JP2006080101A - 半導体製造装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】インナチューブの外周面に異物が付着するのを防止する。
【解決手段】処理室4を形成したインナチューブ2と、インナチューブ2を取り囲むアウタチューブ3と、アウタチューブ3の内部を加熱するヒータユニット20と、複数枚のウエハ10を保持して処理室4に搬入するボート11と、処理室4に原料ガス30を導入するガス導入ノズル22と、インナチューブ2の筒壁に開設されて処理室4を排気する排気スリット25とを備えたCVD装置において、インナチューブ2とアウタチューブ3との隙間5には窒素ガス31を周方向に噴出する窒素ガス供給ノズル26が垂直に敷設されている。
【効果】隙間に窒素ガスを充満させることで排気スリットから隙間に排気された処理ガスの隙間での拡散を阻止できるので、異物がインナチューブの外周面に堆積するのを防止でき、堆積に伴うパーティクルの発生を未然に防止できる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、ICが作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)にポリシリコンやシリコン窒化膜等を堆積(デポジション)するのに利用して有効なものに関する。
【0002】
ICの製造方法において、ウエハにポリシリコンやシリコン窒化膜等のCVD膜をデポジションするのにバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)が、広く使用されている。従来のこの種のCVD装置としては、インナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、複数枚のウエハを保持してインナチューブ内に搬入するボートと、インナチューブ内に原料ガスを導入するガス導入ノズルと、プロセスチューブ内を排気して減圧する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータユニットとを備えており、ガス導入ノズルには複数個の噴出口がボートに保持された各ウエハに対応して開設され、インナチューブの側壁には排気孔が開設されているものがある(例えば、特許文献1参照)。
このCVD装置においては、複数枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、インナチューブ内に原料ガスがガス導入ノズルによって導入されるとともに、ヒータユニットによってプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションされる。この際、ガス導入ノズルの複数の噴出口から水平に噴出された原料ガスは、ボートに互いに水平に保持された上下のウエハの間を流れてウエハの表面に接触し、インナチューブに開設された排気孔からインナチューブの外部に排気管の排気力によって排気される。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−311862号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したCVD装置においては、排気孔から排気された原料ガスの一部がインナチューブとアウタチューブとの間に流れて局所的な淀みが発生すると、インナチューブの外周面に異物が付着しパーティクルが発生し易くなるという問題点がある。例えば、ポリシリコン膜を形成する場合においては、高温領域におけるモノシラン(SiH4 )の滞在期間が長くなると、気相中での分解反応が過度に進行してしまうために、シリコンが粉状になって析出しインナチューブの外周面に茶褐色の副生成物が付着しているのが、確認された。この副生成物はシランの中間生成物のシリレンが重合結合したもの[(SiH2 )n]であると考えられる。そして、インナチューブの外周面に付着した異物が剥離して処理室に逆流すると、ウエハの表面を汚染するパーティクルになる。
【0005】
本発明の目的は、異物がインナチューブの外周面に付着するのを防止することができる半導体製造装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体製造装置は、複数枚の基板を処理する処理室を形成したインナチューブと、このインナチューブを取り囲むアウタチューブと、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記処理室に処理ガスを導入するガス導入口と、前記インナチューブの側壁に開設されて前記処理室を排気する排気孔とを備えている半導体製造装置において、前記インナチューブと前記アウタチューブとの間の空間には不活性ガスが供給されることを特徴とする。
【0007】
前記した手段において、ガスはガス導入口からインナチューブの処理室に導入される。処理室に導入されたガスはインナチューブの側壁に開設された排気孔から排気される。この際に、不活性ガスがインナチューブとアウタチューブとの間の空間に供給されると、処理ガスがインナチューブの側壁外周面に接触するのを防止することができるので、異物がインナチューブの外周面に付着するのを防止することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0009】
本実施の形態において、図1に示されているように、本発明に係る半導体製造装置はCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)として構成されている。
【0010】
図1に示されたCVD装置は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ1を備えており、プロセスチューブ1はインナチューブ2とアウタチューブ3とから構成されている。インナチューブ2およびアウタチューブ3はいずれも、石英ガラスや炭化シリコン(SiC)等の耐熱性の高い材料が用いられて円筒形状にそれぞれ一体成形されている。インナチューブ2は上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ2の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室4を形成している。インナチューブ2の内径は取り扱うウエハ10の最大外径よりも大きくなるように設定されている。アウタチューブ3はインナチューブ2に対して大きめに相似し上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ2の外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ2とアウタチューブ3との間には隙間5が一定幅の円形リング形状に形成されている。
