JP3073627B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JP3073627B2 JP3073627B2 JP05167473A JP16747393A JP3073627B2 JP 3073627 B2 JP3073627 B2 JP 3073627B2 JP 05167473 A JP05167473 A JP 05167473A JP 16747393 A JP16747393 A JP 16747393A JP 3073627 B2 JP3073627 B2 JP 3073627B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing
- heat
- heat treatment
- heat insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、縦型ＣＶＤ処理装置の
ような熱処理装置に関する。
ような熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハの如き被処理体に
均熱状態において所定の熱処理を施して、この表面に薄
膜を形成したり熱拡散を行ったりする装置として熱処理
装置が用いられている。
均熱状態において所定の熱処理を施して、この表面に薄
膜を形成したり熱拡散を行ったりする装置として熱処理
装置が用いられている。
【０００３】図９は従来の縦型熱処理装置の一例を示す
断面図であり、加熱炉２は上方及び下方が開放された石
英製の内管４と、この外周に所定の距離だけ離間させて
同心状に配置され、天井６Ａを有すると共に下方が開放
された石英製の外管６とよりなる処理容器８を有し、こ
の外周には図示しない加熱ヒータが配置されている。
断面図であり、加熱炉２は上方及び下方が開放された石
英製の内管４と、この外周に所定の距離だけ離間させて
同心状に配置され、天井６Ａを有すると共に下方が開放
された石英製の外管６とよりなる処理容器８を有し、こ
の外周には図示しない加熱ヒータが配置されている。
【０００４】上記内管４及び外管６のそれぞれの下端部
は、例えばステンレス製のマニホールド部１０により支
持されており、このマニホールド部１０には処理ガスを
導入するための処理ガス導入ノズル１２が内部へ貫通さ
せて設けられると共に処理容器８内を真空引きするため
の排気管１４が接続されており、処理容器８内へ導入さ
れた処理ガスは内管４内を上昇し、この内管４と外管６
との間を降下して容器８外へ排出される。
は、例えばステンレス製のマニホールド部１０により支
持されており、このマニホールド部１０には処理ガスを
導入するための処理ガス導入ノズル１２が内部へ貫通さ
せて設けられると共に処理容器８内を真空引きするため
の排気管１４が接続されており、処理容器８内へ導入さ
れた処理ガスは内管４内を上昇し、この内管４と外管６
との間を降下して容器８外へ排出される。
【０００５】そして、この内管４内に、例えば石英製の
ウエハボート１６の長さ方向に沿って積層された被処理
体としての多数枚の半導体ウエハＷが収容されており、
このウエハボート１６は内部に断熱性のグラスウールを
充填した円筒体状の石英製の保温筒１８の上端に載置さ
れている。
ウエハボート１６の長さ方向に沿って積層された被処理
体としての多数枚の半導体ウエハＷが収容されており、
このウエハボート１６は内部に断熱性のグラスウールを
充填した円筒体状の石英製の保温筒１８の上端に載置さ
れている。
【０００６】上記マニホールド部１０の下端開口部は、
例えばステンレス製の円板状のキャップ部２０によりＯ
リング２２を介して気密に開閉可能になされており、こ
のキッャプ部２０は、エレベータの如き昇降手段２４の
アーム部２６に設けた回転軸２８に磁性シール３０を介
して支持されている。そして、この回転軸２８の上端部
には、保温筒受けリング３２が取り付け固定されて、こ
の上に上記保温筒１８が載置される。この回転軸２８は
プーリ３４を介して図示しないモータ側からの動力ベル
ト３６により回転可能になされる。
例えばステンレス製の円板状のキャップ部２０によりＯ
リング２２を介して気密に開閉可能になされており、こ
のキッャプ部２０は、エレベータの如き昇降手段２４の
アーム部２６に設けた回転軸２８に磁性シール３０を介
して支持されている。そして、この回転軸２８の上端部
には、保温筒受けリング３２が取り付け固定されて、こ
の上に上記保温筒１８が載置される。この回転軸２８は
プーリ３４を介して図示しないモータ側からの動力ベル
ト３６により回転可能になされる。
【０００７】そして、熱処理時にはこのモータにより回
転軸２８を回転することによりウエハボート１６に載置
されているウエハＷは自転しつつ上昇してくる処理ガス
に晒されることになり、ウエハ表面に形成される堆積膜
の面内均一性を高く維持するようになっている。
転軸２８を回転することによりウエハボート１６に載置
されているウエハＷは自転しつつ上昇してくる処理ガス
に晒されることになり、ウエハ表面に形成される堆積膜
の面内均一性を高く維持するようになっている。
【０００８】また、ウエハＷを処理容器８に対して搬入
・搬出する場合には、昇降手段２４を駆動し、キャップ
部２０、保温筒１８及びウエハボート１６を一体的に昇
降させてウエハの搬入・搬出を行う。
・搬出する場合には、昇降手段２４を駆動し、キャップ
部２０、保温筒１８及びウエハボート１６を一体的に昇
降させてウエハの搬入・搬出を行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来構造の装置にあってはウエハ面に対する熱処理の均一
性、具体的には例えば堆積物の面内均一性を確保する必
要があることからウエハボート１６を必ず回転させなけ
ればならず、回転機構を設けなければならないばかり
か、熱処理は真空状態で行われることから回転機構の軸
受けとして回転を許容しつつシール性を保持する磁性シ
ール３０を用いなければならず、構造が複雑化してコス
ト高になるという問題点があった。更には、この磁性シ
ール３０に使用する磁性流体は、熱に比較的弱いために
アーム部２６に水冷管（図示せず）等を配設して磁性シ
ール３０を冷却しなければならず、このために構造を一
層複雑化してコスト高の要因となっている。
来構造の装置にあってはウエハ面に対する熱処理の均一
性、具体的には例えば堆積物の面内均一性を確保する必
要があることからウエハボート１６を必ず回転させなけ
ればならず、回転機構を設けなければならないばかり
か、熱処理は真空状態で行われることから回転機構の軸
受けとして回転を許容しつつシール性を保持する磁性シ
ール３０を用いなければならず、構造が複雑化してコス
ト高になるという問題点があった。更には、この磁性シ
ール３０に使用する磁性流体は、熱に比較的弱いために
アーム部２６に水冷管（図示せず）等を配設して磁性シ
ール３０を冷却しなければならず、このために構造を一
層複雑化してコスト高の要因となっている。
【００１０】また、この水冷管等による冷却のために磁
性シール３０を含むキャップ部２０の周辺部が周囲と比
較して比較的低温になるためにこの部分に処理ガスの堆
積物が付着し易くなり、付着した堆積物が剥離して浮遊
し、半導体製品の欠陥の原因となるパーティクルが発生
するという問題点もあった。更には、磁性シール３０に
使用する磁性流体が、冷却されているとはいえ処理ガス
と反応し、その結果、シール性が次第に劣化するという
問題点も有していた。
