JPH11135447A - 熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 導入ポート部分における脱ガスおよび金属腐
食の問題を解消する。 【解決手段】 被処理基板Ｗを収容して常圧または減圧
雰囲気で熱処理する処理室２と、この処理室２内に処理
ガスを導入するために処理ガス供給管１８を接続する導
入ポート３と、この導入ポート３から上記処理室２内に
処理ガスを導入する導入管１９とを備えた熱処理装置に
おいて、上記導入ポート３の少なくとも内面を非金属で
形成し、上記処理ガス供給管１８が上記導入ポート３の
開口端に当接される当接面２１を有し、この当接面２１
に上記導入管１９内に挿入されてこの導入管１９を保持
すると共に処理ガスを供給する保持管部２２を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理基板である半導体ウエハに酸化、拡散、ＣＶＤ、アニ
ールなどの処理を施すために、各種の熱処理装置が使用
されている。このような熱処理装置の一つである縦型熱
処理装置は、処理室として上端が閉塞された縦長の反応
管を有し、この反応管の周囲にはヒータが設けられてい
る。上記反応管の下端部には、処理ガス等を導入した
り、減圧排気したりするために、導入ポートおよび排気
ポートを有する短円筒状のマニホールドが接続されてい
る。

【０００３】このマニホールドの下方には、その下端開
口部を開閉する蓋体が昇降機構により昇降可能に設けら
れており、この蓋体上に半導体ウエハを多段に収容支持
した基板支持具であるウエハボートが保温筒を介して載
置されている。上記蓋体の昇降により反応管内へのウエ
ハボートと保温筒の搬入、搬出が行われるようになって
いる。

【０００４】上記反応管内に処理ガスを導入するため
に、上記導入ポートには処理ガス供給管が接続されると
共に、この処理ガス供給管からの処理ガスを反応管内に
導入する導入管が接続される。一般に、上記反応管や導
入管は、耐熱性、耐食性および非汚染性に優れていると
いう点で石英製とされているが、マニホールドは、各種
管類の取付けが必要である等の理由から金属製例えばス
テンレス鋼製とされている。

【０００５】図６は、従来の縦型熱処理装置における導
入ポート部分の構造を示している。この縦型熱処理装置
においては、マニホールド５の導入ポート３に処理ガス
供給管１８および導入管１９を気密に接続するために、
Ｏリング４０と袋ナット４１が用いられている。上記導
入ポート３の内周に形成したテーパー部４２と処理ガス
供給管１８の先端部との間にＯリング４０を挟み込み、
袋ナット４１を導入ポート３に螺合して絞め付けること
により、処理ガス供給管１８と導入ポート３を気密に接
続すると共に、上記Ｏリング４０を導入管１９の外周面
に密着させて導入ポート３内に導入管１９を気密状態で
固定保持している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た導入ポート部分の構造においては、Ｏリング４０が導
入ポート３と導入管１９の隙間を通して反応管内に露出
しているため、Ｏリング４０からガスや含有水分の放出
（脱ガスともいう）が生じる。また、処理ガスもしくは
クリーニングガスとして腐食性を有するガス例えば塩化
水素（ＨＣｌ）を使用した場合、反応管内を大気開放し
た際に上記導入ポート３と導入管１９の隙間に入り込ん
で導入ポート３の内面に付着残存している大気中の水分
と上記塩化水素が反応して強い腐食性を示す塩酸が生成
され、ステンレス鋼で形成されているといえども導入ポ
ート３の内面に腐食（錆び）が生じることがある。これ
らの脱ガスや金属の腐食の発生は、不純物を嫌う半導体
ウエハの微細加工に悪影響を与えるため、好ましくな
い。

【０００７】本発明は、上述した課題を解決すべくなさ
れたもので、導入ポート部分における脱ガスおよび金属
腐食の問題を解消した熱処理装置を提供することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明のうち請求項１に係る発明は、被処理基板を収
容して常圧または減圧雰囲気で熱処理する処理室と、こ
の処理室内に処理ガスを導入するために処理ガス供給管
を接続する導入ポートと、この導入ポートから上記処理
室内に処理ガスを導入する導入管とを備えた熱処理装置
において、上記導入ポートの少なくとも内面を非金属で
形成し、上記処理ガス供給管が上記導入ポートの開口端
に当接される当接面を有し、この当接面に上記導入管内
に挿入されてこの導入管を保持すると共に処理ガスを供
給する保持管部を設けたことを特徴とする。

