JPH06151550A - ウェハーフォーク - Google Patents
ウェハーフォークInfo
- Publication number
- JPH06151550A JPH06151550A JP29609792A JP29609792A JPH06151550A JP H06151550 A JPH06151550 A JP H06151550A JP 29609792 A JP29609792 A JP 29609792A JP 29609792 A JP29609792 A JP 29609792A JP H06151550 A JPH06151550 A JP H06151550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- fork
- holding
- semiconductor wafers
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェハーのサイズ変更があった場合にお
いても新規なウェハーフォークを設計製作することな
く、外径サイズが異なる複数の半導体ウェハーに適用で
きるウェハーフォークを提供する。 【構成】半導体製造工程において半導体ウェハーＷを保
持して順次搬送するウェハーフォーク７であり、外径が
異なる複数の半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 をそれぞ
れ所定位置に保持可能な保持機構８をフォーク本体７ａ
に設け、この保持機構８は、半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6
，Ｗ8 の外周縁部に当接してこの半導体ウェハーＷ4
，Ｗ6 ，Ｗ8 を保持する複数の保持ピン９と、この保
持ピン９をフォーク本体７ａに着脱自在に固定するため
にフォーク本体７ａに穿設された複数の固定穴Ｈ4 ，Ｈ
6 ，Ｈ8 とを備え、搬送する半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6
，Ｗ8 の直径の大小に応じて上記保持ピン９を対応す
る固定穴Ｈ4 ，Ｈ6 ，Ｈ8 に固定するように構成する。
いても新規なウェハーフォークを設計製作することな
く、外径サイズが異なる複数の半導体ウェハーに適用で
きるウェハーフォークを提供する。 【構成】半導体製造工程において半導体ウェハーＷを保
持して順次搬送するウェハーフォーク７であり、外径が
異なる複数の半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 をそれぞ
れ所定位置に保持可能な保持機構８をフォーク本体７ａ
に設け、この保持機構８は、半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6
，Ｗ8 の外周縁部に当接してこの半導体ウェハーＷ4
，Ｗ6 ，Ｗ8 を保持する複数の保持ピン９と、この保
持ピン９をフォーク本体７ａに着脱自在に固定するため
にフォーク本体７ａに穿設された複数の固定穴Ｈ4 ，Ｈ
6 ，Ｈ8 とを備え、搬送する半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6
，Ｗ8 の直径の大小に応じて上記保持ピン９を対応す
る固定穴Ｈ4 ，Ｈ6 ，Ｈ8 に固定するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造工程において
半導体ウェハーの移送搬送用に使用されるウェハーフォ
ークに係り、特に外径が異なる複数種類の半導体ウェハ
ーを搬送可能なウェハーフォークに関する。
半導体ウェハーの移送搬送用に使用されるウェハーフォ
ークに係り、特に外径が異なる複数種類の半導体ウェハ
ーを搬送可能なウェハーフォークに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体製造工程の半導体ウェハ
ーの熱処理工程や搬送ラインにおいては、単結晶シリコ
ンをスライスした多数の半導体ウェハーを順次、移送搬
送するために、ウェハーフォークやウェハーチャック等
の各種保持具が使用されている。ウェハーフォークは平
板状の本体中央部に、半導体ウェハーが嵌入する浅い凹
部を形成して構成される一方、ウェハーチャックは、真
空吸着または静電作用に基づいてウェハーを吸着保持す
る保持具である。
ーの熱処理工程や搬送ラインにおいては、単結晶シリコ
ンをスライスした多数の半導体ウェハーを順次、移送搬
送するために、ウェハーフォークやウェハーチャック等
の各種保持具が使用されている。ウェハーフォークは平
板状の本体中央部に、半導体ウェハーが嵌入する浅い凹
部を形成して構成される一方、ウェハーチャックは、真
空吸着または静電作用に基づいてウェハーを吸着保持す
る保持具である。
【０００３】図６および図７はそれぞれ従来のウェハー
フォーク１の構造例を示す平面図および断面図である。
このウェハーフォーク１は、ステンレス鋼や石英ガラス
から成るフォーク本体１ａの中央部に、半導体ウェハー
２を載置したときに半導体ウェハー２の周縁部と接触し
て所定位置に保持する周縁段部３と、上記半導体ウェハ
ー２の中央部とフォーク本体１ａとが非接触とするよう
に形成した凹部４とから構成される。
フォーク１の構造例を示す平面図および断面図である。
このウェハーフォーク１は、ステンレス鋼や石英ガラス
から成るフォーク本体１ａの中央部に、半導体ウェハー
２を載置したときに半導体ウェハー２の周縁部と接触し
て所定位置に保持する周縁段部３と、上記半導体ウェハ
ー２の中央部とフォーク本体１ａとが非接触とするよう
に形成した凹部４とから構成される。
【０００４】また、上記のフォーク本体１ａとしては、
ステンレス鋼板を所定形状に切削加工した後に、加工表
面をふっ素樹脂被膜等でコーティングしたものやフォー
ク全体を石英ガラスで構成したものが主として使用され
ていた。
ステンレス鋼板を所定形状に切削加工した後に、加工表
面をふっ素樹脂被膜等でコーティングしたものやフォー
ク全体を石英ガラスで構成したものが主として使用され
ていた。
【０００５】上記ウェハーフォーク１は、例えば搬送用
のロボットアーム５の先端取付部に締着ねじ６を介して
一体的に固着され、微細な間隙を介して多段に半導体ウ
ェハー２を収納するカートリッジやウェハーキャリア
（カセット）の間隙部に挿通され、半導体ウェハー２を
１枚ずつ凹部４にすくい上げて保持し、次工程の熱処理
