JP2005056908A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005056908A JP2005056908A JP2003205950A JP2003205950A JP2005056908A JP 2005056908 A JP2005056908 A JP 2005056908A JP 2003205950 A JP2003205950 A JP 2003205950A JP 2003205950 A JP2003205950 A JP 2003205950A JP 2005056908 A JP2005056908 A JP 2005056908A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- wafer
- wafers
- boat
- gas supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】ウエハ1群を保持するボート25を収容して処理する処理室32を形成したプロセスチューブ31と、処理室32に処理ガス61を供給するガス供給管35と、処理室32を排気する排気管36と、処理室32の内周面にプラズマ室40を形成するように敷設された隔壁41と、隔壁41に開設された吹出口42とを備えたバッチ式リモートプラズマCVD装置において、処理室32には上下端板51、52と四本の支柱53と一対の仕切板54、54を備えた仕切板アッシー50がボート25と同心円に設置されており、両仕切板54、54の間はガス供給管側流通口55と排気管側流通口56とを構成している。
【効果】吹出口から吹き出したガスは仕切板のガス供給管側の流通口からウエハ間に流れ込んでウエハ全面に行き渡るので、ガス処理は均一に施される。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置、特に、ガスの整流技術に関し、例えば、半導体装置の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路を作り込む半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に絶縁膜や金属膜を堆積(デポジション)するのに利用して有効なものに関する。
【0002】
【従来の技術】
DRAM(Dynamic Random Access Memorry )のキャパシタ(Capacitor )の静電容量部(絶縁膜)を形成するための五酸化タンタル(Ta2 O5 )膜の表面近傍に付着したカーボン(C)を除去する基板処理装置として、バッチ式リモートプラズマ処理装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。その一例として、複数枚の被処理基板が搬入される処理室を備えたプロセスチューブの前記処理室には互いに近接した一対の電極が配置されているとともに、両電極間には高周波電力を印加する電源が接続されており、前記処理室には前記両電極間を含み前記処理室と独立した放電室が形成されており、この放電室には処理ガスを前記処理室に供給するガス吹出口が開設されているバッチ式リモートプラズマ処理装置、がある。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−280378号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
前記したバッチ式リモートプラズマ処理装置においては、次のような問題点がある。被処理基板の表面に処理ガスを供給したいが、被処理基板の全面に処理ガスが行き渡る前に排気されてしまう。ガス吹出口から吹き出した処理ガスの一部が被処理基板の間を流れずに側方を流れて排気されてしまう。
【0005】
本発明の目的は、ガスを被処理基板の表面に供給することができる基板処理装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、基板を多段に保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、前記処理室内を排気する排気管と、前記処理室内に前記基板を囲むように配置され前記ガス供給管側と前記排気管側とに各流通口をそれぞれ有する仕切板とを備えていることを特徴とする。
【0007】
前記手段によれば、ガス供給管から吹き出したガスは仕切板のガス供給管側の流通口から仕切板が囲んだ空間に流れ込み、流れ込んだガスは基板の全面に行き渡った後に、仕切板の排気管側の流通口から排気口によって排気される。したがって、ガスは基板の全面に接触するので、ガスによる処理は基板の全面にわたって均一に施されることになる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0009】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、バッチ式縦形ホットウオール形リモートプラズマCVD装置(以下、CVD装置という。)として構成されている。図1に示されているように、CVD装置10は筐体11を備えており、筐体11の前面にはカセット授受ユニット12が設備されている。カセット授受ユニット12はウエハ1のキャリアであるカセット2を二台載置することができるカセットステージ13を備えており、カセットステージ13の下方にはウエハ姿勢整合装置14が二組設備されている。外部搬送装置(図示せず)によって搬送されて来たカセット2がカセットステージ13に垂直姿勢(カセット2に収納されたウエハ1が垂直になる状態)で載置されると、ウエハ姿勢整合装置14がカセット2に収納されたウエハ1のノッチやオリエンテーションフラットが同一になるようにウエハ1の姿勢を整合する。カセットステージ13は90度回転することにより、カセット2を水平姿勢にさせるようになっている。筐体11の内部にはカセット授受ユニット12に対向してカセット棚15が設備されており、カセット授受ユニット12の上方には予備カセット棚16が設備されている。カセット授受ユニット12とカセット棚15との間には、カセット移載装置17が設備されている。カセット移載装置17は前後方向に進退可能なロボットアーム18を備えており、ロボットアーム18は横行および昇降可能に構成されている。ロボットアーム18は進退、昇降および横行の協働により、カセットステージ13の上の水平姿勢となったカセット2をカセット棚15または予備カセット棚16へ搬送して移載するようになっている。カセット棚15の後方にはウエハ1を複数枚一括して、または、一枚宛移載することができるウエハ移載装置19が回転および昇降可能に設備されている。ウエハ移載装置19は進退可能なウエハ保持部20を備えており、ウエハ保持部20には複数枚のウエハ保持プレート21が水平に取り付けられている。ウエハ移載装置19の後方にはボートエレベータ22が設備されており、ボートエレベータ22のアーム23には基板保持具としてのシールキャップ24が水平に設置されている。
