JP2003178991A - 処理チャンバ内のシールを断熱する装置及び方法 - Google Patents
処理チャンバ内のシールを断熱する装置及び方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加圧または排気されるチャンバ内のポリマー
材料製のシールを断熱する装置及び方法を提供する。 【解決手段】 チャンバは、アパーチャを有する壁、ア
パーチャの周りに配置されているフランジ、及びフラン
ジと取付具との間に位置し、フランジと取付具との間の
シール（１１０）を断熱する断熱構造（１０５）を含
む。断熱構造は、フランジ上に位置しそれに取付けられ
ている側壁を有する冷却ループ（２６０）、及びループ
の上に位置するキャップ（２５５）を含む。ループに流
体を流してシールに伝達される熱を減少させることがで
きる。好ましくは、フランジ、ループ、及びキャップは
石英またはガラス製であり、ループの側壁をフランジ及
びキャップに溶接する。より好ましくは、ループは、チ
ャンバから放射される熱をシールから遠去けるように導
く光パイプとして機能させる。
材料製のシールを断熱する装置及び方法を提供する。 【解決手段】 チャンバは、アパーチャを有する壁、ア
パーチャの周りに配置されているフランジ、及びフラン
ジと取付具との間に位置し、フランジと取付具との間の
シール（１１０）を断熱する断熱構造（１０５）を含
む。断熱構造は、フランジ上に位置しそれに取付けられ
ている側壁を有する冷却ループ（２６０）、及びループ
の上に位置するキャップ（２５５）を含む。ループに流
体を流してシールに伝達される熱を減少させることがで
きる。好ましくは、フランジ、ループ、及びキャップは
石英またはガラス製であり、ループの側壁をフランジ及
びキャップに溶接する。より好ましくは、ループは、チ
ャンバから放射される熱をシールから遠去けるように導
く光パイプとして機能させる。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、一般的には、半導
体基体のような対象を熱処理するためのシステム及び方
法に関する。詳述すれば、本発明は、加圧されるか、ま
たは排気される処理チャンバ内のシールを断熱し、維持
するための装置及び方法に関する。
体基体のような対象を熱処理するためのシステム及び方
法に関する。詳述すれば、本発明は、加圧されるか、ま
たは排気される処理チャンバ内のシールを断熱し、維持
するための装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】被加熱処理チャンバは、例えば集積回路
（ＩＣ）または半導体デバイスを製造する際に、基体上
の材料の層を熱処理し、焼鈍し、そして堆積または除去
するために使用される。
（ＩＣ）または半導体デバイスを製造する際に、基体上
の材料の層を熱処理し、焼鈍し、そして堆積または除去
するために使用される。
【０００３】処理チャンバは、処理動作中に適当な処理
環境を準備するために、及び／または、人に対する安全
を確保するために加圧したり、排気することが屡々あ
る。詳述すれば、半導体を製造する際に使用される多く
の反応物及びプロセスガスは、高度に毒性及び／または
引火性である。従って、基体をロードする開口、プロセ
スガス及び通気ガスの供給ラインを通すための開口、及
び真空または排気ポートを含む処理チャンバへの全ての
開口またはアパーチャは、それぞれの取付具及びフィッ
ティングに確保された気密シールを用いてシールしなけ
ればならない。一般的には、これらのシールは、シリコ
ン、フルオロシリコン、テトラフルオロエチレン／プロ
ピレン（即ち、ＴＦＥ／プロピレン）、フルオロカーボ
ン、ポリアクリレート、ニトリル、水素化ニトリル、ネ
オプレン、エチレンプロピレン、またはブチルゴムのよ
うな弾力性ポリマー材料製のガスケット、またはＯリン
グ型シールを含む。
環境を準備するために、及び／または、人に対する安全
を確保するために加圧したり、排気することが屡々あ
る。詳述すれば、半導体を製造する際に使用される多く
の反応物及びプロセスガスは、高度に毒性及び／または
引火性である。従って、基体をロードする開口、プロセ
スガス及び通気ガスの供給ラインを通すための開口、及
び真空または排気ポートを含む処理チャンバへの全ての
開口またはアパーチャは、それぞれの取付具及びフィッ
ティングに確保された気密シールを用いてシールしなけ
ればならない。一般的には、これらのシールは、シリコ
ン、フルオロシリコン、テトラフルオロエチレン／プロ
ピレン（即ち、ＴＦＥ／プロピレン）、フルオロカーボ
ン、ポリアクリレート、ニトリル、水素化ニトリル、ネ
オプレン、エチレンプロピレン、またはブチルゴムのよ
うな弾力性ポリマー材料製のガスケット、またはＯリン
グ型シールを含む。
【０００４】従来の被加熱処理チャンバに伴う１つの問
題は、シールの熱的劣化と、その結果としてシールの質
の低下であり、それによって処理環境が汚されるように
なる（劣化したシールによる汚染の可能性、及び潜在的
に人を有害材料に曝すことを含む）。処理動作中に処理
チャンバから伝導する、及び放射される熱がシールの弾
力性を失わせ、シールを徐々に劣化させるか、または破
滅的な損傷をもたらし得る。低圧化学蒸着（ＬＰＣＶ
Ｄ）システムのような排気された処理チャンバにおいて
は、シールの劣化によって外気がチャンバ内に引込ま
れ、処理チャンバ内のプロセス化学物質及び／または熱
安定度に悪影響を与える恐れがある。ある場合には、シ
ールの劣化が、粒状物質及び／または劣化したシール自
体からの脱ガスを含む汚染物を処理チャンバ内へ引込む
こともあり得る。
題は、シールの熱的劣化と、その結果としてシールの質
の低下であり、それによって処理環境が汚されるように
なる（劣化したシールによる汚染の可能性、及び潜在的
に人を有害材料に曝すことを含む）。処理動作中に処理
チャンバから伝導する、及び放射される熱がシールの弾
力性を失わせ、シールを徐々に劣化させるか、または破
滅的な損傷をもたらし得る。低圧化学蒸着（ＬＰＣＶ
Ｄ）システムのような排気された処理チャンバにおいて
は、シールの劣化によって外気がチャンバ内に引込ま
れ、処理チャンバ内のプロセス化学物質及び／または熱
安定度に悪影響を与える恐れがある。ある場合には、シ
ールの劣化が、粒状物質及び／または劣化したシール自
体からの脱ガスを含む汚染物を処理チャンバ内へ引込む
こともあり得る。
【０００５】シールの劣化自体は、運転経費を増加さ
せ、装置または処理チャンバの稼働率を低下させ得る。
処理チャンバに使用するシールに要求されるサイズ、品
質または純度、及び化学的及び温度耐性の故に、それら
の価格が2,500ドルを越えることが屡々である。更に、
シールを交換した後の処理チャンバの冷却、加熱、シー
ズニング、及び再クォリファイイングを必要とするため
に、装置は数日にわたって使用できなくなり得る。従っ
て、処理チャンバ内に使用するシールを断熱し、維持す
るための装置及び方法に対する要望が存在している。
せ、装置または処理チャンバの稼働率を低下させ得る。
処理チャンバに使用するシールに要求されるサイズ、品
質または純度、及び化学的及び温度耐性の故に、それら
の価格が2,500ドルを越えることが屡々である。更に、
シールを交換した後の処理チャンバの冷却、加熱、シー
ズニング、及び再クォリファイイングを必要とするため
に、装置は数日にわたって使用できなくなり得る。従っ
て、処理チャンバ内に使用するシールを断熱し、維持す
るための装置及び方法に対する要望が存在している。
【０００６】処理チャンバ内に使用されるシールを冷却
するための幾つかのアプローチが試みられてきた。１つ
のアプローチが、Yamagaらの米国特許第5,781,329号
（以下、YAMAGAという）に開示されているので参照され
たい。図１を参照する。YAMAGAは、複数の加熱素子１２
によって加熱されるガラス製の処理チャンバ１０を開示
しており、このチャンバ内で半導体基体１４が処理され
る。プロセスガス及び／またはパージガスはガス入口１
６から導入され、処理チャンバ１０は排気ポート１８を
通して排気される。ガス入口１６は、Ｏリング１７によ
ってガス供給ライン（図示してない）にシールされ、排
気ポート１８は、ガスケット１９によって排気トランク
または真空ポンプフォアライン（図示してない）にシー
ルされている。基体１４は、金属製のベース板２２上に
取付けられている保持具即ち支持体２０上に保持されて
いる。リフトメカニズム（図示してない）によってベー
ス板２２を昇降させ、基体をロードし、取出すことがで
きる。上昇した位置において、ベース板２２はＯリング
２６によって処理チャンバ１０のフランジ２４にシール
される。Ｏリング２６の下の、そしてそれに接近したベ
ース板２２内の冷却チャンネル２８を通して水が流され
る。
するための幾つかのアプローチが試みられてきた。１つ
のアプローチが、Yamagaらの米国特許第5,781,329号
（以下、YAMAGAという）に開示されているので参照され
たい。図１を参照する。YAMAGAは、複数の加熱素子１２
によって加熱されるガラス製の処理チャンバ１０を開示
しており、このチャンバ内で半導体基体１４が処理され
る。プロセスガス及び／またはパージガスはガス入口１
６から導入され、処理チャンバ１０は排気ポート１８を
通して排気される。ガス入口１６は、Ｏリング１７によ
