JP2000058459A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理領域以外の領域での反応副生成物や析出
物の付着を抑制する。 【解決手段】 処理容器２内の処理領域に被処理体Ｗを
収容し、該被処理体Ｗを所定の処理ガス、処理温度およ
び処理圧力の下で熱処理する熱処理方法において、前記
処理容器２内の処理領域以外の領域での反応副生成物も
しくは析出物の付着を抑制すべく該処理領域以外の領域
を処理領域の処理圧力よりも低い圧力にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理方法および
熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、被処理基板（被処理体）である半導体ウエハ
にＣＶＤ（化学気相成長）、拡散、酸化、アニール等の
処理を施すために、各種の熱処理装置が使用されてい
る。中でも、ＣＶＤ等の処理においては、石英製の反応
管の下部に、ガス導入部および排気部とを有する金属製
のマニホールドを設け、前記反応管内の処理領域に保持
具であるウエハボートを介して多段に保持された複数枚
の半導体ウエハを収容して密閉し、反応管の外側に設け
たヒーターにより処理領域を所定の処理温度に加熱して
所定の処理ガスおよび処理圧力の下で半導体ウエハに所
定の熱処理例えばＣＶＤ処理を施すようにした熱処理装
置（縦型熱処理装置ともいう）が一般的に用いられてい
る。

【０００３】このような熱処理装置においては、マニホ
ールドがヒーターから離れていること、また、マニホー
ルドと反応管の間をシールするシール部材例えばＯリン
グの耐熱性の問題からマニホールドのシール部材近傍の
冷却を行うことが一般的であること等により、マニホー
ルドの内面が処理温度よりもはるかに低温となる。この
ため、反応管内の処理領域以外の領域であるマニホール
ドの内面に処理ガス成分が接触することにより凝結し
て、ＣＶＤ処理では反応副生成物が、拡散処理では析出
物がマニホールドの内面に付着し、パーティクルの発生
等、処理に悪影響を及ぼすことになり、そのため定期的
な洗浄が必要であった。

【０００４】このような問題を解決するために、従来の
熱処理装置においては、マニホールドを外部から加熱す
ることにより、反応副生成物や析出物の蒸気圧を上げて
やり、昇華させるという手法が採用されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記熱
処理装置においては、マニホールドの外側に専用の加熱
ヒーターを取付けるため、装置が複雑化すること、マニ
ホールドの全部位を所望の温度にすることが難しいこ
と、火傷等への安全の配慮が必要であること、電力消費
の増加によるグローバルな意味での環境への影響がある
こと等、いくつかの問題点があった。

【０００６】本発明は、前述した課題を解決すべくなさ
れたもので、処理領域以外の領域での反応副生成物や析
出物の付着を抑制することができる熱処理方法および熱
処理装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、反応副生成物
や析出物を加熱して蒸気圧を与えてやるという発想を逆
転し、処理領域以外の領域を処理領域の処理圧力よりも
低圧にすることにより、反応副生成物や析出物を比較的
低温時の蒸気圧でも昇華できるようにしてやるものであ
る。

【０００８】本発明のうち、請求項１に係る発明は、処
理容器内の処理領域に被処理体を収容し、該被処理体を
所定の処理ガス、処理温度および処理圧力の下で熱処理
する熱処理方法において、前記処理容器内の処理領域以
外の領域での反応副生成物もしくは析出物の付着を抑制
すべく該処理領域以外の領域を処理領域の処理圧力より
も低い圧力に設定することを特徴とする。

【０００９】請求項２に係る発明は、処理容器内の処理
領域に被処理体を収容し、該被処理体を所定の処理ガ
ス、処理温度および処理圧力の下で熱処理する熱処理装
置において、前記処理容器内の処理領域以外の領域での
反応副生成物もしくは析出物の付着を抑制すべく該処理
領域以外の領域を処理領域の処理圧力よりも低い圧力に
するために、前記処理容器内に処理領域とそれ以外の領
域とに圧力差を発生させる絞り部を設けたことを特徴と
する。

【００１０】請求項３に係る発明は、内管と外管とから
なる反応管の下部に、内管内に処理ガスを導入するガス
導入部と、内管と外管の間を排気する排気部とを有する
筒状のマニホールドを設け、前記反応管内の処理領域に
保持具を介して多段に保持された複数枚の被処理体を収
容し、該被処理体を所定の処理ガス、処理温度および処
理圧力の下で熱処理する熱処理装置において、前記反応
管内の処理領域以外の領域を処理領域の処理圧力よりも
低い圧力にするために、前記内管内よりも下流でマニホ
ールドよりも上流に第１の絞り部を設け、前記内管の下
方にその内外を連通する連通部を設けると共に、この連
通部よりも上方で内管の内側に第２の絞り部を設けたこ
とを特徴とする。

