CN105793974B - 用于较小晶片及晶片片段的晶片载具 - Google Patents

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Abstract

本文描述的实施方式涉及一种用于固定及传送基板的设备及方法。其中设置有一或更多个静电夹持电极的基板载具静电地将基板耦接至该载具。视情况地，也可将掩模静电地耦接至载具，且该掩模可设置于未由基板占据的载具的一区域之上。在一实施方式中，提供多个电极组件，以使得第一电极组件将基板夹持至载具，且第二电极组件将掩模夹持至该载具。在另一实施方式中，在载具中形成凹穴，且电极组件在该凹穴内提供夹持能力。

Description

用于较小晶片及晶片片段的晶片载具
背景
领域
本文描述的实施方式一般涉及基板载具，该基板载具中设置有经配置用于传送及固定基板的静电夹盘。更特定言之，本文描述的实施方式涉及用于较小晶片及晶片片段的晶片载具。
相关技术的描述
半导体处理设备一般而言经设计用于在单一尺寸基板上执行工艺。机器人刀刃反复地将载具(该载具上设置有基板)移入及移出处理腔室。载具及机器人刀刃的大小经特定地调整以容纳单一尺寸基板，以在将基板传送且定位于腔室内期间改良基板传送特征，及防止对基板的损害。然而，已为较大基板尺寸开发的某些技术并不适用于较小的基板尺寸。此外，厚度低至100μm的越来越薄的基板用于微电子制造中。因此，由于处理设备不可用且该处理设备经设置以容纳小或薄的基板，所以可能难以在小或薄的基板上执行某些工艺。此外，基板的处理片或部分在产品开发或工艺调整期间可能是有利的，然而，当前的传送设备及技术通常无法足以传送基板片。
因此，在此项技术中需要一种用于传送多种尺寸及厚度的基板的改良的基板载具。
概述
本文描述的实施方式涉及用于支撑基板的设备及方法。该设备可为基板载具的形式，该基板载具中设置有一或更多个静电夹持电极。基板载具经配置以将基板静电地耦接至载具。视需要，基板载具可经配置以将掩模静电地耦接至载具，该掩模设置于未由基板占据的载具的一区域之上。在一实施方式中，提供多个电极组件，以使得第一电极组件将基板夹持至载具，及第二电极组件将掩模夹持至载具。在另一实施方式中，在载具中形成基板接收凹穴，且电极组件在该凹穴内提供夹持能力。
在一实施方式中，提供一种支撑基板的方法。该方法包含将基板定位于载具上。载具具有设置于该载具的主体内的静电夹持电极。主体具有顶表面，该顶表面经配置以支撑基板。掩模定位于载具的顶表面之上以限制该基板。激励静电夹持电极且将基板及掩模静电地夹持至载具。
在另一实施方式中，提供一种用于支撑基板的方法。该方法包含将基板定位于载具上。该载具具有设置于该载具的主体内的第一静电夹持电极及第二静电夹持电极。载具的顶表面经配置以支撑基板。第一静电夹持电极经激励以将基板固定至载具。掩模围绕基板定位于载具的顶表面之上。第二静电夹持电极经激励以将掩模固定至载具。
在又一实施方式中，提供用于支撑基板的设备。该设备包含载具，该载具具有主体及经配置以支撑基板的顶表面。一或更多个静电夹持电极设置于载具主体内。也提供掩模。掩模经配置以环绕及暴露载具的顶表面的一或更多个选择的区域。通过将功率施加至一或更多个静电夹持电极，掩模能够静电地耦接至载具的顶表面。所述顶表面的第一区域设置于所述顶表面的第二区域之下。
附图简要说明
因此，以可详细了解上文所述的本公开内容的特征的方式，对以上简短总结的本公开内容的更详细的描述可参阅实施方式获得，所述实施方式中的一些实施方式在附图中图示。然而，应注意，附图仅图示本公开内容的典型实施方式，且因为本公开内容承认其他同等有效的实施方式，所以所述附图并不欲视为本公开内容的范围的限制。
图1图示根据本文公开的一个实施方式的静电夹盘的分解图。
图2A图示根据本文公开的一个实施方式的具有设置于载具上的电极组件的该载具的平面图。
图2B图示根据本文公开的一个实施方式的图2A的载具及电极组件的横截面示意图。
图3A图示根据本文公开的一个实施方式的载具的横截面示意图，该载具具有耦接至该载具的基板及掩模。