【０００９】請求項２に係る発明は、請求項１記載の熱
処理装置における上記処理ガス供給管の当接面が鏡面仕
上げされており、この当接面の周縁部に導入ポートとの
間をシールするシール部材が設けられていると共に、こ
のシール部材と上記保持管部との間に環状の減圧排気溝
が設けられていることを特徴とする。

【００１０】請求項３に係る発明は、請求項１記載の熱
処理装置における上記保持管部には上記導入管ができる
だけ隙間のない状態で差し込まれ、保持管部の先端部に
は上記導入管の内面を押圧するバネ性を持たせるために
複数の切込みが形成されていることを特徴とする。

【００１１】請求項４に係る発明は、被処理基板を収容
して常圧または減圧雰囲気で熱処理する反応管と、この
反応管に接続され、処理ガス供給管等を接続する導入ポ
ートおよび排気ポートを有するマニホールドと、このマ
ニホールドの導入ポートから上記反応管内に処理ガスを
導入する導入管とを備えた熱処理装置において、上記マ
ニホールドを炭化ケイ素で形成し、上記処理ガス供給管
が上記導入ポートの開口端に当接される鏡面仕上げの当
接面を有し、この当接面に上記導入管内に挿入されてこ
の導入管を保持すると共に処理ガスを供給する保持管部
を設け、当接面の周縁部に導入ポートとの間をシールす
るシール部材を設けると共に、このシール部材と上記保
持管部との間に環状の減圧排気溝を設けたことを特徴と
する。

【００１２】

【実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添付図面
に基づいて詳述する。図１は本発明を縦型熱処理装置に
適用した実施の形態を示す縦断面図、図２は同縦型熱処
理装置の導入ポート部分の構造を示す拡大断面図、図３
は処理ガス供給管の当接面を示す正面図、図４は保持管
部と導入管の寸法関係を示す図、図５は雌ネジプレート
の正面図である。

【００１３】図１において、１は半導体デバイスの製造
工程で用いられる処理装置の一つである縦型熱処理装置
である。この縦型熱処理装置１は、被処理基板である半
導体ウエハＷに要求される一連の熱処理が一台で行える
ように常圧から減圧雰囲気までの広い範囲での熱処理が
可能に構成されていることが好ましい。

【００１４】上記縦型熱処理装置１は、処理室として耐
熱性および耐食性を有する材料例えば石英からなる反応
管２を有している。この反応管２の外部は、大気圧側と
なる。上記反応管２は、縦長の円筒状で、その上端が閉
塞され、下端が開口されている。この反応管２の下部開
口端には、処理ガス等の導入および減圧排気を行なうた
めに、短管状に突出した導入ポート３および排気ポート
４を周面に有する短円筒状のマニホールド５が接続され
ている。

【００１５】上記導入ポート３および排気ポート４を含
むマニホールド５は、高耐熱性および高耐食性とするた
めに、非金属例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）により形成さ
れていることが好ましい。上記マニホールド５は、上方
に水平に配置されたベースプレート６に図示しない取付
部材を介して取付けられており、そのマニホールド５上
に上記反応管２を設置した構成がとられる。マニホール
ド５と反応管２は、脱ガスや金属汚染の防止対策が施さ
れた気密封止手段を介して気密に接続されていることが
好ましい。

【００１６】上記マニホールド５の内側には、石英ガラ
スからなる円筒状の内管７が起立した状態で取付けら
れ、この内管７と外管である反応管２とにより反応管２
は二重管構造とされていることが好ましい。上記導入ポ
ート３は、処理ガスや不活性ガス例えば窒素（Ｎ₂）ガ
スなどの各種のガスを導入するためにマニホールド５の
周面に適宜間隔で複数形成されている。導入ポート３
は、処理ガス等を導入するために後述するごとく構成さ
れている。