性シール３０を含むキャップ部２０の周辺部が周囲と比
較して比較的低温になるためにこの部分に処理ガスの堆
積物が付着し易くなり、付着した堆積物が剥離して浮遊
し、半導体製品の欠陥の原因となるパーティクルが発生
するという問題点もあった。更には、磁性シール３０に
使用する磁性流体が、冷却されているとはいえ処理ガス
と反応し、その結果、シール性が次第に劣化するという
問題点も有していた。
【００１１】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は断熱性保温筒に処理ガスの導入機能を持たせる
ことにより、被処理体収容ボートを回転させることなく
膜厚の面内均一性を高く維持することができる熱処理装
置を提供することにある。
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は断熱性保温筒に処理ガスの導入機能を持たせる
ことにより、被処理体収容ボートを回転させることなく
膜厚の面内均一性を高く維持することができる熱処理装
置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、被処理体収容ボートに収容された被処
理体に処理ガスを供給しつつ熱処理を施すために下方が
開口された処理容器と、前記処理ガスを導入するために
前記処理容器内側へ貫通させて設けた処理ガス導入ノズ
ルと、前記処理容器の開口部を開閉可能に密閉すると共
に昇降可能になされたキャップ部と、前記キャップ部に
連結されると共にその上部に前記被処理体収容ボートを
載置する断熱性保温筒とを備え、前記断熱性保温筒は、
底部側壁にガス導入口が形成されると共に上部にガス放
出口が形成された保温筒カバーと、前記保温筒カバー内
に収容されて中央部に前記ガス導入口から導入された処
理ガスを上方へ流すガス導通路を有する保温筒本体とよ
りなり、前記ガス導入口が前記ガス導入ノズルの先端に
接近させて形成されているように構成したものである。
解決するために、被処理体収容ボートに収容された被処
理体に処理ガスを供給しつつ熱処理を施すために下方が
開口された処理容器と、前記処理ガスを導入するために
前記処理容器内側へ貫通させて設けた処理ガス導入ノズ
ルと、前記処理容器の開口部を開閉可能に密閉すると共
に昇降可能になされたキャップ部と、前記キャップ部に
連結されると共にその上部に前記被処理体収容ボートを
載置する断熱性保温筒とを備え、前記断熱性保温筒は、
底部側壁にガス導入口が形成されると共に上部にガス放
出口が形成された保温筒カバーと、前記保温筒カバー内
に収容されて中央部に前記ガス導入口から導入された処
理ガスを上方へ流すガス導通路を有する保温筒本体とよ
りなり、前記ガス導入口が前記ガス導入ノズルの先端に
接近させて形成されているように構成したものである。
【００１３】
【作用】本発明は、以上のように構成したので、断熱性
保温筒はキャップ部に直付けされて回転せず、断熱性保
温筒内にはガス導通路が形成されてそのガス導入口には
ガス導入ノズルを接近させて臨ませている。従って、ガ
ス導入ノズルから流入した処理ガスは周囲にほとんど洩
れることなくガス導入口から保温筒内に入り、この保温
筒内のガス導通路を上昇してガス放出口からその周辺部
に均等に流出することになる。従って、流出した処理ガ
スは保温筒の上端に載置してある被処理体収容ボートの
周辺部をその高さ方向へ略均等に上昇することとなり、
ボートを回転させなくても被処理体に対する堆積物等の
面内均一性を高く維持することが可能となる。
保温筒はキャップ部に直付けされて回転せず、断熱性保
温筒内にはガス導通路が形成されてそのガス導入口には
ガス導入ノズルを接近させて臨ませている。従って、ガ
ス導入ノズルから流入した処理ガスは周囲にほとんど洩
れることなくガス導入口から保温筒内に入り、この保温
筒内のガス導通路を上昇してガス放出口からその周辺部
に均等に流出することになる。従って、流出した処理ガ
スは保温筒の上端に載置してある被処理体収容ボートの
周辺部をその高さ方向へ略均等に上昇することとなり、
ボートを回転させなくても被処理体に対する堆積物等の
面内均一性を高く維持することが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明に係る熱処理装置の一実施例
を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係る熱
処理装置の一実施例を示す断面図、図２は図１に示す装
置に用いる断熱性保温筒の保温筒カバーを示す側面図、
図３は図２に示す保温筒カバーの断面図、図４は図１に
示す断熱性保温筒の保温筒本体を示す断面図、図５は図
４に示す保温筒本体の一部をＶ−Ｖ線で切断した時の底
面図、図６は保温筒と内管との位置関係を説明するため
の説明図である。図９に示す従来装置と同一部分につい
ては同一符号を付す。尚、本実施例にあっては熱処理装
置として縦型ＣＶＤ処理装置を例にとって説明する。
を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係る熱
処理装置の一実施例を示す断面図、図２は図１に示す装
置に用いる断熱性保温筒の保温筒カバーを示す側面図、
図３は図２に示す保温筒カバーの断面図、図４は図１に
示す断熱性保温筒の保温筒本体を示す断面図、図５は図
４に示す保温筒本体の一部をＶ−Ｖ線で切断した時の底
面図、図６は保温筒と内管との位置関係を説明するため
の説明図である。図９に示す従来装置と同一部分につい
ては同一符号を付す。尚、本実施例にあっては熱処理装
置として縦型ＣＶＤ処理装置を例にとって説明する。
【００１５】図１に示すようにこのＣＶＤ処理装置３８
の加熱炉２は上方及び下方が開口された石英製の内管４
と、この外周に所定の距離だけ離間させて同心状に配置
され、天井を有すると共に下方が開口された石英製の外
管６とよりなる処理容器８を有し、この外周には例えば
抵抗加熱ヒータ４０が巻回されている。このヒータ４０
の更に外周には、断熱材４２を介して例えばステンレス
よりなるアウターシェル４４が設けられ、全体として加
熱炉２を形成している。そして、このヒータ４０を制御
することにより、処理容器８内を例えば５００〜１２０
０℃の範囲内で適宜設定可能としている。この内管４内
に、例えば石英よりなる、被処理体収容ボートとしての
ウエハボート１６に上下方向に所定のピッチで多数積層
搭載した被処理体、例えば半導体ウエハＷが挿脱自在に
収容されている。
の加熱炉２は上方及び下方が開口された石英製の内管４
と、この外周に所定の距離だけ離間させて同心状に配置
され、天井を有すると共に下方が開口された石英製の外
管６とよりなる処理容器８を有し、この外周には例えば
抵抗加熱ヒータ４０が巻回されている。このヒータ４０
の更に外周には、断熱材４２を介して例えばステンレス
よりなるアウターシェル４４が設けられ、全体として加
熱炉２を形成している。そして、このヒータ４０を制御
することにより、処理容器８内を例えば５００〜１２０
０℃の範囲内で適宜設定可能としている。この内管４内
に、例えば石英よりなる、被処理体収容ボートとしての
ウエハボート１６に上下方向に所定のピッチで多数積層
搭載した被処理体、例えば半導体ウエハＷが挿脱自在に
収容されている。
【００１６】一方、上記内管４及び外管６の下端部に
は、例えばステンレスよりなる筒体状のマニホールド部
１０が接続されており、このマニホールド部１０の上端
部には環状の上段フランジ部１０Ａが形成されると共に