ってガス供給ライン（図示してない）にシールされ、排
気ポート１８は、ガスケット１９によって排気トランク
または真空ポンプフォアライン（図示してない）にシー
ルされている。基体１４は、金属製のベース板２２上に
取付けられている保持具即ち支持体２０上に保持されて
いる。リフトメカニズム（図示してない）によってベー
ス板２２を昇降させ、基体をロードし、取出すことがで
きる。上昇した位置において、ベース板２２はＯリング
２６によって処理チャンバ１０のフランジ２４にシール
される。Ｏリング２６の下の、そしてそれに接近したベ
ース板２２内の冷却チャンネル２８を通して水が流され
る。
【０００７】YAMAGAに示されているアプローチは、それ
以前の非冷却型設計を改良してはいるが、多くの理由か
ら完全に満足できるものではない。１つの問題は、Ｏリ
ングの一方の側、即ち被加熱処理チャンバ１０から遠い
方の側だけが冷却されることである。それでも熱は冷却
されたベース板２２から分離しているフランジ２４を通
してＯリング２６へ伝導する。従って、YAMAGAのアプロ
ーチを用いてもＯリング２６は熱的劣化を受け、処理チ
ャンバ１０内の真空または圧力が損なわれる。またYAMA
GAのアプローチは、ガス入口１６上のＯリング１７及び
排気ポート１８上のガスケット１９の熱的劣化に関して
は何も言及していない。
以前の非冷却型設計を改良してはいるが、多くの理由か
ら完全に満足できるものではない。１つの問題は、Ｏリ
ングの一方の側、即ち被加熱処理チャンバ１０から遠い
方の側だけが冷却されることである。それでも熱は冷却
されたベース板２２から分離しているフランジ２４を通
してＯリング２６へ伝導する。従って、YAMAGAのアプロ
ーチを用いてもＯリング２６は熱的劣化を受け、処理チ
ャンバ１０内の真空または圧力が損なわれる。またYAMA
GAのアプローチは、ガス入口１６上のＯリング１７及び
排気ポート１８上のガスケット１９の熱的劣化に関して
は何も言及していない。
【０００８】更に、水冷を使用すると、特に100℃（212
°Ｆ）より高い温度における処理に付加的な困難また
は問題がもたらされる。１つの問題は、冷却されたベー
ス板２２付近の激烈な温度低下によってプロセスガスが
凝集する可能性があり、そのことが基体１４の望ましく
ない処理の変動または汚染を惹起する恐れをもたらすこ
とである。これは、基体を処理する加熱領域またはゾー
ンを、シールから僅か数センチメートルまたは数インチ
程度だけ離間させることを可能にした最新世代の小型の
単一基体処理チャンバにおいては特に重大である。
°Ｆ）より高い温度における処理に付加的な困難また
は問題がもたらされる。１つの問題は、冷却されたベー
ス板２２付近の激烈な温度低下によってプロセスガスが
凝集する可能性があり、そのことが基体１４の望ましく
ない処理の変動または汚染を惹起する恐れをもたらすこ
とである。これは、基体を処理する加熱領域またはゾー
ンを、シールから僅か数センチメートルまたは数インチ
程度だけ離間させることを可能にした最新世代の小型の
単一基体処理チャンバにおいては特に重大である。
【０００９】水冷の使用に伴う更に別の問題は、冷却水
が断水した場合、処理チャンバ１０が破滅的に損傷する
可能性があることである。例えば、水流が断たれると、
冷却されたベース板２２内の水が瞬時に水蒸気になり、
反り、その他によってベースを破壊させるようになる。
が断水した場合、処理チャンバ１０が破滅的に損傷する
可能性があることである。例えば、水流が断たれると、
冷却されたベース板２２内の水が瞬時に水蒸気になり、
反り、その他によってベースを破壊させるようになる。
【００１０】従って、処理中に加熱される、または熱が
生成される処理チャンバ内に使用されるシールを断熱
し、維持する装置及び方法に対する要望が存在してい
る。装置及び方法は、処理チャンバのアパーチャまたは
開口（例えばガス入口、排気ポート、及び基体または加
工片をチャンバ内へロードするための開口を含む）に使
用されるシールに使用するように適合可能であることが
望ましい。
生成される処理チャンバ内に使用されるシールを断熱
し、維持する装置及び方法に対する要望が存在してい
る。装置及び方法は、処理チャンバのアパーチャまたは
開口（例えばガス入口、排気ポート、及び基体または加
工片をチャンバ内へロードするための開口を含む）に使
用されるシールに使用するように適合可能であることが
望ましい。
【００１１】本発明は、これらの、及び他の問題を解消
し、従来の技術に優る他の長所を提供する。
し、従来の技術に優る他の長所を提供する。
【００１２】
【発明の概要】本発明の目的は、加圧されるか、または
排気される処理チャンバ内のシールを断熱し、維持する
ための装置及び方法を提供することである。
排気される処理チャンバ内のシールを断熱し、維持する
ための装置及び方法を提供することである。
【００１３】本発明の一面によれば、半導体基体のよう
な加工片を高温で処理するために、処理チャンバが準備
される。処理チャンバは、アパーチャを有する壁と、ア
パーチャの周りに配置されているフランジと、フランジ
と取付具との間に位置しているシールを断熱するため
に、フランジと取付具との間に設けられた断熱構造とを
含む。断熱構造の主たる構成要素は、フランジの上に位
置してフランジに取付けられている側壁を有する冷却管
または冷却ループと、冷却ループ上に位置するキャップ
とを含む。キャップは、フランジを取付具に固定した時
に、シールを着座させるためのシール面を有している。
一実施の形態では、処理動作中に、冷却ループを通して
流体を流して処理チャンバからシールに伝わる熱を減少
させる。一般的に、フランジ、冷却ループ、及びキャッ
プは、ガラス材料または石英で作られている。冷却ルー
プの側壁は、フランジ及びキャップに溶接することも、
またはそれらと一体に形成することもできる。
な加工片を高温で処理するために、処理チャンバが準備
される。処理チャンバは、アパーチャを有する壁と、ア
パーチャの周りに配置されているフランジと、フランジ
と取付具との間に位置しているシールを断熱するため
に、フランジと取付具との間に設けられた断熱構造とを
含む。断熱構造の主たる構成要素は、フランジの上に位
置してフランジに取付けられている側壁を有する冷却管
または冷却ループと、冷却ループ上に位置するキャップ
とを含む。キャップは、フランジを取付具に固定した時
に、シールを着座させるためのシール面を有している。
一実施の形態では、処理動作中に、冷却ループを通して
流体を流して処理チャンバからシールに伝わる熱を減少
させる。一般的に、フランジ、冷却ループ、及びキャッ
プは、ガラス材料または石英で作られている。冷却ルー
プの側壁は、フランジ及びキャップに溶接することも、
またはそれらと一体に形成することもできる。
【００１４】一実施の形態では、取付具は、半導体基体
のような加工片を処理チャンバ内へロードするための出
入口を覆うドアである。代替として、取付具は、処理チ
ャンバを真空ポンプ、排気ライン、またはプロセスガス
または通気ガス源に接続するフィッティングまたは接続
であることができる。
のような加工片を処理チャンバ内へロードするための出
入口を覆うドアである。代替として、取付具は、処理チ
ャンバを真空ポンプ、排気ライン、またはプロセスガス
または通気ガス源に接続するフィッティングまたは接続
であることができる。
【００１５】別の実施の形態では、フランジは円筒形状
であって前記処理チャンバの端から遠い方の先端が開い
ており、冷却ループは、フランジの直径と実質的に等し
い直径で湾曲させた実質的に円形形状である。冷却ルー
プ自体は、円形または多角形（例えば方形）の何れかで
ある断面を有する内部通路を有することができる。この
実施の形態の１つのバージョンでは、冷却ループは、フ
ランジの表面の一部分の中に加工されたチャンネルまた
は溝と、このチャンネル上に位置し、それとの間にシー
ルを断熱する熱伝達流体を流すための内部通路を形成し
ているキャップとからなっている。
であって前記処理チャンバの端から遠い方の先端が開い
ており、冷却ループは、フランジの直径と実質的に等し
い直径で湾曲させた実質的に円形形状である。冷却ルー
プ自体は、円形または多角形（例えば方形）の何れかで
ある断面を有する内部通路を有することができる。この
実施の形態の１つのバージョンでは、冷却ループは、フ
ランジの表面の一部分の中に加工されたチャンネルまた
は溝と、このチャンネル上に位置し、それとの間にシー
ルを断熱する熱伝達流体を流すための内部通路を形成し
ているキャップとからなっている。
【００１６】更に別の実施の形態では、冷却ループは、
処理チャンバから放射される熱をシールから遠去けるよ
うに導く光パイプとして機能するようになっている。電
磁放射またはエネルギ（光）は、あたかもそれがファイ
バ光通信における光ファイバを通るかのように、処理チ
ャンバの側壁の材料を通して導かれる。石英のような１
つの媒体から、断熱構造内のガスまたは流体へ移る際に
存在する不連続性が、エネルギのいくらかを処理ゾーン
に向かって戻すように反射させて温度制御を安定化させ
て改善し、またエネルギのいくらかを屈折させてシール
から遠去ける。正味の効果として、無防備なシールへ結
合される電磁エネルギの量が大幅に減少するようにな
る。
処理チャンバから放射される熱をシールから遠去けるよ
うに導く光パイプとして機能するようになっている。電