【0010】
図2〜図5に示されているように、CVD装置10は石英ガラス等の耐熱性の高い材料が用いられて一端が開口で他端が閉塞の円筒形状に形成されたプロセスチューブ31を備えており、プロセスチューブ31は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。プロセスチューブ31の筒中空部は複数枚のウエハ1が収容される処理室32を形成しており、プロセスチューブ31の下端開口はウエハ1を出し入れするための炉口33を形成している。プロセスチューブ31の内径は取り扱うウエハ1の最大外径よりも大きくなるように設定されている。プロセスチューブ31の外部には処理室32を全体にわたって均一に加熱するためのヒータ34が、プロセスチューブ31の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータ34はCVD装置10の筐体11に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。
【0011】
プロセスチューブ31の炉口33の付近における側壁の一部には、処理ガスを供給するためのガス供給管35の一端が接続されており、ガス供給管35の他端は処理ガスを供給するガス供給源(図示せず)に接続されている。プロセスチューブ31の炉口33の付近における側壁のガス供給管35と180度反対側の部位には、排気管36の一端が接続されており、排気管36は他端が排気装置(図示せず)に接続されて処理室32を排気し得るように構成されている。プロセスチューブ31の下端面には炉口33を閉塞するシールキャップ24が、垂直方向下側からシールリング38を挟んで当接されるようになっている。シールキャップ24は炉口33の内径よりも大径の外径を有する円盤形状に形成されており、プロセスチューブ31の外部に垂直に設備されたボートエレベータ22によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ24の中心線上には回転軸39が挿通されており、回転軸39はシールキャップ24と共に昇降し、かつ、回転駆動装置(図示せず)によって回転されるようになっている。回転軸39の上端には被処理基板としてのウエハ1を保持するためのボート25が、断熱キャップ部37を介して垂直に立脚されて支持されるようになっている。ボート25は上下で一対の端板26、27と、両端板26、27間に架設されて垂直に配設された複数本(本実施の形態では三本)の保持部材28とを備えており、各保持部材28には多数条の保持溝29が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように没設されている。そして、ウエハ1の外周縁辺が各保持部材28の多数条の保持溝29間にそれぞれ挿入されることにより、複数枚のウエハ1がボート25に水平にかつ互いに中心を揃えられて整列されて保持されるようになっている。ボート25の下側端板27の下面には断熱キャップ部37が形成されており、断熱キャップ部37の下端面が回転軸39に支持されている。
【0012】
プロセスチューブ31におけるガス供給管35と対向する部分には、樋形状の隔壁41がプロセスチューブ31の内周面と平行で上下方向に延在するように敷設されており、隔壁41は気密のプラズマ室40を形成するように構成されている。隔壁41には複数個の吹出口42がボート25の上下で隣り合う保持溝29、29に保持された上下段のウエハ1、1間に対向するように配列されて開設されており、各吹出口42はプラズマ室40に供給されたガスを均等に吹き出させるように設定されている。プラズマ室40の内部には一対の保護管43、43がガス供給管35の延長線を挟んで互いに反対側に対称形にそれぞれ配置されて、上下方向に延在するように敷設されている。各保護管43は誘電体が使用されて上端が閉塞した細長い円形のパイプ形状に形成されており、各保護管43の下端部は適度に屈曲されて、プロセスチューブ31の側壁を貫通して外部に突き出されている。各保護管43の中空部内は処理室32の外部(大気圧)に連通されている。両保護管43、43の中空部内には導電材料が使用されて細長い棒状に形成された一対の電極44、44がそれぞれ同心的に敷設されており、両電極44、44間には高周波電力を印加する高周波電源45が整合器46を介して電気的に接続されている。
【0013】
処理室32内には図6に示された仕切板アッシー50がボート25と同心円になるように設置されている。図6に示されているように、仕切板アッシー50は上側端板51、下側端板52、四本の支柱53および一対の仕切板54、54を備えており、これらはいずれも透明石英(SiO2 )が使用されて形成され溶接によって連結されている。ちなみに、仕切板アッシー50を透明石英(SiO2 )によって構成すると、次のような利点を得ることができる。透明部材であるために、熱線(赤外線等の高い熱を持つ光線)を遮断しない。熱膨張率や熱伝導率等の特性がプロセスチューブ31や隔壁41等の他の構成物と同じであるために、熱による影響を制御し易い。高い耐熱性を得ることができる。上側端板51はボート25の外径よりも大きめの内径を有する円形リング形状に形成されている。下側端板52は内径が上側端板51の内径と等しく外径がプロセスチューブ31の炉口33の内径よりも大きめのドーナツ形の平板に形成されている。四本の支柱53はボート25と断熱キャップ部37との総全高よりも幾分長い丸棒形状に形成されており、上側端板51と下側端板52との間に周方向に互いに間隔を置いて配され、上下端において上側端板51と下側端板52とにそれぞれ溶接されている。一対の仕切板54、54は内径が上側端板51の内径と等しく長さがボート25の全高と略等しい円弧形の彎曲板形状にそれぞれ形成されており、四本の支柱53の互いに対となるもの同士の間に互いに対称形になるように配置され、周方向の両端において各支柱53にそれぞれ溶接されている。四本の支柱53における一対の仕切板54、54が架設されていない側の一対の空間は、ガス供給管側流通口55と排気管側流通口56とを構成している。
