JPH11145072A

JPH11145072A - 熱処理装置

Info

Publication number: JPH11145072A
Application number: JP32032597A
Authority: JP
Inventors: Tomohisa Shimazu; 知久島津
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1997-11-06
Filing date: 1997-11-06
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】温度検知ポート部分における気密性の向上を
図ると共に脱ガスおよび金属腐食の問題を低減ないし解
消する。【解決手段】被処理基板Ｗを収容して減圧雰囲気で熱
処理する処理室２内に温度温度検知ポート７から温度検
知管６を挿通して設けた熱処理装置１において、上記温
度検知ポート７の少なくとも内面を非金属で形成すると
共に、上記温度検知ポート７の開口端に上記温度検知管
６を挿通する挿通孔２６を有する当接体２７を気密に当
接させて接合し、この当接体２７の挿通孔２６内に上記
温度検知管６の軸方向に沿って一対のＯリング２８ａ，
２８ｂを所定の間隔で配して締め付け、これら両Ｏリン
グ２８ａ，２８ｂ間に減圧排気部２９を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理基板である半導体ウエハに酸化、拡散、ＣＶＤ、アニ
ールなどの処理を施すために、各種の熱処理装置が使用
されている。このような熱処理装置の一つである縦型熱
処理装置は、処理室として上端が閉塞された縦長の反応
管を有し、この反応管の周囲にはヒータが設けられてい
る。上記反応管の下端部には、処理ガス等を導入した
り、減圧排気したりするために、導入ポートおよび排気
ポートを有する短円筒状のマニホールドが接続されてい
る。また、マニホールドは、反応管内の温度を検知する
温度検知管を挿通するための温度検知ポートを有してい
る。

【０００３】このマニホールドの下方には、その下端開
口部を開閉する蓋体が昇降機構により昇降可能に設けら
れており、この蓋体上に半導体ウエハを多段に収容支持
した基板支持具であるウエハボートが保温筒を介して載
置されている。上記蓋体の昇降により反応管内へのウエ
ハボートと保温筒の搬入、搬出が行われるようになって
いる。

【０００４】上記反応管内に処理ガスを導入するため
に、上記導入ポートには処理ガス供給管が接続されると
共に、この処理ガス供給管からの処理ガスを反応管内に
導入する導入管が接続される。一般に、上記反応管や導
入管は、耐熱性、耐食性および非汚染性に優れていると
いう点で石英製とされているが、マニホールドは、各種
管類の取付けが必要である等の理由から金属製例えばス
テンレス鋼製とされている。

【０００５】図８は、従来の縦型熱処理装置における温
度検知ポート部分の構造を示している。この縦型熱処理
装置においては、マニホールド５の温度検知ポート７に
温度検知管６を気密に挿通するために、Ｏリング６０と
袋ナット６１が用いられている。上記温度検知ポート７
の内周に形成したテーパ部６２と押圧リング６３との間
にＯリング６０を挟み込み、袋ナット６１を温度検知ポ
ート７に螺合し、押圧リング６３を介してＯリング６０
を絞め付けることにより、温度検知ポート７と温度検知
管６との間を気密にシールしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た温度検知ポート部分の構造においては、単一のＯリン
グ６０で気密性を確保しているため、高真空プロセスを
行う場合、気密性に欠ける。また、Ｏリング６０が温度
検知ポート７と温度検知管６の隙間を通して反応管内に
露出しているため、Ｏリング６０からガスや含有水分の
放出（脱ガスともいう）が生じて反応管内に侵入しやす
い。また、処理ガスもしくはクリーニングガスとして腐
食性を有するガス例えば塩化水素（ＨＣｌ）を使用した
場合、反応管内を大気開放した際に上記温度検知ポート
７と温度検知管６の隙間に入り込んで温度検知ポート７
の内面に付着残存している大気中の水分と上記塩化水素
が反応して強い腐食性を示す塩酸が生成され、ステンレ
ス鋼で形成されているといえども導入ポート７の内面に
腐食（錆び）が生じることがある。これらの脱ガスや金
属の腐食の発生は、不純物を嫌う半導体ウエハの微細加
工に悪影響を与えるため、好ましくない。