磁放射またはエネルギ（光）は、あたかもそれがファイ
バ光通信における光ファイバを通るかのように、処理チ
ャンバの側壁の材料を通して導かれる。石英のような１
つの媒体から、断熱構造内のガスまたは流体へ移る際に
存在する不連続性が、エネルギのいくらかを処理ゾーン
に向かって戻すように反射させて温度制御を安定化させ
て改善し、またエネルギのいくらかを屈折させてシール
から遠去ける。正味の効果として、無防備なシールへ結
合される電磁エネルギの量が大幅に減少するようにな
る。
【００１７】好ましくは、冷却ループを通して流す流体
はガスであり、ループへの入口付近の激烈な冷却、冷却
ループに沿う異なる点における冷却の差、または液体の
蒸発によってもたらされる熱伝達の妨害によって冷却ル
ープ、キャップ、及びフランジ内に応力が発生するのを
回避する。より好ましくは、このガスは、空気、窒素、
ヘリウム、またはアルゴンからなるグループから選択す
る。この実施の形態の別のバージョンでは、冷却ループ
または管を通って流れるガスは、処理動作中に処理チャ
ンバ内で使用されるプロセスガスであり、冷却ループを
通過した後のプロセスガスを処理チャンバ内へ導入する
ことによって、処理チャンバ内へ導入される前にプロセ
スガスを予熱するようにしている。この実施の形態は、
例えば化学蒸着（ＣＶＤ）システムへ高流量でプロセス
ガスを供給しつつ、処理チャンバ内に指定された温度プ
ロファイルを維持する必要があるようなプロセスにとっ
て特に望ましいものである。
はガスであり、ループへの入口付近の激烈な冷却、冷却
ループに沿う異なる点における冷却の差、または液体の
蒸発によってもたらされる熱伝達の妨害によって冷却ル
ープ、キャップ、及びフランジ内に応力が発生するのを
回避する。より好ましくは、このガスは、空気、窒素、
ヘリウム、またはアルゴンからなるグループから選択す
る。この実施の形態の別のバージョンでは、冷却ループ
または管を通って流れるガスは、処理動作中に処理チャ
ンバ内で使用されるプロセスガスであり、冷却ループを
通過した後のプロセスガスを処理チャンバ内へ導入する
ことによって、処理チャンバ内へ導入される前にプロセ
スガスを予熱するようにしている。この実施の形態は、
例えば化学蒸着（ＣＶＤ）システムへ高流量でプロセス
ガスを供給しつつ、処理チャンバ内に指定された温度プ
ロファイルを維持する必要があるようなプロセスにとっ
て特に望ましいものである。
【００１８】本発明の別の面においては、アパーチャを
有する壁と、アパーチャの周りに配置されているフラン
ジとを含む処理チャンバと、取付具との間に位置してい
るシールを断熱するための方法が提供される。本方法
は、(i)側壁を有する冷却ループを、側壁がフランジの
上に位置するようにフランジに取付けるステップと、(i
i)フランジを取付具に固定した時にシールが着座するよ
うになっているシール面を有するキャップを、冷却ルー
プに取付けるステップと、(iii)処理動作中に、冷却ル
ープを通して流体を通過させ、処理チャンバからシール
へ伝達される熱を減少させるステップとを含む。冷却ル
ープをフランジへ取付けるステップは、冷却ループの側
壁をフランジに溶接することによって達成することがで
きる。
有する壁と、アパーチャの周りに配置されているフラン
ジとを含む処理チャンバと、取付具との間に位置してい
るシールを断熱するための方法が提供される。本方法
は、(i)側壁を有する冷却ループを、側壁がフランジの
上に位置するようにフランジに取付けるステップと、(i
i)フランジを取付具に固定した時にシールが着座するよ
うになっているシール面を有するキャップを、冷却ルー
プに取付けるステップと、(iii)処理動作中に、冷却ル
ープを通して流体を通過させ、処理チャンバからシール
へ伝達される熱を減少させるステップとを含む。冷却ル
ープをフランジへ取付けるステップは、冷却ループの側
壁をフランジに溶接することによって達成することがで
きる。
【００１９】一実施の形態では、フランジは円筒形状で
あって、処理チャンバの端から遠い方の先端が開いてお
り、冷却ループをフランジへ取付けるステップは、フラ
ンジと実質的に等しい直径を有するように湾曲させた実
質的に円形の冷却ループを取り付けるステップを含む。
あって、処理チャンバの端から遠い方の先端が開いてお
り、冷却ループをフランジへ取付けるステップは、フラ
ンジと実質的に等しい直径を有するように湾曲させた実
質的に円形の冷却ループを取り付けるステップを含む。
【００２０】別の実施の形態では、冷却ループを通して
流体を通過させるステップは、冷却ループを通してガス
を流すステップを含む。好ましくは、ガスは、空気、窒
素、ヘリウム、またはアルゴンからなるグループから選
択する。代替として、ガスは処理動作中に処理チャンバ
内で使用されるプロセスガスであり、冷却ループを通し
てガスを流すステップは、冷却ループを通過した後のプ
ロセスガスを処理チャンバ内へ導入し、それによって使
用する前にプロセスガスを予熱するステップを含む。
流体を通過させるステップは、冷却ループを通してガス
を流すステップを含む。好ましくは、ガスは、空気、窒
素、ヘリウム、またはアルゴンからなるグループから選
択する。代替として、ガスは処理動作中に処理チャンバ
内で使用されるプロセスガスであり、冷却ループを通し
てガスを流すステップは、冷却ループを通過した後のプ
ロセスガスを処理チャンバ内へ導入し、それによって使
用する前にプロセスガスを予熱するステップを含む。
【００２１】本発明のこれらの、及び種々の他の特色及
び長所は、以下の添付図面に基づく詳細な説明から明白
になるであろう。
び長所は、以下の添付図面に基づく詳細な説明から明白
になるであろう。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明は、加圧されたり、または
排気される処理チャンバ内のシールを断熱し、維持する
ための装置及び方法に関する。以下に特定の実施の形
態、及び加熱される処理チャンバの例を説明するが、こ
れらは単に例示に過ぎず、本発明の装置及び方法は処理
中に熱が生成されるような処理チャンバにも適用できる
ことを理解されたい。
排気される処理チャンバ内のシールを断熱し、維持する
ための装置及び方法に関する。以下に特定の実施の形
態、及び加熱される処理チャンバの例を説明するが、こ
れらは単に例示に過ぎず、本発明の装置及び方法は処理
中に熱が生成されるような処理チャンバにも適用できる
ことを理解されたい。
【００２３】以下に、図２に基づいて、シール１１０を
断熱し、維持するための断熱構造１０５を有する本発明
の実施の形態による処理チャンバ１００の実施の形態を
説明する。図２は、フランジ１１５を有する被加熱処理
チャンバ１００の断面図であって、シール１１０を断熱
するための断熱構造１０５はフランジ１１５に取付けら
れている。一般的に、シール１１０は、フランジを取付
具（図示の実施の形態ではドア１２０である）に対して
シールする。公知の、そして本発明には関係がない被加
熱処理チャンバ１００または炉の多くの細部に関して
は、明瞭化のために説明を省略する。
断熱し、維持するための断熱構造１０５を有する本発明
の実施の形態による処理チャンバ１００の実施の形態を
説明する。図２は、フランジ１１５を有する被加熱処理
チャンバ１００の断面図であって、シール１１０を断熱
するための断熱構造１０５はフランジ１１５に取付けら
れている。一般的に、シール１１０は、フランジを取付
具（図示の実施の形態ではドア１２０である）に対して
シールする。公知の、そして本発明には関係がない被加
熱処理チャンバ１００または炉の多くの細部に関して
は、明瞭化のために説明を省略する。
【００２４】図２を参照する。処理チャンバ１００は、
壁即ち側壁１２５と、端壁１３０と、アパーチャ即ち開
口１４０の周囲に配置されている、またはそれを限定し
ているフランジ１１５とを含む。側壁の一方の端のアパ
ーチャ即ち開口１４０は、半導体基体またはウェーハの
ような加工片（図示してない）を処理チャンバ内へロー
ドできるようにするための出入口である。処理チャンバ
１００内の加工片を熱処理する、または高温まで加熱す
るために、炉または同軸加熱素子１４５が処理チャンバ
を取り囲んでいる（即ち、その周りに配置されてい
る）。一実施の形態では、加工片は、1100℃（2012°
Ｆ）まで、より好ましくは約1200℃（2192°Ｆ）から約
1500℃（2732°Ｆ）まで加熱される。一般的に、処理チ
ャンバ１００は、熱、排気または加圧された処理チャン
バの圧力、及び加工片の処理に使用される化学物質に耐
え得るどのような材料からなることもできる。処理チャ
ンバ１００のための適当な材料は、高温ガラス、セラミ
ック、及び透明または不透明石英ガラスまたは石英を含
む。好ましい実施の形態では、処理チャンバ１００は、
一方の端を端壁１３０によって閉じられ、他方の端をこ
れもまた石英で作られているドア１２０のような取付具
によって閉じられている長い石英円筒である。この実施
の形態は、例えば、焼鈍、ドーパント材料の拡散または
駆動のために、及び基体上に酸化物またはポリシリコン
層を成長または堆積させるために半導体製造に広く使用
されているオランダのLa VeldhovenのASML Inc.から市
販されている高速垂直プロセッサ、垂直熱反応器、及び
水平熱反応器のような炉と共に使用するのに特に適して
いる。
壁即ち側壁１２５と、端壁１３０と、アパーチャ即ち開