【００１７】一方、排気ポート３は、上記内管７と反応
管２との間の環状通路８から処理後の排ガスを排気する
ように設けられている。排気ポート４には、排気系に通
じる図示しない排気管が接続され、排気管には反応管２
内を所定の減圧雰囲気ないし真空度、例えば大気圧付近
から１０^-7Ｔｏｒｒ程度まで減圧排気することができる
図示しない真空ポンプ等を有する減圧制御装置（図示省
略）が設けられている。

【００１８】上記反応管２の周囲には、反応管２内を所
定の温度、例えば５００〜１２００℃に加熱するため
に、ヒータ９が配置されている。このヒータ９は、ヒー
タ線（発熱抵抗線）１０をコイル状等に形成し、このヒ
ータ線１０の外側を断熱材１１で覆い、更にこの断熱材
１１の外側を冷却ジャケット等のアウターシェル１２で
覆った構造になっている。このヒータ９は、上記ベース
プレート６上に設置されている。

【００１９】上記マニホールド５の下部開口端は、蓋体
１３で開閉可能に閉じられるようになっている。この蓋
体１３は、耐熱性および耐食性を有する材料、例えばス
テンレスにより形成されている。マニホールド５と蓋体
１３の接合部には、脱ガスや金属汚染の防止対策が施さ
れた気密封止手段が設けられていることが好ましい。蓋
体１３上には、例えば石英製の保温筒１４を介して基板
保持具である例えば石英製のウエハボート１５が載置さ
れる。このウエハボート１５には、被処理基板であるウ
エハＷが水平状態で高さ方向に所定の間隔で多数枚、例
えば１５０枚程度保持される。

【００２０】上記蓋体１３は、昇降機構１６の昇降アー
ム１７に取付けられており、この昇降機構１６により蓋
体１３の開閉と共に、反応管２に対するウエハボート１
５の搬入、搬出が行なわれるようになっている。上記蓋
体１３には、保温筒１４を介してウエハボート１５を軸
廻りに回転させるための回転機構（図示省略）が設けら
れていることが好ましい。

【００２１】上記反応管２内に処理ガスを導入するため
に、導入ポート３には処理ガス供給管１８が接続される
と共に、この処理ガス供給管１８からの処理ガスを導入
ポート３から上記反応管２内に導入する石英製の導入管
（インジェクションパイプ、インジェクタともいう）１
９が取付けられる。この導入管１９は、一端がマニホー
ルド５の内側から導入ポート３内に水平に挿入され、他
端が内管７と保温筒１４の間に垂直に立上がったＬ字状
に形成されている。

【００２２】上記導入ポート３の開口端周縁部には、処
理ガス供給管１８を接続するためのフランジ部２０が形
成されている。上記処理ガス供給管１８は、図２ないし
図３に示すように、上記導入ポート３の開口端に当接さ
れる当接面２１を有している。この当接面２１は、気密
性を向上させるために鏡面仕上げされていることが好ま
しく、また、導入ポート３の開口端も鏡面仕上げされて
いることが好ましい。この当接面２１には、上記導入管
１９内に挿入されてこの導入管１９を保持すると共に処
理ガスを供給する保持管部２２が設けらている。更に詳
しく説明すると、上記処理ガス供給管１８には、導入ポ
ート３のフランジ部２０を含む開口端面に面接触で当接
する当接面２１を有する当接体２３が接続されている。

【００２３】上記当接体２３の当接面に対してその中心
部（軸心部）から垂直に上記保持管部２２が突設されて
いる。当接体２３の軸心部には、保持管部２２の基端部
を固定するための凹部２４と、この凹部２４に固定され
た保持管部２２と処理ガス供給管１８を連通するガス通
路２５とが形成されている。上記保持管部２２は、分解
洗浄を可能とするために、当接体２３の凹部２４に形成
された雌ネジ部（図示省略）に保持管部２２の基端部に
形成された雄ネジ部２６（図４参照）を螺合することに
より当接体２３に着脱可能に取付けられている。保持管
部２２の基端部には、螺合部に残存するガスを抜き取る
ためのガス抜き穴２７が設けられていることが好まし
い。