【０００７】本発明は、上述した課題を解決すべくなさ
れたもので、温度検知ポート部分における気密性の向上
を図ると共に脱ガスおよび金属腐食の問題を低減ないし
解消することができる熱処理装置を提供することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明のうち請求項１に係る発明は、被処理基板を収
容して減圧雰囲気で熱処理する処理室内に温度検知ポー
トから温度検知管を挿通して設けた熱処理装置におい
て、上記温度検知ポートの少なくとも内面を非金属で形
成すると共に、上記温度検知ポートの開口端に上記温度
検知管を挿通する挿通孔を有する当接体を気密に当接さ
せて接合し、この当接体の挿通孔内に上記温度検知管の
軸方向に沿って一対のＯリングを所定の間隔で配して締
め付け、これら両Ｏリング間に減圧排気部を設けたこと
を特徴とする。

【０００９】請求項２に係る発明は、上記両Ｏリング間
に減圧排気部と連通した減圧排気穴を周面に有する間隔
保持管が配置されていることを特徴とする。

【００１０】請求項３に係る発明は、上記当接体が上記
温度検知ポートの開口端に当接する鏡面仕上げの当接面
を有する非金属製の当接部材を具備し、この当接部材に
上記一方のＯリングが当接されていることを特徴とす
る。

【００１１】請求項４に係る発明は、上記当接体の周縁
部に上記温度検知ポートの開口端との間をシールするシ
ール部材が設けられ、このシール部材と上記当接部材の
当接面との間に上記減圧排気部と連通した略環状の減圧
排気溝が形成されていることを特徴とする。

【００１２】

【実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添付図面
に基づいて詳述する。図１は本発明を縦型熱処理装置に
適用した実施の形態を示す縦断面図、図２は温度検知ポ
ート部分の構造を示す断面図、図３は当接体の当接面側
を示す正面図、図４は温度検知管の概略的構造を示す
図、図５は間隔保持管の斜視図、図６は当接部材の斜視
図、図７は接合用クランプ板の正面図である。

【００１３】図１において、１は半導体デバイスの製造
工程で用いられる処理装置の一つである縦型熱処理装置
である。この縦型熱処理装置１は、被処理基板である半
導体ウエハＷに要求される一連の熱処理が一台で行える
ように常圧から減圧雰囲気までの広い範囲での熱処理が
可能に構成されていることが好ましい。

【００１４】上記縦型熱処理装置１は、処理室として耐
熱性および耐食性を有する材料例えば石英からなる反応
管２を有している。この反応管２の外部は、大気圧側と
なる。上記反応管２は、縦長の円筒状で、その上端が閉
塞され、下端が開口されている。この反応管２の下部開
口端には、処理ガス等の導入および減圧排気を行なうた
めに、短管状に突出した導入ポート３および排気ポート
４を周面に有する短円筒状のマニホールド５が接続され
ている。また、マニホールド５は、反応管２内の温度を
検知する温度検知管６を挿通するための短管状に突出し
た温度検知ポート７を周面に有している。

【００１５】上記導入ポート３、排気ポート４および温
度検知ポート７を含むマニホールド５は、高耐熱性およ
び高耐食性とするために、非金属例えば炭化ケイ素（Ｓ
ｉＣ）により形成されていることが好ましい。上記マニ
ホールド５は、上方に水平に配置されたベースプレート
８に図示しない取付部材を介して取付けられており、そ
のマニホールド５上に上記反応管２を設置した構成がと
られる。マニホールド５と反応管２は、脱ガスや金属汚
染の防止対策が施された気密封止手段を介して気密に接
続されていることが好ましい。