【0011】
インナチューブ2とアウタチューブ3との間の下端部は円形リング形状に形成されたマニホールド6によって気密封止されており、マニホールド6はインナチューブ2およびアウタチューブ3についての保守点検作業や清掃作業のためにインナチューブ2およびアウタチューブ3に着脱自在に取り付けられている。マニホールド6がCVD装置の筐体8に支持されることにより、プロセスチューブ1は垂直に据え付けられた状態になっている。マニホールド6の側壁の一部には処理室4の内部を所定の真空度に減圧する排気管7の一端が接続されており、排気管7の他端は排気装置(図示せず)に接続されている。
【0012】
マニホールド6には下端開口を閉塞するシールキャップ9が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ9はマニホールド6の外径と略等しい円盤形状に形成されており、プロセスチューブ1の外部に垂直に設備されたボートエレベータ(図示せず)によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ9の中心線上には被処理物としてのウエハ10を保持するためのボート11が垂直に立脚されて支持されるようになっている。ボート11は上下で一対の端板12、13と、両端板12、13間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材14とを備えており、各保持部材14には多数条の保持溝15が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように没設されている。ウエハ10の外周部が複数本の保持部材14の同一の段の保持溝15間に挿入されることにより、複数枚のウエハ10は水平かつ互いに中心を揃えた状態に整列されて保持される。ボート11とシールキャップ9との間には上下で一対の補助端板16、17が複数本の補助保持部材18によって支持されて配設されており、各補助保持部材18には多数条の保持溝19が没設されている。
【0013】
アウタチューブ3の外部にはプロセスチューブ1内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するヒータユニット20が、アウタチューブ3を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット20はCVD装置の筐体8に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。
【0014】
図1および図2に示されているように、処理室4の側壁であるインナチューブ2の筒壁の排気管7と180度反対側の位置には、チャンネル形状の予備室21が径方向外向きに膨出されて垂直方向に長く延在するように形成されており、予備室21の内部にはガス導入ノズル22が垂直方向に延在するように配管されている。ガス導入ノズル22の入口部23はマニホールド6の側壁を径方向外向きに貫通してプロセスチューブ1の外部に突き出されており、入口部23には原料ガス供給装置や窒素ガス供給装置等(図示せず)が接続されている。ガス導入ノズル22にはガス導入口としての複数個の噴出口24が垂直方向に並べられて開設されており、噴出口24群の個数はボート11に保持されたウエハ10の枚数に一致されており、各噴出口24の高さ位置はボート11に保持された上下で隣合うウエハ10と10との間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
【0015】
図1および図2に示されているように、インナチューブ2の側壁の予備室21と180度反対側の位置すなわち排気管7側の位置には、排気孔としての排気スリット25が垂直方向に細長く開設されており、排気スリット25の長さはボート11に保持されたウエハ10群の全長よりも長く延在するように設定されている。インナチューブ2とアウタチューブ3との間の隙間5における予備室21の位置には、不活性ガス供給手段としての窒素ガス供給ノズル26が垂直方向に延在するように配管されており、窒素ガス供給ノズル26の入口部28はマニホールド6の側壁を径方向外向きに貫通して外部に突き出されており、入口部28には窒素ガス供給装置(図示せず)が接続されている。窒素ガス供給ノズル26には窒素ガスを互いに周方向に180度反対向きに噴出する一対の噴出口27、27が複数組、垂直方向に等間隔に並べられて開設されている。
【0016】
次に、前記構成に係るCVD装置の作用および効果をICの製造方法における成膜工程を例にして説明する。
【0017】
ウエハチャージングステップにおいて、ウエハ10はボート11に、その周辺部が対向する複数箇所において保持部材14の保持溝15間にそれぞれ係合するように挿入されて行き、複数箇所の周辺部が各保持溝15に係合されて自重を支えられるように装填(チャージング)されて保持される。複数枚のウエハ10はボート11におけるチャージング状態においてその中心を揃えられて互いに平行かつ水平に整列されている。
【0018】
ボートローディングステップにおいて、複数枚のウエハ10を整列保持したボート11はボートエレベータにより差し上げられるようにして、インナチューブ2の処理室4に搬入(ボートローディング)されて行き、処理室4に図1に示されているように存置される。この状態において、シールキャップ9は処理室4をシールした状態になる。
【0019】
続いて、減圧ステップにおいて、プロセスチューブ1の内部が排気管7に作用する排気力によって所定の真空度(例えば、200Pa)に減圧されるとともに、昇温ステップにおいて、プロセスチューブ1の内部がヒータユニット20によって所定の温度(例えば、400℃)に昇温される。
【0020】
