに加工された平面をなし、その上面によりウェハ200を面支持する。繋ぎ部2aは、2つのウェハ支持部2bを繋ぎ固定する。
1つのサセプタ支持部217a上には、サセプタ2が1つ支持される。さらに、1つのサセプタ2上には、ウェハ200が1枚載置される。
図3や図4に示すように、サセプタ2は、そのほぼ半分に相当する部分を、サセプタ支持部217aaと217abを支点として支持されるので、特にサセプタ支持部217abと接触する部分には、サセプタ2とウェハ200の重量によるストレスがかかり、サセプタ支持部217abを支点として、多少なりとも下方に垂れ下がる。
加工手順としては、まず、機械研磨処理により表面粗さRa=1.0μm程度に加工し、その後、ブラスト処理により表面粗さRa=1.5〜2.5μm程度に加工する。
サセプタ2の下面と上面の加工方法が異なり表面粗さが異なると、加熱処理した際、サセプタ2の下面と上面とで熱膨張の度合いが異なり変形しやすくなる。この変形により、サセプタ2の支点である217ab部に接する(図4参照)サセプタ2の下面にキズが入り欠陥となる。この欠陥は熱処理を繰り返すことでスリップとなりサセプタ2の変形に至る。
図7において、縦軸は、ウェハ1枚当たりの異物発生数(個/ウェハ)であり、51は、サセプタ2の下面を上面よりも平坦な表面粗さに機械研磨加工した従来例、52は、サセプタ2の下面を上面と同程度の表面粗さに機械研磨加工した実施例1、53は、サセプタ2の下面を上面よりも平坦な表面粗さにブラスト加工した従来例、54は、サセプタ2の下面を上面と同程度の表面粗さにブラスト加工した実施例2である。
凡例は、○は、直径が0.080μm以上で0.160μm未満の異物を示し、□は、直径が0.160μm以上で1.000μm未満の異物を示し、△は、直径が1.000μm以上の異物を示す。
また、52の実施例1では、直径が0.080μm以上で0.160μm未満の異物(○)が18個程度のウェハがあり、直径が0.160μm以上で1.000μm未満の異物(□)が18個程度のウェハがあり、直径が1.000μm以上の異物(△)が12個程度のウェハがあることが分かる。
また、53の従来例では、直径が0.080μm以上で0.160μm未満の異物(○)が24個程度のウェハがあり、直径が0.160μm以上で1.000μm未満の異物(□)が22個程度のウェハがあり、直径が1.000μm以上の異物(△)が26個程度のウェハがあることが分かる。
また、54の実施例2では、直径が0.080μm以上で0.160μm未満の異物(○)が21個程度のウェハがあり、直径が0.160μm以上で1.000μm未満の異物(□)が17個程度のウェハがあり、直径が1.000μm以上の異物(△)が10個程度のウェハがあることが分かる。
このように、実施例1と実施例2のいずれにおいても、従来例よりも異物が減少したことが分かる。
図8において、縦軸は、ウェハ1枚当たりの異物発生数(個/ウェハ)であり、横軸は、サセプタ2下面の加工表面粗さ(μm)である。図中の曲線81は、サセプタ2の上面の加工表面粗さと下面の加工表面粗さとの差を示す。凡例は、図7と同様である。
図8に示すように、サセプタ2の下面の加工表面粗さが上面の加工表面粗さに近づくことで、変形が少なくなり異物発生数が減少することが分かる。
予備室としてのロードロック室140の外面に下基板245が設けられる。下基板245には昇降台249と嵌合するガイドシャフト264及び昇降台249と螺合するボール螺子244が設けられる。下基板245に立設したガイドシャフト264及びボール螺子244の上端に上基板247が設けられる。ボール螺子244は上基板247に設けられた昇降モータ248により回転される。ボール螺子244が回転することにより昇降台249が昇降するように構成されている。
上記実施形態では、リング状のサセプタについて説明したが、リング状に限られず他の形状のサセプタであっても、本発明を適用することができる。
また、上記実施形態では、ウェハをボート上のサセプタに載置したが、ウェハを載置したサセプタをボートに搭載するようにしてもよい。
また、上記実施形態では、ウェハをボート上のサセプタに載置、取り出しする場所を真空置換可能なロードロック室としたが、基板への自然酸化膜の付着等がさほど問題とならない処理を行う場合には、真空置換可能なロードロック室に代えて、窒素ガス雰囲気やクリーンエア雰囲気を用い真空置換しないで行うように構成してもよい。
また、上記実施形態では、エピタキシャル成長装置を例示して説明したが、CVD、ALD、酸化、拡散、アニール装置等その他の基板処理装置においても適用可能である。
第1の発明は、
基板が載置された載置体と、
前記載置体が複数支持された載置体支持具と、
前記載置体支持具が収容される反応管と、
前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、
前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されたことを特徴とする基板処理装置。
載置体上に基板を載置する基板載置工程と、
載置体を載置体支持具に複数支持する載置体支持工程と、
基板が載置された載置体支持具を反応管内に収容する載置体支持具収容工程と、
前記反応管内に収容された載置体支持具が支持する載置体上に載置された基板を熱処理する熱処理工程とを備え、
前記基板載置工程より前に、前記載置体の前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面を、同じ粗さに表面加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記載置体支持工程、前記基板載置工程、前記載置体支持具収容工程の順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記基板載置工程、前記載置体支持工程、前記載置体支持具収容工程の順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Claims (2)
- 基板が載置された載置体と、
前記載置体が複数支持された載置体支持具と、
前記載置体支持具が収容される反応管と、
前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、
前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されたことを特徴とする基板処理装置。 - 載置体上に基板を載置する基板載置工程と、
載置体を載置体支持具に複数支持する載置体支持工程と、
基板が載置された載置体支持具を反応管内に収容する載置体支持具収容工程と、
前記反応管内に収容された載置体支持具が支持する載置体上に載置された基板を熱処理する熱処理工程とを備え、
前記基板載置工程より前に、前記載置体の前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面を、同じ粗さに表面加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011148288A JP2013016635A (ja) | 2011-07-04 | 2011-07-04 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011148288A JP2013016635A (ja) | 2011-07-04 | 2011-07-04 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013016635A true JP2013016635A (ja) | 2013-01-24 |
JP2013016635A5 JP2013016635A5 (ja) | 2014-08-14 |
Family
ID=47689021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011148288A Pending JP2013016635A (ja) | 2011-07-04 | 2011-07-04 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013016635A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018538691A (ja) * | 2015-12-01 | 2018-12-27 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG | 堆積チャンバでエピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する方法、エピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する装置、およびエピタキシャル層を有する半導体ウエハ |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168177A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック板 |