【００１６】上記マニホールド５の内側には、例えば石
英製の円筒状の内管９が起立した状態で取付けられ、こ
の内管９と外管である反応管２とにより反応管２は二重
管構造とされていることが好ましい。上記導入ポート３
は、処理ガスや不活性ガス例えば窒素（Ｎ₂）ガスなど
の各種のガスを導入するためにマニホールド５の周面に
適宜間隔で複数形成されている。上記反応管２内に処理
ガスを導入するために、導入ポート３には、処理ガス供
給管１０が接続されると共に、この処理ガス供給管１０
からの処理ガスを導入ポート３から上記反応管２内に導
入する石英製の導入管（インジェクションパイプ、イン
ジェクタともいう）１１が取付けられている。

【００１７】一方、排気ポート３は、上記内管９と反応
管２との間の環状通路１２から処理後の排ガスを排気す
るように設けられている。排気ポート４には、排気系に
通じる排気管が接続され、この排気管には反応管２内を
所定の減圧雰囲気ないし真空度、例えば大気圧付近から
１０^-7Ｔｏｒｒ程度まで減圧排気することができる図示
しない真空ポンプ等を有する減圧制御装置（図示省略）
が設けられている。

【００１８】上記反応管２の周囲には、反応管２内を所
定の温度、例えば５００〜１２００℃に加熱するため
に、ヒータ１３が配置されている。このヒータ１３は、
ヒータ線（発熱抵抗線）１４をコイル状等に形成し、こ
のヒータ線１４の外側を断熱材１５で覆い、更にこの断
熱材１５の外側を冷却ジャケット等のアウターシェル１
６で覆った構造になっている。このヒータ１３は、上記
ベースプレート８上に設置されている。

【００１９】上記マニホールド５の下部開口端は、蓋体
１７で開閉可能に閉じられるようになっている。この蓋
体１７は、耐熱性および耐食性を有する材料、例えばス
テンレスにより形成されている。マニホールド５と蓋体
１７の接合部には、脱ガスや金属汚染の防止対策が施さ
れた気密封止手段が設けられていることが好ましい。蓋
体１７上には、例えば石英製の保温筒１８を介して基板
保持具である例えば石英製のウエハボート１９が載置さ
れる。このウエハボート１９には、被処理基板であるウ
エハＷが水平状態で高さ方向に所定の間隔で多数枚、例
えば１５０枚程度保持される。

【００２０】上記蓋体１７は、昇降機構２０の昇降アー
ム２１に取付けられており、この昇降機構２０により蓋
体１７の開閉と共に、反応管２に対するウエハボート１
９の搬入、搬出が行なわれるようになっている。上記蓋
体１７には、保温筒１８を介してウエハボート１９を軸
廻りに回転させるための回転機構（図示省略）が設けら
れていることが好ましい。

【００２１】上記温度検知管６は、長尺な絶縁管２２
と、この絶縁管２２の先端部に配した熱電対２３と、こ
の熱電対２３を含む絶縁管２２全体を収容する保護管２
４とから主に構成されている。上記絶縁管２２は、絶縁
性および耐熱性に優れた材料例えばアルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃）のセラミックにより形成されている。絶縁管２２
には、熱電対２３の素線２３ａ，２３ｂを個別に挿通す
る素線挿通孔２５が軸方向に設けられている。上記保護
管２４は、耐熱性を有し、且つ半導体ウエハＷに対して
汚染源にならない材料例えば石英、あるいは炭化ケイ素
により形成されている。

【００２２】上記温度検知管６は、側面Ｌ字状に形成さ
れており、基端側がマニホールド５の内側から温度検知
ポート７内を通って外部へ水平に延出され、先端側が所
定の温度領域を検知すべく反応管２内を上方へ立上がっ
た状態で配置される。温度検知管６は、図示例では内管
９とウエハボート１９の間に配置されているが、反応管
２と内管９の間に配置されていてもよい。この温度検知
管６を温度検知ポート７に気密に固定するために、温度
検知ポート７の開口端には、温度検知管６を挿通する挿
通孔２６を有する当接体２７が気密に当接して接合され
る。