【００２４】上記保持管部２２には上記導入管１９がで
きるだけ隙間のない状態で差し込まれ、保持管部２２の
先端部には上記導入管１９の内面を押圧するバネ性を持
たせるために複数の切込み２８が形成されていることが
好ましい。これらの切込み２８は、保持管部２２の先端
側を周方向に複数に分割するごとく先端から軸方向略中
間にかけてスリット状に形成される。図４に示すよう
に、保持管部２２の外径ｄ1は、導入管１９の内径ｄ2よ
りも少しだけ小さく形成され、保持管部２２に導入管１
９を差し込んだ嵌合状態のときにこれらの隙間から処理
ガスが漏れにくいように隙間をできるだけ小さくしてい
る。

【００２５】また、上記嵌合状態のときに、保持管部２
２の先端部を自らの弾性力（バネ力）で導入管１９の内
面に押圧させるために、保持管部２２の先端部の外径ｄ
3は、導入管１９の内径ｄ2よりも少しだけ大きく形成さ
れていることが好ましい。導入管１９の内径ｄ2を例え
ば８ｍｍとした場合、保持管部２２の外径ｄ1は、例え
ば７．８５ｍｍ、保持管部２２の先端部の外径ｄ3は、
例えば８．１ｍｍとされる。なお、導入管１９の外径ｄ
4は、導入ポート３の内径よりも小さく形成されてい
る。また、保持管部２２に対する導入管１９の差し込み
を容易にするために、導入管１９の開口端にはテーパー
２９が形成されていることが好ましい。

【００２６】上記当接体２３の当接面２１の周縁部に
は、導入ポート３との間（具体的には導入ポート３のフ
ランジ部２０との間）をシールするシール部材例えばフ
ッ素系ゴム製のＯリング３０が設けられていると共に、
このＯリング３０と上記保持管部２２との間には環状の
減圧排気溝３１が設けられている。上記当接体２３の当
接面２１の周縁部には、Ｏリング３０を取付けるための
環状の取付溝３２が形成され、当接体２３の当接面２１
にはその取付溝３２よりも内側にこの取付溝３２に近接
して上記減圧排気溝３１が形成されていることが好まし
い。

【００２７】上記当接体２３には、上記減圧排気溝３１
と連通してこの減圧排気溝３１内を例えば１０^-5Ｔｏｒ
ｒ程度に減圧排気するための図示しない減圧排気装置に
通じる排気管３３が接続されている。これにより、処理
ガス供給管１８の当接体２３と導入ポート３の間からの
漏れ、すなわち反応管２内への大気の侵入およびＯリン
グ３０から発生する脱ガスの侵入を防止している。上記
当接体２３および保持管部２２は、機械加工および剛性
を要することから金属製例えばステンレス鋼製であるこ
とが好ましい。上記処理ガス供給管１８および排気管３
３は、金属製例えばステンレス鋼製のフレキシブル管か
らなっている。

【００２８】上記導入ポート３のフランジ部２０が円形
であるのに対して上記当接体２３は方形に形成されてお
り、当接体２３の四隅には導入ポート３のフランジ部２
０の周縁部を規制して軸心を合せるための位置決め部３
４が突出形成されている。上記当接体２３と導入ポート
３のフランジ部２０を接合するために、当接体２３の四
隅には締付ネジ３５を通す孔部３６が設けられ、フラン
ジ部２０の背面部には上記締付ネジ３５を螺合する雌ネ
ジ孔３７を四隅に有するＵ字状の雌ネジプレート３８
（図５参照）が同形状の座板３９を介して当接される。
これにより、処理ガス供給管１８の当接体２３と導入ポ
ート３のフランジ部２０とを容易に且つ確実に接合する
ことができるようになっている。

【００２９】このように構成された縦型熱処理装置１に
よれば、導入ポート３に処理ガス供給管１８および導入
管１９を接続する場合には、先ず導入ポート３に外側か
ら保持管部２２を挿入しつつ導入ポート３のフランジ部
２０に処理ガス供給管１８の当接体２３を当接させて接
合手段である締付ネジ３５および雌ネジプレート３８に
より接合し、次にマニホールド５の内側から導入管１９
の一端を導入ポート３内に挿入しつつ保持管部２２に差
し込むだけでよい。上記保持管部２２には上記導入管１
９ができるだけ隙間のない状態で差し込まれ、保持管部
２２の先端部には上記導入管２２の内面を押圧するバネ
性を持たせるために複数の切込み２８が形成されている
ため、保持管部２２と導入管１９との隙間からの処理ガ
スの漏れを十分に少なくすることができると共に、導入
管１９を簡単な構造で確実に固定することができる。