【0014】
以上のように構成された仕切板アッシー50は図3〜図5に示されているように、取付フランジ57によって筐体11に固定される。すなわち、仕切板アッシー50はプロセスチューブ31の炉口33に挿入されて、下側端板52の外周縁辺部がプロセスチューブ31の下端面に没設された取付穴58に嵌入される。続いて、取付フランジ57が下側端板52の下面に当接されて締結具59によって筐体11に締結される。これにより、仕切板アッシー50はプロセスチューブ31と共に筐体11に固定された状態になる。
【0015】
図2に示されているように、仕切板アッシー50がボート25と同心円に設置された状態において、隔壁41の吹出口42から吹き出したガスが両仕切板54、54の外側に漏洩するのを防止するために、両仕切板54、54のガス供給管側流通口55と隔壁41の側端との隙間Sは、10mm以下に設定することが好ましい。また、ガスをウエハ1の表面へ流通させることができるので、仕切板54とウエハ1との間隔は少ない程よい。しかしながら、仕切板アッシー50はプロセスチューブ31に固定されており、ボート25は両仕切板54、54の間を昇降する状態になるために、図2に示された仕切板54の内周面とボート25の外周面との間隔Dは最小限、ボート25が仕切板54、54に接触するのを回避し得る寸法に設定する必要がある。そして、仕切板54の内周面とボート25の外周面との間隔Dの最大値は、ボート25の保持溝29、29のピッチの値以下に設定する。なぜならば、間隔Dが保持溝のピッチ値を超えると、隔壁41の各吹出口42から吹き出したガスは流路抵抗が上下のウエハ1、1間よりも小さくなる仕切板54の内周面とボート25の外周面との間隔Dの空間に漏洩されしまうので、この漏洩を防止する必要があるためである。各仕切板54の上下方向の位置(上下方向の長さ)は、隔壁41における吹出口42が有る部分に仕切板54が有るように設定すればよい。なぜならば、この長さが確保されている場合には、各吹出口42から吹き出されたガスを両仕切板54、54によって上下のウエハ1、1間のそれぞれに送り込むことができるためである。さらに、両仕切板54、54の排気管側流通口56の図2に示された開度(両仕切板の中心と排気管側流通口56の開口縁辺とを結んだ線分がなす角度)Θは、180度以下、10度以上に設定する。ガスが上下のウエハ1、1間に導入されると、ガスは排気管側流通口56の方向に自然に流れるので、排気管側流通口の開度Θはある程度大きな値でもよい。逆に、排気管側流通口56の開度Θが小さいと、上下のウエハ1、1間に導入されたガスが周辺部に拡散するのを妨げられるので、10度以上に設定する。例えば、仕切板54の内周面とボート25の外周面との間隔Dが10mmで、開度Θが10度の場合には、排気管側流通口56の間口幅は約28mmになる。
【0016】
次に、以上の構成に係るCVD装置10を使用して、DRAMのキャパシタの静電容量部のためのTa2 O5 膜の表面近傍に存在したカーボンを除去する方法を説明する。すなわち、本実施の形態においては、CVD装置10に供給されるウエハ1にはキャパシタの静電容量部を形成するためのTa2 O5 膜(図示せず)が前のMOCVD工程において被着されており、Ta2 O5 膜の表面近傍にはカーボン(図示せず)が存在しているものとし、このカーボンをCVD装置10によって除去するものとする。
【0017】
CVD装置10の被処理基板としてのウエハ1は複数枚がボート25にウエハ移載装置19によって装填(チャージング)される。図2〜図5に示されているように、複数枚のウエハ1が装填されたボート25はシールキャップ24および回転軸39と共にボートエレベータ22によって上昇されて、プロセスチューブ31の処理室32に搬入(ボートローディング)される。
【0018】
ウエハ1群を保持したボート25が処理室32に搬入されると、処理室32は排気管36に接続された排気装置によって所定の圧力以下に排気され、ヒータ34への供給電力が上昇されることにより、処理室32の温度が所定の温度に上昇される。ヒータ34がホットウオール形構造であることにより、処理室32の温度は全体にわたって均一に維持された状態になり、その結果、ボート25に保持されたウエハ1群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ1の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
【0019】
処理室32の温度が予め設定された値に達して安定した後に、処理ガス61として酸素(O2 )ガスが導入される。圧力が予め設定された値に達すると、ボート25が回転軸39によって回転されながら、高周波電力が一対の電極44、44間に高周波電源45および整合器46によって印加される。処理ガス61である酸素ガスがガス供給管35に供給され、両電極44、44間に高周波電力が印加されると、図2〜図4に示されているように、ガス供給管35の内部にプラズマ60が形成され、処理ガス61は反応が活性な状態になる。図2および図3に破線矢印で示されているように、処理ガス61の活性化した粒子(酸素ラジカル)62は隔壁41の各吹出口42から処理室32にそれぞれ吹き出す。
【0020】
活性化した粒子(以下、活性粒子という。)62は各吹出口42からそれぞれ吹き出すことにより、それぞれが対向するウエハ1、1間に流れ込んで各ウエハ1に接触する。この際、仕切板アッシー50がボート25の外側に同心円に設置されているので、各吹出口42から吹き出した活性粒子62は両仕切板54、54に案内されることにより側方に漏洩することなく、対向するウエハ1、1間に確実に流れ込み、かつ、両仕切板54、54に囲まれた空間において全面にわたって拡散して行く。このため、活性粒子の流れ方向に相当する各ウエハ1のウエハ面内の径方向の接触分布が均一になり、また、活性粒子62のウエハ1群の全体に対する接触分布もボート25の全長にわたって均一になる。しかも、ウエハ1はボート25の回転によって回転されているため、ウエハ1、1間に流れ込んだ活性粒子62のウエハ面内の接触分布は周方向においても均一になる。