口１４０の周囲に配置されている、またはそれを限定し
ているフランジ１１５とを含む。側壁の一方の端のアパ
ーチャ即ち開口１４０は、半導体基体またはウェーハの
ような加工片（図示してない）を処理チャンバ内へロー
ドできるようにするための出入口である。処理チャンバ
１００内の加工片を熱処理する、または高温まで加熱す
るために、炉または同軸加熱素子１４５が処理チャンバ
を取り囲んでいる（即ち、その周りに配置されてい
る）。一実施の形態では、加工片は、1100℃（2012°
Ｆ）まで、より好ましくは約1200℃（2192°Ｆ）から約
1500℃（2732°Ｆ）まで加熱される。一般的に、処理チ
ャンバ１００は、熱、排気または加圧された処理チャン
バの圧力、及び加工片の処理に使用される化学物質に耐
え得るどのような材料からなることもできる。処理チャ
ンバ１００のための適当な材料は、高温ガラス、セラミ
ック、及び透明または不透明石英ガラスまたは石英を含
む。好ましい実施の形態では、処理チャンバ１００は、
一方の端を端壁１３０によって閉じられ、他方の端をこ
れもまた石英で作られているドア１２０のような取付具
によって閉じられている長い石英円筒である。この実施
の形態は、例えば、焼鈍、ドーパント材料の拡散または
駆動のために、及び基体上に酸化物またはポリシリコン
層を成長または堆積させるために半導体製造に広く使用
されているオランダのLa VeldhovenのASML Inc.から市
販されている高速垂直プロセッサ、垂直熱反応器、及び
水平熱反応器のような炉と共に使用するのに特に適して
いる。
【００２５】一般的に、処理チャンバ１００は、プロセ
スガス及び／または通気ガスを導入するための１つまた
はそれ以上のガス入口１５５と、消費したプロセスガス
及び／または副産物を排出するための排気ポート１６０
とを含んでいる。オプションとして、高真空または低真
空で遂行される処理のために処理チャンバ１００を排気
するように、排気ポート１６０を真空ポンプ（図示して
ない）に結合することができる。処理チャンバ１００
は、処理チャンバ内の処理ゾーン１７０内に１つまたは
それ以上の基体（図示してない）を保持して位置決めす
るための１つまたはそれ以上の保持具１６５を更に含む
ことができる。処理ゾーン１７０は、基体を処理するた
めに、プロセスガスの温度及び濃度が厳密に制御される
処理チャンバ１００内の領域である。
スガス及び／または通気ガスを導入するための１つまた
はそれ以上のガス入口１５５と、消費したプロセスガス
及び／または副産物を排出するための排気ポート１６０
とを含んでいる。オプションとして、高真空または低真
空で遂行される処理のために処理チャンバ１００を排気
するように、排気ポート１６０を真空ポンプ（図示して
ない）に結合することができる。処理チャンバ１００
は、処理チャンバ内の処理ゾーン１７０内に１つまたは
それ以上の基体（図示してない）を保持して位置決めす
るための１つまたはそれ以上の保持具１６５を更に含む
ことができる。処理ゾーン１７０は、基体を処理するた
めに、プロセスガスの温度及び濃度が厳密に制御される
処理チャンバ１００内の領域である。
【００２６】処理チャンバ１００は、クランプ１７５に
よって炉または加熱素子１４５内に支持されている。ク
ランプ１７５は、フランジ１１５の外側円周の周りに配
置される面片１８０と、フランジの外径よりは小さい
が、処理チャンバ１００の側壁１２５の外径よりは大き
い内径を有する裏当てリングまたは片１８５とを含んで
いる。一般的には、クランプ１７５は、機械的締付け具
１９０によって炉の前板１９５または壁に、または加熱
素子１４５を収容している外囲に取付けられる。オプシ
ョンとして、基体を自動的にローディングする、及び／
または、ドア１２０を開閉するメカニズム（図示してな
い）を取付けるために、ブラケット２００を前板１９５
またはクランプ１７５に取付けることができる。
よって炉または加熱素子１４５内に支持されている。ク
ランプ１７５は、フランジ１１５の外側円周の周りに配
置される面片１８０と、フランジの外径よりは小さい
が、処理チャンバ１００の側壁１２５の外径よりは大き
い内径を有する裏当てリングまたは片１８５とを含んで
いる。一般的には、クランプ１７５は、機械的締付け具
１９０によって炉の前板１９５または壁に、または加熱
素子１４５を収容している外囲に取付けられる。オプシ
ョンとして、基体を自動的にローディングする、及び／
または、ドア１２０を開閉するメカニズム（図示してな
い）を取付けるために、ブラケット２００を前板１９５
またはクランプ１７５に取付けることができる。
【００２７】一実施の形態では、ドア１２０は金属リン
グ２１０を含み、この金属リング２１０は、処理チャン
バ１００の開口１４０を実質的にカバーする中央石英板
または円板２１５の周りに配置され、耐ガスシールによ
ってそれへシールされている。金属リング２１０の表面
は、プロセスガスまたは副産物による腐食、またはそれ
らとの反応に耐える材料で処理、または被覆されてい
る。代替として、ドア１２０全体を石英または金属で作
ることができる。金属リング２１０は、Ｏリングまたは
方形断面を有するシールのようなポリマーシール１１０
を保持するための溝２２０を含み、フランジ１１５と共
にシール１１０を確保して実質的に耐ガスシールを作
る。オプションとして、ドア１２０は、シール１１０を
冷却するために、水のような熱伝達流体を循環させる冷
却チャンネル２３５を更に含む。
グ２１０を含み、この金属リング２１０は、処理チャン
バ１００の開口１４０を実質的にカバーする中央石英板
または円板２１５の周りに配置され、耐ガスシールによ
ってそれへシールされている。金属リング２１０の表面
は、プロセスガスまたは副産物による腐食、またはそれ
らとの反応に耐える材料で処理、または被覆されてい
る。代替として、ドア１２０全体を石英または金属で作
ることができる。金属リング２１０は、Ｏリングまたは
方形断面を有するシールのようなポリマーシール１１０
を保持するための溝２２０を含み、フランジ１１５と共
にシール１１０を確保して実質的に耐ガスシールを作
る。オプションとして、ドア１２０は、シール１１０を
冷却するために、水のような熱伝達流体を循環させる冷
却チャンネル２３５を更に含む。
【００２８】シール１１０の材料は、満足できるシール
を与えるその弾力性及び能力によって、及びプロセスガ
スまたは副産物に耐える、及び処理チャンバ１００から
の熱に耐えるその能力によって選択される。適当な材料
は、例えば、シリコン、フルオロシリコン、テトラフル
オロエチレン／プロピレン（即ちＴＦＥ／プロピレ
ン）、フルオロカーボン、ポリアクリレート、ニトリ
ル、水素化ニトリル、ネオプレン、エチレンプロピレ
ン、またはブチルゴムのような弾力性ポリマー材料を含
む。本発明によれば、シール１１０は、フランジ１１５
に取付けられていて加圧または排気される処理チャンバ
１００内のシールを断熱し、維持するようになっている
断熱構造１０５によって確保される。
を与えるその弾力性及び能力によって、及びプロセスガ
スまたは副産物に耐える、及び処理チャンバ１００から
の熱に耐えるその能力によって選択される。適当な材料
は、例えば、シリコン、フルオロシリコン、テトラフル
オロエチレン／プロピレン（即ちＴＦＥ／プロピレ
ン）、フルオロカーボン、ポリアクリレート、ニトリ
ル、水素化ニトリル、ネオプレン、エチレンプロピレ
ン、またはブチルゴムのような弾力性ポリマー材料を含
む。本発明によれば、シール１１０は、フランジ１１５
に取付けられていて加圧または排気される処理チャンバ
１００内のシールを断熱し、維持するようになっている
断熱構造１０５によって確保される。
【００２９】シール１１０を設計動作温度以内に維持す
ることによって、本発明の断熱構造１０５及び方法は、
特に、シール１１０の完全性を改善し、またシールの完
全性のこの改善によって、プロセスの安定度、及び人に
対する安全性を改善する。更に本発明の断熱構造１０５
及び方法は、シール１１０の熱的劣化を原因とする処理
チャンバ１００の汚染の可能性を低下させ、そしてシー
ルの寿命を延ばすことによって、運転経費を低下させ、
装置の稼働率を増加させる。
ることによって、本発明の断熱構造１０５及び方法は、
特に、シール１１０の完全性を改善し、またシールの完
全性のこの改善によって、プロセスの安定度、及び人に
対する安全性を改善する。更に本発明の断熱構造１０５
及び方法は、シール１１０の熱的劣化を原因とする処理
チャンバ１００の汚染の可能性を低下させ、そしてシー
ルの寿命を延ばすことによって、運転経費を低下させ、
装置の稼働率を増加させる。
【００３０】以下に、図２に示した本発明の断熱構造１
０５の詳細を、図３Ａ及び３Ｂを参照して説明する。図
３Ａは、断熱構造１０５、フランジ１１５、及び半導体
基体のような加工片を処理チャンバ１００内へロードで
きるようにするドア１２０の部分断面図である。図３Ｂ
は、図２のフランジ１１５及び断熱構造１０５の上面図
である。図３Aを参照する。断熱構造１０５は、ドア１
２０を閉じた時にシール１１０が押付けられるシール面
２５７を有する環状キャップ２５５と、キャップとフラ
ンジとの間に位置している冷却ループまたは管２６０と
を含む。冷却管２６０は、入口２６５（図３Bに示す）
と、出口２７０（図３Bに示す）と、熱伝達流体が通過
する（即ち、流れる）内部通路２７５を限定している