【００１１】前記請求項３に係る発明においては、前記
第１の絞り部が内管と外管の間のガス流路におけるマニ
ホールドよりも上流にフランジ状に設けられていること
が好ましく（請求項４）、あるいは前記第１の絞り部が
内管の上端開口部にこれを覆うように設けられた蓋部材
と、この蓋部材に形成された孔部とにより構成されてい
ることが好ましい（請求項５）。

【００１２】請求項６に係る発明は、反応管の下部に、
反応管内に処理ガスを導入するガス導入部と、反応管内
を排気する排気部とを有する筒状のマニホールドを設
け、前記反応管内の処理領域に保持具を介して多段に保
持された複数枚の被処理体を収容し、該被処理体を所定
の処理ガス、処理温度および処理圧力の下で熱処理する
熱処理装置において、前記反応管内の処理領域以外の領
域を処理領域の処理圧力よりも低い圧力にするために、
前記反応管内の処理領域とそれ以外の領域との間に圧力
差を発生させる絞り部を設けたことを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は本発明を縦型熱処理装
置に適用した実施の形態を示す縦断面図、図２は同熱処
理装置の要部拡大断面図、図３はマニホールドの内管支
持部材を示す図で、（ａ）は部分的平面図、（ｂ）は部
分的側面図である。

【００１４】図１において、１は減圧下でのＣＶＤ処理
や拡散処理に適するように構成された縦型熱処理装置
で、この熱処理装置１は処理容器である縦長の石英製の
反応管２を備えている。本実施の形態では、反応管２
は、内管３と外管４の二重管構造になっている。内管３
は、上端および下端が開放されている。外管４は、上端
が閉塞され、下端が開放されている。

【００１５】前記反応管２の下部には、内管３内に処理
ガスを導入するガス導入部５と、内管３と外管４との間
を排気する排気部６とを有する筒状好ましくは短円筒状
のマニホールド７が設けられている。このマニホールド
７は、耐熱性および耐食性を有する材料、例えばステン
レス鋼により形成されている。ガス導入部５は、Ｌ字状
のインジェクタ管からなり、マニホールド７の後述する
内側フランジ部８よりも下方の側壁を気密に貫通し、処
理ガスを反応管２内の処理領域に下方から導入すべく内
管３の内壁に沿って立上がって配置されている。前記ガ
ス導入部５は、ガス種に対応してマニホールド７の周方
向に複数設けられている。なお、マニホールド７には、
処理領域の処理圧力を検知するためのセンサポートが前
記ガス導入部５と同様に設けられている（図示省略）。

【００１６】前記排気部６は、マニホールド７の内側フ
ランジ部８よりも上方の側壁に排気管部として突設され
ている。排気部６には、真空ポンプを有する排気系が接
続され、反応管２内を減圧排気して処理領域を所定の処
理圧力例えば５０〜７００Ｔｏｒｒに制御し得るように
なっている。この処理圧力に制御された状態で、ガス導
入部５の先端から噴出された処理ガスが反応管２の内管
３内の処理領域を上昇して所定の熱処理に供された後、
内管３と外管４との間の環状のガス流路を下降して排気
部６から排気されるようになっている。

【００１７】前記マニホールド７の上端と下端には、フ
ランジ部１０，１１が一体に形成されており、上端フラ
ンジ部１０の上面には、外管４の下端フランジ部１２が
載置され、フランジ押え１３により固定されている。マ
ニホールド７の上端フランジ部１０と外管４の下端フラ
ンジ部１２との間をシールするために、例えば図２に示
すように、外管４の下端フランジ部１２を取り囲む環状
のフランジ押え１３を採用し、このフランジ押え１３と
外管４の下端フランジ部１２との接合部およびフランジ
押え１３とマニホールド７の上端フランジ部１０との接
合部をシール部材であるＯリング１４，１５でそれぞれ
シールするように構成されている。なお、マニホールド
７の上端フランジ部１０と外管４の下端フランジ部１２
との間をシールするために、これらの接合部にＯリング
を直接介在させるようにしてもよい（図示省略）。