【００３０】特に、金属製の保持管部２２を石英製の導
入管１９内に差し込んで導入管１９を保持するように構
成されているため、金属露出部を可及的に少なくするこ
とができ、しかも上記導入ポート３を含むマニホールド
５が炭化ケイ素で形成されているため、処理ガスもしく
はクリーニングガスとして腐食性を有するガス例えば塩
化水素（ＨＣｌ）を使用し、反応管２内を大気開放した
際に上記導入ポート３と導入管１９の隙間に入り込んで
導入ポート３の内面等に付着残存している大気中の水分
と上記塩化水素が反応して強い腐食性を示す塩酸が生成
されたとしても、金属の腐食を可及的に低減ないし防止
することができる。

【００３１】また、上記導入管１９の保持構造によりＯ
リングを用いずに導入管１９を固定することができるた
め、Ｏリングの有する脱ガスの問題も発生しない。ま
た、処理ガス供給管１８が導入ポート３の開口端に当接
される鏡面仕上げの当接面２１を有し、この当接面２１
の周縁部に導入ポート３との間をシールするシール部材
例えばＯリング３０が設けると共に、このＯリング３０
と上記保持管部２２との間に環状の減圧排気溝３１が設
けられているため、処理ガス供給管１８と導入ポート３
とを気密に接続してリークを防止することができると共
に、たとえ上記Ｏリング３０から脱ガスが発生したとし
てもこれを減圧排気溝３１から外部に排気することがで
き、反応管２内への脱ガスの侵入を防止することができ
る。従って、導入ポート３部分における脱ガスおよび金
属腐食の問題を可及的に低減ないし解消することができ
るため、不純物を嫌う半導体ウエハの微細加工が可能と
なる。

【００３２】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、本発明は、縦型熱処
理装置に好適に適用されるが、横型熱処理装置や枚葉処
理式の熱処理装置にも勿論適用可能である。枚葉処理式
の熱処理装置の場合、半導体ウエハを一枚ずつ収容して
熱処理するための処理室を備えている。

【００３３】導入ポートおよびマニホールドは、非金属
製例えば炭化ケイ素製のものが好ましいが、金属製例え
ばステンレス鋼製であってもよく、その場合、少なくと
も導入ポートの内面が非金属で形成されていることが好
ましい。処理ガスやクリーニングガスとして腐食性を有
するガス例えば塩化水素を使用しても大気中の水分と接
触しない限り強い腐食性を示すことがなく、塩化水素の
使用前後に処理室内を不活性ガス例えば窒素（Ｎ₂）ガ
スでパージすれば大気中の水分との接触を防止すること
ができる。ただ、導入ポートと導入管の間の狭い隙間に
は大気中の水分が残存することがあるため、この隙間部
分では金属が露出しないように少なくとも導入ポートの
内面が非金属で形成されていると共に、金属製の保持管
部が石英製の導入管で被覆されていることが好ましい。

【００３４】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００３５】（１）請求項１に係る発明によれば、熱処
理装置における導入ポートの少なくとも内面を非金属で
形成し、処理ガス供給管が上記導入ポートの開口端に当
接される当接面を有し、この当接面に上記導入管内に挿
入されてこの導入管を保持すると共に処理ガスを供給す
る保持管部を設けているため、Ｏリングを用いずに導入
管を固定することができると共に保持管部を導入管で覆
って金属露出部を可及的に少なくすることができ、導入
ポート部分における脱ガスおよび金属腐食の問題を低減
ないし解消することができる。

【００３６】（２）請求項２に係る発明によれば、上記
処理ガス供給管の当接面が鏡面仕上げされており、この
当接面の周縁部に導入ポートとの間をシールするシール
部材が設けられていると共に、このシール部材と上記保
持管部との間に環状の減圧排気溝が設けられているた
め、処理ガス供給管と導入ポートとを気密に接続するこ
とができると共に、上記シール部材としてＯリングを用
いたとしても脱ガスが処理室内に侵入することがない。