次いで、成膜ステップにおいて、所定の原料ガス30がガス導入ノズル22の入口部23に常圧(大気圧)で供給されると、原料ガス30はガス導入ノズル22を流通して複数個の噴出口24からインナチューブ2の処理室4に導入される。例えば、ドープドポリシリコンが拡散される場合においては、原料ガス30としてはモノシラン(SiH4 )およびホスフィン(PH3 )が処理室4に導入される。また、インナチューブ2とアウタチューブ3との間の隙間5には窒素ガス31が窒素ガス供給ノズル26の噴出口27群から周方向に供給される。隙間5に供給された窒素ガス31は排気管7の排気力によって隙間5全体に拡散する。
【0021】
処理室4に導入された原料ガス30はインナチューブ2の側壁に垂直方向に細長く開設された排気スリット25からインナチューブ2とアウタチューブ3との間の隙間5に流出して、マニホールド6に接続された排気管7から排気される。この際、ガス導入ノズル22と排気スリット25とは互いに対向するようにそれぞれ配置されているために、ガス導入ノズル22の各噴出口24からそれぞれ噴出された原料ガス30は、処理室4を反対側の排気スリット25に向かって水平に流れ、各ウエハ10に対してそれぞれ平行に流れる。しかも、複数個の噴出口24のそれぞれは上下で隣合うウエハ10と10との間に対向するようにそれぞれ配置されているために、各噴出口24からそれぞれ噴出された原料ガス30は上下で隣合うウエハ10と10との間の空間のそれぞれに流れ込んで確実に平行に流れる。ウエハ10の表面に接触しながら上下で隣合うウエハ10と10との間の空間を平行に流れて行く原料ガス30のCVD反応によって、ウエハ10の表面にはCVD膜が堆積する。例えば、モノシランとホスフィンとが導入された場合には、ドープドポリシリコン膜がウエハ10に堆積する。この際、原料ガス30は各ウエハ10内の全面にわたってそれぞれ均一に接触するために、CVD膜の堆積状態は各ウエハ10内において全体にわたって膜厚および膜質が共に均一になる。
【0022】
本実施の形態においては、窒素ガス31が隙間5に窒素ガス供給ノズル26の噴出口27から周方向に噴出されて隙間5に充満されていることにより、排気スリット25から隙間5に流出した原料ガス30が隙間5に全体的に拡散することを阻止されるので、インナチューブ2の外周面にシランの副生成物が付着することはない。したがって、インナチューブ2の外周面に付着した副生成物が剥離して処理室4に逆流する現象が発生することはなく、そのパーティクルの飛散によるウエハ10の表面の汚染の危険性を解消することができる。
【0023】
以上のようにして所望のCVD膜(例えば、ドープドポリシリコン膜)が堆積された後に、ボートアンローディングステップにおいて、シールキャップ9が下降されることによって処理室4が開口されるとともに、ボート11に保持された状態で処理済みのウエハ10群が処理室4からプロセスチューブ1の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
【0024】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0025】
例えば、窒素ガスはインナチューブとアウタチューブとの間の隙間に垂直に立設された窒素ガス供給ノズルによって供給するように構成するに限らず、隙間の下端部に接続した窒素ガス供給管によって供給するように構成してもよい。また、不活性ガスとしては窒素ガスを使用するに限らず、アルゴンガスやヘリウムガス等の窒素ガス以外の不活性ガスを使用してもよい。
【0026】
排気孔は一連の長孔である排気スリットによって構成するに限らず、複数個の孔によって構成してもよい。
【0027】
ガス導入ノズルに開設する噴出口の個数は、処理するウエハの枚数に一致させるに限らず、処理するウエハの枚数に対応して増減することができる。例えば、噴出口は上下で隣合うウエハ同士間にそれぞれ対向して配置するに限らず、二枚や三枚置きに配設してもよい。
【0028】
ガス導入ノズルはインナチューブに膨出形成された予備室に敷設するに限らず、処理室の側壁内周に沿って敷設してもよい。予備室は省略してもよい。また、ガス導入口はガス導入ノズルに開設するに限らず、マニホールドや処理室に開設してもよい。
【0029】
前記実施の形態では、ドープドポリシリコン膜の堆積について説明したが、ドープドポリシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のCVD膜の成膜全般に適用することができる。
【0030】
前記実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、横形ホットウオール形減圧CVD装置や酸化膜形成装置や拡散装置および他の熱処理装置(furnace )等の半導体製造装置全般に適用することができる。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、インナチューブの外周面に異物が付着するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるCVD装置を示す正面断面図である。
【図2】(a)は図1のa−a線に沿う平面断面図、(b)は図1のb−b線に沿う平面断面図である。
【符号の説明】
1…プロセスチューブ、2…インナチューブ、3…アウタチューブ、4…処理室、5…隙間、6…マニホールド、7…排気管、8…筐体、9…シールキャップ、10…ウエハ(基板)、11…ボート、12、13…端板、14…保持部材、15…保持溝、16、17…補助端板、18…補助保持部材、19…保持溝、20…ヒータユニット、21…予備室、22…ガス導入ノズル、23…入口部、24…噴出口(ガス導入口)、25…排気スリット(排気孔)、26…窒素ガス供給ノズル(不活性ガス供給手段)、27…噴出口、28…入口部、30…原料ガス、31…窒素ガス。

Claims (1)

  1. 複数枚の基板を処理する処理室を形成したインナチューブと、このインナチューブを取り囲むアウタチューブと、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記処理室に処理ガスを導入するガス導入口と、前記インナチューブの側壁に開設されて前記処理室を排気する排気孔とを備えている半導体製造装置において、
    前記インナチューブと前記アウタチューブとの間の空間には不活性ガスが供給されることを特徴とする半導体製造装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100766303B1 (ko) 2006-05-30 2007-10-11 주식회사 풍산마이크로텍 고압가스 열처리를 위한 방법 및 장치