【0021】
ウエハ1に接触した活性粒子(酸素ラジカル)62はウエハ1のTa2 O5 膜の表面近傍に存在するカーボンと熱反応してCO(一酸化炭素)を生成することにより、カーボンをTa2 O5 膜から除去する。この際、前述した通りに、ウエハ1の温度分布がボート25の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、活性粒子62のウエハ1との接触分布がボート25の全位置かつウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子62の熱反応によるウエハ1におけるカーボンの除去作用はボート25の全位置かつウエハ面内において均一の状態になる。ちなみに、DRAMのキャパシタの静電容量部を形成するためのTa2 O5 膜のカーボンを除去する場合の処理条件は、次の通りである。処理ガスとして使用される酸素ガスの供給流量は8.45×10−1〜3.38Pa・m3 /s、処理室の圧力は10〜100Pa、温度は500〜700℃である。
【0022】
予め設定された処理時間が経過すると、処理ガス61の供給、回転軸39の回転、高周波電力の印加、ヒータ34の加熱および排気管36の排気等が停止される。次いで、シールキャップ24がボートエレベータ22によって下降されることにより炉口33が開口されるとともに、ボート25に保持された状態でウエハ1群が炉口33から処理室32の外部に搬出(ボートアンローディング)される。処理室32の外部に搬出されたウエハ1群はボート25からウエハ移載装置19によってディスチャージングされる(降ろされる)。以降、前記した作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ1が一括してバッチ処理される。
【0023】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【0024】
1) 仕切板アッシーをボートの外側に同心円に設置することにより、各吹出口から吹き出した活性粒子を両仕切板によって案内して対向するウエハ間に確実に流れ込ませ、かつ、両仕切板によって囲んだ空間において全面にわたって拡散させることができるので、活性粒子の流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、活性粒子のウエハ群の全体に対する接触分布を均一化させることができる。
【0025】
2) 活性粒子の流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、活性粒子のウエハ群の全体に対する接触分布を均一化させることにより、活性粒子によるウエハの処理状況すなわちTa2 O5 膜のカーボンの除去分布をウエハ面内およびウエハ群内(各ウエハ相互間)で均一化させることができる。
【0026】
3) 両仕切板のガス供給管側流通口と隔壁の側端との隙間Sを10mm以下に設定することにより、隔壁の吹出口から吹き出した活性粒子が両仕切板の外側に漏洩するのを確実に防止することができる。
【0027】
4) 仕切板の内周面とボートの外周面との間隔Dをボートが仕切板に接触するのを回避し得る範囲内で、ボートの保持溝のピッチ値以下に設定することにより、ボートが仕切板に接触するのを防止しつつ、隔壁の各吹出口から吹き出した活性粒子を上下のウエハ間に確実に送り込むことができる。
【0028】
5) 各仕切板の上下方向の位置(上下方向の長さ)を隔壁における吹出口が有る部分に仕切板54が有るように設定することにより、各吹出口から吹き出されたガスを両仕切板によって上下のウエハ間のそれぞれに確実に送り込むことができる。
【0029】
6) 両仕切板の排気管側流通口の開度Θを180度以下10度以上に設定することにより、各吹出口から吹き出してウエハ間に流れ混んだ活性粒子を仕切板によって囲んだ空間において全面にわたって拡散させることができるので、活性粒子の流れ方向に相当する各ウエハのウエハ面内の径方向の接触分布や、活性粒子のウエハ群の全体に対する接触分布を確実に均一化させることができる。
【0030】
7) 仕切板アッシーをプロセスチューブの炉口から挿入して筐体に取付フランジによってプロセスチューブに共締めすることにより、仕切板をプロセスチューブに溶接する場合に比べて、プロセスチューブの強度の低下等の弊害を回避することができる。
【0031】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0032】
例えば、仕切板は筐体に固定するに限らず、プロセスチューブに溶接等によって直接的に固定してもよい。
【0033】
ガス供給管の吹出口の個数は、処理するウエハの枚数に一致させるに限らず、処理するウエハの枚数に対応して増減することができる。例えば、吹出口は上下で隣合うウエハ同士間にそれぞれ対向して配置するに限らず、二枚や三枚置きに配設してもよい。
【0034】
前記実施の形態では、キャパシタの静電容量部のTa2 O5 膜に介在したカーボンを除去する場合について説明したが、バッチ式リモートプラズマ処理装置は、その他の膜種に介在した異物(その膜種以外の分子や原子等)を除去する場合、ウエハにCVD膜を形成する場合、拡散する場合、熱処理する場合等に適用することができる。例えば、DRAMのゲート電極用の酸化膜を窒化する処理において、ガス供給管に窒素(N2 )ガスまたはアンモニア(NH3 )または一酸化窒素(N2 O)を供給し、処理室を室温〜750℃に加熱することにより、酸化膜の表面を窒化することができた。また、シリコンゲルマニウム(SiGe)膜が形成される前のシリコンウエハの表面を水素(H2 )ガスの活性粒子によってプラズマ処理したところ、自然酸化膜を除去することができ、所望のSiGe膜を形成することができた。また、低温での窒素膜の形成において、DCS(ジクロロシラン)とNH3 (アンモニア)とを交互に供給してSi(シリコン)とN(窒素)とを一層ずつ形成するALD(Atomic Layer Deposition 原子層成膜)を行う場合、NH3 の供給時にNH3 をプラズマで活性化して供給したところ、高品質の窒化膜が得られた。