この上記上段フランジ部１０Ａには上記外管６のフラン
ジ部６ＢがＯリング４６を介して気密に載置されてい
る。
は、例えばステンレスよりなる筒体状のマニホールド部
１０が接続されており、このマニホールド部１０の上端
部には環状の上段フランジ部１０Ａが形成されると共に
この上記上段フランジ部１０Ａには上記外管６のフラン
ジ部６ＢがＯリング４６を介して気密に載置されてい
る。
【００１７】また、マニホールド部１０の中段には内側
へ突出させたリング状の中段フランジ部１０Ｂが形成さ
れると共にこの中段フランド部１０Ｂには内管４の下端
部４Ａがインナーチューブ受けリングより僅かに拡径さ
れて載置されて支持されている。そして、このマニホー
ルド部１０の下端には、外方へ突出させたリング状の下
段フランジ部１０Ｃが形成されており、この処理容器開
口部に例えばステンレス製のキャップ部４８がＯリング
２２を介して気密に開閉可能に設けられている。
へ突出させたリング状の中段フランジ部１０Ｂが形成さ
れると共にこの中段フランド部１０Ｂには内管４の下端
部４Ａがインナーチューブ受けリングより僅かに拡径さ
れて載置されて支持されている。そして、このマニホー
ルド部１０の下端には、外方へ突出させたリング状の下
段フランジ部１０Ｃが形成されており、この処理容器開
口部に例えばステンレス製のキャップ部４８がＯリング
２２を介して気密に開閉可能に設けられている。
【００１８】また、マニホールド部１０には、処理ガス
を容器内へ導入するために容器内側へ貫通させた処理ガ
ス導入ノズル５０が設けられると共に容器内を真空排気
するために図示しない真空ポンプに接続された排気管５
２が連結されている。導入ノズル５０の先端は、内管４
内の下方に位置されると共に排気管５２の出口は内管４
と外管６との間隙に連通され、導入された処理ガスは内
管４内を上昇し、両管の間隙を降下して排出するように
なっている。この導入ノズル５０は、１本或いは複数
本、円周方向に並設されており、形成すべき堆積物に応
じて複数種類の処理ガスを同時に供給できるようになっ
ている。
を容器内へ導入するために容器内側へ貫通させた処理ガ
ス導入ノズル５０が設けられると共に容器内を真空排気
するために図示しない真空ポンプに接続された排気管５
２が連結されている。導入ノズル５０の先端は、内管４
内の下方に位置されると共に排気管５２の出口は内管４
と外管６との間隙に連通され、導入された処理ガスは内
管４内を上昇し、両管の間隙を降下して排出するように
なっている。この導入ノズル５０は、１本或いは複数
本、円周方向に並設されており、形成すべき堆積物に応
じて複数種類の処理ガスを同時に供給できるようになっ
ている。
【００１９】そして、上記ウエハボート１６は、例えば
石英よりなる本発明の特長とする断熱性保温筒５４上に
例えば石英製のスペーサ部材５６を介して載置されると
共にこの保温筒５４は上記マニホールド部１０の処理容
器開口部をＯリング２２を介して気密可能に封止する、
例えばステンレスよりなるキャップ部４８上に直接支持
固定されている。
石英よりなる本発明の特長とする断熱性保温筒５４上に
例えば石英製のスペーサ部材５６を介して載置されると
共にこの保温筒５４は上記マニホールド部１０の処理容
器開口部をＯリング２２を介して気密可能に封止する、
例えばステンレスよりなるキャップ部４８上に直接支持
固定されている。
【００２０】このキャップ部４８は、エレベータ等より
なる昇降手段２４のアーム部２６の先端に固定されてお
り、これを駆動することにより、ウエハボート１６全体
を上下方向へ昇降させてこれを処理容器に対して搬入・
搬出させるようになっている。一方、上記保温筒５４
は、図２及び図３に示すように円筒体状に成形された石
英製の保温筒カバー５８と図４及び図５に示すようにこ
の保温筒カバー５８内に収容される石英製の保温筒本体
６０とにより主に構成されている。
なる昇降手段２４のアーム部２６の先端に固定されてお
り、これを駆動することにより、ウエハボート１６全体
を上下方向へ昇降させてこれを処理容器に対して搬入・
搬出させるようになっている。一方、上記保温筒５４
は、図２及び図３に示すように円筒体状に成形された石
英製の保温筒カバー５８と図４及び図５に示すようにこ
の保温筒カバー５８内に収容される石英製の保温筒本体
６０とにより主に構成されている。
【００２１】具体的には、この保温筒カバー５８の底部
側壁には略矩形状に成形されたガス導入口６２が形成さ
れると共に上部は略全面が開放されてガス放出口６４が
形成されている。上記ガス導入口６２には、マニホール
ド部１０を貫通して設けた処理ガス導入ノズル５０の先
端がウエハボート１６の搬入・搬出時にこれと干渉しな
い範囲でできるだけ接近させて臨ませて位置されてお
り、ノズル５０から導入された処理ガスを、上記ガス導
入口６２からこの内部へできるだけ取り込むようになっ
ている。
側壁には略矩形状に成形されたガス導入口６２が形成さ
れると共に上部は略全面が開放されてガス放出口６４が
形成されている。上記ガス導入口６２には、マニホール
ド部１０を貫通して設けた処理ガス導入ノズル５０の先
端がウエハボート１６の搬入・搬出時にこれと干渉しな
い範囲でできるだけ接近させて臨ませて位置されてお
り、ノズル５０から導入された処理ガスを、上記ガス導
入口６２からこの内部へできるだけ取り込むようになっ
ている。
【００２２】また、保温筒カバー５８の外径も、これが
内管４の拡径された下端部４Ａの内壁面と可能な限り接
近し得る大きさで設定されており、これらの間の間隙を
できるだけ小さくすることにより、ノズル５０より放出
された処理ガスの内、ガス導入口６２へ入らないで洩れ
てしまう量を可能な限り抑制している。また、ガス放出
口６４は、カバーの中心軸に中心を位置させた円形状に
成形されており、ガス放出口６４の周方向に渡って処理
ガスを均等に放出し得るように構成されている。
内管４の拡径された下端部４Ａの内壁面と可能な限り接
近し得る大きさで設定されており、これらの間の間隙を
できるだけ小さくすることにより、ノズル５０より放出
された処理ガスの内、ガス導入口６２へ入らないで洩れ
てしまう量を可能な限り抑制している。また、ガス放出
口６４は、カバーの中心軸に中心を位置させた円形状に
成形されており、ガス放出口６４の周方向に渡って処理
ガスを均等に放出し得るように構成されている。
【００２３】一方、この保温筒カバー５８内へ収容され
る保温筒本体６０は、図４及び図５に示されるように中
央部にガス導通路６６を備えたリング状の保温部６８を
有しており、この保温部６８内は、石英により周囲全体
が密閉された密閉空間Ｓとして形成され、この空間Ｓ内
には例えば断熱材としてグラスウール７０が充填されて
おり、ウエハボート１６側の熱がキャップ部４８側へで
きるだけ伝わらないように構成されている。
る保温筒本体６０は、図４及び図５に示されるように中
央部にガス導通路６６を備えたリング状の保温部６８を
有しており、この保温部６８内は、石英により周囲全体
が密閉された密閉空間Ｓとして形成され、この空間Ｓ内
には例えば断熱材としてグラスウール７０が充填されて
おり、ウエハボート１６側の熱がキャップ部４８側へで
きるだけ伝わらないように構成されている。
【００２４】このリング状の保温部６８の下部には、例
えば４本の石英製の脚部７２がその周方向へ等間隔で配
置させて設けられており、全体を支持している。この脚
部７２の高さは、上記保温筒カバー５８のガス導入口６
２の高さと同等、またはそれ以上大きく設定し、また隣