工程等に搬送する。
のロボットアーム５の先端取付部に締着ねじ６を介して
一体的に固着され、微細な間隙を介して多段に半導体ウ
ェハー２を収納するカートリッジやウェハーキャリア
（カセット）の間隙部に挿通され、半導体ウェハー２を
１枚ずつ凹部４にすくい上げて保持し、次工程の熱処理
工程等に搬送する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のウェハーフォークは、搬送対象となる１種類の半導
体ウェハーの外径に合せて周縁段部および凹部を形成し
ているため、１種類のみの半導体ウェハーしか搬送でき
ず、外径が異なる複数種類の半導体には適用できない欠
点があった。
来のウェハーフォークは、搬送対象となる１種類の半導
体ウェハーの外径に合せて周縁段部および凹部を形成し
ているため、１種類のみの半導体ウェハーしか搬送でき
ず、外径が異なる複数種類の半導体には適用できない欠
点があった。
【０００７】近年、シリコンの単結晶化サイズも４〜６
インチからさらに８インチと大型化が可能になり、シリ
コン単結晶をスライスして形成する半導体ウェハーも大
口径化する傾向にある。したがって設計変更によりウェ
ハーサイズを変更する場合に備え、各サイズに対応した
高価なウェハーフォークを複数個常備する必要があり、
設備費用および製造コストが大幅に上昇する問題点があ
った。またウェハーサイズを変更する場合には、その都
度、ウェハーフォークの煩雑な着脱作業が必要となり、
運転員の作業負荷を増大させる問題点があった。
インチからさらに８インチと大型化が可能になり、シリ
コン単結晶をスライスして形成する半導体ウェハーも大
口径化する傾向にある。したがって設計変更によりウェ
ハーサイズを変更する場合に備え、各サイズに対応した
高価なウェハーフォークを複数個常備する必要があり、
設備費用および製造コストが大幅に上昇する問題点があ
った。またウェハーサイズを変更する場合には、その都
度、ウェハーフォークの煩雑な着脱作業が必要となり、
運転員の作業負荷を増大させる問題点があった。
【０００８】一方ステンレス鋼表面に樹脂コーティング
したウェハーフォークでは、コーティング層が短期間に
破れ、鉄やアルカリ塩などの不純物がウェハー側に転移
し易く汚染を引き起し易い欠点がある。また本体を構成
するステンレス鋼が塑性変形を起こし易く、高精度の搬
送動作が困難となる場合が多い。またステンレス鋼自体
の靭性が高いため、万一搬送装置自体が誤動作した場合
にはウェハーフォークによって高価なロボット等の周辺
設備が破損され、製造工程が停止するおそれもあった。
したウェハーフォークでは、コーティング層が短期間に
破れ、鉄やアルカリ塩などの不純物がウェハー側に転移
し易く汚染を引き起し易い欠点がある。また本体を構成
するステンレス鋼が塑性変形を起こし易く、高精度の搬
送動作が困難となる場合が多い。またステンレス鋼自体
の靭性が高いため、万一搬送装置自体が誤動作した場合
にはウェハーフォークによって高価なロボット等の周辺
設備が破損され、製造工程が停止するおそれもあった。
【０００９】一方、石英ガラスで構成したウェハーフォ
ークでは、コーティング層を形成しない場合でも不純物
汚染の心配は少なく、また熱的に安定で有利である一
方、強度および剛性がやや低いため、繰り返して使用す
る構造体として使用するには難点があった。
ークでは、コーティング層を形成しない場合でも不純物
汚染の心配は少なく、また熱的に安定で有利である一
方、強度および剛性がやや低いため、繰り返して使用す
る構造体として使用するには難点があった。
【００１０】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、半導体ウェハーのサイズ変更があった
場合においても新規なウェハーフォークを設計製作する
ことなく、外径サイズが異なる複数の半導体ウェハーに
適用できるウェハーフォークを提供することを目的とす
る。
れたものであり、半導体ウェハーのサイズ変更があった
場合においても新規なウェハーフォークを設計製作する
ことなく、外径サイズが異なる複数の半導体ウェハーに
適用できるウェハーフォークを提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るウェハーフォークは、半導体製造工程
において半導体ウェハーを保持して順次搬送するウェハ
ーフォークであり、外径が異なる複数の半導体ウェハー
をそれぞれ所定位置に保持可能な保持機構をフォーク本
体に設けたことを特徴とする。
め、本発明に係るウェハーフォークは、半導体製造工程
において半導体ウェハーを保持して順次搬送するウェハ
ーフォークであり、外径が異なる複数の半導体ウェハー
をそれぞれ所定位置に保持可能な保持機構をフォーク本
体に設けたことを特徴とする。
【００１２】また保持機構は、半導体ウェハーの外周縁
部に当接して半導体ウェハーを保持する複数の保持ピン
と、この保持ピンをフォーク本体に着脱自在に固定する
ためにフォーク本体に穿設された複数の固定穴とを備
え、搬送する半導体ウェハーの直径の大小に応じて上記
保持ピンを対応する固定穴に固定するように構成すると
よい。
部に当接して半導体ウェハーを保持する複数の保持ピン
と、この保持ピンをフォーク本体に着脱自在に固定する
ためにフォーク本体に穿設された複数の固定穴とを備
え、搬送する半導体ウェハーの直径の大小に応じて上記
保持ピンを対応する固定穴に固定するように構成すると
よい。
【００１３】さらに他の保持機構としては、直径が異な
る複数の半導体ウェハーをそれぞれ嵌合保持するために
フォーク本体に形成された複数の嵌合凹部から成ること
を特徴する。
る複数の半導体ウェハーをそれぞれ嵌合保持するために
フォーク本体に形成された複数の嵌合凹部から成ること
を特徴する。
【００１４】またフォーク本体は、窒化けい素（Ｓｉ3
Ｎ4 ）、サイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ）、酸化アル
ミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ2 ）および炭化けい素（ＳｉＣ）の少なくとも１種の
セラミックス材料で形成するとよい。
Ｎ4 ）、サイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ）、酸化アル
ミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ2 ）および炭化けい素（ＳｉＣ）の少なくとも１種の
セラミックス材料で形成するとよい。
【００１５】さらに上記保持ピンもセラミックス材料で
形成することにより、接触するウェハーの汚染を効果的
に防止することができる。上記窒化けい素（Ｓｉ
3 Ｎ4 ）、サイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ）および酸
化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）は、いずれも他のセラミッ
クス材料と比較して剛性、靭性値等の強度値および耐環
境特性値が高く、ウェハーフォークのように薄く形成し
た場合においても、充分な耐久性を有するとともに、耐
熱衝撃性も優れているため、半導体製造工程のあらゆる
プロセス条件で使用することができる。
形成することにより、接触するウェハーの汚染を効果的
に防止することができる。上記窒化けい素（Ｓｉ
3 Ｎ4 ）、サイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ）および酸
化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）は、いずれも他のセラミッ
クス材料と比較して剛性、靭性値等の強度値および耐環
境特性値が高く、ウェハーフォークのように薄く形成し
た場合においても、充分な耐久性を有するとともに、耐
熱衝撃性も優れているため、半導体製造工程のあらゆる
プロセス条件で使用することができる。
【００１６】なおフォーク本体をステンレス鋼で製造す
る場合には研削加工により、ステンレス素材に固定穴や
嵌合凹部を形成した後に、表面にふっ素樹脂コーティン
グ層を形成し、フォーク本体成分のウェハーへの転移を
防止する構造を採用する。
る場合には研削加工により、ステンレス素材に固定穴や
嵌合凹部を形成した後に、表面にふっ素樹脂コーティン
グ層を形成し、フォーク本体成分のウェハーへの転移を
防止する構造を採用する。
【００１７】一方、フォーク本体を、例えば窒化けい素
やサイアロンで形成する場合、ウェハーフォークは下記
のような手順で製造される。まず、窒化けい素粉末およ
びサイアロン粉末の少なくとも一方に対して、焼結助剤
としてのＡｌ2 Ｏ3 粉末を０．５〜５重量％、ＡｌＮ粉
末を０．５〜５重量％、Ｙ2 Ｏ3 粉末を１〜７重量％、
ＴｉＯ2 粉末を０〜３重量％を添加して均一に混合して
原料混合体を調製し、この原料混合体を金型プレス等に
よって加圧成形し、均一な厚さを有する矩形のセラミッ
クス成形体を形成する。
やサイアロンで形成する場合、ウェハーフォークは下記
のような手順で製造される。まず、窒化けい素粉末およ
びサイアロン粉末の少なくとも一方に対して、焼結助剤
としてのＡｌ2 Ｏ3 粉末を０．５〜５重量％、ＡｌＮ粉
末を０．５〜５重量％、Ｙ2 Ｏ3 粉末を１〜７重量％、
ＴｉＯ2 粉末を０〜３重量％を添加して均一に混合して
原料混合体を調製し、この原料混合体を金型プレス等に
よって加圧成形し、均一な厚さを有する矩形のセラミッ
クス成形体を形成する。
【００１８】次に得られたセラミックス成形体をレーザ
加工により切断し、所定の輪郭を有するウェハーフォー
ク成形体を形成する。次にこのウェハーフォーク成形体
を所定条件で脱脂しさらに焼結し、得られたウェハー焼
結体を研削加工して固定穴および嵌合凹部等を形成した
後、表面に汚染防止用のふっ素樹脂コーティング等を施
して製造される。
加工により切断し、所定の輪郭を有するウェハーフォー
ク成形体を形成する。次にこのウェハーフォーク成形体
を所定条件で脱脂しさらに焼結し、得られたウェハー焼
結体を研削加工して固定穴および嵌合凹部等を形成した
後、表面に汚染防止用のふっ素樹脂コーティング等を施
して製造される。
【００１９】別法として焼結操作の前に、すなわち成形
体の段階でセラミックス成形体をレーザ切断加工して所
定形状の固定穴および嵌合凹部を形成し、しかる後に焼
結してもよい。例えばセラミックス成形体に微細なレー
ザ光を照射して切断加工（グリーン加工）してもよい。
すなわちレーザ光は、光学系の集光レンズによって微細
に集束され、形成しようとするウェハーフォークの輪郭
線に対応する位置に照射される。照射されたレーザ光は
成形体の照射部を高温度に加熱し、該部のセラミックス
成分等を瞬時に揮散せしめる。その結果、微細で寸法精
度が高いウェハーフォーク成形体が効率的に形成され
る。
体の段階でセラミックス成形体をレーザ切断加工して所
定形状の固定穴および嵌合凹部を形成し、しかる後に焼
結してもよい。例えばセラミックス成形体に微細なレー
ザ光を照射して切断加工（グリーン加工）してもよい。
すなわちレーザ光は、光学系の集光レンズによって微細
に集束され、形成しようとするウェハーフォークの輪郭
線に対応する位置に照射される。照射されたレーザ光は
成形体の照射部を高温度に加熱し、該部のセラミックス
成分等を瞬時に揮散せしめる。その結果、微細で寸法精
度が高いウェハーフォーク成形体が効率的に形成され
る。
【００２０】上記のように成形体の段階でレーザ加工に
よってセラミックス成形体を切断加工する場合には、切
断による衝撃力が極めて小さいため、加工影響が少な
く、軟質な成形体であっても変形やクラックを生じるお
それがなく、最終製品形状に極めて近い寸法精度が高い
フォーク成形体を効率的に形成することができる。
よってセラミックス成形体を切断加工する場合には、切
断による衝撃力が極めて小さいため、加工影響が少な
く、軟質な成形体であっても変形やクラックを生じるお
それがなく、最終製品形状に極めて近い寸法精度が高い
フォーク成形体を効率的に形成することができる。
【００２１】
【作用】上記構成に係るウェハーフォークによれば、外
径が異なる複数の半導体ウェハーをそれぞれ保持可能な
保持機構をフォーク本体に設けているため、１枚のウェ
ハーフォークで複数種類の半導体ウェハーを取り扱うこ
とが可能となり、従来のように各ウェハーの外径毎に個
別に調製していた場合と比較してウェハーフォークの設
備費を大幅に低減することができる上に、ウェハーのサ
イズ変更の都度、必要とされていたウェハーフォークの
着脱操作が不要となり、運転員の作業負荷を大幅に低減
することができる。
径が異なる複数の半導体ウェハーをそれぞれ保持可能な
保持機構をフォーク本体に設けているため、１枚のウェ
ハーフォークで複数種類の半導体ウェハーを取り扱うこ