【００１８】マニホールド７の内側に内管３を支持する
ために、マニホールド７の下側内周部がフランジ状に形
成されていると共に、その内側フランジ部８に内管３の
下端部を支持するための内管支持部材１６が設けられて
いる。この内管支持部材１６は、耐熱性および耐食性を
有する材料例えばインコネルによりリング状に形成され
ており、その外周に設けた複数の爪部１７と、下端にネ
ジ止めされた押え板１８とにより前記マニホールド７の
内側フランジ部８に着脱可能に固定されている。

【００１９】前記マニホールド７は、ベースプレート１
９の下部に取付けられており、このベースプレート１９
の上部には、反応管２内の処理領域を所定の熱処理温度
例えば３００〜１１００℃程度に加熱するためのヒータ
ー２０が設置されている。このヒーター２０は、反応管
２の上方を含む周囲を取り囲むように円筒状に形成され
た断熱材と、この断熱材の内周に設けられた抵抗発熱体
とから主に構成されている（図示省略）。

【００２０】反応管２内の処理領域に複数枚例えば１５
０枚程度の被処理基板（被処理体）である半導体ウエハ
Ｗを水平状態で上下方向に適宜間隔で多段に収容保持す
るために、半導体ウエハＷは保持具であるウエハボート
２１に保持され、このウエハボート２１はマニホールド
７の下端開口部を密閉する例えばステンレス鋼製の蓋体
２２の上部に断熱体である保温筒２３を介して載置され
ている。蓋体２２は、ウエハボート２１を反応管２内に
搬入搬出するための昇降機構２４の昇降アーム２５に取
付けられている。マニホールド７の下端フランジ部１１
と蓋体２２との接合部には、Ｏリング２６が設けられて
いる。マニホールド７の上端フランジ部１０および下端
フランジ部１１には、Ｏリング１４，１５，２６の熱劣
化を防止すべく冷却する手段として、冷却水を循環させ
る冷却水通路２７が設けられている。

【００２１】前記マニホールド７を含む反応管２内の処
理領域以外の領域（非処理領域ともいう）での処理ガス
成分の凝結による反応副生成物もしくは析出物の付着を
抑制すべく反応管２内の処理領域以外の領域を処理領域
の処理圧力よりも低い圧力にするために、前記内管３内
よりも下流でマニホールド７よりも上流には第１の絞り
部２８が設けられ、内管３の下方にはその内外を連通す
る連通部２９が設けられると共に、この連通部２９より
も上方で内管３の内側には第２の絞り部３０が設けられ
ている。前記第１の絞り部２８は、内管３と外管４との
間のガス流路９におけるマニホールド７よりも上流（マ
ニホールドの上端位置を含む）にフランジ状に設けられ
ていることが好ましい。

【００２２】具体的には、マニホールド７の内周壁面に
は、例えばＨＣｌ等の強腐食性を有する処理ガスの接触
による腐食を防止すべく内周壁面を覆うために、石英製
の円筒状の保護カバー部材３１が装着されており、この
保護カバー部材３１を利用して第１の絞り部２８が設け
られている。既存の保護カバー部材は、マニールド７の
内側フランジ部８上面を覆う内向きのフランジ部３２を
下端に有しているだけであるが、本実施の形態では上端
にも内向きのフランジ部を形成することにより、これを
第１の絞り部２８としている。

【００２３】第１の絞り部２８は、内管３と外管４との
間のガス流路９をオリフィスの如く絞ることによりコン
ダクタンスの小さい部位を形成しており、この部位を境
に圧力差が発生するようになっている。この第１の絞り
部２８は、マニホールド７の上端位置もしくはこれより
も上方に形成されていることが好ましい。

【００２４】前記連通部２９および第２の絞り部３０
は、内管３に設けられていてもよいが、内管支持部材１
６に設けられていることが好ましい。この内管支持部材
１６は、図２ないし図３に示すように、マニホールド７
の内側フランジ部８よりも上方へ立上がっており、その
側壁に長穴状の連通部２９が周方向に適宜間隔で複数設
けられている。また、内管支持部材１６の上端部を断面
Ｌ字の内向きフランジ状に形成することにより、これを
第２の絞り部３０としている。

【００２５】内管支持部材１６の上端部には、内管３を
位置決め載置するための環状溝３３が前記第２の絞り部
３０と共に形成されている。第２の絞り部３０は、保温
筒２３との間の隙間をオリフィスの如く絞ることにより
コンダクタンスの小さい部位を形成しており、この部位
を境に圧力差が発生するようになっている。なお、第２
の絞り部３０には、ガス導入部（インジェクタ管）やセ
ンサポートとの干渉を避けるためにこれらと対応した切
欠部３４が設けられている。