り合う脚部７２間の距離も、ガス導入口６２の幅と同
等、またはそれ以上とし、導入ガスを遮らないように構
成される。そして、保温筒カバー５８のガス導入口６２
と保温筒本体６０の隣り合う脚部７２間の空間が対応す
るように保温筒本体６０は配置され、このガス導入口６
２から導入した処理ガスをガス導通路６６内を上昇させ
て、保温筒カバー５８のガス放出口６４から上方へ放出
し得るようになっている。尚、脚部７２は、４つに限定
されず、導入ガスを遮らないような数及び配置ならばど
のように構成してもよい。
えば４本の石英製の脚部７２がその周方向へ等間隔で配
置させて設けられており、全体を支持している。この脚
部７２の高さは、上記保温筒カバー５８のガス導入口６
２の高さと同等、またはそれ以上大きく設定し、また隣
り合う脚部７２間の距離も、ガス導入口６２の幅と同
等、またはそれ以上とし、導入ガスを遮らないように構
成される。そして、保温筒カバー５８のガス導入口６２
と保温筒本体６０の隣り合う脚部７２間の空間が対応す
るように保温筒本体６０は配置され、このガス導入口６
２から導入した処理ガスをガス導通路６６内を上昇させ
て、保温筒カバー５８のガス放出口６４から上方へ放出
し得るようになっている。尚、脚部７２は、４つに限定
されず、導入ガスを遮らないような数及び配置ならばど
のように構成してもよい。
【００２５】一方、この保温筒カバー５８の上部に配置
されるスペーサ部材５６は、図３に示すように例えば全
体が石英により構成され、ウエハボート１６の下端部を
受けるリング状のボート受けリング７４とこの下方に位
置されるリング状の保温筒受けリング７６とにより構成
され、これら両リング７４、７６間は長さ数ｃｍ程度の
複数本、例えば４本の支柱７８により連結されている。
また、ボート受けリング７４の上面には、ウエハボート
１６の下端部と係合するリング状の係合凸部８０が形成
される。
されるスペーサ部材５６は、図３に示すように例えば全
体が石英により構成され、ウエハボート１６の下端部を
受けるリング状のボート受けリング７４とこの下方に位
置されるリング状の保温筒受けリング７６とにより構成
され、これら両リング７４、７６間は長さ数ｃｍ程度の
複数本、例えば４本の支柱７８により連結されている。
また、ボート受けリング７４の上面には、ウエハボート
１６の下端部と係合するリング状の係合凸部８０が形成
される。
【００２６】従って、保温筒受けリング７６が、保温筒
カバー５８のガス放出口６４の周縁部の上端に載置さ
れ、このガス放出口６４を上方へ通過した処理ガスは、
ウエハボートの半径方向外方へ均等に広がって両リング
７４、７６間を流れ、その後上昇して行くことになる。
カバー５８のガス放出口６４の周縁部の上端に載置さ
れ、このガス放出口６４を上方へ通過した処理ガスは、
ウエハボートの半径方向外方へ均等に広がって両リング
７４、７６間を流れ、その後上昇して行くことになる。
【００２７】ここでスペーサ部材５６のボート受けリン
グ７４の大きさ、保温筒カバー５８の大きさ及び内管４
の大きさとの関係は図６に示すように表され、ボート受
けリング７４全体の面積は、保温筒カバー６２の開口面
積と同等もしくはそれより少し大きくするのが好まし
く、内管４の内壁と保温筒カバー５８との間の間隙の断
面積は、処理ガス導入ノズル５０から放出された処理ガ
スが保温筒５４内へ入らずに洩れることを防止するため
に極力小さいことが好ましい。
グ７４の大きさ、保温筒カバー５８の大きさ及び内管４
の大きさとの関係は図６に示すように表され、ボート受
けリング７４全体の面積は、保温筒カバー６２の開口面
積と同等もしくはそれより少し大きくするのが好まし
く、内管４の内壁と保温筒カバー５８との間の間隙の断
面積は、処理ガス導入ノズル５０から放出された処理ガ
スが保温筒５４内へ入らずに洩れることを防止するため
に極力小さいことが好ましい。
【００２８】更には、上述のように洩れる処理ガスの量
を抑制するために、ガス導入口６２の面積Ｓ２は、ガス
導入口６２の高さ及び幅をそれぞれＸ及びＹとし、保温
筒カバー５８と内管４との間の距離をＺとすると下記式
のように設定するのが好ましい。 Ｓ２≧（２Ｘ＋Ｙ）×Ｚ
を抑制するために、ガス導入口６２の面積Ｓ２は、ガス
導入口６２の高さ及び幅をそれぞれＸ及びＹとし、保温
筒カバー５８と内管４との間の距離をＺとすると下記式
のように設定するのが好ましい。 Ｓ２≧（２Ｘ＋Ｙ）×Ｚ
【００２９】すなわちガス導入口６２の面積Ｓ２を、こ
の周囲と内管４との間に形成される間隙の断面積と同
等、もしくはこれより大きくする。また、処理ガス導入
ノズル５０が、複数、例えば２種類必要なことから２本
並設されている場合には、それらの２本のノズル間の距
離よりもガス導入口６２の幅Ｙを大きく設定し、効率的
に保温筒５４内へ処理ガスを取り込むようにする。
の周囲と内管４との間に形成される間隙の断面積と同
等、もしくはこれより大きくする。また、処理ガス導入
ノズル５０が、複数、例えば２種類必要なことから２本
並設されている場合には、それらの２本のノズル間の距
離よりもガス導入口６２の幅Ｙを大きく設定し、効率的
に保温筒５４内へ処理ガスを取り込むようにする。
【００３０】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、多数の半導体ウエハＷが
所定ピッチで収容されたウエハボート１６を昇降手段２
４により、上昇させて処理容器８内にロードし、キャッ
プ部４８によりマニホールド部１０の開口部を閉じて処
理容器８内を密閉する。そして、処理ガス導入ノズル５
０から所定量の処理ガスを供給し、図示しない真空ポン
プにより排気管５２を介して容器内を真空排気し、この
中を所定の圧力、例えば０．５Ｔｏｒｒに設定する。更
に、加熱ヒータ４０により処理容器８内を所定の温度、
例えば８００℃に設定する。
動作について説明する。まず、多数の半導体ウエハＷが
所定ピッチで収容されたウエハボート１６を昇降手段２
４により、上昇させて処理容器８内にロードし、キャッ
プ部４８によりマニホールド部１０の開口部を閉じて処
理容器８内を密閉する。そして、処理ガス導入ノズル５
０から所定量の処理ガスを供給し、図示しない真空ポン
プにより排気管５２を介して容器内を真空排気し、この
中を所定の圧力、例えば０．５Ｔｏｒｒに設定する。更
に、加熱ヒータ４０により処理容器８内を所定の温度、
例えば８００℃に設定する。
【００３１】ここで、処理ガス導入ノズル５０から導入
された処理ガスは、このノズル先端に臨ませて設けた保
温筒カバー５８のガス導入口６２を介して保温筒５４内
に入り、保温筒本体６０のガス導通路６６を上昇する。
そして、このガス導通路６６を通過した処理ガスは保温
筒カバー５８の上部に設けたガス放出口６４から上方へ
放出されて、スペーサ部材５６のボート受けリング７４
と保温筒受けリング７６との間を半径方向外方へ、すな
わち放射状に水平方向へ流れ、更に、ここを通った処理
ガスはボート受けリング７４の外周と内管４の内面との
間隙を通ってそのまま上昇し、ウエハ領域に流れ込むこ
とになる。ウエハ全域を通過した処理ガスは、処理容器
の天井部まで流れ、その後、内管４と外管６との間隙を
流下して排気管５２より排出されることになる。
された処理ガスは、このノズル先端に臨ませて設けた保
温筒カバー５８のガス導入口６２を介して保温筒５４内
に入り、保温筒本体６０のガス導通路６６を上昇する。
そして、このガス導通路６６を通過した処理ガスは保温
筒カバー５８の上部に設けたガス放出口６４から上方へ