とが可能となり、従来のように各ウェハーの外径毎に個
別に調製していた場合と比較してウェハーフォークの設
備費を大幅に低減することができる上に、ウェハーのサ
イズ変更の都度、必要とされていたウェハーフォークの
着脱操作が不要となり、運転員の作業負荷を大幅に低減
することができる。
【００２２】またウェハーフォークをセラミックス材料
で形成することにより、不純物金属成分がウェハーに転
移することが防止できウェハーの不純物汚染が効果的に
防止できる。
で形成することにより、不純物金属成分がウェハーに転
移することが防止できウェハーの不純物汚染が効果的に
防止できる。
【００２３】
【実施例】次に本発明の実施例について添付図面を参照
して説明する。図１および図２はそれぞれ本発明に係る
ウェハーフォークの第１実施例の平面図および断面図で
あり、図３は保持ピンの形状例を示す斜視図である。
して説明する。図１および図２はそれぞれ本発明に係る
ウェハーフォークの第１実施例の平面図および断面図で
あり、図３は保持ピンの形状例を示す斜視図である。
【００２４】すなわち第１実施例に係るウェハーフォー
ク７は半導体製造工程において半導体ウェハーＷを保持
して順次搬送するウェハーフォーク７であり、外径が４
インチ、６インチ、８インチの半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ
6 ，Ｗ8 をそれぞれ所定位置に保持可能な保持機構８を
Ａｌ2 Ｏ3 製のフォーク本体７ａに設け、さらにこの保
持機構８は、上記半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 のそ
れぞれの外周縁部に当接して半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6
，Ｗ8 を保持する４個の保持ピン９と、この保持ピン
９をフォーク本体７ａに着脱自在に固定するためにフォ
ーク本体７ａに穿設された１２個の固定穴Ｈ4 ，Ｈ6 ，
Ｈ8 とを備え、搬送する半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ
8 の直径の大小に応じて上記保持ピン９を対応する固定
穴Ｈ4 ，Ｈ6 ，Ｈ8 に固定するように構成される。
ク７は半導体製造工程において半導体ウェハーＷを保持
して順次搬送するウェハーフォーク７であり、外径が４
インチ、６インチ、８インチの半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ
6 ，Ｗ8 をそれぞれ所定位置に保持可能な保持機構８を
Ａｌ2 Ｏ3 製のフォーク本体７ａに設け、さらにこの保
持機構８は、上記半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 のそ
れぞれの外周縁部に当接して半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6
，Ｗ8 を保持する４個の保持ピン９と、この保持ピン
９をフォーク本体７ａに着脱自在に固定するためにフォ
ーク本体７ａに穿設された１２個の固定穴Ｈ4 ，Ｈ6 ，
Ｈ8 とを備え、搬送する半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ
8 の直径の大小に応じて上記保持ピン９を対応する固定
穴Ｈ4 ，Ｈ6 ，Ｈ8 に固定するように構成される。
【００２５】またウェハー保持ピン９は窒化けい素（Ｓ
ｉ3 Ｎ4 ）焼結体で形成され、図３に示すように、ウェ
ハー本体７ａに穿設した固定穴Ｈ4 〜Ｈ6 に嵌装され保
持ピン９の位置を固定する固定穴差込部１０と、ウェハ
ーＷ4 〜Ｗ8 の周縁部を受けて支持するウェハー支持部
１１と、ウェハーＷ4 〜Ｗ8 の外周側縁に当接してウェ
ハーＷ4 〜Ｗ8 の位置決めを行うウェハー位置決め部１
２とから成る。
ｉ3 Ｎ4 ）焼結体で形成され、図３に示すように、ウェ
ハー本体７ａに穿設した固定穴Ｈ4 〜Ｈ6 に嵌装され保
持ピン９の位置を固定する固定穴差込部１０と、ウェハ
ーＷ4 〜Ｗ8 の周縁部を受けて支持するウェハー支持部
１１と、ウェハーＷ4 〜Ｗ8 の外周側縁に当接してウェ
ハーＷ4 〜Ｗ8 の位置決めを行うウェハー位置決め部１
２とから成る。
【００２６】４インチ用半導体ウェハーＷ4 を支持する
ための固定穴Ｈ4 は、保持ピン９のウェハー位置決め部
１２がウェハーＷ4 の外周側縁に当接する所定のピッチ
円位置でウェハー本体７ａに４個穿設される。以下６イ
ンチ用、８インチ用半導体ウェハーＷ6 ，Ｗ8 を支持す
るための固定穴Ｈ6 ，Ｈ8 も同様に、ウェハーＷの中心
位置Ｏに対して同心状に所定のピッチ円上に４個ずつ穿
設される。またウェハー本体７ａの端部にはウェハーフ
ォーク７をロボットアーム５に取り付けるための取付穴
１３が穿設され、ウェハーフォーク７は取付穴１３に締
着ねじ６を挿通してロボットアーム５に取り付けられ
る。
ための固定穴Ｈ4 は、保持ピン９のウェハー位置決め部
１２がウェハーＷ4 の外周側縁に当接する所定のピッチ
円位置でウェハー本体７ａに４個穿設される。以下６イ
ンチ用、８インチ用半導体ウェハーＷ6 ，Ｗ8 を支持す
るための固定穴Ｈ6 ，Ｈ8 も同様に、ウェハーＷの中心
位置Ｏに対して同心状に所定のピッチ円上に４個ずつ穿
設される。またウェハー本体７ａの端部にはウェハーフ
ォーク７をロボットアーム５に取り付けるための取付穴
１３が穿設され、ウェハーフォーク７は取付穴１３に締
着ねじ６を挿通してロボットアーム５に取り付けられ
る。
【００２７】上記第１実施例に係るウェハーフォーク７
において、搬送するウェハーサイズが、例えば８インチ
用ウェハーＷ8 に変更される場合には、４個の保持ピン
９を抜き出し、その固定穴差込部１０を図２に示すよう
に固定穴Ｈ8 に差し替える操作だけで８インチ用ウェハ
ーＷ8 を載置できる。すなわち保持ピン９を各外径サイ
ズ用の固定穴Ｈ4 〜Ｈ8 に差し替えるだけで各種サイズ
の半導体ウェハーＷ4〜Ｗ8 に適用することができ、１
枚のウェハーフォーク７の適用範囲を大幅に拡張するこ
とができる。
において、搬送するウェハーサイズが、例えば８インチ
用ウェハーＷ8 に変更される場合には、４個の保持ピン
９を抜き出し、その固定穴差込部１０を図２に示すよう
に固定穴Ｈ8 に差し替える操作だけで８インチ用ウェハ
ーＷ8 を載置できる。すなわち保持ピン９を各外径サイ