【0035】
また、前記実施の形態ではバッチ式リモートプラズマ処理装置について説明したが、本発明はこれに限らず、他のCVD装置、酸化膜形成装置、拡散装置およびアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【0036】
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ガスを被処理基板の表面に全体にわたって均一に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態であるCVD装置を示す斜視図である。
【図2】その主要部を示す平面断面図である。
【図3】図2のIII−III 線に沿う縦断面図である。
【図4】図2のIV−IV線に沿う縦断面図である。
【図5】図2のV−V線に沿う縦断面図である。
【図6】仕切板アッシーを示す斜視図である。
【符号の説明】
1…ウエハ(被処理基板)、2…カセット、10…CVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形リモートプラズマCVD装置)、11…筐体、12…カセット授受ユニット、13…カセットステージ、14…ウエハ姿勢整合装置、15…カセット棚、16…予備カセット棚、17…カセット移載装置、18…ロボットアーム、19…ウエハ移載装置、20…ウエハ保持部、21…ウエハ保持プレート、22…ボートエレベータ、23…アーム、24…シールキャップ、25…ボート、26、27…端板、28…保持部材、29…保持溝、31…プロセスチューブ、32…処理室、33…炉口、34…ヒータ、35…ガス供給管、36…排気管、37…断熱キャップ部、38…シールリング、39…回転軸、40…プラズマ室、41…隔壁、42…吹出口、43…保護管、44…電極、45…高周波電源、46…整合器、50…仕切板アッシー、51…上側端板、52…下側端板、53…支柱、54…仕切板、55…ガス供給管側流通口、56…排気管側流通口、57…取付フランジ、58…取付穴、59…締結具、60…プラズマ、61…処理ガス、62…活性粒子(処理ガス)。
Claims (1)
- 基板を多段に保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、前記処理室内を排気する排気管と、前記処理室内に前記基板を囲むように配置され前記ガス供給管側と前記排気管側とに各流通口をそれぞれ有する仕切板とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003205950A JP2005056908A (ja) | 2003-08-05 | 2003-08-05 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003205950A JP2005056908A (ja) | 2003-08-05 | 2003-08-05 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005056908A true JP2005056908A (ja) | 2005-03-03 |
Family
ID=34362982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003205950A Pending JP2005056908A (ja) | 2003-08-05 | 2003-08-05 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005056908A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300688A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2009032890A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2011512031A (ja) * | 2008-02-12 | 2011-04-14 | チェ,キュ−ジョン | バッチ型原子層蒸着装置 |
JP2014212331A (ja) * | 2014-06-13 | 2014-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP2016106415A (ja) * | 2016-01-28 | 2016-06-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
KR20170046577A (ko) | 2015-10-21 | 2017-05-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 종형 열처리 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0322523A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
JPH09330884A (ja) * | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Sony Corp | エピタキシャル成長装置 |
JP2000299287A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置 |
JP2002280378A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | バッチ式リモートプラズマ処理装置 |
-
2003
- 2003-08-05 JP JP2003205950A patent/JP2005056908A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0322523A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