放出されて、スペーサ部材５６のボート受けリング７４
と保温筒受けリング７６との間を半径方向外方へ、すな
わち放射状に水平方向へ流れ、更に、ここを通った処理
ガスはボート受けリング７４の外周と内管４の内面との
間隙を通ってそのまま上昇し、ウエハ領域に流れ込むこ
とになる。ウエハ全域を通過した処理ガスは、処理容器
の天井部まで流れ、その後、内管４と外管６との間隙を
流下して排気管５２より排出されることになる。
【００３２】本実施例においては、ウエハ処理中におい
て従来装置と異なりウエハボート１６を回転することな
く固定されているが、ガス放出口６４からはその半径方
向へ放射状に均等に処理ガスが流れることからウエハボ
ート１６中のウエハＷにはその円周方向において処理ガ
スが均等に流れることになり、その結果、従来装置のよ
うにウエハに回転を付与しなくても堆積物等の面内均一
性を高く維持することができる。
て従来装置と異なりウエハボート１６を回転することな
く固定されているが、ガス放出口６４からはその半径方
向へ放射状に均等に処理ガスが流れることからウエハボ
ート１６中のウエハＷにはその円周方向において処理ガ
スが均等に流れることになり、その結果、従来装置のよ
うにウエハに回転を付与しなくても堆積物等の面内均一
性を高く維持することができる。
【００３３】また、保温筒カバー５８と内管４の内壁と
の間は可能な限り非常に接近しているので、ガス導入口
６２に入らないで洩れてくる処理ガスの量を僅かにする
ことができ、堆積物等の面内均一性を損なうことはな
い。すなわち、保温筒５４の外側を回り込む処理ガスは
非常に少ない。
の間は可能な限り非常に接近しているので、ガス導入口
６２に入らないで洩れてくる処理ガスの量を僅かにする
ことができ、堆積物等の面内均一性を損なうことはな
い。すなわち、保温筒５４の外側を回り込む処理ガスは
非常に少ない。
【００３４】また、ポリシリコン膜やＴＥＯＳ膜を形成
する場合には通常１種類の処理ガスしか使用しないこと
から問題はないが、例えばＳｉＮ（シリコンナイトライ
ド）を形成する場合のように、ジクロルシランとアンモ
ニアの２種類の処理ガスを同時に使用する場合には、２
本の処理ガス導入ノズル５０を用いるが、この場合には
２本のノズル５０を水平方向へ並設し、且つ両ノズル先
端をガス導入口６２に臨ませて配置する。従って、この
場合にも２本のノズル５０から放出された両処理ガスを
効率的に保温筒５４内へ取り込むことができる。
する場合には通常１種類の処理ガスしか使用しないこと
から問題はないが、例えばＳｉＮ（シリコンナイトライ
ド）を形成する場合のように、ジクロルシランとアンモ
ニアの２種類の処理ガスを同時に使用する場合には、２
本の処理ガス導入ノズル５０を用いるが、この場合には
２本のノズル５０を水平方向へ並設し、且つ両ノズル先
端をガス導入口６２に臨ませて配置する。従って、この
場合にも２本のノズル５０から放出された両処理ガスを
効率的に保温筒５４内へ取り込むことができる。
【００３５】実際に８インチウエハを１００枚、ダミー
ウエハを入れて全部で１２７枚のウエハを処理してＳｉ
Ｎを堆積させたところ、膜厚の面内均一性は以下のよう
であった。トップすなわちウエハボートの上方より１１
枚目のウエハは±２．１％、３６枚目は±１．９％、セ
ンタすなわち６１枚目は±１．９％、８６枚目は±１．
７％、ボトムすなわち１１１枚目は±２．１％であり、
従来のウエハ回転式の装置により得られた場合と略同様
な良好な面内均一性を確保することができた。
ウエハを入れて全部で１２７枚のウエハを処理してＳｉ
Ｎを堆積させたところ、膜厚の面内均一性は以下のよう
であった。トップすなわちウエハボートの上方より１１
枚目のウエハは±２．１％、３６枚目は±１．９％、セ
ンタすなわち６１枚目は±１．９％、８６枚目は±１．
７％、ボトムすなわち１１１枚目は±２．１％であり、
従来のウエハ回転式の装置により得られた場合と略同様
な良好な面内均一性を確保することができた。
【００３６】このように処理中においてウエハボート１
６を回転させる必要がないので、従来必要とされていた
回転機構や磁性シール等を不要にでき、装置自体を簡単
にすることができる。また、磁性シールを用いなくて済
むので磁性流体の劣化によるリーグなどをなくすことが
できる。また、磁性流体を保護するための水冷機構も設
けなくて済むのでキャップ部４８を冷やさなくて済み、
その結果、この部分における堆積物の発生を抑制するこ
とができ、パーティクルの発生を阻止することができ
る。
６を回転させる必要がないので、従来必要とされていた
回転機構や磁性シール等を不要にでき、装置自体を簡単
にすることができる。また、磁性シールを用いなくて済
むので磁性流体の劣化によるリーグなどをなくすことが
できる。また、磁性流体を保護するための水冷機構も設
けなくて済むのでキャップ部４８を冷やさなくて済み、
その結果、この部分における堆積物の発生を抑制するこ
とができ、パーティクルの発生を阻止することができ
る。
【００３７】尚、上記実施例における保温筒５４は、カ
バーを設けたカバータイプ保温筒を例にとって説明した
が、これに限定されず、図７及び図８に示すように複数
のリング状の石英板８２を、途中相互間に支柱８４を介
して等ピッチで積層して形成した、いわゆるフィンタイ
プ保温筒にも適用し得る。この場合には、最下端に位置
する２枚の石英板８２間の一部をガス導入口６２として
形成し、各リング状の石英板８２の中央部に筒体状の石
英製の筒体８８を設け、この中をガス導通路６６として
構成する。そして、この筒体８８の一部であってガス導
入口６２に対応する部分を切り欠いて開口部８６を形成
しておく。
バーを設けたカバータイプ保温筒を例にとって説明した
が、これに限定されず、図７及び図８に示すように複数
のリング状の石英板８２を、途中相互間に支柱８４を介
して等ピッチで積層して形成した、いわゆるフィンタイ
プ保温筒にも適用し得る。この場合には、最下端に位置
する２枚の石英板８２間の一部をガス導入口６２として
形成し、各リング状の石英板８２の中央部に筒体状の石
英製の筒体８８を設け、この中をガス導通路６６として
構成する。そして、この筒体８８の一部であってガス導
入口６２に対応する部分を切り欠いて開口部８６を形成
しておく。
【００３８】この場合にも、ガス導入口６２から導入さ
れた処理ガスは開口部８６を介してガス導通路６６内へ
入ってここを上昇し、その上端のガス放出口６４からそ
の半径方向外方へ放射状に均等に流れて行き、前記実施
例と同様な作用効果を発揮することができる。尚、この
筒体８８を設けないように構成してもよい。また、上記
実施例にあっては低圧のＣＶＤ装置を例にとって説明し
たが、これに限定されず、常圧のＣＶＤ装置等、保温筒
を用いる熱処理装置ならば全て適用し得るのは勿論であ
る。
れた処理ガスは開口部８６を介してガス導通路６６内へ
入ってここを上昇し、その上端のガス放出口６４からそ
の半径方向外方へ放射状に均等に流れて行き、前記実施
例と同様な作用効果を発揮することができる。尚、この
筒体８８を設けないように構成してもよい。また、上記
実施例にあっては低圧のＣＶＤ装置を例にとって説明し
たが、これに限定されず、常圧のＣＶＤ装置等、保温筒
を用いる熱処理装置ならば全て適用し得るのは勿論であ
る。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の熱処理装
置によれば、次のように優れた作用効果を発揮すること
ができる。保温筒を介して処理ガスを導入するようにし