ズ用の固定穴Ｈ4 〜Ｈ8 に差し替えるだけで各種サイズ
の半導体ウェハーＷ4〜Ｗ8 に適用することができ、１
枚のウェハーフォーク７の適用範囲を大幅に拡張するこ
とができる。
【００２８】また半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 のサ
イズ変更に伴うウェハーフォークの着脱操作が無用とな
り、フォークを使用する半導体製造装置の段取り時間
が、従来の１種対応型のウェハーフォーク１と比較して
１／５程度になった。また３種類の半導体ウェハーＷ4
，Ｗ6 ，Ｗ8 に対して１枚のウェハーフォーク７で対
応できるため、従来の１種対応型のウェハーフォーク１
の３枚分と比較して、その製造コストが３５％程度に低
減された。
イズ変更に伴うウェハーフォークの着脱操作が無用とな
り、フォークを使用する半導体製造装置の段取り時間
が、従来の１種対応型のウェハーフォーク１と比較して
１／５程度になった。また３種類の半導体ウェハーＷ4
，Ｗ6 ，Ｗ8 に対して１枚のウェハーフォーク７で対
応できるため、従来の１種対応型のウェハーフォーク１
の３枚分と比較して、その製造コストが３５％程度に低
減された。
【００２９】次に本発明の第２実施例について図４およ
び図５を参照して説明する。図４および図５はそれぞれ
第２実施例に係るウェハーフォークの平面図および断面
図である。なお、図１〜図３に示す第１実施例と同一要
素には同一符号を付している。
び図５を参照して説明する。図４および図５はそれぞれ
第２実施例に係るウェハーフォークの平面図および断面
図である。なお、図１〜図３に示す第１実施例と同一要
素には同一符号を付している。
【００３０】すなわち、第２実施例に係るウェハーフォ
ーク１３は、半導体製造工程において半導体ウェハーＷ
を保持して順次搬送するウェハーフォーク１３であり、
外径が４インチ、６インチ、８インチの半導体ウェハー
Ｗ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 をそれぞれ所定位置に保持可能な保持
機構１４をＳｉ3 Ｎ4 製のフォーク本体１３ａに設け、
さらに、この保持機構１４は、上記４インチ、６イン
チ、８インチの半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 をそれ
ぞれ嵌合保持するためにフォーク本体１３ａに形成され
た３個の嵌合凹部Ｓ4 ，Ｓ6 ，Ｓ8 から構成される。
ーク１３は、半導体製造工程において半導体ウェハーＷ
を保持して順次搬送するウェハーフォーク１３であり、
外径が４インチ、６インチ、８インチの半導体ウェハー
Ｗ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 をそれぞれ所定位置に保持可能な保持
機構１４をＳｉ3 Ｎ4 製のフォーク本体１３ａに設け、
さらに、この保持機構１４は、上記４インチ、６イン
チ、８インチの半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 をそれ
ぞれ嵌合保持するためにフォーク本体１３ａに形成され
た３個の嵌合凹部Ｓ4 ，Ｓ6 ，Ｓ8 から構成される。
【００３１】上記ウェハーフォーク１３は下記の手順で
製造した。
製造した。
【００３２】すなわち窒化けい素粉末に対してＡｌ2 Ｏ
3 粉末を４重量％と、ＡｌＮ粉末を３重量％と、Ｙ2 Ｏ
3 粉末を５重量％とを均一に添加した混合粉末を調合
し、８００kg／cm2 の圧力で金型プレス成形し、得られ
た厚さ５mmのセラミックス成形体を機械加工により切断
してフォーク成形体を形成し、得られたフォーク成形体
を窒素ガス雰囲気中で温度７００℃で３時間脱脂し、引
き続き、窒素ガス雰囲気中にて温度１７５０℃で６時間
焼結してウェハーフォーク焼結体を調製した。
3 粉末を４重量％と、ＡｌＮ粉末を３重量％と、Ｙ2 Ｏ
3 粉末を５重量％とを均一に添加した混合粉末を調合
し、８００kg／cm2 の圧力で金型プレス成形し、得られ
た厚さ５mmのセラミックス成形体を機械加工により切断
してフォーク成形体を形成し、得られたフォーク成形体
を窒素ガス雰囲気中で温度７００℃で３時間脱脂し、引
き続き、窒素ガス雰囲気中にて温度１７５０℃で６時間
焼結してウェハーフォーク焼結体を調製した。
【００３３】次に得られたウェハーフォーク焼結体につ
いてカップ砥石を使用して研削加工し、各半導体ウェハ
ーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 の外径に合せた各嵌合凹部Ｓ4 ，Ｓ
6 ，Ｓ8 を形成した。
いてカップ砥石を使用して研削加工し、各半導体ウェハ
ーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 の外径に合せた各嵌合凹部Ｓ4 ，Ｓ
6 ，Ｓ8 を形成した。
【００３４】各嵌合凹部Ｓ4 ，Ｓ6 ，Ｓ8 の水平部分は
対応する半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6，Ｗ8 を嵌合載置し
た場合に、ウェハーと接触する部位であり、接触による
不純物汚染を防止するために、水平部分の幅は小さい方
が好ましい。各嵌合凹部Ｓ4，Ｓ6 ，Ｓ8 は、半導体ウ
ェハーＷの中心位置Ｏに対して同心状かつ階段状に配置
形成され、最下段の嵌合凹部Ｓ4 の下側には、半導体ウ
ェハーＷ4 の中央部がフォーク本体１３ａと非接触とな
るように深さ０．１mmの凹部４を形成した。
対応する半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6，Ｗ8 を嵌合載置し
た場合に、ウェハーと接触する部位であり、接触による
不純物汚染を防止するために、水平部分の幅は小さい方
が好ましい。各嵌合凹部Ｓ4，Ｓ6 ，Ｓ8 は、半導体ウ
ェハーＷの中心位置Ｏに対して同心状かつ階段状に配置
形成され、最下段の嵌合凹部Ｓ4 の下側には、半導体ウ
ェハーＷ4 の中央部がフォーク本体１３ａと非接触とな
るように深さ０．１mmの凹部４を形成した。
【００３５】上記第２実施例に係るウェハーフォーク１
３によれば、形成した嵌合凹部Ｓ4，Ｓ6 ，Ｓ8 に対応
する複数種類の半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 を、何
ら段取り操作を必要とせずに載置することが可能となっ