【００２３】この当接体２７の挿通孔２６内には、図２
に示すように、上記温度検知管６の軸方向に沿って一対
のＯリング２８ａ，２８ｂが所定の間隔で配されて締め
付けられ、これら両Ｏリング２８ａ，２８ｂ間に減圧排
気部２９が設けられている。Ｏリング２８ａ，２８ｂ
は、気密性、耐熱性および耐食性を有する材料例えばフ
ッ素系ゴムからなっている。両Ｏリング２８ａ，２８ｂ
間には、両Ｏリング２８ａ，２８ｂ相互間の間隔を保持
するための間隔保持管（リテーナともいう）３０が配置
され、この間隔保持管３０の長手方向中間の周面には、
図５にも示すように、減圧排気部２９と連通した減圧排
気穴３１が複数例えば４つ穿設されている。

【００２４】更に具体的に説明すると、上記温度検知ポ
ート７の開口端には円形の外向きフランジ部３２が形成
されており、上記当接体２７は上記温度検知ポート７の
フランジ部３２を含む開口端面に当接する当接面３３を
有している。当接体２７は、その当接面３３の中央部に
上記温度検知ポート７の開口端に当接する鏡面仕上げの
当接面３４を有する非金属製例えば石英製の当接部材３
５を具備し、この当接部材３５に上記一方のＯリング２
８ａが当接されている。この当接部材３５には、温度検
知管６を挿通すると共に、上記一方のＯリング２８ａお
よび間隔保持管３０を温度検知管６の外周に緩く嵌めた
状態で当接面３４とは反対側から収容可能な挿通孔２６
ａが軸心に穿設され、当接面３４側にはＯリング２８ａ
を当接させるべく内径を縮小させた内向き鍔部３６が形
成されている。

【００２５】上記当接体２７の周縁部には、図３にも示
すように、上記温度検知ポート７の開口端との間をシー
ルするシール部材であるＯリング３７が設けられ、この
Ｏリング３７と上記当接部材３５の当接面３４との間に
上記減圧排気部２９と連通した略環状の減圧排気溝３８
が形成されている。上記当接体２７には、当接面３３側
に開口した円形の凹部３９が形成され、この凹部３９内
にこれよりも径の小さい円形の上記当接部材３５が収容
係止されている。

【００２６】この当接部材３５を当接体２７の凹部３９
内に収容係止するために、凹部３９の当接面３３側内周
には少なくとも２つの係止部４０が等間隔で突設され、
当接部材３５には、図６にも示すように、これらの係止
部４０に係止される外向き鍔部４１が形成されると共
に、この外向き鍔部４１の係止部４０と対応する位置に
は係止部４０の通過可能な切欠部４２が設けられてい
る。すなわち、係止部４０と切欠部４２を一致させるこ
とにより凹部３９に対して当接部材３５を挿入離脱で
き、凹部３９に当接部材３５を挿入して回動することに
より凹部３９内に当接部材３５を係止できる。いわゆる
ツイストロック構造で分解組立が容易であり、分解洗浄
が容易にできるようになっている。

【００２７】上記当接体２７の当接面３３とは反対側の
外端部には、温度検知管６を挿通すると共に、間隔保持
管３０、他方のＯリング２８ｂおよび押圧リング４３を
温度検知管６の外周に緩く嵌めた状態で収容可能な挿通
孔２６ｂを有する短管状の口部４４が突出形成されてい
る。この口部４４の外周に形成した雄ネジ部４５には、
上記押圧リング４３を介してＯリング２８ａ，２８ｂを
軸方向から押圧して締め付けるための袋ナット４６が螺
合されている。この締め付けにより、Ｏリング２８ａ，
２８ｂが径方向に変形し、一方のＯリング２８ａは当接
部材３５と温度検知管６に密着してこれらの間をシール
し、他方のＯリング２８ｂは口部４４と温度検知管６に
密着してこれらの間をシールするように構成されてい
る。