壁、または側壁２６２とを含む。熱伝達流体は、シール
を冷却し、及び／または、シールを処理チャンバ１００
から伝達される熱から断熱し、シールの熱劣化を実質的
に排除する。好ましくは、冷却管２６０及びキャップ２
５５をガラスまたは石英製とし、石英を使用して冷却ル
ープをフランジ１１５に融合させるか、もしくは溶接し
て実質的に耐ガス構造を形成させる。熱伝達流体の冷却
及び断熱効果に加えて、フランジ１１５及びキャップ２
５５と接触する冷却管２６０の小さい表面積が熱的障壁
として働き、処理チャンバ１００からシール１１０への
熱伝導を減少させる。
０５の詳細を、図３Ａ及び３Ｂを参照して説明する。図
３Ａは、断熱構造１０５、フランジ１１５、及び半導体
基体のような加工片を処理チャンバ１００内へロードで
きるようにするドア１２０の部分断面図である。図３Ｂ
は、図２のフランジ１１５及び断熱構造１０５の上面図
である。図３Aを参照する。断熱構造１０５は、ドア１
２０を閉じた時にシール１１０が押付けられるシール面
２５７を有する環状キャップ２５５と、キャップとフラ
ンジとの間に位置している冷却ループまたは管２６０と
を含む。冷却管２６０は、入口２６５（図３Bに示す）
と、出口２７０（図３Bに示す）と、熱伝達流体が通過
する（即ち、流れる）内部通路２７５を限定している
壁、または側壁２６２とを含む。熱伝達流体は、シール
を冷却し、及び／または、シールを処理チャンバ１００
から伝達される熱から断熱し、シールの熱劣化を実質的
に排除する。好ましくは、冷却管２６０及びキャップ２
５５をガラスまたは石英製とし、石英を使用して冷却ル
ープをフランジ１１５に融合させるか、もしくは溶接し
て実質的に耐ガス構造を形成させる。熱伝達流体の冷却
及び断熱効果に加えて、フランジ１１５及びキャップ２
５５と接触する冷却管２６０の小さい表面積が熱的障壁
として働き、処理チャンバ１００からシール１１０への
熱伝導を減少させる。
【００３１】オプションとして、フランジ１１５、冷却
管２６０、キャップ２５５、及び／または処理チャンバ
１００の側壁１２５の一部分を不透明石英で作り、処理
チャンバ１００からシール１１０への熱の伝達を更に減
少させることができる。不透明石英は、製造プロセス中
の石英が凝固する前に顕微鏡的な気泡を導入した石英で
ある。これらの顕微鏡的な気泡は、不透明石英の熱伝導
率を低下させ、処理チャンバ１００からシール１１０へ
の熱放射率を低下させる。光パイピングとして知られる
効果によって、電磁放射またはエネルギ（光）は、あた
かもそれがファイバ光通信における光ファイバを通るか
のように、処理チャンバ１００の側壁１２５の材料を通
って走行することができる。石英のような１つの媒体か
ら、不透明石英内の顕微鏡的な気泡のような別の媒体へ
移る際に存在する不連続性がエネルギのいくらかを屈折
させ、反射させる。即ち、エネルギのいくらかは処理ゾ
ーン１７０へ戻るように、そしてシール１１０から遠去
かるように反射される。
管２６０、キャップ２５５、及び／または処理チャンバ
１００の側壁１２５の一部分を不透明石英で作り、処理
チャンバ１００からシール１１０への熱の伝達を更に減
少させることができる。不透明石英は、製造プロセス中
の石英が凝固する前に顕微鏡的な気泡を導入した石英で
ある。これらの顕微鏡的な気泡は、不透明石英の熱伝導
率を低下させ、処理チャンバ１００からシール１１０へ
の熱放射率を低下させる。光パイピングとして知られる
効果によって、電磁放射またはエネルギ（光）は、あた
かもそれがファイバ光通信における光ファイバを通るか
のように、処理チャンバ１００の側壁１２５の材料を通
って走行することができる。石英のような１つの媒体か
ら、不透明石英内の顕微鏡的な気泡のような別の媒体へ
移る際に存在する不連続性がエネルギのいくらかを屈折
させ、反射させる。即ち、エネルギのいくらかは処理ゾ
ーン１７０へ戻るように、そしてシール１１０から遠去
かるように反射される。
【００３２】これらの顕微鏡的な気泡は、熱が不透明石
英を通って伝導する率、及び熱が処理チャンバ１００か
らシール１１０へ放射または光パイプされる率の両方を
減少させる。
英を通って伝導する率、及び熱が処理チャンバ１００か
らシール１１０へ放射または光パイプされる率の両方を
減少させる。
【００３３】熱伝達流体は、空気、窒素、ヘリウム、ま
たはアルゴンのようなガス、または水のような液体を含
むことができる。液体熱伝達流体の供給が断たれたこと
によって生ずる応力を原因として断熱構造１０５、フラ
ンジ１１５、及び処理チャンバ１００が破損するのを防
ぐために、液体の使用を、その液体の蒸発温度より低い
温度で遂行されるプロセスに制限することが望ましい。
即ち、上述したように、凝集、及び断熱構造１０５及び
処理チャンバ１００を破損させる可能性があるために、
水の使用は100℃（212°F）より低い温度で遂行される
プロセスに制限すべきである。
たはアルゴンのようなガス、または水のような液体を含
むことができる。液体熱伝達流体の供給が断たれたこと
によって生ずる応力を原因として断熱構造１０５、フラ
ンジ１１５、及び処理チャンバ１００が破損するのを防
ぐために、液体の使用を、その液体の蒸発温度より低い
温度で遂行されるプロセスに制限することが望ましい。
即ち、上述したように、凝集、及び断熱構造１０５及び
処理チャンバ１００を破損させる可能性があるために、
水の使用は100℃（212°F）より低い温度で遂行される
プロセスに制限すべきである。
【００３４】好ましくは、熱伝達流体はガスである。よ
り好ましくは、所定の処理時間にわたってシールをその
最大定格温度、またはそれ以下に維持するために、冷却
ループ２６０を通るガスの流量は、処理チャンバ１００
の動作温度、冷却ループのサイズ、及びシール１１０の
サイズに基づいて選択する。例えば、約1100℃（2012°
F）で動作する処理チャンバ内で使用される直径約41ｃ
ｍ（16インチ）のシリコンシールを約350℃（662°F）
に維持するためには、少なくとも2.5ｍｍ（0.0975イン
チ）の内径を有する管で作られた約41ｃｍ（16インチ）
の直径を有する冷却ループ２６０を用い、この冷却ルー
プ２６０を通して約２リットル／分（ＬＰＭ）、より好
ましくは約20ＬＰＭから、約200までのガスを、約30ポ
ンド／平方インチ（ＰＳＩ）から60ＰＳＩまでの圧力で
流すことが望ましい。
り好ましくは、所定の処理時間にわたってシールをその
最大定格温度、またはそれ以下に維持するために、冷却
ループ２６０を通るガスの流量は、処理チャンバ１００
の動作温度、冷却ループのサイズ、及びシール１１０の
サイズに基づいて選択する。例えば、約1100℃（2012°
F）で動作する処理チャンバ内で使用される直径約41ｃ
ｍ（16インチ）のシリコンシールを約350℃（662°F）
に維持するためには、少なくとも2.5ｍｍ（0.0975イン
チ）の内径を有する管で作られた約41ｃｍ（16インチ）
の直径を有する冷却ループ２６０を用い、この冷却ルー
プ２６０を通して約２リットル／分（ＬＰＭ）、より好
ましくは約20ＬＰＭから、約200までのガスを、約30ポ
ンド／平方インチ（ＰＳＩ）から60ＰＳＩまでの圧力で
流すことが望ましい。
【００３５】一実施の形態では、冷却ループ２６０を通
して流すガスは、処理チャンバ１００内へ導入される前
に冷却ループを通して流されるプロセスガスまたは通気
ガスである。この実施の形態は、シール１１０を冷却・
断熱しながら、同時にガスを予熱することによって、加
熱素子１４５が処理ゾーン１７０における安定な高温を
維持するのを援助するという長所を有している。
して流すガスは、処理チャンバ１００内へ導入される前
に冷却ループを通して流されるプロセスガスまたは通気
ガスである。この実施の形態は、シール１１０を冷却・
断熱しながら、同時にガスを予熱することによって、加
熱素子１４５が処理ゾーン１７０における安定な高温を
維持するのを援助するという長所を有している。
【００３６】別の実施の形態では、冷却ループ２６０
は、冷却ループが処理チャンバ１００から放射される熱
をシール１１０から遠去けるように導く光パイプとして
機能することができるようにサイズ及び形状が決めら
れ、そして選択された材料で作られる。上述したよう
に、電磁放射またはエネルギ（光）は、あたかもそれが
ファイバ光通信における光ファイバを通るかのように、
処理チャンバ１００の側壁１２５の材料を通って走行す
ることができる。石英のような１つの媒体から、冷却ル
ープ２６０内のガスまたは流体のような別の媒体へ移る
際に存在する不連続性が、エネルギのいくらかを屈折さ
せ、反射させる。即ち、エネルギのいくらかは処理ゾー
ン１７０へ戻るように反射され、またいくらかはその元
の走行方向から離れるように、そしてシール１１０から
遠去かるように屈折させられる。正味の効果として、無
防備のシール１１０へ結合される電磁エネルギの量が大
幅に減少するようになる。
は、冷却ループが処理チャンバ１００から放射される熱
をシール１１０から遠去けるように導く光パイプとして
機能することができるようにサイズ及び形状が決めら
れ、そして選択された材料で作られる。上述したよう
に、電磁放射またはエネルギ（光）は、あたかもそれが
ファイバ光通信における光ファイバを通るかのように、
処理チャンバ１００の側壁１２５の材料を通って走行す
ることができる。石英のような１つの媒体から、冷却ル