图3B图示根据本文公开的一个实施方式的载具的横截面示意图，该载具具有耦接至该载具的基板。
图4A至图4C图示根据本文公开的某些实施方式的设置于一或更多个基板之上的多种掩模的平面图。
图5图示根据本文公开的一个实施方式的传送基板的方法的操作。
为便于了解，已尽可能使用相同元件符号以指定附图共有的相同元件。可以预期，一实施方式中的元件及特征可有利地并入其它实施方式，而无需赘述。
具体描述
本文描述的实施方式提供用于传送小基板或基板片的载具。该载具具有设置于该载具中的一或更多个电极组件，所述电极组件使载具能够有选择地静电夹持载具的不同区域。可将掩模设置在载具的所要区域之上，以暴露静电地夹持至载具的基板。在某些实施方式中，第一电极组件致能载具的第一区域的夹持，并且第二电极组件致能载具的第二区域的夹持。例如，第一电极组件可将基板夹持至第一区域，且第二电极组件可将掩模夹持至第二区域。在另一实施方式中，在载具中形成凹入的凹穴，且电极组件经配置以在该凹穴内提供夹持能力。
图1图示静电夹盘100的分解图。静电夹盘100可用于任何适当的等离子体工艺，该等离子体工艺包括物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、蚀刻工艺、或任何适当的等离子体或真空工艺。静电夹盘100也可经调适用于非等离子体及非真空环境中，且静电夹盘100可与高温应用兼容。尽管本文公开了静电夹盘100的多种实施方式，可以预期来自任何制造商的静电夹盘可经调适以受益于本发明。
静电夹盘100包括绝缘底板104、设置于绝缘底板104的顶表面107上的电极组件106及设置于电极组件106上的封装构件102。绝缘底板104可具有经选择用于处理特定基板的任何适当形状。在图1图标的实例中，绝缘底板104为圆形形状，该圆形形状的周边132大体上与电极组件106的形状及大小匹配。封装构件102形成于电极组件106之上，以允许具有类似形状及大小的基板设置于封装构件102的顶表面101之上。应注意，绝缘底板104可视需要为任何形状或设置。此外，电极组件106可包含一或更多个电极组件，且所述电极组件可为任何形状或设置，以容纳多种形状及尺寸的基板。
绝缘底板104由绝缘材料制成，该绝缘材料诸如是介电材料或陶瓷材料。陶瓷材料或介电材料的适当实例可包括氧化硅(诸如石英或玻璃)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、含钇材料、氧化钇(Y2O3)、钇铝石榴石(YAG)、氧化钛(TiO)、氮化钛(TiN)、碳化硅(SiC)及类似材料。也可使用经掺杂的陶瓷，诸如掺二氧化钛的氧化铝或掺钙的氮化铝或类似材料。视需要，绝缘底板104可为在面对电极组件106的表面107上设置有介电层的金属或半导体主体。
设置于绝缘底板104上的电极组件106包括至少两组分布式电极108、110。当在电极108、110处施加电压电源时，按需要对各电极108、110充电不同极性，因此产生静电力。电极108、110可经配置以横跨封装构件102的表面上分布静电力。各电极108、110各自可具有彼此相互介入的多个电极指120、122。据信，电极交叉指120、122提供在静电夹盘100的大区域上分布的区域静电引力，其中在使用较低夹持电压时聚集提供高的夹持力。
电极指120、122可经形成以具有不同的长度及几何形状。在一实例中，电极指120、122的一者或两者可由互连电极岛124形成。电极岛124之间的互连126可如图1中所示位于电极108、110的平面中或在平面外，诸如以跨接及/或通孔的形式存在。在一实施方式中，电极指120、122的宽度116可在约0.1mm与约20mm之间(例如在约0.25mm至约10mm之间)，宽度116可取决于绝缘底板104及待夹持的材料类型而变化。若需要，电极指120、122可经配置具有介入彼此的不同的大小。可交替地及反复地形成电极指120、122，直至形成所要数目的电极指120、122。