【００２８】上記当接体２７には、その凹部３９内を例
えば１０^-5Ｔｏｒｒ程度に減圧排気するための図示しな
いターボ分子ポンプ等からなる減圧排気装置に通じて凹
部３９と共に上記減圧排気部２９を構成する排気管４７
が接続されている。これにより、当接部材３５を含む当
接体２７と温度検知ポート７を真空密着させて気密性の
向上を図ると共に、Ｏリング２８ａ，２８ｂ，３７から
発生する脱ガスが反応管内２に侵入するのを抑制ないし
防止している。上記当接体２７は、機械加工および剛性
を要することから金属製例えばステンレス鋼製であるこ
とが好ましい。上記排気管４７は、金属製例えばステン
レス鋼製のフレキシブル管からなっている。気密性を向
上させるために、温度検知ポート７の開口端も、当接部
材３５の当接面３４と同様に、鏡面仕上げされているこ
とが好ましい。

【００２９】上記温度検知ポート７のフランジ部３２が
円形であるのに対して上記当接体２７は方形に形成され
ており、当接体２７の四隅には温度検知ポート７のフラ
ンジ部３２の周縁部を規制して軸心を合せるための位置
決め部４８が突出形成されている。上記当接体２７と温
度検知ポート７のフランジ部３２を当接接合するため
に、温度検知ポート７のフランジ部３２の背面部には、
四隅に締付けネジ４９を通す孔部５０を有する図７に示
すようなＵ字状の接合用クランプ板５１がクッション材
５２を介して当接され、当接体２７の四隅に形成された
雌ネジ部５３にクランプ板５１側から締付けネジ４９が
螺合されて締め付けられている。

【００３０】このように構成された縦型熱処理装置１に
よれば、温度検知ポート７に温度検知管６を挿通して気
密に固定する場合には、予め温度検知ポート７のフラン
ジ部３２に当接体２７を当接接合しておく。当接体２７
には、当接部材３５、Ｏリング２８ａ，２８ｂ、間隔保
持管３０、押圧リング４３を予め組込んでおき、袋ナッ
ト４６を緩めておく。この状態で、マニホールド５の内
側から温度検知管６の基端側を温度検知ポート７内を介
して当接体２７の挿通孔２６に挿通させてから、袋ナッ
ト４６を締め付ければよい。

【００３１】この袋ナット４６を締め付けると、押圧リ
ング４３を介してＯリング２８ａ，２８ｂ及び間隔保持
管３０が温度検知管６の軸方向に押圧され、一方のＯリ
ング２８ａは当接部材３５の内向き鍔部３６と間隔保持
管３０との間で、他方のＯリング２８ｂは間隔保持管３
０と押圧リング４３との間でそれぞれ同時に締め付けら
れて圧縮される。この圧縮により、両Ｏリング２８ａ，
２８ｂが径方向に変形し、一方のＯリング２８ａは当接
部材３５の内周面と温度検知管６の外周面とに密着して
これらの間をシールし、他方のＯリング２８ｂは当接体
２７の口部４４の内周面と温度検知管６の外周面とに密
着してこれらの間をシールし、温度検知管６を気密に保
持固定することができる。このようにＯリング２８ａ，
２８ｂによる二重シール構造により、当接体２７を含む
温度検知ポート７部分における温度検知管６の挿通部
（貫通部）を十分にシールできて気密性の向上が図れ、
高真空プロセスに対応できる。