た。したがって、半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 のサ
イズ変更に伴うウェハーフォーク１３のロボットアーム
５への着脱操作が不要となり、従来の１種対応型のウェ
ハーフォーク１と比較して装置の段取り時間が１／６程
度になった。また従来の１種対応型のウェハーフォーク
１の３枚分と比較して、その製造コストが３０％程度に
低減され、半導体製造設備の運転費および保守費を大幅
に削減することが可能となった。
３によれば、形成した嵌合凹部Ｓ4，Ｓ6 ，Ｓ8 に対応
する複数種類の半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 を、何
ら段取り操作を必要とせずに載置することが可能となっ
た。したがって、半導体ウェハーＷ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 のサ
イズ変更に伴うウェハーフォーク１３のロボットアーム
５への着脱操作が不要となり、従来の１種対応型のウェ
ハーフォーク１と比較して装置の段取り時間が１／６程
度になった。また従来の１種対応型のウェハーフォーク
１の３枚分と比較して、その製造コストが３０％程度に
低減され、半導体製造設備の運転費および保守費を大幅
に削減することが可能となった。
【００３６】上記第１実施例および第２実施例において
は、それぞれ固定穴に差し込んだ保持ピンまたは嵌合凹
部によって半導体ウェハーを保持する方式を採用してい
るが、本発明は上記実施例に限定されない。すなわち１
基のウェハー本体に上記保持ピンおよび嵌合凹部を配設
して複数の半導体ウェハーを保持するように構成するこ
ともできる。
は、それぞれ固定穴に差し込んだ保持ピンまたは嵌合凹
部によって半導体ウェハーを保持する方式を採用してい
るが、本発明は上記実施例に限定されない。すなわち１
基のウェハー本体に上記保持ピンおよび嵌合凹部を配設
して複数の半導体ウェハーを保持するように構成するこ
ともできる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明の通り、本発明に係るウェハー
フォークによれば、外径が異なる複数の半導体ウェハー
をそれぞれ保持可能な保持機構をフォーク本体に設けて
いるため、１枚のウェハーフォークで複数種類の半導体
ウェハーを取り扱うことが可能となり、従来のように各
ウェハーの外径毎に個別に調製していた場合と比較して
ウェハーフォークの設備費を大幅に低減することができ
る上に、ウェハーのサイズ変更の都度、必要とされてい
たウェハーフォークの着脱操作が不要となり、運転員の
作業負荷を大幅に低減することができる。
フォークによれば、外径が異なる複数の半導体ウェハー
をそれぞれ保持可能な保持機構をフォーク本体に設けて
いるため、１枚のウェハーフォークで複数種類の半導体
ウェハーを取り扱うことが可能となり、従来のように各
ウェハーの外径毎に個別に調製していた場合と比較して
ウェハーフォークの設備費を大幅に低減することができ
る上に、ウェハーのサイズ変更の都度、必要とされてい
たウェハーフォークの着脱操作が不要となり、運転員の
作業負荷を大幅に低減することができる。
【００３８】またウェハーフォークをセラミックス材料
で形成することにより、不純物金属成分がウェハーに転
移することが防止できウェハーの不純物汚染が効果的に
防止できる。
で形成することにより、不純物金属成分がウェハーに転
移することが防止できウェハーの不純物汚染が効果的に
防止できる。
【図１】本発明に係るウェハーフォークの第１実施例を
示す平面図。
示す平面図。
【図２】図１におけるII−II矢視断面図。
【図３】第１実施例において使用する保持ピンの形状例
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図４】本発明に係るウェハーフォークの第２実施例を
示す平面図。
示す平面図。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ矢視断面図。
【図６】従来のウェハーフォークの構造例を示す平面
図。
図。
【図７】図６におけるVII −VII 矢視断面図。
１ ウェハーフォーク １ａ フォーク本体 ２ 半導体ウェハー ３ 周縁段部 ４ 凹部 ５ ロボットアーム ６ 締着ねじ ７ ウェハーフォーク ７ａ フォーク本体 ８ 保持機構 ９ 保持ピン １０ 固定穴差込み部 １１ ウェハー支持部 １２ ウェハー位置決め部 １３ ウェハーフォーク １４ 保持機構 Ｈ，Ｈ4 ，Ｈ6 ，Ｈ8 固定穴 Ｏ ウェハー中心位置 Ｓ4 ，Ｓ6 ，Ｓ8 嵌合凹部 Ｗ，Ｗ4 ，Ｗ6 ，Ｗ8 半導体ウェハー
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体製造工程において半導体ウェハー
を保持して順次搬送するウェハーフォークであり、外径
が異なる複数の半導体ウェハーをそれぞれ所定位置に保
持可能な保持機構をフォーク本体に設けたことを特徴と
するウェハーフォーク。 - 【請求項２】 半導体製造工程において半導体ウェハー
を保持して順次搬送するウェハーフォークであり、外径
が異なる複数の半導体ウェハーをそれぞれ所定位置に保
持可能な保持機構をフォーク本体に設け、上記保持機構
は半導体ウェハーの外周縁部に当接して半導体ウェハー
を保持する複数の保持ピンと、この保持ピンをフォーク
本体に着脱自在に固定するためにフォーク本体に穿設さ
れた複数の固定穴とを備え、搬送する半導体ウェハーの
直径の大小に応じて上記保持ピンを対応する固定穴に固
定するように構成したことを特徴とするウェハーフォー
ク。 - 【請求項３】 半導体製造工程において半導体ウェハー
を保持して順次搬送するウェハーフォークであり、外径
が異なる複数の半導体ウェハーをそれぞれ所定位置に保
持可能な保持機構をフォーク本体に設け、上記保持機構
は直径が異なる複数の半導体ウェハーをそれぞれ嵌合保
持するためにフォーク本体に形成された複数の嵌合凹部