たので、被処理体収容ボートを回転させることなく、被
処理体に対する膜厚の面内均一性を高く維持することが
できる。従って、従来必要とされたボートの回転機構や
磁性シール等を不要にすることができるので構造が簡単
化でき、大幅なコストの削減を図ることができる。ま
た、磁性シールを不要にできるので、磁性流体の劣化に
よるリークの発生もなくすことができる。更には、磁性
流体冷却手段も必要としないので、キャップ部に堆積物
が形成され難くなり、従って、これに伴うパーティクル
の発生も抑制することができる。
置によれば、次のように優れた作用効果を発揮すること
ができる。保温筒を介して処理ガスを導入するようにし
たので、被処理体収容ボートを回転させることなく、被
処理体に対する膜厚の面内均一性を高く維持することが
できる。従って、従来必要とされたボートの回転機構や
磁性シール等を不要にすることができるので構造が簡単
化でき、大幅なコストの削減を図ることができる。ま
た、磁性シールを不要にできるので、磁性流体の劣化に
よるリークの発生もなくすことができる。更には、磁性
流体冷却手段も必要としないので、キャップ部に堆積物
が形成され難くなり、従って、これに伴うパーティクル
の発生も抑制することができる。
【図１】本発明に係る熱処理装置の一実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】図１に示す装置に用いる断熱性保温筒の保温筒
カバーを示す側面図である。
カバーを示す側面図である。
【図３】図２に示す保温筒カバーの断面図である。
【図４】図１に示す断熱性保温筒の保温筒本体を示す断
面図である。
面図である。
【図５】図４に示す保温筒本体の一部をＶ−Ｖ線で切断
した時の底面図である。
した時の底面図である。
【図６】保温筒と内管との位置関係を説明するための説
明図である。
明図である。
【図７】保温筒の変形例を示す断面図である。
【図８】図中７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線矢視断面図であ
る。
る。
【図９】従来の熱処理装置の一例を示す断面図である。
４ 内管 ６ 外管 ８ 処理容器 １０ マニホールド部 １６ ウエハボート（被処理体収容ボート） ２０ キャップ部 ２４ 昇降手段 ５０ 処理ガス導入ノズル ５４ 保温筒 ５６ スペーサ部材 ５８ 保温筒カバー ６０ 保温筒本体 ６２ ガス導入口 ６４ ガス放出口 ６６ ガス導通路 ６８ 保温部 ７０ グラスウール Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金田 直也 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番 41号 東京エレクトロン東北株式会社 相模事業所内 (56)参考文献 特開 平６−349738（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−103934（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−164688（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/22 511
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体収容ボートに収容された被処理
体に処理ガスを供給しつつ熱処理を施すために下方が開
口された処理容器と、前記処理ガスを導入するために前
記処理容器内側へ貫通させて設けた処理ガス導入ノズル
と、前記処理容器の開口部を開閉可能に密閉すると共に
昇降可能になされたキャップ部と、前記キャップ部に連
結されると共にその上部に前記被処理体収容ボートを載
置する断熱性保温筒とを備え、前記断熱性保温筒は、底
部側壁にガス導入口が形成されると共に上部にガス放出
口が形成された保温筒カバーと、前記保温筒カバー内に
収容されて中央部に前記ガス導入口から導入された処理
ガスを上方へ流すガス導通路を有する保温筒本体とより
なり、前記ガス導入口が前記ガス導入ノズルの先端に接
近させて形成されていることを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 前記ガス放出口は、前記断熱性保温筒の
周方向に沿って均等に設けられることを特徴とする請求
項１記載の熱処理装置。 - 【請求項３】 前記保温筒カバーは、前記処理ガス導入
ノズルから導入された処理ガスの漏れを防止するため
に、前記処理容器の内管の内壁面に可能な限り接近する
ように設定されていることを特徴とする請求項１または
２記載の熱処理装置。 - 【請求項４】 前記保温筒本体には、密閉されて内部に
断熱材を充填したリング状の密閉空間が形成されている
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の熱
処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05167473A JP3073627B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 熱処理装置 |
| US08/258,066 US5478397A (en) | 1993-06-14 | 1994-06-10 | Heat treating device |
| KR1019940013272A KR100280692B1 (ko) | 1993-06-14 | 1994-06-14 | 열처리장치 및 열처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05167473A JP3073627B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076956A JPH076956A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3073627B2 true JP3073627B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=15850336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05167473A Expired - Lifetime JP3073627B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5478397A (ja) |
| JP (1) | JP3073627B2 (ja) |
| KR (1) | KR100280692B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100971750B1 (ko) * | 2008-02-14 | 2010-07-22 | 주식회사 테라세미콘 | 열처리 장치 |
| CN101283609B (zh) * | 2005-10-18 | 2012-12-19 | 日本电气株式会社 | 无线通信系统、无线基站、以及无线通信方法 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
| JP3971810B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2007-09-05 | 三星電子株式会社 | 縦型拡散炉 |