【００３２】そして、上記排気管４７を介して当接体２
７の凹部３９内を減圧排気すると、この凹部３９と連通
した間隔保持管３０の減圧排気穴３１を通して両Ｏリン
グ２８ａ，２８ｂ間が減圧排気されるため、Ｏリング２
８ａ，２８ｂから発生する脱ガスを外部に排気すること
ができ、反応管２内への脱ガスの侵入を従来のシール構
造と比べて１／２〜１／１０程度に抑制ないし低減する
ことができる。また、上記凹部３９と連通した当接面側
の減圧排気溝３８を通して温度検知ポート７と当接体２
７の接合面におけるＯリング３７と鏡面仕上げの当接面
３４との間が減圧排気されるため、当接部材３５を含む
当接体３７と温度検知ポート７の開口端との接合面を気
密にシールすることができると共に、Ｏリング３７から
発生する脱ガスを外部に排気することができ、反応管２
内への脱ガスの侵入を防止することができる。

【００３３】特に、温度検知ポート７を含むマニホール
ド５が非金属例えば炭化ケイ素で形成されていることと
相俟って、当接部材３５も非金属例えば石英で形成され
ているおり、反応管２内に露出していて処理ガスと接す
る接ガス部が金属を含んでいないため、処理ガスもしく
はクリーニングガスとして腐食性を有するガス例えば塩
化水素（ＨＣｌ）を使用し、反応管２内を大気開放した
際に上記温度検知ポート７と温度検知管６の隙間に入り
込んで残存している大気中の水分と上記塩化水素が反応
して強い腐食性を示す塩酸が生成されたとしても、金属
の腐食という問題を引き起こすことがない。従って、温
度検知ポート７部分における脱ガスおよび金属腐食の問
題を可及的に低減ないし解消することができるため、不
純物を嫌う半導体ウエハの微細加工が可能となる。

【００３４】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、本発明は、縦型熱処
理装置に好適に適用されるが、横型熱処理装置や枚葉処
理式の熱処理装置にも勿論適用可能である。枚葉処理式
の熱処理装置の場合、半導体ウエハを一枚ずつ収容して
熱処理するための処理室を備えている。

【００３５】温度検知ポートを含むマニホールドは、非
金属製例えば炭化ケイ素製のものが好ましいが、金属製
例えばステンレス鋼製であってもよく、その場合、少な
くとも温度検知ポートの内面が非金属で形成されている
ことが好ましい。処理ガスやクリーニングガスとして腐
食性を有するガス例えば塩化水素を使用しても大気中の
水分と接触しない限り強い腐食性を示すことがなく、塩
化水素の使用前後に処理室内を不活性ガス例えば窒素
（Ｎ₂）ガスでパージすれば大気中の水分との接触を防
止することができる。ただ、温度検知ポートと温度検知
管の間の狭い隙間には大気中の水分が残存することがあ
るため、この隙間部分では金属が露出しないように少な
くとも温度検知ポートの内面が非金属で形成されている
ことが好ましい。

【００３６】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００３７】（１）請求項１に係る発明によれば、温度
検知ポートの少なくとも内面を非金属で形成すると共
に、上記温度検知ポートの開口端に温度検知管を挿通す
る挿通孔を有する当接体を気密に当接させて接合し、こ
の当接体の挿通孔内に上記温度検知管の軸方向に沿って
一対のＯリングを所定の間隔で配して締め付け、これら
両Ｏリング間に減圧排気部を設けているため、当接体を
含む温度検知ポート部分における温度検知管の挿通部を
Ｏリングによる二重シール構造により確実にシールする
ことができると共に、温度検知ポート部分における脱ガ
スおよび金属腐食の問題を低減ないし解消することがで
きる。

【００３８】（２）請求項２に係る発明によれば、上記
両Ｏリング間に減圧排気部と連通した減圧排気穴を周面
に有する間隔保持管が配置されているため、両Ｏリング
間の間隔を保持しつつ両Ｏリング間を容易に減圧排気す
ることができ、Ｏリングから発生する脱ガスの処理室内
への侵入を抑制ないし低減することができる。