から成ることを特徴とするウェハーフォーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29609792A JPH06151550A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | ウェハーフォーク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29609792A JPH06151550A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | ウェハーフォーク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151550A true JPH06151550A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17829095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29609792A Pending JPH06151550A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | ウェハーフォーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151550A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001035903A (ja) * | 1999-05-28 | 2001-02-09 | Applied Materials Inc | ウェーハ・ハンドリング装置用組立体 |
| JP2004200678A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-15 | Tokyo Electron Ltd | 取外し可能な半導体ウェハサセプタ |
| JP2011205044A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置及び基板処理装置 |
| JP5316689B1 (ja) * | 2012-10-31 | 2013-10-16 | 千住金属工業株式会社 | 位置出し治具及び位置調整方法 |
| WO2014017587A1 (ja) | 2012-07-26 | 2014-01-30 | 千住金属工業株式会社 | 半導体ウエハー搬送治具 |
| CN104600018A (zh) * | 2013-10-30 | 2015-05-06 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种基板烘烤支承装置 |
| KR20170000059A (ko) * | 2015-06-22 | 2017-01-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 열처리용 기판 적재 장치 |
| CN107039307A (zh) * | 2015-10-22 | 2017-08-11 | 朗姆研究公司 | 用连接等离子体处理系统的端部执行器自动更换消耗部件 |
| EP1610374B1 (en) * | 2003-03-31 | 2017-10-11 | SUMCO Corporation | Silicon wafer heat treatment jig, and silicon wafer heat treatment method |
| DE102017206993A1 (de) | 2016-05-24 | 2017-11-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Wafer-Träger |
| JP2017228705A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | Ｃｖｄ装置 |
| CN112670230A (zh) * | 2019-10-15 | 2021-04-16 | 系统科技公司 | 基板处理装置 |
-
1992
- 1992-11-05 JP JP29609792A patent/JPH06151550A/ja active Pending
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001035903A (ja) * | 1999-05-28 | 2001-02-09 | Applied Materials Inc | ウェーハ・ハンドリング装置用組立体 |
| JP4554765B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2010-09-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 機械的ウェーハ・ハンドリング装置用ブレード及びブレード組立体 |
| JP2004200678A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-15 | Tokyo Electron Ltd | 取外し可能な半導体ウェハサセプタ |
| JP4637475B2 (ja) * | 2002-12-05 | 2011-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 取外し可能なサセプタを用いた半導体基板搬送システム、及び半導体基板の搬送方法 |
| EP1610374B1 (en) * | 2003-03-31 | 2017-10-11 | SUMCO Corporation | Silicon wafer heat treatment jig, and silicon wafer heat treatment method |
| JP2011205044A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置及び基板処理装置 |
| KR20150037862A (ko) | 2012-07-26 | 2015-04-08 | 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼 반송 지그 |
| WO2014017587A1 (ja) | 2012-07-26 | 2014-01-30 | 千住金属工業株式会社 | 半導体ウエハー搬送治具 |
| JP5737480B2 (ja) * | 2012-07-26 | 2015-06-17 | 千住金属工業株式会社 | 半導体ウエハー搬送治具 |
| US10026639B2 (en) | 2012-07-26 | 2018-07-17 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Semiconductor wafer conveying tool |