在第一电极108的电极指120的每一者之间，间隔133经界定以接收第二电极110的电极指122。间隔133可为空气隙，该空气隙使用介电间隔物材料填充，或使用绝缘底板104或封装构件102的至少一者填充。
可以预期，图1中图示的电极108、110的设置仅用于说明性目的。可将电极108、110布置为任何所要的设置，以使得电极108以交替极性分布于绝缘底板104的顶表面107的上方。同样可将使两组不同电极充电有不同极性的概念较好地适用于以任何所要配置布置的电极。
电源114经由电源开关112耦接至第一电极108及第二电极110。电源114经配置以将电压电源提供至第一电极108及第二电极110，以产生具有不同极性的电荷，或正电荷或负电荷。从第一电极108及第二电极110产生的正电荷或负电荷提供静电力，以吸引设置于静电夹盘100中的基板于固定位置。在一实施方式中，电源114可经配置以将DC或AC功率提供至第一电极108及第二电极110。在另一实施方式中，电源114可经配置以提供电容性地耦接至电极108、110的RF功率，以将RF偏压施加至该基板。
封装构件102设置于绝缘底板104上，将电极组件106夹于中间，以形成作为整体结构的静电夹盘100。封装构件102定位于电极组件106之上以提供绝缘表面，基板经夹持于该绝缘表面上。封装构件102可由具有热性质(例如热膨胀系数)的材料制成，该材料大体上与下层电极组件106的材料匹配，并且在一些实施方式中，该材料也与绝缘底板104的材料相匹配。
在封装构件102之后，以预定顺序堆叠电极组件106及绝缘底板104。随后，执行接合工艺(诸如退火工艺)以将封装构件102、电极组件106及绝缘底板104融合在一起，形成作为整体部分的静电夹盘100的层叠结构。因为可能要求在高温环境(例如大于300摄氏度的环境)中操作封装构件102、电极组件106及绝缘底板104，所以用于制造所述组件的材料可从可经受高温热处理的耐热性材料(诸如陶瓷材料或玻璃材料)中选择。
在一实施方式中，封装构件102及绝缘底板104可由陶瓷材料、玻璃材料或陶瓷及金属材料的合成物制成，以提供良好的强度及持久性，以及传热性质。选择用于制造封装构件102及绝缘底板104的材料可具有大体上与中间电极组件106匹配或类似的热膨胀系数，以减少可能引起高热负载下的应力或故障的热膨胀失配。适合用于制造封装构件102及绝缘底板104的陶瓷材料可包括但不限于，玻璃、碳化硅、氮化铝、氧化铝、含钇材料、氧化钇(Y2O3)、钇铝石榴石(YAG)、氧化钛(TiO)或氮化钛(TiN)。在另一实施方式中，封装构件102及绝缘底板104可由包括陶瓷及金属的不同组分的复合材料(诸如其中分散有陶瓷颗粒的金属)制成。
在操作期间，可将负电荷施加至第一电极108及可将正电荷施加至第二电极110，或反之亦然，以在将功率供给至电源114时产生静电力。在夹持期间，从电极108、110产生的静电力将设置于电极108、110上的基板夹持及保持在固定位置。当从电源114供给的功率断开时，可将存在于电极108、110之间的接口118中的电荷维持一延长的时段。为了释放固持在静电夹盘100上的基板，可将相反极性的功率的短脉冲提供至电极108、110，以移除存在于界面118中的电荷。
图2A图示具有设置于载具200上的电极组件206、216的载具200的平面图。提供绝缘底板204，且在绝缘底板204上形成第一电极组件206及第二电极组件216。在图2A的说明中，已将封装构件移除以更清楚地图标电极组件206、216。电极组件206、216可经类似于就图1所描述的电极组件106而建构。
第一电极组件206包含第一电极208及第二电极210。电极208、210可经由电源开关212耦接至电源214，且电极208、210可经激励具有相反的极性。第一电极组件206设置于载具200之内，且第一电极组件206界定夹持区域222。例如，夹持区域222大体上为圆形，且界定载具200的中心区域。夹持区域222的尺寸通常经调整大体上与固持在载具200上的工件区域的大小一致。在一实施方式中，载具200的直径可约为300mm，且夹持区域222的直径可约为200mm。然而，可以预期夹持区域222可在载具200上任何位置处界定大体上具有任何形状或大小的区域。
