JP3164248B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 30
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 23
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012494 Quartz wool Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の被処
理体に熱処理を施す熱処理装置に関する。
理体に熱処理を施す熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の熱処理装置としては、例
えば、図5に示すような熱処理部を備えた減圧CVD装
置がある。そこで、従来の熱処理装置を図5を参照しな
がら説明する。この減圧CVD装置は、同図に示すよう
に、基台10に垂直に配設された加熱炉20と、この加
熱炉20内に軸芯を一致させて収納された石英からなる
二重壁構造の反応容器30と、この反応容器30内に対
して挿脱可能に設けられ、熱処理の対象となるウエハW
を上下方向に所定間隔を隔てて水平に複数枚保持する熱
処理用ボート40とを備え、この熱処理用ボート40を
反応容器30内に軸芯を一致させて挿入し、所定の減圧
下で熱処理用ボート40で保持された複数のウエハWの
表面に窒化珪素膜等の膜を同時に形成をするように構成
されている。
えば、図5に示すような熱処理部を備えた減圧CVD装
置がある。そこで、従来の熱処理装置を図5を参照しな
がら説明する。この減圧CVD装置は、同図に示すよう
に、基台10に垂直に配設された加熱炉20と、この加
熱炉20内に軸芯を一致させて収納された石英からなる
二重壁構造の反応容器30と、この反応容器30内に対
して挿脱可能に設けられ、熱処理の対象となるウエハW
を上下方向に所定間隔を隔てて水平に複数枚保持する熱
処理用ボート40とを備え、この熱処理用ボート40を
反応容器30内に軸芯を一致させて挿入し、所定の減圧
下で熱処理用ボート40で保持された複数のウエハWの
表面に窒化珪素膜等の膜を同時に形成をするように構成
されている。
【0003】そして、上記反応容器30は、下端部のみ
が開口した外筒31及びこの内側に同心円状に挿入、配
置された内筒32からなる二重構造容器と、この二重構
造容器の下端に設けられたマニホールド33とを備えて
いる。このマニホールド33は、耐熱性の弾性部材から
なるOリング34を介して外筒31の下端のフランジ部
に密着、係合し、また、その内面から水平方向に延設さ
れた延設部33Aで上記内筒33を支承すると共にその
下端で耐熱性の弾性部材からなるOリング35を介して
熱処理用ボート40のフランジと係合して反応容器30
を封止して所定の減圧状態を保持できるように構成され
ている。
が開口した外筒31及びこの内側に同心円状に挿入、配
置された内筒32からなる二重構造容器と、この二重構
造容器の下端に設けられたマニホールド33とを備えて
いる。このマニホールド33は、耐熱性の弾性部材から
なるOリング34を介して外筒31の下端のフランジ部
に密着、係合し、また、その内面から水平方向に延設さ
れた延設部33Aで上記内筒33を支承すると共にその
下端で耐熱性の弾性部材からなるOリング35を介して
熱処理用ボート40のフランジと係合して反応容器30
を封止して所定の減圧状態を保持できるように構成され
ている。
【0004】更に、上記マニホールド33は、反応容器
30の内部を真空排気する真空ポンプ等の排気系に接続
する、本体33と同材質の排気管33Bと、この排気管
33Bから周方向にずれた位置で外部から挿入されて外
筒31の内周面に沿って上方へ石英等の耐熱、耐食性の
材料によって屈曲形成された、窒素等の不活性ガスを導
入するガス導入管33C、及び外部から挿入されて内筒
32の内周面に沿って上方へ石英等の耐熱、耐食性の材
料によって屈曲形成された、熱処理用のソースガスを導
入するソースガス導入管33Dとを備え、熱処理時にソ
ースガス導入管33Dから例えばジクロロシラン、アン
モニアのようなソースガスを導入するように構成されて
いる。また、マニホールド33の上端部のフランジ部及
びその下端部の各厚肉部にはそれぞれの周方向に沿って
冷却水の通路33E、33Fが形成され、各通路33
E、33Fを流れる冷却水によって熱処理時のマニホー
ルド33を冷却して各通路33E、33F近傍のOリン
グ34、35を熱劣化から防止するように構成されてい
る。
30の内部を真空排気する真空ポンプ等の排気系に接続
する、本体33と同材質の排気管33Bと、この排気管
33Bから周方向にずれた位置で外部から挿入されて外
筒31の内周面に沿って上方へ石英等の耐熱、耐食性の
材料によって屈曲形成された、窒素等の不活性ガスを導
入するガス導入管33C、及び外部から挿入されて内筒
32の内周面に沿って上方へ石英等の耐熱、耐食性の材
料によって屈曲形成された、熱処理用のソースガスを導
入するソースガス導入管33Dとを備え、熱処理時にソ
ースガス導入管33Dから例えばジクロロシラン、アン
モニアのようなソースガスを導入するように構成されて
いる。また、マニホールド33の上端部のフランジ部及
びその下端部の各厚肉部にはそれぞれの周方向に沿って
冷却水の通路33E、33Fが形成され、各通路33
E、33Fを流れる冷却水によって熱処理時のマニホー
ルド33を冷却して各通路33E、33F近傍のOリン
グ34、35を熱劣化から防止するように構成されてい
る。
【0005】また、上記熱処理用ボート40は、複数の
ウエハWを保持するように上下方向等間隔を隔てて形成
された複数の溝有するウエハ保持体41と、このウエハ
保持体41の下端部に設けられ且つ上記反応容器20内
を外部から断熱して内部を一定温度に保温する保温体4
2と、この保温体42の下面中央に連結された磁気シー
ル軸43と、この磁気シール軸43に連結された磁気シ
ールユニット44が固定されたフランジ45とを備え、
上記反応容器30内に挿入された状態で磁気シールユニ
ット44の磁性流体を介して回転するように構成されて
いる。
ウエハWを保持するように上下方向等間隔を隔てて形成
された複数の溝有するウエハ保持体41と、このウエハ
保持体41の下端部に設けられ且つ上記反応容器20内
を外部から断熱して内部を一定温度に保温する保温体4
2と、この保温体42の下面中央に連結された磁気シー
ル軸43と、この磁気シール軸43に連結された磁気シ
ールユニット44が固定されたフランジ45とを備え、
上記反応容器30内に挿入された状態で磁気シールユニ
ット44の磁性流体を介して回転するように構成されて
いる。
【0006】そして、上記保温体42は、複数の支持軸
等からなる支持体42Aと、この支持体42Aで上下方
向所定間隔をもってそれぞれの周縁のやや内側で支持さ