| JP5316689B1 (ja) * | 2012-10-31 | 2013-10-16 | 千住金属工業株式会社 | 位置出し治具及び位置調整方法 |
| EP2728611A2 (en) | 2012-10-31 | 2014-05-07 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Positioning jig and method of adjusting position |
| CN103794532A (zh) * | 2012-10-31 | 2014-05-14 | 千住金属工业株式会社 | 找位夹具和位置调整方法 |
| US8899402B2 (en) | 2012-10-31 | 2014-12-02 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Positioning jig and method of adjusting position |
| TWI464828B (zh) * | 2012-10-31 | 2014-12-11 | Senju Metal Industry Co | 定位治具及位置調整方法 |
| KR101381071B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-04-04 | 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 | 포지셔닝 지그 및 위치 조정 방법 |
| CN104600018A (zh) * | 2013-10-30 | 2015-05-06 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种基板烘烤支承装置 |
| KR20170000059A (ko) * | 2015-06-22 | 2017-01-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 열처리용 기판 적재 장치 |
| CN107039307A (zh) * | 2015-10-22 | 2017-08-11 | 朗姆研究公司 | 用连接等离子体处理系统的端部执行器自动更换消耗部件 |
| CN107039307B (zh) * | 2015-10-22 | 2020-12-08 | 朗姆研究公司 | 用连接等离子体处理系统的端部执行器自动更换消耗部件 |
| DE102017206993A1 (de) | 2016-05-24 | 2017-11-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Wafer-Träger |
| US10950486B2 (en) | 2016-05-24 | 2021-03-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Wafer tray |
| JP2017228705A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | Ｃｖｄ装置 |
| CN112670230A (zh) * | 2019-10-15 | 2021-04-16 | 系统科技公司 | 基板处理装置 |
| CN112670230B (zh) * | 2019-10-15 | 2023-12-05 | 系统科技公司 | 基板处理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06151550A (ja) | ウェハーフォーク | |
| EP0794566A1 (en) | Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same | |
| CN105793974B (zh) | 用于较小晶片及晶片片段的晶片载具 | |
| JP2006294786A (ja) | 基板搬送システム | |
| US8382180B2 (en) | Advanced FI blade for high temperature extraction | |
| JP2001351967A (ja) | パージリング用締結装置 | |
| JPH0722489A (ja) | ウェハーフォーク | |
| JP7290739B2 (ja) | 交換可能なエンドエフェクタ接触パッド、エンドエフェクタ、及びメンテナンス方法 | |
| JP2003086543A (ja) | 板状物の搬送機構および搬送機構を備えたダイシング装置 | |
| JPH06236913A (ja) | ウェハーフォーク | |
| JPH0661331A (ja) | 基板搬送装置 | |
| US20230249360A1 (en) | Robotic end effector equipped with replaceable wafer contact pads | |
| JPH01101112A (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
| JP2019161055A (ja) | 保持テーブル | |
| KR101468184B1 (ko) | 히터가 구비된 정전척 및 그 제조방법 | |
| JPH0817895A (ja) | ウェーハ搬送プレート | |
| US20210159056A1 (en) | Focus-ring conveying member and plasma processing device including focus-ring conveying member | |
| JPH07122614A (ja) | ウェハーフォーク | |
| JP2003068835A (ja) | 真空チャック | |
| JP2009010160A (ja) | 切削装置 | |
| JPH0653303A (ja) | ウェハーフォークおよびその製造方法 | |
| JP7377685B2 (ja) | ブレード交換ユニット、及び、それを備える切削装置 | |
| JP2004356357A (ja) | 切削方法 | |
| JP2000021960A (ja) | 真空チャック | |
| JP2897891B2 (ja) | ウェハ搬送装置 |