【００２６】次に、以上の構成からなる縦型熱処理装置
の作用および熱処理方法について述べる。反応管２内の
処理領域にウエハボート２１を介して多段に保持された
半導体ウエハＷを収容し、蓋体２２により反応管２内を
密閉した状態で、ヒーター２０による加熱、排気部６か
らの減圧排気およびガス導入部５からの処理ガスの導入
により、半導体ウエハＷに所定の処理ガス、処理温度お
よび処理圧力の下で所定の熱処理を施す。

【００２７】この熱処理工程において、処理ガスは、ガ
ス導入部５の先端から反応管２の内管３内に導入され、
内管３内を上昇する過程で処理領域の半導体ウエハＷの
熱処理に供された後、内管３と外管４との間のガス流路
９を下降してマニホールド７の排気部６から排気され
る。この場合、マニホールド７が処理温度よりもはるか
に低温であるため、マニホールド７の内面に処理ガスが
接触して反応副生成物や析出物が付着し易い。これを防
止するため従来では、マニホールド７に専用の加熱ヒー
ターを取付けてマニホールド７を加熱しているが、反応
副生成物等の付着を防止するためには比較的高温に加熱
する必要があること、シール部材の耐熱性の問題で加熱
温度に限界があること、従って反応副生成物等の付着を
十分に防止し得ない等の種々の問題点があった。

【００２８】そこで、本発明の実施の形態においては、
前記内管３内よりも下流でマニホールド７よりも上流、
好ましくは内管３と外管４との間のガス流路９における
マニホールド７よりも上流（マニホールドの上端位置を
含む、図１参照。）に、第１の絞り部２８を設けている
ため、この第１の絞り部２８を境として上流側（処理領
域側）と下流側（非処理領域側）とに圧力差が発生し、
排気系に通じる下流側であるマニホールド７内の内側フ
ランジ部８よりも上方の領域が上流側の処理圧力よりも
低い圧力となる。また、内管３の下方、すなわち内管支
持部材１６に、内管３の内外を連通する連通部２９を設
けると共に、この連通部２９よりも上方で内管３よりも
内側に第２の絞り部３０を設けているため、連通部２９
を通して第２の絞り部３０よりも下方の領域（ここも非
処理領域である）が吸引排気され、第２の絞り部３０を
境として上流側（処理領域側）と下流側（非処理領域
側）とに圧力差が発生し、マニホールド７内の内側フラ
ンジ部８よりも下方の領域も上流側の処理圧力よりも低
い圧力となる。例えば、処理領域の処理圧力が４００Ｔ
ｏｒｒである場合、処理領域以外の領域の圧力は、４０
０−αＴｏｒｒとなる。但し、α＝１００〜３９９Ｔｏ
ｒｒである。

【００２９】このように処理領域以外の領域であるマニ
ホールド７内が処理領域の処理圧よりも低い圧力とされ
ることにより、反応副生成物や析出物が比較的低温時の
蒸気圧でも昇華できるようになるため、いわゆる二重管
構造の反応管２を有する縦型熱処理装置１のマニホール
ド７の内面における反応副生成物や析出物の付着を抑制
することができる。従って、例えばＡｓＨ_３、ＰＨ_３等
による減圧ながら比較的高圧例えば５０〜７００Ｔｏｒ
ｒ程度での拡散処理での析出物の付着抑制や、ＣＶＤ処
理におけるＳｉ_３Ｎ_４処理やＴＥＯＳ処理での反応副生
成物の付着抑制に有効である。また、本発明を併用すれ
ばマニホールドの加熱ヒーターの使用も、比較的簡易な
ヒーターの採用や低温での加熱で済むことになり、従来
技術の簡易化にも繋がる。

【００３０】図４は本発明の他の実施の形態を示す縦型
熱処理装置の縦断面図である。本実施の形態において、
前記実施の形態と同一部分については同一参照符号を付
して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明を加え
る。本実施の形態の縦型熱処理装置においては、第１の
絞り部２８が内管３の上端開口部にこれを覆うように設
けられた蓋部材３５と、この蓋部材３５に形成された孔
部３６とにより構成されている。前記孔部３６は、蓋部
材３５に周方向に沿って適宜間隔に複数個形成されてい
ることが好ましいが、長穴状ないしスリット状に形成さ
れていてもよい。本実施の形態においても、この第１の
絞り部２８を境として上流側（処理領域側）と下流側
（非処理領域側）とに圧力差が発生し、マニホールド７
内を処理領域の処理圧力よりも低い圧力にすることがで
き、前記実施の形態と同様の作用効果が得られる。