ープ２６０内のガスまたは流体のような別の媒体へ移る
際に存在する不連続性が、エネルギのいくらかを屈折さ
せ、反射させる。即ち、エネルギのいくらかは処理ゾー
ン１７０へ戻るように反射され、またいくらかはその元
の走行方向から離れるように、そしてシール１１０から
遠去かるように屈折させられる。正味の効果として、無
防備のシール１１０へ結合される電磁エネルギの量が大
幅に減少するようになる。
【００３７】以下に、図４を参照し、処理チャンバ２９
０の排気ポート２８５の排気ラインをシールするのに適
する断熱構造２８０の実施の形態を説明する。図４は、
本発明の一実施の形態による断熱構造２８０が取付けら
れているフランジ２９５を有する処理チャンバ２９０の
排気ポート２８５の部分断面図である。図４を参照す
る。断熱構造２８０は、石英製の冷却管またはループ３
００を含んでいる。冷却ループ３００は、処理チャンバ
２９０の開口３０５の周りに配置されて該開口を限定し
ているフランジ２９５と、フランジ２９５が真空ポンプ
または排気トランク（図示してない）のフォアラインの
ような取付具３２５に結合された時にシール３２０が押
付けられるシール面３１５を有する環状キャップ３１０
との間に位置するようにフランジ２９５に溶接されてい
る。フランジ２９５は、例えばクランプ３３０によって
取付具３２５に結合される。オプションとして、取付具
３２５は、シール３２０付近に冷却チャンネル（図示し
てない）を含み、このチャンネルに水を流してシールを
更に冷却することができる。
０の排気ポート２８５の排気ラインをシールするのに適
する断熱構造２８０の実施の形態を説明する。図４は、
本発明の一実施の形態による断熱構造２８０が取付けら
れているフランジ２９５を有する処理チャンバ２９０の
排気ポート２８５の部分断面図である。図４を参照す
る。断熱構造２８０は、石英製の冷却管またはループ３
００を含んでいる。冷却ループ３００は、処理チャンバ
２９０の開口３０５の周りに配置されて該開口を限定し
ているフランジ２９５と、フランジ２９５が真空ポンプ
または排気トランク（図示してない）のフォアラインの
ような取付具３２５に結合された時にシール３２０が押
付けられるシール面３１５を有する環状キャップ３１０
との間に位置するようにフランジ２９５に溶接されてい
る。フランジ２９５は、例えばクランプ３３０によって
取付具３２５に結合される。オプションとして、取付具
３２５は、シール３２０付近に冷却チャンネル（図示し
てない）を含み、このチャンネルに水を流してシールを
更に冷却することができる。
【００３８】上述した断熱構造に類似する本発明の実施
の形態による断熱構造の小型バージョンを使用して、処
理チャンバのガス入口（図示してない）をシールするこ
とができる。この実施の形態は、熱伝達流体としてプロ
セスガスまたは通気ガスを使用する場合に特に適してい
る。
の形態による断熱構造の小型バージョンを使用して、処
理チャンバのガス入口（図示してない）をシールするこ
とができる。この実施の形態は、熱伝達流体としてプロ
セスガスまたは通気ガスを使用する場合に特に適してい
る。
【００３９】以下に、図５乃至８を参照して断熱構造１
０５の代替実施の形態を説明する。
０５の代替実施の形態を説明する。
【００４０】図５に示す実施の形態では、断熱構造１０
５の冷却管２６０は方形断面を有している。この実施の
形態は、フランジ１１５と接触する冷却管の側壁３３５
の面積が大きく、従って断熱構造１０５とフランジ１１
５との間の溶接継ぎ目３４０の強度を増加させる。更
に、キャップ２５５またはシール面２５７は、フランジ
１１５とは反対側のシール１１０が着座する外側表面上
に実質的に平坦な平面を設けることによって、冷却ルー
プ２６０と一体に形成することができる。以上のように
この実施の形態は、１つの部品（即ち、キャップ２５
５）を排除し、１つまたはそれ以上の製造ステップ（即
ち、キャップの製造ステップ、及びそれを冷却ループ２
６０に取付けるステップ）を排除することによって、製
造時間を短縮し、費用を低下させるというさらなる長所
を有している。
５の冷却管２６０は方形断面を有している。この実施の
形態は、フランジ１１５と接触する冷却管の側壁３３５
の面積が大きく、従って断熱構造１０５とフランジ１１
５との間の溶接継ぎ目３４０の強度を増加させる。更
に、キャップ２５５またはシール面２５７は、フランジ
１１５とは反対側のシール１１０が着座する外側表面上
に実質的に平坦な平面を設けることによって、冷却ルー
プ２６０と一体に形成することができる。以上のように
この実施の形態は、１つの部品（即ち、キャップ２５
５）を排除し、１つまたはそれ以上の製造ステップ（即
ち、キャップの製造ステップ、及びそれを冷却ループ２
６０に取付けるステップ）を排除することによって、製
造時間を短縮し、費用を低下させるというさらなる長所
を有している。
【００４１】図６に示す別の実施の形態では、断熱構造
１０５の冷却管２６０は、フランジ１１５内に一体に形
成されている。この実施の形態では、冷却管２６０は、
フランジ１１５の表面３５５の一部の中に加工されたチ
ャンネル３５０または溝と、チャンネル上に位置し、熱
伝達流体を通す内部通路２７５を形成しているキャップ
２５５とからなっている。この実施の形態は、冷却ルー
プ２６０とフランジ１１５との間の溶接を排除し、それ
によって潜在的な漏れの源が排除されるという長所を有
している。
１０５の冷却管２６０は、フランジ１１５内に一体に形
成されている。この実施の形態では、冷却管２６０は、
フランジ１１５の表面３５５の一部の中に加工されたチ
ャンネル３５０または溝と、チャンネル上に位置し、熱
伝達流体を通す内部通路２７５を形成しているキャップ
２５５とからなっている。この実施の形態は、冷却ルー
プ２６０とフランジ１１５との間の溶接を排除し、それ
によって潜在的な漏れの源が排除されるという長所を有
している。
【００４２】図７及び８に示す他の代替実施の形態で
は、断熱構造１０５は、シール１１０を更に冷却し、断
熱するために複数の冷却管２６０を含むことができる。
図７に示す断熱構造１０５は、フランジ１１５とキャッ
プ２５５との間に重ねられた複数の冷却管２６０ａ、２
６０ｂを含んでいる。図８は、フランジ１１５とキャッ
プ２５５との間に複数の同心状冷却管２６０ａ、２６０
ｂを有する断熱構造１０５を示している。
は、断熱構造１０５は、シール１１０を更に冷却し、断
熱するために複数の冷却管２６０を含むことができる。
図７に示す断熱構造１０５は、フランジ１１５とキャッ
プ２５５との間に重ねられた複数の冷却管２６０ａ、２
６０ｂを含んでいる。図８は、フランジ１１５とキャッ
プ２５５との間に複数の同心状冷却管２６０ａ、２６０
ｂを有する断熱構造１０５を示している。
【００４３】更に別の代替実施の形態では、断熱構造１
０５は、セグメント化された冷却管２６０を含むことが
でき、各セグメントはシールの一部分を冷却し、断熱す
る。図９に示す実施の形態では、冷却管２６０は４セグ
メントに分割され、各セグメントはシール１１０の全周
の1/4を冷却し、断熱する。
０５は、セグメント化された冷却管２６０を含むことが
でき、各セグメントはシールの一部分を冷却し、断熱す
る。図９に示す実施の形態では、冷却管２６０は４セグ
メントに分割され、各セグメントはシール１１０の全周
の1/4を冷却し、断熱する。
【００４４】以下に、図１０を参照し、本発明の実施の
形態による処理チャンバ１００と取付具（ドア１２０の
ような）との間のシール１１０を断熱し、維持するため
の方法の実施の形態を説明する。図１０は、処理チャン
バ１００と取付具との間のシール１１０を断熱する方法
の諸ステップを示すフローチャートである。一般的に言
えば、本方法は、(i)側壁２６２を有する冷却管または
ループ２６０を、側壁がフランジ１１５上に位置するよ
うにフランジ１１５に取付けるステップ（ステップ４０
０）と、(ii) フランジ１１５を取付具に固定した時に
シール１１０が着座するシール面２５７を有するキャッ
プ２５５を、冷却ループ２６０に取付けるステップ（ス
テップ４０５）と、(iii)処理動作中に、冷却ループ２
６０を通して流体を流し、処理チャンバ１００からシー
ル１１０へ伝達される熱を減少させるステップ（ステッ
プ４１０）とを含む。冷却ループ２６０をフランジ１１
５に取付けるステップは、冷却ループの側壁２６２をフ
ランジに溶接することによって達成することができる。
形態による処理チャンバ１００と取付具（ドア１２０の
ような）との間のシール１１０を断熱し、維持するため
の方法の実施の形態を説明する。図１０は、処理チャン
バ１００と取付具との間のシール１１０を断熱する方法
の諸ステップを示すフローチャートである。一般的に言
えば、本方法は、(i)側壁２６２を有する冷却管または
ループ２６０を、側壁がフランジ１１５上に位置するよ
うにフランジ１１５に取付けるステップ（ステップ４０
０）と、(ii) フランジ１１５を取付具に固定した時に
シール１１０が着座するシール面２５７を有するキャッ
プ２５５を、冷却ループ２６０に取付けるステップ（ス
テップ４０５）と、(iii)処理動作中に、冷却ループ２
６０を通して流体を流し、処理チャンバ１００からシー
ル１１０へ伝達される熱を減少させるステップ（ステッ
プ４１０）とを含む。冷却ループ２６０をフランジ１１
５に取付けるステップは、冷却ループの側壁２６２をフ