| US5658833A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-19 | United Microelectronics Corporation | Method and dummy disc for uniformly depositing silicon nitride |
| TW506620U (en) * | 1996-03-15 | 2002-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | Low pressure CVD apparatus |
| DE19735399C2 (de) * | 1997-08-14 | 2002-01-17 | Infineon Technologies Ag | Gasleitungssystem für einen Prozeßreaktor, insbesondere Vertikalofen, zur Behandlung von Wafern und Verfahren zur Behandlung von Wafern in einem Prozeßreaktor |
| NL1011578C2 (nl) * | 1999-03-17 | 1999-12-10 | Asm Int | Drager voor een waferrek alsmede ovensamenstel. |
| JP4232307B2 (ja) * | 1999-03-23 | 2009-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | バッチ式熱処理装置の運用方法 |
| KR100423203B1 (ko) * | 2001-05-18 | 2004-03-18 | 주식회사 피에스티 | 진공 단열재를 갖는 열처리 장치 |
| KR20030042641A (ko) * | 2001-11-23 | 2003-06-02 | 일진다이아몬드(주) | 도전성 기둥을 갖는 액정표시장치 |
| US7164629B2 (en) | 2002-01-22 | 2007-01-16 | Ricoh Company, Ltd. | Method of controlling an optical disk apparatus |
| US6929699B2 (en) * | 2002-12-13 | 2005-08-16 | Texas Instruments Incorporated | Gas injectors for a vertical furnace used in semiconductor processing |
| KR100745932B1 (ko) * | 2003-02-21 | 2007-08-02 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판처리장치 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP4511251B2 (ja) * | 2004-06-07 | 2010-07-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP5051875B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| JP4954176B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2012-06-13 | 光洋サーモシステム株式会社 | 基板の熱処理装置 |
| JP5403984B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2014-01-29 | 光洋サーモシステム株式会社 | 基板の熱処理装置 |
| JP5562188B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2014-07-30 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP5645718B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2014-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| TWI611043B (zh) | 2015-08-04 | 2018-01-11 | Hitachi Int Electric Inc | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 |
| JP7012585B2 (ja) * | 2018-04-12 | 2022-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| CN110736345B (zh) * | 2018-07-18 | 2021-01-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于SiC高温氧化工艺的工艺腔室及热处理炉 |
| KR102501650B1 (ko) | 2018-08-03 | 2023-02-21 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP7216537B2 (ja) * | 2018-12-13 | 2023-02-01 | オリンパス株式会社 | 加熱炉 |
| KR102644283B1 (ko) * | 2019-10-16 | 2024-03-06 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치 |
| US11444053B2 (en) * | 2020-02-25 | 2022-09-13 | Yield Engineering Systems, Inc. | Batch processing oven and method |
| US11688621B2 (en) | 2020-12-10 | 2023-06-27 | Yield Engineering Systems, Inc. | Batch processing oven and operating methods |
| DE102022002761A1 (de) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | centrotherm international AG | Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Substraten, insbesondere Halbleiter-Wafern |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62140413A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-24 | Nec Corp | 縦型拡散装置 |
| JPH0642474B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1994-06-01 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