れた石英からなる4枚の基板42Bと、これらの基板4
2Bを囲み且つ基板42Bと同材料によって形成された
筒体42Cと、これらの各部材を支承する受け台42D
とから構成され、その上部が上記ウエハ保持体41下端
の円板で閉塞され、下端が受け台42Dで閉塞されてい
る。
等からなる支持体42Aと、この支持体42Aで上下方
向所定間隔をもってそれぞれの周縁のやや内側で支持さ
れた石英からなる4枚の基板42Bと、これらの基板4
2Bを囲み且つ基板42Bと同材料によって形成された
筒体42Cと、これらの各部材を支承する受け台42D
とから構成され、その上部が上記ウエハ保持体41下端
の円板で閉塞され、下端が受け台42Dで閉塞されてい
る。
【0007】また、他の減圧CVD装置としては、例え
ば、上記保温体42とは断熱体を異にして構成されたも
のがある。この場合の断熱体としては、例えば、石英ウ
ールを充填した中空容器内を真空引きしたもの、あるい
はこのような石英ウールを充填した真空中空容器と上述
の保温体42に準じたものとを組み合わせたものなどが
用いられている。
ば、上記保温体42とは断熱体を異にして構成されたも
のがある。この場合の断熱体としては、例えば、石英ウ
ールを充填した中空容器内を真空引きしたもの、あるい
はこのような石英ウールを充填した真空中空容器と上述
の保温体42に準じたものとを組み合わせたものなどが
用いられている。
【0008】次に、上記各減圧CVD装置を用いてウエ
ハWに窒化珪素膜を形成する場合について説明する。ま
ず、加熱炉20によって反応容器30内の温度を700
〜800℃に設定すると共に、熱処理用ボート40を反
応容器30内に挿入して内部を封止した後、反応容器3
0内の空気を排気管33Bを介して排気して所定の減圧
状態にする。然る後、ソースガスとしてアンモニア、ジ
クロロシランをソースガス導入管33Dを介して反応容
器30内に導入すれば、アンモニアとジクロロシランと
の反応による窒化珪素膜がウエハWに成膜される。そし
て、この成膜処理の終了後には、窒素等の不活性ガスを
ガス導入管33Cから導入して内部のガスを不活性ガス
と置換すると共に、反応容器30内の圧力を常圧に戻し
た後、熱処理ボード40をアンロードする。
ハWに窒化珪素膜を形成する場合について説明する。ま
ず、加熱炉20によって反応容器30内の温度を700
〜800℃に設定すると共に、熱処理用ボート40を反
応容器30内に挿入して内部を封止した後、反応容器3
0内の空気を排気管33Bを介して排気して所定の減圧
状態にする。然る後、ソースガスとしてアンモニア、ジ
クロロシランをソースガス導入管33Dを介して反応容
器30内に導入すれば、アンモニアとジクロロシランと
の反応による窒化珪素膜がウエハWに成膜される。そし
て、この成膜処理の終了後には、窒素等の不活性ガスを
ガス導入管33Cから導入して内部のガスを不活性ガス
と置換すると共に、反応容器30内の圧力を常圧に戻し
た後、熱処理ボード40をアンロードする。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図5に
示した従来の減圧CVD装置の場合には、保温体42の
基板42B、筒体42Cが不透明石英あるいはサンドブ
ラスト処理等の施された不透明石英で形成することによ
って保温体42からの熱輻射を防止して断熱性能を高
め、更にマニホールド33の通路33E、33Fに冷却
水を流してマニホールド33の昇温を抑制するようにし
ているが、上記基板42Bを形成する不透明石英では反
応容器30内の熱線を十分に遮断できず、熱線を透過さ
せるため、上記各通路33E、33Fの冷却水ではマニ
ホールド33を十分に冷却することができず、その温度
が高くなって通路33E、33F近傍のOリング34、
35を熱劣化させると共に、磁気シールユニット44内
の磁性流体を徐々に蒸発させてこれらの各部位のシール
機能が損なわれるという課題があった。また、この保温
体42の上部には200〜500℃の温度域が形成さ
れ、この部分に密着性の悪い被膜が成長し、しかも、1
Torrのような真空下では保温体42の周囲に音速に近い
ガス流ができるため、このガス流で密着性の悪い被膜を
剥離し、これがパーティクルとなって熱処理の歩留りを
低下させるという課題があった。
示した従来の減圧CVD装置の場合には、保温体42の
基板42B、筒体42Cが不透明石英あるいはサンドブ
ラスト処理等の施された不透明石英で形成することによ
って保温体42からの熱輻射を防止して断熱性能を高
め、更にマニホールド33の通路33E、33Fに冷却
水を流してマニホールド33の昇温を抑制するようにし
ているが、上記基板42Bを形成する不透明石英では反
応容器30内の熱線を十分に遮断できず、熱線を透過さ
せるため、上記各通路33E、33Fの冷却水ではマニ
ホールド33を十分に冷却することができず、その温度
が高くなって通路33E、33F近傍のOリング34、
35を熱劣化させると共に、磁気シールユニット44内
の磁性流体を徐々に蒸発させてこれらの各部位のシール
機能が損なわれるという課題があった。また、この保温
体42の上部には200〜500℃の温度域が形成さ
れ、この部分に密着性の悪い被膜が成長し、しかも、1
Torrのような真空下では保温体42の周囲に音速に近い
ガス流ができるため、このガス流で密着性の悪い被膜を
剥離し、これがパーティクルとなって熱処理の歩留りを
低下させるという課題があった。
【0010】また、真空引きした断熱体を用いた従来の
減圧CVD装置の場合には、断熱性能に優れている反
面、断熱体を構成する中空容器の真空引き部のシールが
必ずしも完全でないことがあり、この部分から空気がリ
ークして成膜反応を阻害したり、断熱性能を低下させた
りする他、空気抜き部からひび割れを生じて断熱体を損
傷するなどという課題があった。また、このような断熱
体は断熱性に優れているため、マニホールド33及び封
止用のフランジの温度を100〜150℃以下の低温に
維持してOリング34、35を熱劣化から防止できる反
面、上記反応容器20内のアンモニアとジクロロシラン
等の反応性ガスが副反応を起こして塩化アンモニウム等
のパーティクルを生成し易くなり、パーティクルに起因
する熱処理の歩留りを低下させ、特に4MDRAMのよ
うなサブミクロンの微細加工を行なう場合にはこのよう
なパーティクルが成膜に悪影響を及ぼすという課題があ
った。更には、熱処理部と上記低温域との大きな温度差
で反応容器20内に熱対流が起こり、これによって熱処
理部の温度の均一性が崩れて、均一な膜形成ができない
という課題があった。
減圧CVD装置の場合には、断熱性能に優れている反
面、断熱体を構成する中空容器の真空引き部のシールが
必ずしも完全でないことがあり、この部分から空気がリ
ークして成膜反応を阻害したり、断熱性能を低下させた
りする他、空気抜き部からひび割れを生じて断熱体を損
傷するなどという課題があった。また、このような断熱