JPH09330884A (ja) * | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Sony Corp | エピタキシャル成長装置 |
JP2000299287A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置 |
JP2002280378A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | バッチ式リモートプラズマ処理装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300688A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2009032890A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2011512031A (ja) * | 2008-02-12 | 2011-04-14 | チェ,キュ−ジョン | バッチ型原子層蒸着装置 |
JP2014212331A (ja) * | 2014-06-13 | 2014-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
KR20170046577A (ko) | 2015-10-21 | 2017-05-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 종형 열처리 장치 |
US11282721B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-03-22 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat treatment apparatus |
JP2016106415A (ja) * | 2016-01-28 | 2016-06-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9373499B2 (en) | Batch-type remote plasma processing apparatus | |
JP3979849B2 (ja) | プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 | |
US10570508B2 (en) | Film forming apparatus, film forming method and heat insulating member | |
JP4435111B2 (ja) | Ald装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2006188729A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009016832A (ja) | 除去可能なサセプタを伴う熱バッチリアクタ | |
JP2009209447A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2013065872A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2006190770A (ja) | 基板処理装置 | |
TWI761039B (zh) | 處理基板的方法、基板舟以及熱處理系統 | |
JP2005056908A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4384645B2 (ja) | 処理管 | |
JP4267506B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2006080101A (ja) | 半導体製造装置 | |
KR20030074418A (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
JP3915314B2 (ja) | 枚葉式の処理装置 | |
JPH04184923A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2006012994A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004055880A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2001345314A (ja) | 熱処理装置及びその方法 | |
JP2006013105A (ja) | 基板処理装置 | |
US20230352320A1 (en) | Gas supply system, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JP4895685B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR20060098742A (ko) | 보트 어셈블리 | |
JP2006156695A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060331 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080729 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20080922 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20091222 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100219 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101221 |