第二电极组件216包含第三电极218及第四电极220。电极218、220可经由电源开关212耦接至电源214，且电极218、220可经激励具有相反的极性。电源214及电源开关212可为用于激励第一电极组件206的同一电源及电源开关，或电源214及电源开关212可为额外的电源及电源开关，以便可独立地激励各电极组件206、216。第二电极组件216设置在载具200之内且界定夹持区域224。夹持区域224的大小通常经调整以容纳掩模，且夹持区域224位于支撑工件的区域(即，夹持区域222)之外。例如，夹持区域224为大体环状，且夹持区域224界定载具200的区域，该区域为夹持区域222的圆周向外的区域。在一实施方式中，夹持区域224界定未由夹持区域222界定的载具200的区域。第二电极组件216可包括第二电极组件216的环状形状中的中断或间断，该中断或间断通过提供从夹持区域222至载具200边缘的无电极218、220的路径而防止第一电极组件206的电极208、210之间的不良串扰。因此，第一电极组件206界定载具200的夹持区域222，且第二电极组件216界定载具200的夹持区域224。
类似于第一电极组件206，可以预期，夹持区域224可在载具200上任何位置处界定大体上具有任何形状或大小的区域。在一实施方式中，夹持区域222及夹持区域224大体上占据了绝缘底板204的全部顶表面207。然而，可以预期第一区域222及第二区域224可能分别占据大体上小于所有顶表面207的区域。
图2B图示图2A的载具200及电极组件206、216的横截面示意图。此外，载具200上设置有基板240及掩模230。尽管未在图2B中清楚地图标，但电极组件206、216在绝缘底板与封装构件之间形成，绝缘底板及封装构件的整体包含载具200。第一电极组件206经配置以静电地夹持至载具200的夹持区域222。在一实施方式中，第一电极组件206界定夹持区域222，且第一电极组件206的大小经调整以大体上匹配设置于载具200上的基板240的大小。因此，基板240设置于载具200的夹持区域222之上，且由第一电极组件206将基板240夹持至载具200。
第二电极组件216经配置以将掩模230静电地夹持至载具200的夹持区域224。在一实施方式中，第二电极组件216界定夹持区域224，且第二电极组件216的大小经调整以大体上匹配设置于载具200上的掩模230的大小。因此，掩模230设置于载具200的夹持区域224之上，且由第二电极组件216将掩模230夹持至载具200。
尽管第一电极组件206图标为界定用于夹持基板240的夹持区域222，并且第二电极组件216图标为界定用于夹持掩模230的夹持区域224，但是可以预期，界定夹持区域222的第一电极组件206可夹持具有对应于夹持区域222的大小的掩模，且界定夹持区域224的第二电极组件216可夹持具有对应于夹持区域224的大小的基板。图示的实施方式并非意欲为限制性的，因为可以预期，电极组件206、216及相应区域222、224可以任何所要的设置形成，以夹持具有任何所要大小或设置的基板及掩模。
载具200的顶表面201为封装构件的顶表面，且载具200的顶表面201大体上为平坦的。顶表面201经配置以将基板240及掩模230支撑及静电地夹持至载具200。如图所示，基板240设置于对应于夹持区域222的载具200的顶表面201上，且掩模230设置于对应于夹持区域224的载具200的顶表面201上。在一实施方式中，至少一部分的掩模230在基板240上延伸。掩模230可用于进一步将基板240固定至载具200，且掩模230可防止由掩模230覆盖的基板240的部分上的处理(诸如沉积或蚀刻)。掩模230可具有大体上与载具200的直径类似的直径，且掩模230大体上覆盖不由基板240占据的顶表面201的整个表面区域。掩模230额外地用以防止载具200上的沉积或蚀刻，此可增加载具200的有效寿命且可致能载具200的再利用。掩模230可用与基板240具有类似热性质(即热膨胀系数)的材料制成，以防止高温处理期间对基板的损害。