体は断熱性に優れているため、マニホールド33及び封
止用のフランジの温度を100〜150℃以下の低温に
維持してOリング34、35を熱劣化から防止できる反
面、上記反応容器20内のアンモニアとジクロロシラン
等の反応性ガスが副反応を起こして塩化アンモニウム等
のパーティクルを生成し易くなり、パーティクルに起因
する熱処理の歩留りを低下させ、特に4MDRAMのよ
うなサブミクロンの微細加工を行なう場合にはこのよう
なパーティクルが成膜に悪影響を及ぼすという課題があ
った。更には、熱処理部と上記低温域との大きな温度差
で反応容器20内に熱対流が起こり、これによって熱処
理部の温度の均一性が崩れて、均一な膜形成ができない
という課題があった。
【0011】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、熱処理時に必要な断熱効果を十分に得るこ
とができると共に熱処理用の容器のシール機能を損なう
ことなく安定した熱処理を行なうことができ、しかもパ
ーティクルの発生を防止して熱処理の歩留りを向上させ
る熱処理装置を提供することを目的としている。
れたもので、熱処理時に必要な断熱効果を十分に得るこ
とができると共に熱処理用の容器のシール機能を損なう
ことなく安定した熱処理を行なうことができ、しかもパ
ーティクルの発生を防止して熱処理の歩留りを向上させ
る熱処理装置を提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の熱処理装置は、複数の被処理体を保持した状態で一端
部が開口した熱処理用の容器内に挿入されてこの容器を
封止し且つ上記各被処理体を熱処理に供する保持具を備
え、上記保持具の端部には熱処理時に上記容器内を保温
する保温体を設けてなる熱処理装置において、上記保温
体は、熱処理時の熱線を上記容器内へ反射する金属膜層
を有する複合基板と、この複合基板の周囲を囲む筒状体
とを備えて構成されたものである。
の熱処理装置は、複数の被処理体を保持した状態で一端
部が開口した熱処理用の容器内に挿入されてこの容器を
封止し且つ上記各被処理体を熱処理に供する保持具を備
え、上記保持具の端部には熱処理時に上記容器内を保温
する保温体を設けてなる熱処理装置において、上記保温
体は、熱処理時の熱線を上記容器内へ反射する金属膜層
を有する複合基板と、この複合基板の周囲を囲む筒状体
とを備えて構成されたものである。
【0013】また、本発明の請求項2に記載の熱処理装
置は、複数の被処理体を保持した状態で一端部が開口し
た熱処理用の容器内に挿入されてこの容器を封止し且つ
上記各被処理体を熱処理に供する保持具を備え、上記保
持具の端部には熱処理時に上記容器内を保温する保温体
を設けてなる熱処理装置において、上記保温体は、熱処
理時の熱線を上記容器内へ反射する金属膜層及びこの金
属膜層を保護する保護膜層を有する複合基板を備えて構
成されたものである。
置は、複数の被処理体を保持した状態で一端部が開口し
た熱処理用の容器内に挿入されてこの容器を封止し且つ
上記各被処理体を熱処理に供する保持具を備え、上記保
持具の端部には熱処理時に上記容器内を保温する保温体
を設けてなる熱処理装置において、上記保温体は、熱処
理時の熱線を上記容器内へ反射する金属膜層及びこの金
属膜層を保護する保護膜層を有する複合基板を備えて構
成されたものである。
【0014】
【作用】本発明の請求項1に記載の熱処理装置によれ
ば、容器内に保持具を挿入して容器の開口を封止して被
処理体を熱処理すると、この熱処理時には容器内の熱線
を複合基板の金属膜層によって容器内へ反射して容器内
を外部から断熱し、保温体近傍での温度上昇を抑制して
保温体近傍のシール機構の損傷を防止することによって
容器内の減圧状態を安定化すると共に、導入ガスに起因
したパーティクルの発生を防止し、更に、筒状体で保温
体近傍の気流を整えることができる。
ば、容器内に保持具を挿入して容器の開口を封止して被
処理体を熱処理すると、この熱処理時には容器内の熱線
を複合基板の金属膜層によって容器内へ反射して容器内
を外部から断熱し、保温体近傍での温度上昇を抑制して
保温体近傍のシール機構の損傷を防止することによって
容器内の減圧状態を安定化すると共に、導入ガスに起因
したパーティクルの発生を防止し、更に、筒状体で保温
体近傍の気流を整えることができる。
【0015】また、本発明の請求項2に記載の熱処理装
置によれば、容器内に保持具を挿入して容器の開口を封
止して被処理体を熱処理すると、その処理時には容器内
の熱線を複合基板の金属膜層によって容器内へ反射して
容器内を外部から断熱し、保温体近傍での温度上昇を抑
制して保温体近傍のシール機構の損傷を防止して容器内
の減圧状態を安定化すると共に、導入ガスに起因したパ
ーティクルの発生を防止することができ、また、保護膜
層によって熱処理時に発生する重金属蒸気が被処理体に
付着するのを防止することができると同時に金属膜の変
質も防止することができる。
置によれば、容器内に保持具を挿入して容器の開口を封
止して被処理体を熱処理すると、その処理時には容器内
の熱線を複合基板の金属膜層によって容器内へ反射して
容器内を外部から断熱し、保温体近傍での温度上昇を抑
制して保温体近傍のシール機構の損傷を防止して容器内
の減圧状態を安定化すると共に、導入ガスに起因したパ
ーティクルの発生を防止することができ、また、保護膜
層によって熱処理時に発生する重金属蒸気が被処理体に
付着するのを防止することができると同時に金属膜の変
質も防止することができる。
【0016】
【実施例】以下、図1〜図4に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。
発明を説明する。
【0017】本実施例の熱処理装置は、図1に示すよう
に、基台10に垂直に配設された加熱炉20と、この加
熱炉20の内部に軸芯を一致させて挿入、配置され且つ
一端部が開口した熱処理用の二重壁構造の容器(本実施
例では以下、「反応容器」と称す)30と、この反応容
器30内に挿入(ロード)されてこの反応容器30を封
止し且つ複数(例えば、100〜150)枚の被処理体
(本実施例では以下、「ウエハ」で代表する)Wを熱処
理に供する保持具(本実施例では以下、「熱処理用ボー
ト」と称す)40とを備えて構成されている。そして、
この熱処理用ボート40は、ウエハWの熱処理時に図示
しない昇降機構を介して矢示方向に昇降して反応容器3
0内にロードされ、ウエハWの熱処理後には反応容器3
0からアンロードされるように構成されている。
に、基台10に垂直に配設された加熱炉20と、この加
熱炉20の内部に軸芯を一致させて挿入、配置され且つ
一端部が開口した熱処理用の二重壁構造の容器(本実施
例では以下、「反応容器」と称す)30と、この反応容
器30内に挿入(ロード)されてこの反応容器30を封
止し且つ複数(例えば、100〜150)枚の被処理体
