JP2010034362A - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ200を処理する処理室201と、処理室201内にウエハ200を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給管312,322と、処理ガス供給管312,322に合流するように接続され、処理室201内をクリーニングするためのクリーニングガスを処理室201内に供給するクリーニングガス供給管330,340と、クリーニングガス供給ラインを制御して、処理室201内に前記クリーニングガスを供給させ、処理室201内に付着した付着物を除去させ、処理室201内をクリーニングさせるコントローラ240と、を有する。
【選択図】図1
Description
基板を処理室内に搬入する工程と、
処理ガス供給ラインより前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
処理後の基板を前記処理室内より搬出する工程と、
前記処理ガス供給ラインに合流するように接続されたクリーニングガス供給ラインによって前記処理室内にクリーニングガスを供給し、前記処理室内に付着した付着物を除去して前記処理室内をクリーニングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に基板を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給ラインと、
前記処理ガス供給ラインに合流するように接続され、前記処理室内をクリーニングするためのクリーニングガスを前記処理室内に供給するクリーニングガス供給ラインと、
前記クリーニングガス供給ラインを制御して、前記処理室内に前記クリーニングガスを供給させ、前記処理室内に付着した付着物を除去させ、前記処理室内をクリーニングさせるコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置が提供される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を保持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201に搬入(ボートローディング)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
上記成膜を繰り返すと、インナーチューブ204の内壁や外壁、アウターチューブ205の内壁等にSiN膜が付着物として付着するが、このSiN膜が所定の膜厚に達した時点で、プロセスチューブ203内のクリーニングが行われる。
ウエハ200を装填していない空のボート217が、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201に搬入(ボートローディング)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
クリーニング後に処理室201内を不活性ガスに置換した後、処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空排気装置246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置242が、フィードバック制御される。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ206によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ206への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、ボート217が回転される。なお、ボート217はクリーニング時から継続して回転させ続けるようにしてもよいし、回転させなくてもよい。
その後、処理室201内のプリコーティングが行われる。プリコーティングは次のように行われる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空排気装置246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置242が、フィードバック制御される。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ206によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ206への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、ボート217が回転される。なお、ボート217はクリーニング時から継続して回転させ続けるようにしてもよいし、回転させなくてもよい。
基板を処理室内に搬入する工程と、
処理ガス供給ラインより前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
処理後の基板を前記処理室内より搬出する工程と、
前記処理ガス供給ラインに合流するように接続されたクリーニングガス供給ラインによって前記処理室内にクリーニングガスを供給し、前記処理室内に付着した付着物を除去して前記処理室内をクリーニングする工程と、
を有する第1の半導体装置の製造方法が提供される。
前記クリーニングガス供給ラインを40℃以上に加熱する第2の半導体装置の製造方法が提供される。
基板を処理室内に搬入する工程と、
処理ガス供給ラインより前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
処理後の基板を前記処理室内より搬出する工程と、
クリーニングガス供給ラインより前記処理室内にクリーニングガスを供給し、前記処理室内に付着した付着物を除去して前記処理室内をクリーニングする工程と、
を有し、
前記基板を処理する工程では、前記クリーニングガス供給ラインに合流するように接続された第1の不活性ガス供給ラインより前記処理室内に不活性ガスを供給し、
前記処理室内をクリーニングする工程では、前記処理ガス供給ラインに合流するように接続された第2の不活性ガス供給ラインより前記処理室内に不活性ガスを供給する第3の半導体装置の製造方法が提供される。
基板を処理室内に搬入する工程と、
処理ガス供給ラインより前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
処理後の基板を前記処理室内より搬出する工程と、
クリーニングガス供給ラインによって前記処理室内にクリーニングガスを供給し、前記処理室内に付着した付着物を除去して前記処理室内をクリーニングする工程と、
を有し、
前記処理ガス供給ライン及び前記クリーニングガス供給ラインには、前記処理室へのガスの流通のみを許容するチェックバルブがそれぞれ設けられている第4の半導体装置の製造方法が提供される。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に基板を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給ラインと、
前記処理ガス供給ラインに合流するように接続され、前記処理室内をクリーニングするためのクリーニングガスを前記処理室内に供給するクリーニングガス供給ラインと、