KR100840481B1 (ko) * 2006-12-07 2008-06-20 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치
JP2008243837A (ja) * 2007-03-23 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法並びに記憶媒体
US7632354B2 (en) 2006-08-08 2009-12-15 Tokyo Electron Limited Thermal processing system with improved process gas flow and method for injecting a process gas into a thermal processing system
US8481123B2 (en) 2006-02-10 2013-07-09 Poongsan Microtec Corporation Method for high pressure gas annealing
KR101553027B1 (ko) 2014-01-20 2015-09-15 주식회사 풍산 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치
WO2018150615A1 (ja) * 2017-02-15 2018-08-23 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2019062053A (ja) * 2017-09-26 2019-04-18 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8481123B2 (en) 2006-02-10 2013-07-09 Poongsan Microtec Corporation Method for high pressure gas annealing
US8936834B2 (en) 2006-02-10 2015-01-20 Poongsan Microtec Corporation Computer readable medium for high pressure gas annealing
KR100766303B1 (ko) 2006-05-30 2007-10-11 주식회사 풍산마이크로텍 고압가스 열처리를 위한 방법 및 장치
US7632354B2 (en) 2006-08-08 2009-12-15 Tokyo Electron Limited Thermal processing system with improved process gas flow and method for injecting a process gas into a thermal processing system
KR100840481B1 (ko) * 2006-12-07 2008-06-20 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치
JP2008243837A (ja) * 2007-03-23 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法並びに記憶媒体
JP4661812B2 (ja) * 2007-03-23 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び記憶媒体
KR101553027B1 (ko) 2014-01-20 2015-09-15 주식회사 풍산 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치
WO2018150615A1 (ja) * 2017-02-15 2018-08-23 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR20180121867A (ko) * 2017-02-15 2018-11-09 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반응관, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
CN110121764A (zh) * 2017-02-15 2019-08-13 株式会社国际电气 衬底处理装置、反应管、半导体器件的制造方法及程序
JPWO2018150615A1 (ja) * 2017-02-15 2019-11-07 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法及びプログラム
US10961625B2 (en) 2017-02-15 2021-03-30 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, reaction tube and method of manufacturing semiconductor device
KR102238585B1 (ko) * 2017-02-15 2021-04-09 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반응관, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
JP2019062053A (ja) * 2017-09-26 2019-04-18 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム
US10453735B2 (en) * 2017-09-26 2019-10-22 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, reaction tube, semiconductor device manufacturing method, and recording medium

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