ランジに溶接することによって達成することができる。
【００４５】一実施の形態では、フランジ１１５は円筒
形状であり、処理チャンバ１００の端から遠い方の先端
が開いており、冷却ループ２６０をフランジ１１５に取
付けるステップ（ステップ４００）は、フランジの直径
と実質的に等しい直径を有するように湾曲させた実質的
に円形の冷却ループ２６０をフランジ１１５に取付ける
ステップを含む。
形状であり、処理チャンバ１００の端から遠い方の先端
が開いており、冷却ループ２６０をフランジ１１５に取
付けるステップ（ステップ４００）は、フランジの直径
と実質的に等しい直径を有するように湾曲させた実質的
に円形の冷却ループ２６０をフランジ１１５に取付ける
ステップを含む。
【００４６】別の実施の形態では、冷却ループ２６０を
通して流体を流すステップ（ステップ４１０）は、冷却
ループ２６０を通してガスを流すステップを含む。好ま
しくは、ガスは、空気、窒素、ヘリウム、またはアルゴ
ンからなるグループから選択する。代替として、ガスは
処理動作中に処理チャンバ１００内で使用されるプロセ
スガスであり、本方法は更に、冷却ループ２６０を通し
てプロセスガスを流した後に処理チャンバ内へ導入する
ステップ（ステップ４１５）を含む。
通して流体を流すステップ（ステップ４１０）は、冷却
ループ２６０を通してガスを流すステップを含む。好ま
しくは、ガスは、空気、窒素、ヘリウム、またはアルゴ
ンからなるグループから選択する。代替として、ガスは
処理動作中に処理チャンバ１００内で使用されるプロセ
スガスであり、本方法は更に、冷却ループ２６０を通し
てプロセスガスを流した後に処理チャンバ内へ導入する
ステップ（ステップ４１５）を含む。
【００４７】例
以下の例は、加熱された処理チャンバ１００内のシール
１１０を断熱するための本発明による装置及び方法の長
所を示している。これらの例は、本発明の幾つかの実施
の形態を例示するものであって、本発明の範囲を制限す
る意図はないことを理解されたい。
１１０を断熱するための本発明による装置及び方法の長
所を示している。これらの例は、本発明の幾つかの実施
の形態を例示するものであって、本発明の範囲を制限す
る意図はないことを理解されたい。
【００４８】図１１を参照する。グラフ４２０によって
示されている第１の例は、冷却管２６０内に流体を流さ
ずに、光パイピング及び熱的障壁効果だけによってシー
ル１１０を断熱した場合の本発明による断熱構造１０５
の能力を示している。この例では、冷却管２６０の入口
２６５及び出口２７０は大気に開いたままであり、ドア
１２０内の冷却チャンネル２３５を通して水を2.5ガロ
ン／分（ＧＰＭ）の流量で流した。Ｏリングシール１１
０の周囲に、半径方向に離間させて熱電対（ＴＣ）を位
置決めした。約2.5時間の加熱後、処理チャンバ１００
は、処理ゾーン１７０において500℃の温度に到達し、
Ｏリング温度は図１１に参照番号４２５で示すように最
高約250℃に達したが、この温度はこの応用において使
用されている殆どの型のＯリングの最大定格温度よりも
十分に低い温度である。
示されている第１の例は、冷却管２６０内に流体を流さ
ずに、光パイピング及び熱的障壁効果だけによってシー
ル１１０を断熱した場合の本発明による断熱構造１０５
の能力を示している。この例では、冷却管２６０の入口
２６５及び出口２７０は大気に開いたままであり、ドア
１２０内の冷却チャンネル２３５を通して水を2.5ガロ
ン／分（ＧＰＭ）の流量で流した。Ｏリングシール１１
０の周囲に、半径方向に離間させて熱電対（ＴＣ）を位
置決めした。約2.5時間の加熱後、処理チャンバ１００
は、処理ゾーン１７０において500℃の温度に到達し、
Ｏリング温度は図１１に参照番号４２５で示すように最
高約250℃に達したが、この温度はこの応用において使
用されている殆どの型のＯリングの最大定格温度よりも
十分に低い温度である。
【００４９】この時点において、加熱素子の設定点を90
0℃まで上昇させたが、約30分加熱した後の最高Ｏリン
グ温度は約285℃であった（参照番号４３０）。
0℃まで上昇させたが、約30分加熱した後の最高Ｏリン
グ温度は約285℃であった（参照番号４３０）。
【００５０】グラフ４３５によって示されている第２の
例は、冷却ループ２６０内に流体を流してシール１１０
を断熱した場合の本発明による断熱構造１０５の能力を
示している。この例では、冷却ループ２６０を通して窒
素（Ｎ2）を160立方フィート／時間（Ｃｆｈ）の流量で
流し、ドア内の冷却チャンネル２３５を通して水を2.5
ガロン／分（ＧＰＭ）の流量で流した。約３時間加熱し
た後に処理ゾーン１７０内の温度は約1100℃の安定値に
到達し、一方シール１１０は参照番号４４０で示してあ
るように約270℃の最高温度に到達した。
例は、冷却ループ２６０内に流体を流してシール１１０
を断熱した場合の本発明による断熱構造１０５の能力を
示している。この例では、冷却ループ２６０を通して窒
素（Ｎ2）を160立方フィート／時間（Ｃｆｈ）の流量で
流し、ドア内の冷却チャンネル２３５を通して水を2.5
ガロン／分（ＧＰＭ）の流量で流した。約３時間加熱し
た後に処理ゾーン１７０内の温度は約1100℃の安定値に
到達し、一方シール１１０は参照番号４４０で示してあ
るように約270℃の最高温度に到達した。
【００５１】以上の本発明の特定の実施の形態の説明
は、単なる例示目的でなされたものであり、また本発明
を幾つかの例について示したが、本発明はこれらによっ
て限定されるものではないことを理解されたい。明らか
に、多くの変更、実施の形態、及び変形が可能である。
本発明は、特許請求の範囲によってのみ限定されるもの
であることを理解されたい。
は、単なる例示目的でなされたものであり、また本発明
を幾つかの例について示したが、本発明はこれらによっ
て限定されるものではないことを理解されたい。明らか
に、多くの変更、実施の形態、及び変形が可能である。
本発明は、特許請求の範囲によってのみ限定されるもの
であることを理解されたい。
【図１】冷却ループが取付具上に設けられている従来技
術の高温処理用処理チャンバの側断面図であって、処理
チャンバのフランジはＯリングシールによって取付具に
シールされている。
術の高温処理用処理チャンバの側断面図であって、処理
チャンバのフランジはＯリングシールによって取付具に
シールされている。
【図２】本発明の実施の形態による処理チャンバの断面
図であって、フランジを取付具に対してシールするため
のシールを断熱するために、フランジには断熱構造が取
付けられている。
図であって、フランジを取付具に対してシールするため
のシールを断熱するために、フランジには断熱構造が取
付けられている。
【図３Ａ】本発明の実施の形態による図２の処理チャン
バの断熱構造、フランジ、及び取付具の部分断面図であ
る。
バの断熱構造、フランジ、及び取付具の部分断面図であ
る。
【図３Ｂ】本発明の実施の形態による図２のフランジ及
び断熱構造の上面図である。
び断熱構造の上面図である。
【図４】本発明の実施の形態による処理チャンバの排気
ポートの部分断面図であって、断熱構造がフランジに取
付けられている。
ポートの部分断面図であって、断熱構造がフランジに取
付けられている。
【図５】本発明による断熱構造の冷却ループの代替実施
の形態の部分断面図である。
の形態の部分断面図である。
【図６】本発明の代替実施の形態によるフランジの部分
断面図であって、断熱構造の冷却ループは一体に形成さ
れている。
断面図であって、断熱構造の冷却ループは一体に形成さ
れている。
【図７】本発明の実施の形態によるフランジ及び断熱構
造の部分断面図であって、スタックされた複数の冷却管
を有している。
造の部分断面図であって、スタックされた複数の冷却管
を有している。
【図８】本発明の実施の形態によるフランジ及び断熱構
造の上面図であって、複数の同心状冷却管を有してい
る。
造の上面図であって、複数の同心状冷却管を有してい
る。
【図９】本発明による冷却管を有するフランジ及び断熱
構造の上面図であって、冷却管はシールの全周または直
径の一部分を各々が冷却し、断熱するセグメントに分割
されている。
構造の上面図であって、冷却管はシールの全周または直
径の一部分を各々が冷却し、断熱するセグメントに分割
されている。
【図１０】本発明による処理チャンバと取付具との間の
シールを断熱する方法の諸ステップを示すフローチャー
トである。
シールを断熱する方法の諸ステップを示すフローチャー
トである。
【図１１】冷却ループを通して流体を流した場合の、及
び流さない場合の本発明の実施の形態の断熱構造による
シールの断熱能力を示すために、温度を時間の関数とし
て示すグラフである。
び流さない場合の本発明の実施の形態の断熱構造による
シールの断熱能力を示すために、温度を時間の関数とし
て示すグラフである。
１０ 処理チャンバ
１２ 加熱素子
１４ 半導体基体
１６ ガス入口
１７ Ｏリング
１８ 排気ポート
１９ ガスケット
２０ 支持体
２２ ベース板
２４ フランジ
２６ Ｏリング
２８ 冷却チャンネル
１００ 処理チャンバ
１０５ 断熱構造
１１０ シール
１１５ フランジ
１２０ ドア
１２５ 側壁
１３０ 端壁
１４０ 開口
１４５ 加熱素子
１５５ ガス入口
１６０ 排気ポート
１６５ 保持具
１７０ 処理ゾーン
１７５ クランプ
１８０ 面板
１８５ 裏当てリング
１９０ 締付け具