前記クリーニングガス供給ラインを制御して、前記処理室内に前記クリーニングガスを供給させ、前記処理室内に付着した付着物を除去させ、前記処理室内をクリーニングさせるコントローラと、
を有する第1の基板処理装置が提供される。
前記クリーニングガス供給ラインを40℃以上に加熱する加熱ヒータが設けられている第2の基板処理装置が提供される。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に基板を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給ラインと、
前記処理ガス供給ラインに合流するように接続され、前記処理ガス供給ラインを経由して不活性ガスを前記処理室内に供給する第1の不活性ガス供給ラインと、
前記処理室内をクリーニングするためのクリーニングガスを前記処理室内に供給するクリーニングガス供給ラインと、
前記クリーニングガス供給ラインに合流するように接続され、前記クリーニングガス供給ラインを経由して不活性ガスを前記処理室内に供給する第2の不活性ガス供給ラインと、
前記第1の不活性ガス供給ライン及び前記第2の不活性ガス供給ラインを制御して、前記処理ガス供給ラインから前記処理ガスが供給されている間は前記第2の不活性ガス供給ラインから不活性ガスを供給させ、前記クリーニングガス供給ラインから前記クリーニングガスが供給されている間は前記第1の不活性ガス供給ラインから不活性ガスを供給させるコントローラと、
を有する第3の基板処理装置が提供される。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に基板を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給ラインと、
前記処理ガス供給ラインに設けられ、前記処理室へのガスの流通のみを許容する第1のチェックバルブと、
前記処理室内をクリーニングするためのクリーニングガスを前記処理室内に供給するクリーニングガス供給ラインと、
前記クリーニングガス供給ラインに設けられ、前記処理室へのガスの流通のみを許容する第2のチェックバルブと、
前記クリーニングガス供給ラインを制御して、前記処理室内に前記クリーニングガスを供給させ、前記処理室内に付着した付着物を除去させ、前記処理室内をクリーニングさせるコントローラと、
を有する第4の基板処理装置が提供される。
200 ウエハ
201 処理室
202 処理炉
203 プロセスチューブ
204 インナーチューブ
205 アウターチューブ
206 ヒータ
209 マニホールド
216 断熱板
219 シールキャップ
220a,220b Oリング
231 ガス排気管
234 バルブ開閉制御部
235 ガス流量制御部
236 圧力制御部
237 駆動制御部
238 温度制御部
239 主制御部239
240 コントローラ
242 圧力調整装置
245 圧力センサ
246 真空排気装置
250 筒状空間
251 ヒータベース
254 回転機構
255 回転軸
263 温度センサ
310,320 ノズル
312,322 処理ガス供給管
314,324 MFC
316,326 処理ガス供給源
330,340 クリーニングガス供給管
334,344 MFC
336,346 クリーニングガス供給源
338,348 加熱ヒータ
350,360,370,380 不活性ガス供給管
354,364,374,384 MFC
356,376 不活性ガス供給源
358,368 加熱ヒータ
400 ノズル
402 クリーニングガス供給管
404 MFC
406 クリーニングガス供給源
500,510,520 チェックバルブ
Claims (2)
- 基板を処理室内に搬入する工程と、
処理ガス供給ラインより前記処理室内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、
処理後の基板を前記処理室内より搬出する工程と、
前記処理ガス供給ラインに合流するように接続されたクリーニングガス供給ラインによって前記処理室内にクリーニングガスを供給し、前記処理室内に付着した付着物を除去して前記処理室内をクリーニングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に基板を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給ラインと、
前記処理ガス供給ラインに合流するように接続され、前記処理室内をクリーニングするためのクリーニングガスを前記処理室内に供給するクリーニングガス供給ラインと、
前記クリーニングガス供給ラインを制御して、前記処理室内に前記クリーニングガスを供給させ、前記処理室内に付着した付着物を除去させ、前記処理室内をクリーニングさせるコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008195933A JP2010034362A (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008195933A JP2010034362A (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010034362A true JP2010034362A (ja) | 2010-02-12 |
Family
ID=41738487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008195933A Pending JP2010034362A (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2010034362A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012064804A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04157161A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-29 | Tokyo Electron Ltd | クリーニング方法 |
JPH04245627A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Tokyo Electron Ltd | クリーニング方法 |
JPH06252066A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Toshiba Corp | 半導体製造装置と半導体装置の製造方法 |
JPH11195650A (ja) * | 1998-01-05 | 1999-07-21 | Kokusai Electric Co Ltd | ガス供給方法および薄膜形成装置 |
-
2008
- 2008-07-30 JP JP2008195933A patent/JP2010034362A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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