JP2003197722A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハ熱処理用治具及びこれを用いた熱処理用装置並びに半導体ウェーハ熱処理用治具の製造方法 |
US20040115958A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-06-17 | Jae-Geol Cho | Wafer boat for consolidation of porous thin layer |
US20050098877A1 (en) * | 2003-11-07 | 2005-05-12 | Naoshi Adachi | Heat treatment jig for semiconductor substrate and method of heat treating semiconductor substrate |
JP2006186350A (ja) * | 2005-12-02 | 2006-07-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板加熱構造体および基板処理装置 |
JP2008108926A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Bridgestone Corp | ウェハ熱処理用治具 |
JP2009147383A (ja) * | 2009-03-26 | 2009-07-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理方法 |
JP2010153467A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-07-04 JP JP2011148288A patent/JP2013016635A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168177A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック板 |
JP2003197722A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハ熱処理用治具及びこれを用いた熱処理用装置並びに半導体ウェーハ熱処理用治具の製造方法 |
US20040115958A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-06-17 | Jae-Geol Cho | Wafer boat for consolidation of porous thin layer |
US20050098877A1 (en) * | 2003-11-07 | 2005-05-12 | Naoshi Adachi | Heat treatment jig for semiconductor substrate and method of heat treating semiconductor substrate |
WO2005045917A1 (ja) * | 2003-11-07 | 2005-05-19 | Sumco Corporation | 半導体基板用熱処理治具および半導体基板の熱処理方法 |
JP2006186350A (ja) * | 2005-12-02 | 2006-07-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板加熱構造体および基板処理装置 |
JP2008108926A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Bridgestone Corp | ウェハ熱処理用治具 |
JP2010153467A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2009147383A (ja) * | 2009-03-26 | 2009-07-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018538691A (ja) * | 2015-12-01 | 2018-12-27 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG | 堆積チャンバでエピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する方法、エピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する装置、およびエピタキシャル層を有する半導体ウエハ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6208588B2 (ja) | 支持機構及び基板処理装置 | |
JP5023004B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP5188326B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置 | |
JP5730496B2 (ja) | 熱処理装置、半導体デバイスの製造方法および基板処理方法 | |
JP5689483B2 (ja) | 基板処理装置、基板支持具及び半導体装置の製造方法 | |
US20120214317A1 (en) | Substrate processing apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method | |
JPWO2007018139A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP7214834B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP2010093023A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012069831A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2009124105A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2013051374A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2013016635A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2009117554A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008235865A (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 | |
JP5571157B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 | |
JP2010086985A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007234935A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP4404666B2 (ja) | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2012019081A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び基板の製造方法 | |
JP2011082326A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板の製造方法及び基板処理装置。 | |
JP2013080771A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
WO2024062591A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム | |
JP2008258240A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010245422A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140701 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140701 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150428 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160405 |