１９５ 前板
２００ ブラケット
２１０ 金属リング
２１５ 石英円板
２２０ 溝
２３５ 冷却チャンネル
２５５ 環状キャップ
２５７ シール面
２６０ 冷却ループ（管）
２６２ 側壁
２６５ 入口
２７０ 出口
２７５ 内部通路
２８０ 断熱構造
２８５ 排気ポート
２９０ 処理チャンバ
２９５ フランジ
３００ 冷却ループ（管）
３０５ 開口
３１０ 環状キャップ
３１５ シール面
３２０ シール
３２５ 取付具
３３０ クランプ
３３５ 側壁
３４０ 継ぎ目
３５０ チャンネル
３５５ フランジの表面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年１１月８日（２００２．１１．
８）
８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図１０】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１１】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｈ０１Ｌ 21/26 Ｇ
(72)発明者 マイケル ドレイパー
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
95120 サン ホセ ブルーリング コー
ト 6065
(72)発明者 デイヴ ロペス
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
95123 サン ホセ バンゴー アベニュ
ー 333
Ｆターム(参考） 5F045 EB10 EJ04 EJ10
Claims (25)
- 【請求項１】 処理チャンバにおいて、 アパーチャを有する壁と、 前記アパーチャの周りに配置されているフランジと、 前記フランジと前記取付具との間に配置され、前記フラ
ンジと取付具との間に位置しているシールを断熱するた
めの断熱構造と、を備え、 前記断熱構造は、 前記フランジ上に位置し、前記フランジに取付けられて
いる側壁を有する冷却管と、 前記冷却管上に位置し、前記フランジを前記取付具に固
定した時に前記シールが着座するようになっているシー
ル面を有するキャップと、を含み、 前記冷却管は、処理動作中に前記処理チャンバから前記
シールへ伝達される熱を減少させる、ことを特徴とする
処理チャンバ。 - 【請求項２】 前記フランジ、前記冷却管、及び前記キ
ャップは、石英からなることを特徴とする請求項１に記
載の処理チャンバ。 - 【請求項３】 前記フランジは不透明石英からなり、前
記処理チャンバから前記シールへ向かう熱放射を減少さ
せることを特徴とする請求項２に記載の処理チャンバ。 - 【請求項４】 前記フランジは円筒形状において前記処
理チャンバの端から遠い方の先端が開いており、前記冷
却管は、前記フランジと実質的に等しい直径を有するよ
うに湾曲させた実質的に円形であることを特徴とする請
求項２に記載の処理チャンバ。 - 【請求項５】 前記冷却管は、前記処理チャンバからの
熱放射を前記シールから遠去けるように導く光パイプと
して機能するようになっていることを特徴とする請求項
２に記載の処理チャンバ。 - 【請求項６】 前記流体は、前記冷却管を通過すること
を特徴とする請求項１に記載の処理チャンバ。 - 【請求項７】 前記流体は、空気、窒素、ヘリウム、及
びアルゴンからなるグループから選択されたガスである
ことを特徴とする請求項６に記載の処理チャンバ。 - 【請求項８】 前記流体は、処理動作中に前記処理チャ
ンバ内で使用されるプロセスガスであり、前記プロセス
ガスは、前記冷却管を通過した後に前記処理チャンバ内
へ導入され、それによって前記処理チャンバ内へ導入さ
れる前に前記プロセスガスが予熱されることを特徴とす
る請求項６に記載の処理チャンバ。 - 【請求項９】 前記冷却管の側壁は、前記フランジに溶
接されていることを特徴とする請求項１に記載の処理チ
ャンバ。 - 【請求項１０】 前記冷却管は、前記フランジと一体に
形成されていることを特徴とする請求項１に記載の処理
チャンバ。 - 【請求項１１】 前記アパーチャは、半導体基体を前記
処理チャンバ内へロードするための出入口を構成してい
ることを特徴とする請求項１に記載の処理チャンバ。 - 【請求項１２】 前記処理チャンバは、加圧されたり、
または排気されることを特徴とする請求項１に記載の処
理チャンバ。 - 【請求項１３】 前記断熱構造は付加的な冷却管を更に
含み、前記付加的な冷却管は、前記フランジ上に位置し
てそれに取付けられ、且つ前記冷却管と同心である側壁
を有していることを特徴とする請求項１に記載の処理チ
ャンバ。 - 【請求項１４】 前記冷却管はセグメント化された冷却
管であり、前記各セグメントは前記シールの一部分に伝
達される熱を減少させるようになっていることを特徴と
する請求項１に記載の処理チャンバ。 - 【請求項１５】 前記断熱構造は付加的な冷却管を更に
含み、前記付加的な冷却管は、前記冷却管の上に位置し
てそれと同心であり、且つ前記冷却管と前記キャップと
に取付けられている側壁を有していることを特徴とする
請求項１に記載の処理チャンバ。 - 【請求項１６】 ガラス製処理チャンバと取付具との間
に位置しているシールを断熱する方法において、前記処
理チャンバは、アパーチャを有する壁と、前記アパーチ
ャの周りに配置されているガラス製フランジとを有し、
前記方法は、側壁を有する冷却管を、前記側壁が前記フ
ランジ上に位置するように前記フランジに取付けるステ
ップと、 前記フランジを前記取付具に固定した時に前記シールが
着座するようになっているシール面を有するキャップ
を、前記冷却管に取付けるステップと、 前記冷却管を通して流体を通過させ、処理動作中に前記
ガラス製処理チャンバから前記シールへ伝達される熱を
減少させるステップと、を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項１７】 前記フランジは円筒形状であって前記
処理チャンバの端から遠い方の先端が開いており、前記
冷却管を取付けるステップは、前記ガラス製フランジと
実質的に等しい直径を有するように湾曲させた実質的に
円形の冷却管を取付けるステップからなることを特徴と
する請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記冷却管を取付けるステップは、前
記ガラス製処理チャンバからの熱放射を前記シールから
遠去けるように導く光パイプとして機能するようになっ
ている冷却管を取付けるステップからなることを特徴と
する請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１９】 前記冷却管を通して流体を通過させる
ステップは、前記冷却管を通してガスを流すステップか
らなることを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 【請求項２０】 前記冷却管を通してガスを通過させる
ステップは、空気、窒素、ヘリウム、及びアルゴンから
なるグループから選択されたガスを流すステップからな
ることを特徴とする請求項１９に記載の方法。 - 【請求項２１】 前記ガスは、処理動作中に前記ガラス
製処理チャンバ内で使用されるプロセスガスであり、前
記冷却管を通してガスを流すステップは、前記冷却管を
通過した後の前記プロセスガスを前記ガラス製処理チャ
ンバ内へ導入するステップからなり、それによって前記
処理チャンバ内へ導入される前に前記プロセスガスが予
熱されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。 - 【請求項２２】 前記冷却管はガラスからなり、前記冷
却管を前記ガラスフランジに取付けるステップは、前記
冷却管の側壁を前記フランジに溶接するステップからな
ることを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 【請求項２３】 処理チャンバと取付具との間に位置し
ているシールを断熱するための断熱構造において、前記
処理チャンバは、アパーチャを有する壁と、前記アパー
チャの周りに配置されているガラス製フランジとを有
し、前記断熱構造は、 前記ガラス製フランジを前記取付具に固定した時に前記
シールが着座するようになっているシール面を有するガ
ラス製キャップと、 前記ガラス製フランジと前記ガラス製キャップとの間に
熱伝達流体を輸送するための熱伝達手段と、を備え、 処理動作中に前記熱伝達手段を通過する前記熱伝達流体
は、前記処理チャンバから前記シールへ伝達される熱を
減少させる、ことを特徴とする断熱構造。 - 【請求項２４】 前記熱伝達手段は、前記ガラス製フラ
ンジの表面の一部分内に加工されているチャンネルを含
み、前記ガラス製キャップは前記チャンネル上に溶接さ
れて前記熱伝達流体を通過させるための冷却管を形成し
ていることを特徴とする請求項２３に記載の断熱構造。 - 【請求項２５】 前記熱伝達手段は外側壁を有する冷却
管を含み、前記外側壁の一方の側は前記ガラス製フラン
ジに溶接されており、前記ガラス製キャップは、前記ガ
ラス製フランジとは反対側の前記外側壁の一部分に溶接
されていることを特徴とする請求項２３に記載の断熱構
造。
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