图3A图示载具300的横截面示意图，该载具300具有静电耦接至载具300的基板340及掩模330。第一电极组件206界定载具300的夹持区域322，并且第二电极组件216界定载具300的夹持区域324。与前述的实施方式类似，第一区域322及第二区域324对应于载具300的顶表面328区域。在一实施方式中，载具300中形成凹入的凹穴302。凹入的凹穴302垂直地对准夹持区域322与第一电极组件206，以便电极组件206可将基板340静电地夹持至凹入的凹穴302的底部。因此，凹入的凹穴302的大小可经调整且可经配置以将基板340容纳至凹入的凹穴302之内。在一实施方式中，凹入的凹穴302的直径可稍大于设置于凹入的凹穴302中的基板340的直径，且凹入的凹穴302的深度大体上等于基板340的厚度。
掩模330设置于夹持区域324之上的载具300的顶表面328上，且掩模330由第二电极组件216夹持至载具300。掩模330的部分可延伸至基板340的一部分之上，以防止对基板340的边缘区域的处理，且以进一步将基板340固定至凹入的凹穴302内。例如，凹入的凹穴302的直径305可大于掩模330的内径307。在此实例中，掩模330的部分延伸超过凹入的凹穴302的直径305。掩模330的内径307可小于基板340的直径。
图3B图示载具350的横截面示意图，载具350具有静电地耦接至载具350的基板340。载具350与关于图3A描述的载具300类似，但是，载具350中不存在第二电极组件216。第一电极组件206界定夹持区域322，且载具350的夹持区域324向夹持区域322外径向安置。夹持区域322对应于经配置以夹持基板340的载具300的区域。凹入的凹穴302在载具350中形成且凹入的凹穴302对应于夹持区域322。第一电极组件206经配置以提供凹入的凹穴302内的静电夹持。凹入的凹穴302的大小经调整且经配置以将基板340容纳至凹入的凹穴302内。在一实施方式中，凹入的凹穴302的直径可稍大于设置于凹入的凹穴302中的基板340的直径，且凹入的凹穴302的深度大体上等于基板340的厚度。
对应于夹持区域324的顶表面328无下层夹持电极。在处理期间，由第一电极组件206将基板340静电地夹持至凹入的凹穴302内，同时顶表面328暴露于处理腔室内的处理条件下。载具350的顶表面328可经清洁以移除处理期间在顶表面328上形成的任何沉积堆积。在清洁(诸如化学机械抛光(CMP)、珠粒喷击、蚀刻或其他工艺)期间，顶表面328可经调节，且以致能载具350在随后基板传送工艺中的再利用。清洁也移除由夹持区域324界定的顶表面328的部分。因为未移除载具350的材料，故第一电极组件206与凹入的凹穴302的底表面之间的距离保持恒定，且因此载具350的静电夹持能力可能不受调节工艺的影响。
在另一实施方式中，凹入的凹穴302可能更浅或不存在于夹持区域322中。替代地，突起部分(诸如连续环或多个离散支柱)可限制第一区域，以致能载具350上的基板340的准确定位。在再调节工艺期间，可在再调节顶表面328之同时维持突起部分。可以预期，顶表面328可经配置以提供增强的粘附力质量，以防止任何沉积的材料从顶表面328剥离，及防止任何沉积的材料沉积至基板340上。
图4A至图4C图示设置于一或更多个夹持区域402、412、414上的多种掩模404、408、410的平面图。在图4A至图4C中图示的掩模及夹持区域是为达说明的目的，且可以预期，多种掩模及夹持区域配置可能适应基板的传送及处理。图2A至图2B中图示的载具200可经调适以由各别夹持电极组件的同等大小置放来提供夹持区域402、412、414，以便可如图4A至图4C所示夹持掩模404、408、410。