【００３９】（３）請求項３に係る発明によれば、上記
当接体が上記温度検知ポートの開口端に当接する鏡面仕
上げの当接面を有する非金属製の当接部材を具備し、こ
の当接部材に上記一方のＯリングが当接されているた
め、当接部材と温度検知管の間を気密にシールすること
ができると共に、温度検知ポート部分において処理ガス
と接する接ガス部に金属を含まなくなり、金属腐食の問
題を更に解消することができる。

【００４０】（４）請求項４に係る発明によれば、上記
当接体の周縁部に上記温度検知ポートの開口端との間を
シールするシール部材が設けられ、このシール部材と上
記当接部材の当接面との間に上記減圧排気部と連通した
略環状の減圧排気溝が形成されているため、温度検知ポ
ートと当接体の接合面を確実に気密にシールすることが
できると共に、シール部材としてＯリングを使用しても
Ｏリングから発生する脱ガスが処理室内に侵入すること
がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を縦型熱処理装置に適用した実施の形態
を示す縦断面図である。

【図２】温度検知ポート部分の構造を示す断面図であ
る。

【図３】当接体の当接面側を示す正面図である。

【図４】温度検知管の概略的構造を示す図である。

【図５】間隔保持管の斜視図である。

【図６】当接部材の斜視図である。

【図７】接合用クランプ板の正面図である。

【図７】従来の熱処理装置における温度検知ポート部分
の構造を概略的に示す断面図である。

【符号の説明】

Ｗ半導体ウエハ（被処理基板）１縦型熱処理装置（熱処理装置）２反応管（処理室）６温度検知管７温度検知ポート２６挿通孔２７当接体２８ａ，２８ｂＯリング２９減圧排気部３０間隔保持管３１減圧排気穴３４当接面３５Ｏリング（シール部材）３８減圧排気溝

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【手続補正書】

【提出日】平成１０年１月２３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図２】温度検知ポート部分の構造を示す断面図であ
る。

【図３】当接体の当接面側を示す正面図である。

【図４】温度検知管の概略的構造を示す図である。

【図５】間隔保持管の斜視図である。

【図６】当接部材の斜視図である。

【図７】接合用クランプ板の正面図である。

【図８】従来の熱処理装置における温度検知ポート部分
の構造を概略的に示す断面図である。

【符号の説明】ｗ半導体ウエハ（被処理基板）１縦型熱処理装置（熱処理装置）２反応管（処理室）６温度検知管７温度検知ポート２６挿通孔２７当接体２８ａ，２８ｂＯリング２９減圧排気部３０間隔保持管３１減圧排気穴３４当接面３５Ｏリング（シール部材）３８減圧排気溝

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板を収容して減圧雰囲気で熱処
理する処理室内に温度検知ポートから温度検知管を挿通
して設けた熱処理装置において、上記温度検知ポートの
少なくとも内面を非金属で形成すると共に、上記温度検
知ポートの開口端に上記温度検知管を挿通する挿通孔を
有する当接体を気密に当接させて接合し、この当接体の
挿通孔内に上記温度検知管の軸方向に沿って一対のＯリ
ングを所定の間隔で配して締め付け、これら両Ｏリング
間に減圧排気部を設けたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】上記両Ｏリング間に減圧排気部と連通し
た減圧排気穴を周面に有する間隔保持管が配置されてい
ることを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項３】上記当接体が上記温度検知ポートの開口
端に当接する鏡面仕上げの当接面を有する非金属製の当
接部材を具備し、この当接部材に上記一方のＯリングが
当接されていることを特徴とする請求項１記載の熱処理
装置。
【請求項４】上記当接体の周縁部に上記温度検知ポー
トの開口端との間をシールするシール部材が設けられ、
このシール部材と上記当接部材の当接面との間に上記減
圧排気部と連通した略環状の減圧排気溝が形成されてい
ることを特徴とする請求項１または３記載の熱処理装
置。