(本実施例では以下、「ウエハ」で代表する)Wを熱処
理に供する保持具(本実施例では以下、「熱処理用ボー
ト」と称す)40とを備えて構成されている。そして、
この熱処理用ボート40は、ウエハWの熱処理時に図示
しない昇降機構を介して矢示方向に昇降して反応容器3
0内にロードされ、ウエハWの熱処理後には反応容器3
0からアンロードされるように構成されている。
【0018】そして、上記加熱炉20は、上端部が閉塞
し、下端部が開口した筒状体として形成されている。即
ち、この加熱炉20は、図1に示すように、筒状体の直
胴部内面に取り付けられたコイル状の抵抗発熱体21
と、この抵抗発熱体21を保持すると共に筒状体の直胴
部及び上端部の内面全面を被覆する断熱材22と、この
断熱材22の外面全面を被覆するステンレス等からなる
シェル23とを備え、上記抵抗発熱体21によって反応
容器30を基板Wの熱処理に要求される温度、例えば、
500〜1200℃の範囲で全長に亘って安定的に加
熱、制御して熱処理を行なうように構成されている。
し、下端部が開口した筒状体として形成されている。即
ち、この加熱炉20は、図1に示すように、筒状体の直
胴部内面に取り付けられたコイル状の抵抗発熱体21
と、この抵抗発熱体21を保持すると共に筒状体の直胴
部及び上端部の内面全面を被覆する断熱材22と、この
断熱材22の外面全面を被覆するステンレス等からなる
シェル23とを備え、上記抵抗発熱体21によって反応
容器30を基板Wの熱処理に要求される温度、例えば、
500〜1200℃の範囲で全長に亘って安定的に加
熱、制御して熱処理を行なうように構成されている。
【0019】また、上記加熱炉20内に軸芯を一致させ
て挿入、配置された反応容器30は、図1に示すよう
に、上端部が閉塞し且つ下端部が開口した石英等の耐
熱、耐食性材料によって形成された外筒31と、この外
筒31の内側に隙間を隔てて軸芯を一致させて挿入、配
置され且つ外筒31と同様の耐熱、耐食性材料によって
両端部を開口させて形成された内筒32とを備えた二重
壁構造容器として構成されている。更に、この反応容器
30は、上記基台10とで二重壁を構成する壁面50に
おいて保持された、ステンレス等の金属からなるマニホ
ールド33を備え、このマニホールド33は、耐熱性の
弾性部材からなるOリング34を介して上記外筒31の
下端に密着、係合すると共にその内面から水平方向に延
設された延設部33Aで上記内筒32を支承するように
構成されている。
て挿入、配置された反応容器30は、図1に示すよう
に、上端部が閉塞し且つ下端部が開口した石英等の耐
熱、耐食性材料によって形成された外筒31と、この外
筒31の内側に隙間を隔てて軸芯を一致させて挿入、配
置され且つ外筒31と同様の耐熱、耐食性材料によって
両端部を開口させて形成された内筒32とを備えた二重
壁構造容器として構成されている。更に、この反応容器
30は、上記基台10とで二重壁を構成する壁面50に
おいて保持された、ステンレス等の金属からなるマニホ
ールド33を備え、このマニホールド33は、耐熱性の
弾性部材からなるOリング34を介して上記外筒31の
下端に密着、係合すると共にその内面から水平方向に延
設された延設部33Aで上記内筒32を支承するように
構成されている。
【0020】更に、上記マニホールド33は、反応容器
30の内部を真空排気する真空ポンプ等の排気系に接続
する本体33と同材質の排気管33Bと、この排気管3
3Bから周方向にずれた位置で部から挿入されて外筒3
1の内周面に沿って上方へ石英等の耐熱、耐食性の材料
によって屈曲形成された、窒素等の不活性ガスを導入す
るガス導入管33C、及び外部から挿入されて内筒32
の内周面に沿って上方へ石英等の耐熱、耐食性の材料に
よって屈曲形成された、熱処理用のソースガスを導入す
るソースガス導入管33Dとを備えている。そして、熱
処理時にソースガス導入管33Dから例えばジクロロシ
ラン、アンモニアのような反応性のソースガスを導入
し、これら両ガスの反応を介して窒化珪素膜等の薄膜を
ウエハWの表面に形成するように構成されている。ま
た、マニホールド33の上端部のフランジ部及びその下
端部の各厚肉部にはそれぞれの周方向に流れる冷却水の
通路33E、33Fが形成され、各通路33E、33F
を流れる冷却水によって熱処理時に加熱されたマニホー
ルド33を冷却して各通路33E、33F近傍のOリン
グ34、35の熱劣化を防止するように構成されてい
る。
30の内部を真空排気する真空ポンプ等の排気系に接続
する本体33と同材質の排気管33Bと、この排気管3
3Bから周方向にずれた位置で部から挿入されて外筒3
1の内周面に沿って上方へ石英等の耐熱、耐食性の材料
によって屈曲形成された、窒素等の不活性ガスを導入す
るガス導入管33C、及び外部から挿入されて内筒32
の内周面に沿って上方へ石英等の耐熱、耐食性の材料に
よって屈曲形成された、熱処理用のソースガスを導入す
るソースガス導入管33Dとを備えている。そして、熱
処理時にソースガス導入管33Dから例えばジクロロシ
ラン、アンモニアのような反応性のソースガスを導入
し、これら両ガスの反応を介して窒化珪素膜等の薄膜を
ウエハWの表面に形成するように構成されている。ま
た、マニホールド33の上端部のフランジ部及びその下
端部の各厚肉部にはそれぞれの周方向に流れる冷却水の
通路33E、33Fが形成され、各通路33E、33F
を流れる冷却水によって熱処理時に加熱されたマニホー
ルド33を冷却して各通路33E、33F近傍のOリン
グ34、35の熱劣化を防止するように構成されてい
る。
【0021】上記反応容器30内にロードしあるいは反
応容器30内からアンロードされる上記熱処理用ボート
40は、例えば、石英等の耐熱性、耐食性に優れた材料
によって形成され且つ上下方向等間隔を隔てて形成され
た複数(例えば、100〜150)の溝(図示せず)を
有するウエハ保持体41と、このウエハ保持体41の下
端に設けられた保温体42と、この保温体42の下面中
央に連結された磁気シール軸43と、この磁気シール軸
43に連結された磁気シールユニット44が固定され
た、ステンレス等からなるフランジ45とを備え、上記
反応容器30内に挿入された状態で磁気シールユニット
44の磁性流体を介して回転するように構成されてい
る。尚、上記フランジ45の内面には石英等のセラミッ
クス45Aが被覆され、熱処理時にフランジ45からパ
ーティクルが発生しないようになされている。
応容器30内からアンロードされる上記熱処理用ボート
40は、例えば、石英等の耐熱性、耐食性に優れた材料
によって形成され且つ上下方向等間隔を隔てて形成され
た複数(例えば、100〜150)の溝(図示せず)を
有するウエハ保持体41と、このウエハ保持体41の下
端に設けられた保温体42と、この保温体42の下面中
央に連結された磁気シール軸43と、この磁気シール軸
43に連結された磁気シールユニット44が固定され