图4A图示围绕多个夹持区域402设置的掩模404。图4A中图标四个夹持区域402。掩模404中形成有多个开口401，开口401的大小可经调整以暴露夹持区域402的各别一者。可将基板夹持至夹持区域402，且可将掩模404设置于所述基板(所述基板设置于载具的区域402上)的至少一部分之上。开口401可小于基板，以使得掩模404覆盖所述基板的部分。在图标的实例中，掩模404的直径可约为300mm，且夹持区域402的大小可经调整以容纳蓝宝石基板，其中各基板的直径为4英寸。可以预期，对应于任何所要大小或设置的基板的多种尺寸的夹持区域可并入本文描述的实施方式中。
设置于夹持区域402上的基板及掩模404静电地耦接于至少具有两个静电夹持区域的载具。例如，夹持区域402可经配置以由第一电极组件静电地夹持基板，而掩模404可设置于载具的第二区域(直接位于掩模404之下)上，且掩模404可由第二电极组件夹持。
图4B图示设置在单一夹持区域402上的掩模408。掩模408可与图4A的掩模404类似，然而，掩模的图案化部分406可延伸至夹持区域402之上，且可致能设置于夹持区域402上的基板的顶表面的图案化。例如，图案化部分406可用于光刻或沉积工艺，以防止在基板的顶表面的多种区域上的显影或沉积。可以任何所要的布置配置图案化部分406，且图案化部分406可遍布夹持区域402且横跨基板的顶表面延伸。可以预期，可在掩模408中形成多个图案化部分以容纳多个基板的处理。与图4A类似，夹持区域402可经配置以由第一电极组件静电地夹持基板，而掩模408可设置于载具的第二区域(该区域位于掩模408之下)上，且掩模408可由第二电极组件夹持。
图4C图示设置在第一夹持区域412及第二夹持区域414周围的掩模410。掩模410具有经配置以暴露第一夹持区域412的第一开口411，及经配置以暴露第二夹持区域414的第二开口413。在一实施方式中，夹持区域412、414的大小经调整且经配置以夹持从较大基板或基板片切割的小晶片。第一开口411在掩模410的中心附近形成，并且第二开口413在掩模410的边缘附近形成。此配置尤其有利于工艺调整及测试横跨基板的表面的工艺中心至边缘均匀性。然而，可在掩模410内任何所要位置处形成开口411、413。此外，多个其他开口(诸如三个或更多个开口、四个或更多个开口、五个或更多个开口、六个或更多个开口等)可在掩模410中形成用于处理多个基板片。因此，额外的夹持区域可对应于掩模410的额外的开口。
类似于图4A至图4B，夹持区域412、414可经配置以使用直接设置于夹持区域412、414之下的第一电极组件静电地夹持基板，而掩模410可设置于掩模410之下的载具的第二夹持区域上，且掩模410可由直接存在于第二夹持区域之下的第二电极组件夹持。
关于图4A至图4C，对应于且与第一电极组件对准的夹持区域可经配置以按需要容纳一或更多个基板或基板片。夹持区域大体上可包含与设置于载具上的基板匹配的任何形状。因而，第一电极组件可以对应于载具上设置有基板或基板片的夹持区域的方式形成。同样地，第二区域及相应的第二电极组件可经配饰为任何形状，以容纳掩模的夹持。掩模经配置以容纳多种基板或基板片配置，以使得基板及掩模大体上覆盖载具的整个顶表面。
图5图示用于支撑基板的方法500。方法500通过将基板定位于载具上的操作510开始。载具大体上可类似于本文描述的载具。因而，载具具有对应于载具的第一夹持区域的第一静电夹持电极及对应于载具的第二夹持区域的第二静电夹持电极。载具的顶表面经配置以支撑可静电地夹持至载具的基板及掩模。基板可设置于载具的第一夹持区域上。
在操作520处，激励第一静电夹持电极。结果，将基板静电地夹持至载具的第一夹持区域。在操作530处，掩模可经定位于载具的顶表面的上方，暴露基板的至少一部分。掩模的孔经配置以与载具的夹持区域(基板定位于该区域上)对准。在操作540处，激励第二静电夹持电极。结果，将掩模静电地夹持至载具的第二区域。在操作550处，载具(具有静电地夹持至该载具的基板及掩模)随后可由适当的基板传送设备(诸如机器人刀刃)传送。在一实施方式中，可将具有夹持的基板及掩模的载具传送通过用于制造集成电路的真空处理系统(诸如群集工具)，诸如传送至可执行多种真空及/或等离子体工艺的处理腔室中。随后，可将载具从处理腔室移除，且可将去夹持功率施加至第二静电夹持电极。随后可将掩模从载具移除。随后，可将去夹持功率施加至第一静电夹持电极，且随后可将基板从载具移除。