【００３７】（３）請求項３に係る発明によれば、上記
保持管部には上記導入管ができるだけ隙間のない状態で
差し込まれ、保持管部の先端部には上記導入管の内面を
押圧するバネ性を持たせるために複数の切込みが形成さ
れているため、保持管部と導入管との隙間からの処理ガ
スの漏れを十分に少なくすることができると共に、導入
管を簡単な構造で確実に固定することができる。

【００３８】（４）請求項４に係る発明によれば、熱処
理装置におけるマニホールドを炭化ケイ素で形成し、処
理ガス供給管が導入ポートの開口端に当接される鏡面仕
上げの当接面を有し、この当接面に導入管内に挿入され
てこの導入管を保持すると共に処理ガスを供給する保持
管部を設け、当接面の周縁部に導入ポートとの間をシー
ルするシール部材を設けると共に、このシール部材と上
記保持管部との間に環状の減圧排気溝を設けているた
め、処理ガス供給管と導入ポートとを気密に接続するこ
とができると共にＯリングを用いずに導入管を固定する
ことができ、上記シール部材としてＯリングを用いたと
しても脱ガスが反応管内に侵入することがなく、しかも
保持管部を導入管で覆って金属露出部を可及的に少なく
することができ、導入ポート部分における脱ガスおよび
金属腐食の問題を低減ないし解消することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を縦型熱処理装置に適用した実施の形態
を示す縦断面図である。

【図２】同縦型熱処理装置の導入ポート部分の構造を示
す拡大断面図である。

【図３】処理ガス供給管の当接面を示す正面図である。

【図４】保持管部と導入管の寸法関係を示す図である。

【図５】雌ネジプレートの正面図である。

【図６】従来の縦型熱処理装置の導入ポート部分の構造
を示す断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） １ 縦型熱処理装置（熱処理装置） ２ 反応管（処理室） ３ 導入ポート ４ 排気ポート ５ マニホールド １８ 処理ガス供給管 １９ 導入管 ２１ 当接面 ２２ 保持管部 ２８ 切込み ３０ Ｏリング（シール部材） ３１ 減圧排気溝

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を収容して常圧または減圧雰
   囲気で熱処理する処理室と、この処理室内に処理ガスを
   導入するために処理ガス供給管を接続する導入ポート
   と、この導入ポートから上記処理室内に処理ガスを導入
   する導入管とを備えた熱処理装置において、上記導入ポ
   ートの少なくとも内面を非金属で形成し、上記処理ガス
   供給管が上記導入ポートの開口端に当接される当接面を
   有し、この当接面に上記導入管内に挿入されてこの導入
   管を保持すると共に処理ガスを供給する保持管部を設け
   たことを特徴とする熱処理装置。
2. 【請求項２】 上記処理ガス供給管の当接面が鏡面仕上
   げされており、この当接面の周縁部に導入ポートとの間
   をシールするシール部材が設けられていると共に、この
   シール部材と上記保持管部との間に環状の減圧排気溝が
   設けられていることを特徴とする請求項１記載の熱処理
   装置。
3. 【請求項３】 上記保持管部には上記導入管ができるだ
   け隙間のない状態で差し込まれ、保持管部の先端部には
   上記導入管の内面を押圧するバネ性を持たせるために複
   数の切込みが形成されていることを特徴とする請求項１
   記載の熱処理装置。
4. 【請求項４】 被処理基板を収容して常圧または減圧雰
   囲気で熱処理する反応管と、この反応管に接続され、処
   理ガス供給管等を接続する導入ポートおよび排気ポート
   を有するマニホールドと、このマニホールドの導入ポー
   トから上記反応管内に処理ガスを導入する導入管とを備
   えた熱処理装置において、上記マニホールドを炭化ケイ
   素で形成し、上記処理ガス供給管が上記導入ポートの開
   口端に当接される鏡面仕上げの当接面を有し、この当接
   面に上記導入管内に挿入されてこの導入管を保持すると
   共に処理ガスを供給する保持管部を設け、当接面の周縁
   部に導入ポートとの間をシールするシール部材を設ける
   と共に、このシール部材と上記保持管部との間に環状の
   減圧排気溝を設けたことを特徴とする熱処理装置。