た、ステンレス等からなるフランジ45とを備え、上記
反応容器30内に挿入された状態で磁気シールユニット
44の磁性流体を介して回転するように構成されてい
る。尚、上記フランジ45の内面には石英等のセラミッ
クス45Aが被覆され、熱処理時にフランジ45からパ
ーティクルが発生しないようになされている。
【0022】そして、上記ウエハ保持体41は、上述の
複数の溝を有する、例えば4本のウエハ保持支柱41A
と、これら4本のウエハ保持支柱41を周方向等間隔に
配置した状態でそれぞれの上下両端を固定するように各
ウエハ保持支柱41と一体的に構成された一対の円板4
1B、41Cと、この下方の円板41Cに取り付けられ
たフランジ部を有する筒体41Dとを備え、この筒体4
1Dが上記保温体42の上端に嵌合して構成されてい
る。
複数の溝を有する、例えば4本のウエハ保持支柱41A
と、これら4本のウエハ保持支柱41を周方向等間隔に
配置した状態でそれぞれの上下両端を固定するように各
ウエハ保持支柱41と一体的に構成された一対の円板4
1B、41Cと、この下方の円板41Cに取り付けられ
たフランジ部を有する筒体41Dとを備え、この筒体4
1Dが上記保温体42の上端に嵌合して構成されてい
る。
【0023】また、上記ウエハ保持体41と嵌合する保
温体42は、本実施例の要部をなすもので、図1に示す
ように、複数の支持軸、あるいは筒体等からなる支持体
42Aと、この支持体42Aで上下方向所定間隔をもっ
て周縁部で水平に支持され且つ金属膜層を有する、例え
ば4枚の複合基板42Bと、これらの複合基板42Bを
支持する上記支持体42Aを囲み且つ石英等のセラミッ
クスからなる筒体42Cと、これらの各部材を支承する
受け台42Dとを備え、反応容器30内を外部から断熱
するように構成されている。尚、上記複合基板42B
は、少なくとも1枚あれば断熱効果を期することができ
る。
温体42は、本実施例の要部をなすもので、図1に示す
ように、複数の支持軸、あるいは筒体等からなる支持体
42Aと、この支持体42Aで上下方向所定間隔をもっ
て周縁部で水平に支持され且つ金属膜層を有する、例え
ば4枚の複合基板42Bと、これらの複合基板42Bを
支持する上記支持体42Aを囲み且つ石英等のセラミッ
クスからなる筒体42Cと、これらの各部材を支承する
受け台42Dとを備え、反応容器30内を外部から断熱
するように構成されている。尚、上記複合基板42B
は、少なくとも1枚あれば断熱効果を期することができ
る。
【0024】更に、上記複合基板42Bは、図2、図3
に示すように、石英、炭化珪素等のセラミックスからな
る基板42B1と、この基板42B1の上面に形成された
窒化珪素等のセラミックスあるいは金属からなる下地膜
層42B2と、この下地膜層42B2の上面に形成され且
つ熱処理時における反応容器30内の熱線をこの内部へ
反射する、アルミニウム等の金属からなる金属膜層42
B3と、この金属膜層42B3の上面に形成され且つこの
金属膜層42B3を保護し且つ窒化珪素等のセラミック
スのようにパーティクルを発生し難い材料からなる保護
膜層42B4とからなり、上記保護膜層42B4によって
熱処理時に反応容器30内部に発生する重金属等からな
るパーティクルの金属膜層42B3への付着を防止する
ように構成されている。また、上記基板42B1には、
周縁に薄肉部が形成され、この薄肉部で上記支持体42
Aに支持され、この薄肉部の内側の厚肉部に上記各層4
2B2、42B3、42B4がそれぞれ積層形成されてい
る。
に示すように、石英、炭化珪素等のセラミックスからな
る基板42B1と、この基板42B1の上面に形成された
窒化珪素等のセラミックスあるいは金属からなる下地膜
層42B2と、この下地膜層42B2の上面に形成され且
つ熱処理時における反応容器30内の熱線をこの内部へ
反射する、アルミニウム等の金属からなる金属膜層42
B3と、この金属膜層42B3の上面に形成され且つこの
金属膜層42B3を保護し且つ窒化珪素等のセラミック
スのようにパーティクルを発生し難い材料からなる保護
膜層42B4とからなり、上記保護膜層42B4によって
熱処理時に反応容器30内部に発生する重金属等からな
るパーティクルの金属膜層42B3への付着を防止する
ように構成されている。また、上記基板42B1には、
周縁に薄肉部が形成され、この薄肉部で上記支持体42
Aに支持され、この薄肉部の内側の厚肉部に上記各層4
2B2、42B3、42B4がそれぞれ積層形成されてい
る。
【0025】また、上記複合基板42Bとして、例え
ば、図4に示す層構成のものであってもよい。この複合
基板42Bは、同図に示すように、例えば、透明石英か
らなる基板42B1と、この基板42B1の上面に形成さ
れたクロム等の金属からなる下地膜層42B2と、この
下地膜層42B2の上面に形成された、金等の金属から
なる金属膜層42B3とから構成されている。
ば、図4に示す層構成のものであってもよい。この複合
基板42Bは、同図に示すように、例えば、透明石英か
らなる基板42B1と、この基板42B1の上面に形成さ
れたクロム等の金属からなる下地膜層42B2と、この
下地膜層42B2の上面に形成された、金等の金属から
なる金属膜層42B3とから構成されている。
【0026】また、上記金属膜層42B3は、熱処理時
の温度でパーティクルを発生し難く、熱線を反射する金
属で形成することが好ましく、このような金属として
は、例えば、アルミニウム、金の他、チタン、タングス
テン等の高融点金属を適宜用いることができる。また、
この金属膜層42B3の膜厚は、その金属の種類によっ
ても異なるが、その金属によって熱線を有効に反射し得
る膜厚に形成すればよい。また、上記下地膜層42B2
及び保護膜層42B4の膜厚は、それぞれの機能を発揮
する限り制限されない。更に、上記各層42B2、42
B3、42B4は、それぞれ熱処理時の温度での線膨張率
に大きな差のないことが好ましい。また、上記保護膜層
42B4は、耐薬品性の材料によって形成するとが保温
体42を洗浄する上で好ましい。
の温度でパーティクルを発生し難く、熱線を反射する金
属で形成することが好ましく、このような金属として
は、例えば、アルミニウム、金の他、チタン、タングス
テン等の高融点金属を適宜用いることができる。また、
この金属膜層42B3の膜厚は、その金属の種類によっ
ても異なるが、その金属によって熱線を有効に反射し得
る膜厚に形成すればよい。また、上記下地膜層42B2
及び保護膜層42B4の膜厚は、それぞれの機能を発揮
する限り制限されない。更に、上記各層42B2、42
B3、42B4は、それぞれ熱処理時の温度での線膨張率
に大きな差のないことが好ましい。また、上記保護膜層
42B4は、耐薬品性の材料によって形成するとが保温
体42を洗浄する上で好ましい。
【0027】そして、より具体的には、図3に示す複合
基板42Bは、例えば、上記金属膜層42B3がアルミ