【００３１】図５は本発明の更に他の実施の形態を示す
縦型熱処理装置の縦断面図である。本実施の形態におい
て、前記実施の形態と同一部分については同一参照符号
を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明を
加える。本実施の形態の縦型熱処理装置においては、二
重管構造の反応管を採用せず、単管からなる反応管２を
採用している。すなわち、この反応管２は、内管３を有
しておらず、外管４のみからなっている。

【００３２】前記反応管２の下部に設けられたマニホー
ルド７には、反応管２内の上部（天井付近）に処理ガス
を導入噴出する縦長のガス導入部（インジェクタ管）５
と、反応管２内を下方から排気する排気部（排気管部）
６とが設けられているが、内側フランジ部８や内管支持
部材１６は設けられていない。反応管２内の処理領域以
外の領域での反応副生成物や析出物の付着を抑制すべく
処理領域以外の領域を処理領域の処理圧力よりも低い圧
力にするために、反応管２内の処理領域とそれ以外の領
域との間には圧力差を発生させるための絞り部３７が設
けられている。

【００３３】この絞り部３７は、例えば石英製のリング
板を反応管２の内周部に保温筒２３との間の隙間（ガス
流路）を狭めるべくフランジ状に設けることにより構成
されている。本実施の形態によれば、この絞り部３７を
境として上流側（処理領域側）と下流側（非処理領域
側）とに圧力差が発生し、マニホールド７内を処理領域
の処理圧力よりも低い圧力にすることができ、いわゆる
単管構造の反応管２を有する縦型熱処理装置のマニホー
ルド７の内面における反応副生成物や析出物の付着を抑
制することができる。

【００３４】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。本発明は、縦型熱処理装置以
外に例えば枚葉式の熱処理装置や横型熱処理装置にも適
用可能である。また、被処理体としては、半導体ウエハ
以外に例えばＬＣＤ基板等が適用可能である。

【００３５】

【発明の効果】以上要する本発明によれば、次のような
効果を奏することができる。

【００３６】（１）請求項１に係る発明によれば、処理
容器内の処理領域に被処理体を収容し、該被処理体を所
定の処理ガス、処理温度および処理圧力の下で熱処理す
る熱処理方法において、前記処理容器内の処理領域以外
の領域での反応副生成物もしくは析出物の付着を抑制す
べく該処理領域以外の領域を処理領域の処理圧力よりも
低い圧力にするようにしたので、処理容器内の処理領域
以外の領域での反応副生成物や析出物が比較的低温時の
蒸気圧でも昇華できるようになり、反応副生成物や析出
物の付着を抑制することができる。

【００３７】（２）請求項２に係る発明によれば、処理
容器内の処理領域に被処理体を収容し、該被処理体を所
定の処理ガス、処理温度および処理圧力の下で熱処理す
る熱処理装置において、前記処理容器内の処理領域以外
の領域での反応副生成物もしくは析出物の付着を抑制す
べく該処理領域以外の領域を処理領域の処理圧力よりも
低い圧力にするために、前記処理容器内に処理領域とそ
れ以外の領域とに圧力差を発生させる絞り部を設けてい
るため、処理容器内の処理領域以外の領域での反応副生
成物や析出物が比較的低温時の蒸気圧でも昇華できるよ
うになり、反応副生成物や析出物の付着を抑制すること
ができる。

【００３８】（３）請求項３に係る発明によれば、内管
と外管とからなる反応管の下部に、内管内に処理ガスを
導入するガス導入部と、内管と外管の間を排気する排気
部とを有する筒状のマニホールドを設け、前記反応管内
の処理領域に保持具を介して多段に保持された複数枚の
被処理体を収容し、該被処理体を所定の処理ガス、処理
温度および処理圧力の下で熱処理する熱処理装置におい
て、前記反応管内の処理領域以外の領域を処理領域の処
理圧力よりも低い圧力にするために、前記内管内よりも
下流でマニホールドよりも上流に第１の絞り部を設け、
前記内管の下方にその内外を連通する連通部を設けると
共に、この連通部よりも上方で内管の内側に第２の絞り
部を設けているため、いわゆる二重管構造の反応管を有
する縦型熱処理装置のマニホールドの内面における反応
副生成物や析出物の付着を抑制することができる。