| JP2773150B2 (ja) * | 1988-09-08 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
| US5279670A (en) * | 1990-03-31 | 1994-01-18 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical type diffusion apparatus |
| US5146869A (en) * | 1990-06-11 | 1992-09-15 | National Semiconductor Corporation | Tube and injector for preheating gases in a chemical vapor deposition reactor |
| KR940006667B1 (ko) * | 1991-02-18 | 1994-07-25 | 삼성전자 주식회사 | 미 반응가스의 제거 및 반응 억제장치 |
| US5320680A (en) * | 1991-04-25 | 1994-06-14 | Silicon Valley Group, Inc. | Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow |
| US5308955A (en) * | 1991-07-11 | 1994-05-03 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Vertical heat treatment apparatus with vented heat insulation cover means |
| JP3164248B2 (ja) * | 1992-06-11 | 2001-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JPH06204157A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-22 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 縦型熱処理装置 |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP05167473A patent/JP3073627B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-10 US US08/258,066 patent/US5478397A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-14 KR KR1019940013272A patent/KR100280692B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101283609B (zh) * | 2005-10-18 | 2012-12-19 | 日本电气株式会社 | 无线通信系统、无线基站、以及无线通信方法 |
| KR100971750B1 (ko) * | 2008-02-14 | 2010-07-22 | 주식회사 테라세미콘 | 열처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100280692B1 (ko) | 2001-04-02 |
| US5478397A (en) | 1995-12-26 |
| KR950001955A (ko) | 1995-01-04 |
| JPH076956A (ja) | 1995-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3073627B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3183575B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| JP4633269B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US5443648A (en) | Vertical heat treatment apparatus with a rotary holder turning independently of a liner plate | |
| US5324540A (en) | System and method for supporting and rotating substrates in a process chamber | |
| JPH0613361A (ja) | 処理装置 | |
| US5016567A (en) | Apparatus for treatment using gas | |
| JP2003031564A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2018056300A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| US6042372A (en) | Heat treatment apparatus | |
| JPH0727875B2 (ja) | 縦型半導体熱処理装置への半導体基板の搬入出方法および外気混入防止装置 | |
| JP2001015440A (ja) | 半導体製造方法及び装置 | |
| JP2004214283A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH04306824A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2691159B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3256037B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2005056908A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2000353665A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS60113921A (ja) | 気相反応方法および装置 | |
| JP4212753B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH1092754A (ja) | 枚葉式の熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP2006261309A (ja) | 基板処理装置 | |
| TW202407850A (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 | |
| JPWO2017138183A1 (ja) | 基板処理装置、継手部および半導体装置の製造方法 | |
| JPS62122123A (ja) | 縦型熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000516 |