ニウムによって3000〜6000オングストロームの
膜厚に形成され、上記下地膜層42B2及び保護膜層4
2B4はそれぞれ窒化珪素によって2000〜1000
0オングストロームの膜厚に形成されている。また、図
4に示す複合基板42Bは、上記金属膜層42B3が金
によって2600オングストローム前後の膜厚に形成さ
れ、上記下地膜層42B2はクロムによって150オン
グストローム前後の膜厚に形成されている。
基板42Bは、例えば、上記金属膜層42B3がアルミ
ニウムによって3000〜6000オングストロームの
膜厚に形成され、上記下地膜層42B2及び保護膜層4
2B4はそれぞれ窒化珪素によって2000〜1000
0オングストロームの膜厚に形成されている。また、図
4に示す複合基板42Bは、上記金属膜層42B3が金
によって2600オングストローム前後の膜厚に形成さ
れ、上記下地膜層42B2はクロムによって150オン
グストローム前後の膜厚に形成されている。
【0028】次に、上記熱処理装置を用いてウエハWに
窒化珪素膜を形成する場合について説明する。まず、加
熱炉20によって反応容器30内の温度を700〜80
0℃に設定すると共に、反応容器30内に熱処理用ボー
ト40をロードして反応容器30内をフランジ45で封
止する。引き続いて反応容器30内の空気を排気管33
Bを介して排気して所定の減圧状態にする。然る後、ソ
ースガスとしてアンモニア、ジクロロシランをソースガ
ス導入管33Dを介して反応容器30内に導入すれば、
アンモニアとジクロロシランとの反応による窒化珪素膜
がウエハWの表面に成膜される。この成膜時には、保温
体42の複合基板42Bを構成する金属膜層42B3の
作用によって反応容器30内の熱線をその内部へ確実に
反射して熱線の透過を防止して反応容器30内を外部か
ら断熱することによってマニホールド33に達する熱線
を防止し、延いては通路33E、33Fの冷却水でマニ
ホールド33を十分に冷却し、Oリング34、35の熱
劣化を確実に防止することができる。そして、この成膜
処理の終了後には、窒素等の不活性ガスをガス導入管3
3Cから導入して内部のガスを不活性ガスと置換すると
共に、反応容器30内の圧力を常圧に戻した後、熱処理
ボード40をアンロードする。
窒化珪素膜を形成する場合について説明する。まず、加
熱炉20によって反応容器30内の温度を700〜80
0℃に設定すると共に、反応容器30内に熱処理用ボー
ト40をロードして反応容器30内をフランジ45で封
止する。引き続いて反応容器30内の空気を排気管33
Bを介して排気して所定の減圧状態にする。然る後、ソ
ースガスとしてアンモニア、ジクロロシランをソースガ
ス導入管33Dを介して反応容器30内に導入すれば、
アンモニアとジクロロシランとの反応による窒化珪素膜
がウエハWの表面に成膜される。この成膜時には、保温
体42の複合基板42Bを構成する金属膜層42B3の
作用によって反応容器30内の熱線をその内部へ確実に
反射して熱線の透過を防止して反応容器30内を外部か
ら断熱することによってマニホールド33に達する熱線
を防止し、延いては通路33E、33Fの冷却水でマニ
ホールド33を十分に冷却し、Oリング34、35の熱
劣化を確実に防止することができる。そして、この成膜
処理の終了後には、窒素等の不活性ガスをガス導入管3
3Cから導入して内部のガスを不活性ガスと置換すると
共に、反応容器30内の圧力を常圧に戻した後、熱処理
ボード40をアンロードする。
【0029】以上説明したように本実施例によれば、保
温体42の複合基板42Bを構成する金属膜層42B3
によって熱処理時に必要な断熱効果を十分に得ることが
できるため、マニホールド33の昇温を抑制して冷却水
のみで十分にマニホールド33を冷却することができ、
その結果、Oリング34、35の熱劣化を防止すると共
に磁気シールユニット45からの磁性流体の蒸発を防止
し、これらの部位におけるシール機能を損なうことなく
安定した熱処理を行なうことができる。また、本実施例
によれば、保温体42によって過度に断熱されることが
なく、反応性ガスの副生成物であるパーティクルの発生
を防止して熱処理の歩留りを向上させることができる。
尚、熱処理の繰り返しによって上記保温体42に重金属
等が付着した場合には、フッ酸などの洗浄剤によって洗
浄することができる。
温体42の複合基板42Bを構成する金属膜層42B3
によって熱処理時に必要な断熱効果を十分に得ることが
できるため、マニホールド33の昇温を抑制して冷却水
のみで十分にマニホールド33を冷却することができ、
その結果、Oリング34、35の熱劣化を防止すると共
に磁気シールユニット45からの磁性流体の蒸発を防止
し、これらの部位におけるシール機能を損なうことなく
安定した熱処理を行なうことができる。また、本実施例
によれば、保温体42によって過度に断熱されることが
なく、反応性ガスの副生成物であるパーティクルの発生
を防止して熱処理の歩留りを向上させることができる。
尚、熱処理の繰り返しによって上記保温体42に重金属
等が付着した場合には、フッ酸などの洗浄剤によって洗
浄することができる。
【0030】また、本発明の熱処理装置は、その保温体
42の筒体42Cを省略し、保温体42を支持体42A
と複合基板42Bとから構成したものであってもよい。
この場合には、支持体42Cを筒状に形成してフィン構
造にならないようにするほうが、気流の乱流を防止し、
パーティクルの発生を防止する上で好ましい。
42の筒体42Cを省略し、保温体42を支持体42A
と複合基板42Bとから構成したものであってもよい。
この場合には、支持体42Cを筒状に形成してフィン構
造にならないようにするほうが、気流の乱流を防止し、
パーティクルの発生を防止する上で好ましい。
【0031】尚、上記各実施例では、熱処理装置として
減圧CVD装置についてのみ説明したが、本発明は、上
記各実施例に何等制限されるものではなく、熱処理時の
熱線を反応容器内へ反射する金属膜層を有する複合基板
を有する保温体を用いた熱処理装置であれば、その他の
常圧CVD装置、酸化装置、拡散装置等の熱処理装置に
ついても広く適用することができ、また、複合基板の層
構成も必要に応じて適宜設計変更することができる。
減圧CVD装置についてのみ説明したが、本発明は、上
記各実施例に何等制限されるものではなく、熱処理時の
熱線を反応容器内へ反射する金属膜層を有する複合基板
を有する保温体を用いた熱処理装置であれば、その他の
常圧CVD装置、酸化装置、拡散装置等の熱処理装置に
ついても広く適用することができ、また、複合基板の層
構成も必要に応じて適宜設計変更することができる。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、熱
処理時に必要な断熱効果を十分に得ることができると共
に熱処理用の容器のシール機能を損なうことなく安定し
た熱処理を行なうことができ、しかもパーティクルの発