【００３９】（４）請求項６に係る発明によれば、反応
管の下部に、反応管内に処理ガスを導入するガス導入部
と、反応管内を排気する排気部とを有する筒状のマニホ
ールドを設け、前記反応管内の処理領域に保持具を介し
て多段に保持された複数枚の被処理体を収容し、該被処
理体を所定の処理ガス、処理温度および処理圧力の下で
熱処理する熱処理装置において、前記反応管内の処理領
域以外の領域を処理領域の処理圧力よりも低い圧力にす
るために、前記反応管内の処理領域とそれ以外の領域と
の間に圧力差を発生させる絞り部を設けているため、い
わゆる単管構造の反応管を有する縦型熱処理装置のマニ
ホールドの内面における反応副生成物や析出物の付着を
抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を縦型熱処理装置に適用した実施の形態
を示す縦断面図である。

【図２】同熱処理装置の要部拡大断面図である。

【図３】マニホールドの内管支持部材を示す図で、
（ａ）は部分的平面図、（ｂ）は部分的側面図である。

【図４】本発明の他の実施の形態を示す縦型熱処理装置
の縦断面図である。

【図５】本発明の更に他の実施の形態を示す縦型熱処理
装置の縦断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 縦型熱処理装置（熱処理装置） ２ 反応管（処理容器） ５ ガス導入部 ６ 排気部 ７ マニホールド ２８ 第１の絞り部 ２９ 連通部 ３０ 第２の絞り部 ３７ 絞り部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器内の処理領域に被処理体を収容
   し、該被処理体を所定の処理ガス、処理温度および処理
   圧力の下で熱処理する熱処理方法において、前記処理容
   器内の処理領域以外の領域での反応副生成物もしくは析
   出物の付着を抑制すべく該処理領域以外の領域を処理領
   域の処理圧力よりも低い圧力にすることを特徴とする熱
   処理方法。
2. 【請求項２】 処理容器内の処理領域に被処理体を収容
   し、該被処理体を所定の処理ガス、処理温度および処理
   圧力の下で熱処理する熱処理装置において、前記処理容
   器内の処理領域以外の領域での反応副生成物もしくは析
   出物の付着を抑制すべく該処理領域以外の領域を処理領
   域の処理圧力よりも低い圧力にするために、前記処理容
   器内に処理領域とそれ以外の領域とに圧力差を発生させ
   る絞り部を設けたことを特徴とする熱処理装置。
3. 【請求項３】 内管と外管とからなる反応管の下部に、
   内管内に処理ガスを導入するガス導入部と、内管と外管
   の間を排気する排気部とを有する筒状のマニホールドを
   設け、前記反応管内の処理領域に保持具を介して多段に
   保持された複数枚の被処理体を収容し、該被処理体を所
   定の処理ガス、処理温度および処理圧力の下で熱処理す
   る熱処理装置において、前記反応管内の処理領域以外の
   領域を処理領域の処理圧力よりも低い圧力にするため
   に、前記内管内よりも下流でマニホールドよりも上流に
   第１の絞り部を設け、前記内管の下方にその内外を連通
   する連通部を設けると共に、この連通部よりも上方で内
   管の内側に第２の絞り部を設けたことを特徴とする熱処
   理装置。
4. 【請求項４】 前記第１の絞り部が内管と外管の間のガ
   ス流路におけるマニホールドよりも上流にフランジ状に
   設けられていることを特徴とする請求項３記載の熱処理
   装置。
5. 【請求項５】 前記第１の絞り部が内管の上端開口部に
   これを覆うように設けられた蓋部材と、この蓋部材に形
   成された孔部とにより構成されていることを特徴とする
   請求項３記載の熱処理装置。
6. 【請求項６】 反応管の下部に、反応管内に処理ガスを
   導入するガス導入部と、反応管内を排気する排気部とを
   有する筒状のマニホールドを設け、前記反応管内の処理
   領域に保持具を介して多段に保持された複数枚の被処理
   体を収容し、該被処理体を所定の処理ガス、処理温度お
   よび処理圧力の下で熱処理する熱処理装置において、前
   記反応管内の処理領域以外の領域を処理領域の処理圧力
   よりも低い圧力にするために、前記反応管内の処理領域
   とそれ以外の領域との間に圧力差を発生させる絞り部を
   設けたことを特徴とする熱処理装置。