JP2010093023A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハ200を処理室201内に搬入する工程と、ガス供給管165,166,167に原料ガスを供給して処理室201内に原料ガスを導入し、基板200にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、処理室201内から基板を搬出する工程と、処理室201内を加熱する加熱工程と、加熱工程後に処理室201内の温度を低下させる降温工程と、降温工程後にガス供給管165,166,167にクリーニングガスを供給して処理室201内にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【選択図】図2
Description
そのため、周期的にこれらの石英部品のクリーニングを行う必要があり、また石英部品の消耗度合によっては新品に交換する必要もある。ウエハの処理毎にウエットクリーニング(フッ硝酸、フッ酸などのSi系膜エッチング溶液)を行う方法もあるが、洗浄及び乾燥工程が入るためメンテナンスに時間がかかり、メンテナンス性が悪い。また、石英部品を取り外す際、反応炉内を大気に曝すことになり汚染原因となるため高洗浄化を保つのに好ましくない。
そこで、石英部品を装置に取り付けた状態で、N2雰囲気中でクリーニングガス(例えばClF3)を反応炉内に導入することで、Si系膜のドライエッチングによるクリーニングを行うことがある。
基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内のガス供給管に原料ガスを供給して前記処理室内に前記原料ガスを導入し、前記処理室内の基板にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、
前記処理室内から基板を搬出する工程と、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
本実施例に係る基板処理装置は、半導体装置集積回路(IC(Integrated Circuits))の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し熱処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。
マニホールド209の径がアウターチューブ205の径に等しく、マニホールド209の上端がアウターチューブ205の下端に連結され、アウターチューブ205がマニホールド209に支持されている。インナーチューブ204は中板210の上に立てた状態に設けられ、通し孔211がインナーチューブ204内にある。マニホールド209とアウターチューブ205との間にはシール部材としてのOリングが設けられている。マニホールド209が図示しない保持体に支持されることにより、プロセスチューブ203は垂直に据え付けられた状態となっている。
ヒータ206と温度センサ263には、電気的に温度制御部238が接続されており、温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ206への通電具合を調整することにより処理室201内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
工場内搬送装置(図示略)によって複数のカセット110が基板処理装置101内に搬入されると、移載機106はウエハ200をカセット110からボート217に装填(ウエハチャージング)する。ボート217にウエハ200を受け渡した移載機106は、カセット110に戻り後続のウエハ200をボート217に装填する。
また、コントローラ240が温度制御部238によりヒータ206を発熱させると、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ206によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ206への通電具合がコントローラ240の温度制御部238によってフィードバック制御される。
続いて、コントローラ240が駆動制御部237によって回転機構254を回転させる。回転機構254により、ボート217が回転されることでウエハ200が回転される。回転機構254の回転はその後も継続される。
なお、コントローラ240がバルブ323を開かず、バルブ321,322,324のみを開いてもよい。これにより、ゲルマンガスが処理室201内に導入されないから、ウエハ200の表面上にEpi−Si膜が選択成長する。そのため、基板処理装置101がウエハ200にEpi−Si膜を形成するためだけの装置であれば、原料ガス供給源303、MFC313、バルブ323、方向切替弁333及びガス供給管166が設けられていない。
また、コントローラ240がバルブ324を開かず、バルブ321,322,323を開いてもよい。そうすると、エッチングガスが処理室201内に導入されないから、ウエハ200の表面上にpoly−SiGe膜が堆積(デポジション)される。
また、コントローラ240がバルブ323,324を開かず、バルブ321,322を開いてもよい。そうすると、エッチングガス及びゲルマンガスが処理室201内に導入されないから、ウエハ200の表面上にEpi−Si膜が堆積(デポジション)される。
また、コントローラ240が温度制御部238によりヒータ206を発熱させると、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ206によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ206への通電具合がコントローラ240の温度制御部238によってフィードバック制御される。
続いて、コントローラ240が駆動制御部237によって回転機構254を回転させる。回転機構254により、ボート217が回転されることでウエハ200が回転される。回転機構254の回転はその後も継続される。
基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内のガス供給管に原料ガスを供給して前記処理室内に前記原料ガスを導入し、前記処理室内の基板にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、
前記処理室内から基板を搬出する工程と、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
前記加熱工程において前記処理室内の温度を600〜900℃まで加熱し、
前記降温工程において前記処理室内の温度を350〜550℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を350〜550℃とする。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内を加熱するヒータと、
前記処理室内に設置されたガス供給管と、
少なくともクリーニングガスを前記ガス供給管に供給し、前記クリーニングガスを前記処理室内に導入させるガス供給系と、
前記ヒータにより前記処理室内を加熱する加熱工程と、前記加熱工程後に前記ヒータの発熱を停止し、又は前記ヒータの発熱量を低下させる降温工程と、前記降温工程後に前記ガス供給系により前記クリーニングガスを前記ガス供給管に供給するクリーニングガス供給工程と、を行う制御部と、を備える基板処理装置が提供される。
前記基板処理装置が前記処理室内の温度を検出する温度検出部を備え、
前記制御部が、前記加熱工程において前記温度検出部による検出温度を600〜900℃と認識したら、前記降温工程を行い、前記降温工程において前記温度検出部による検出温度を350〜550℃と認識したら、前記クリーニングガス供給工程を行う。
基板を処理する処理室と、前記処理室内に設置されたガス供給管と、クリーニングガスを前記ガス供給管に供給し、前記クリーニングガスを前記処理室内に導入させるガス供給系と、を備える基板処理装置をクリーニングする方法において、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む基板処理装置のクリーニング方法が提供される。
前記加熱工程において前記処理室内の温度を600〜900℃まで加熱し、
前記降温工程において前記処理室内の温度を350〜550℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を350〜550℃とする。
基板を処理する処理室と、前記処理室内に設置されたガス供給管と、クリーニングガスを前記ガス供給管に供給し、前記クリーニングガスを前記処理室内に導入させるガス供給系と、を備える基板処理装置をクリーニングする方法において、
前記ガス供給管を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記ガス供給管の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む基板処理装置のクリーニング方法が提供される。
前記加熱工程において前記ガス供給管の温度を600〜900℃まで加熱し、
前記降温工程において前記ガス供給管の温度を350〜550℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を350〜550℃とする。
165〜167 ガス供給管
200 基板
201 処理室
203 プロセスチューブ
204 インナーチューブ
205 アウターチューブ
206 ヒータ
240 コントローラ
263 温度センサ
300 ガス供給系
301 原料ガス供給源
302 希釈ガス供給源
303 原料ガス供給源
304 エッチングガス供給源
305 不活性ガス供給源
306 クリーニングガス供給源
311〜316 MFC
321〜326 バルブ
331、333、334 方向切替弁
Claims (2)
- 基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内のガス供給管に原料ガスを供給して前記処理室内に前記原料ガスを導入し、前記処理室内の基板にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、
前記処理室内から基板を搬出する工程と、
前記処理室内を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程後、前記処理室内の温度を低下させる降温工程と、
前記降温工程後、前記ガス供給管にクリーニングガスを供給して前記処理室内に前記クリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。 - 前記加熱工程において前記処理室内の温度を600〜900℃まで加熱し、
前記降温工程において前記処理室内の温度を350〜550℃に低下させ、
前記クリーニングガス導入工程において前記処理室内の温度を350〜550℃とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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