生を防止して熱処理の歩留りを向上させる熱処理装置を
提供することができる。
処理時に必要な断熱効果を十分に得ることができると共
に熱処理用の容器のシール機能を損なうことなく安定し
た熱処理を行なうことができ、しかもパーティクルの発
生を防止して熱処理の歩留りを向上させる熱処理装置を
提供することができる。
【図1】本発明の熱処理装置の一実施例の要部の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図2】図1に示す熱処理装置の保温体に用いられた複
合基板を取り出して示す平面図である。
合基板を取り出して示す平面図である。
【図3】図2に示す複合基板の構成を概念的に示す断面
図である。
図である。
【図4】本発明の熱処理装置の他の実施例に用いられた
複合基板を示す図3相当図である。
複合基板を示す図3相当図である。
【図5】従来の熱処理装置の一実施例の要部の構成を示
す断面図である。
す断面図である。
30 反応容器(熱処理用の容器) 40 熱処理用ボート(保持具) 42 保温体 42B3 金属膜層 42B4 保護膜層 42C 筒体(筒状体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 見方 裕一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株式会社東芝 総合研究所内 (72)発明者 奥村 勝弥 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株式会社東芝 多摩川工場内 (56)参考文献 特開 平2−174226(JP,A) 特開 平4−188822(JP,A) 特開 平5−160057(JP,A) 実開 平2−35435(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/205 H01L 21/22 - 21/24 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/38 - 21/40 H01L 21/469 H01L 21/86
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の被処理体を保持した状態で一端部
が開口した熱処理用の容器内に挿入されてこの容器を封
止し且つ上記各被処理体を熱処理に供する保持具を備
え、上記保持具の端部には熱処理時に上記容器内を保温
する保温体を設けてなる熱処理装置において、上記保温
体は、熱処理時の熱線を上記容器内へ反射する金属膜層
を有する複合基板と、この複合基板の周囲を囲む筒状体
とを備えてなることを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項2】 複数の被処理体を保持した状態で一端部
が開口した熱処理用の容器内に挿入されてこの容器を封
止し且つ上記各被処理体を熱処理に供する保持具を備
え、上記保持具の端部には熱処理時に上記容器内を保温
する保温体を設けてなる熱処理装置において、上記保温
体は、熱処理時の熱線を上記容器内へ反射する金属膜層
及びこの金属膜層を保護する保護膜層を有する複合基板
を備えてなることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17742792A JP3164248B2 (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 熱処理装置 |
US08/075,119 US5370371A (en) | 1992-06-11 | 1993-06-10 | Heat treatment apparatus |
TW082104651A TW281854B (ja) | 1992-06-11 | 1993-06-11 | |
KR1019930010600A KR100298964B1 (ko) | 1992-06-11 | 1993-06-11 | 열처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17742792A JP3164248B2 (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05343342A JPH05343342A (ja) | 1993-12-24 |
JP3164248B2 true JP3164248B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=16030749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17742792A Expired - Fee Related JP3164248B2 (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 熱処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5370371A (ja) |
JP (1) | JP3164248B2 (ja) |
KR (1) | KR100298964B1 (ja) |
TW (1) | TW281854B (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3073627B2 (ja) * | 1993-06-14 | 2000-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
JP3473715B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2003-12-08 | 信越半導体株式会社 | 石英ガラス製ウェーハボート |
US5928427A (en) * | 1994-12-16 | 1999-07-27 | Hwang; Chul-Ju | Apparatus for low pressure chemical vapor deposition |
US6002109A (en) | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
KR100205541B1 (ko) * | 1995-12-18 | 1999-07-01 | 윤종용 | 화학기상증착장비의 가스 유입구 구조 |
KR100224659B1 (ko) * | 1996-05-17 | 1999-10-15 | 윤종용 | 종형 기상 성장 장치용 캡 |
US5746591A (en) * | 1996-08-15 | 1998-05-05 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor furnace for reducing particulates in a quartz tube and boat |
JP3270730B2 (ja) | 1997-03-21 | 2002-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP3467565B2 (ja) * | 1998-11-16 | 2003-11-17 | 坂口電熱株式会社 | 熱放射リフレクターを有する加熱炉 |
JP3579278B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2004-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及びシール装置 |
NL1011578C2 (nl) * | 1999-03-17 | 1999-12-10 | Asm Int | Drager voor een waferrek alsmede ovensamenstel. |
KR100352765B1 (ko) | 1999-12-01 | 2002-09-16 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 제조용 가열장치 |
JP2002343789A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 補助保温治具、その製造方法、板状断熱材付きウエハボート、縦型熱処理装置、縦型熱処理装置の改造方法および半導体装置の製造方法 |
US6902395B2 (en) * | 2002-03-15 | 2005-06-07 | Asm International, N.V. | Multilevel pedestal for furnace |
JP3798721B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2006-07-19 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体熱処理用反射板およびこの半導体熱処理用反射板の製造方法 |
US20040014438A1 (en) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Abraham Hasarchi | System and method for excluding narrow band noise from a communication channel |
JP5188326B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-04-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置 |
JP5088331B2 (ja) * | 2009-01-26 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置用の構成部品及び熱処理装置 |
JP5405667B2 (ja) * | 2010-07-22 | 2014-02-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
US9605345B2 (en) * | 2013-08-23 | 2017-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Vertical furnace for improving wafer uniformity |
KR20220103156A (ko) * | 2020-03-19 | 2022-07-21 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 단열재 어셈블리 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5846251B2 (ja) * | 1980-07-29 | 1983-10-15 | 日立化成工業株式会社 | 発泡性ビニル系重合体粒子の製造法 |
DE3441887C1 (de) * | 1984-11-16 | 1985-10-17 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Ofen fuer die Waermebehandlung von Halbleiter-Substraten |
FR2621930B1 (fr) * | 1987-10-15 | 1990-02-02 | Solems Sa | Procede et appareil pour la production par plasma de couches minces a usage electronique et/ou optoelectronique |
US5048800A (en) * | 1988-12-27 | 1991-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vertical heat treatment apparatus |
US5127365A (en) * | 1990-02-27 | 1992-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vertical heat-treatment apparatus for semiconductor parts |
-
1992
- 1992-06-11 JP JP17742792A patent/JP3164248B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-06-10 US US08/075,119 patent/US5370371A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-06-11 KR KR1019930010600A patent/KR100298964B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-06-11 TW TW082104651A patent/TW281854B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW281854B (ja) | 1996-07-21 |
US5370371A (en) | 1994-12-06 |
JPH05343342A (ja) | 1993-12-24 |
KR940006220A (ko) | 1994-03-23 |
KR100298964B1 (ko) | 2001-11-30 |
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