总而言之，提供其中设置有一或更多个静电夹持电极的载具以致能小基板及基板片的传送。载具可具有对应于一或更多个静电夹持电极的一或更多个区域，该一或更多个静电夹持电极经配置以夹持一或更多个基板或基板片及掩模。在处理腔室中的处理期间维持对该一或更多个静电夹持电极的至少一者的激励。因此，载具致能基板及掩模的固定支撑，且载具可提供改良的基板处理及传送。
尽管以上针对本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设计本公开内容的其他及进一步的实施方式，且本公开内容的范围由随附权利要求书决定。

Claims (19)

1.一种支撑基板的方法，所述方法包含以下步骤：
将基板定位于载具上的第一夹持区域处，其中所述载具具有第一静电夹持电极组件及第二静电夹持电极组件，所述第一静电夹持电极组件界定所述第一夹持区域，所述第二静电夹持电极组件界定第二夹持区域，所述第二夹持区域设置于所述第一夹持区域的外部并环绕所述第一夹持区域，所述第一静电夹持电极组件及所述第二静电夹持电极设置于所述载具的主体内；
将掩模定位于所述载具的所述第二夹持区域上且于所述基板的至少一部分之上；以及
静电地将所述基板夹持至所述第一夹持区域及将所述掩模夹持至所述载具的所述第二夹持区域，其中所述基板及所述掩模各个被设置成与所述载具直接接触。
2.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：将所述载具传送至处理腔室中，所述载具具有静电地夹持至所述载具的所述基板及掩模。
3.如权利要求2所述的方法，其中在所述处理腔室中的处理期间，维持对所述第一静电夹持电极组件或所述第二静电夹持电极组件的至少一者的激励。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一静电夹持电极组件及所述第二静电夹持电极组件是独立可控的。
5.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板定位于所述载具上的步骤包含以下步骤：将一或更多个基板或基板片定位于所述载具上。
6.一种用于支撑基板的方法，所述方法包含以下步骤：
将基板定位于载具上的第一夹持区域处，其中所述载具具有第一静电夹持电极组件及第二静电夹持电极组件，所述第一静电夹持电极组件界定所述第一夹持区域，所述第二静电夹持电极组件界定第二夹持区域，所述第二夹持区域设置于所述第一夹持区域的外部并环绕所述第一夹持区域，所述第一静电夹持电极组件及所述第二静电夹持电极组件设置于所述载具的主体内；
激励所述第一静电夹持电极组件以将所述基板固定至所述第一夹持区域处而与所述载具直接接触；
将掩模定位于所述载具的所述第二夹持区域上且于所述基板的至少一部分之上；以及
激励所述第二静电夹持电极组件，以将所述掩模固定至所述第二夹持区域处而与所述载具直接接触。
7.如权利要求6所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：将所述载具传送至处理腔室中，所述载具具有设置于所述载具上的所述基板及掩模。
8.如权利要求6所述的方法，其中可独立地激励所述第一静电夹持电极组件及所述第二静电夹持电极组件。
9.如权利要求6所述的方法，其中由单一电源激励所述第一静电夹持电极组件及所述第二静电夹持电极组件。
10.如权利要求6所述的方法，其中由所述第二静电夹持电极组件限制所述第一静电夹持电极组件。
11.如权利要求6所述的方法，其中相继地将所述基板及所述掩模夹持至所述载具。
12.如权利要求6所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：将第二基板夹持至所述载具。
13.如权利要求6所述的方法，其中所述基板是小晶片。
14.如权利要求6所述的方法，其中所述掩模包括多个孔。
15.一种用于支撑基板的设备，所述设备包含：
载具，所述载具具有主体及经配置以支撑基板的顶表面；
一或更多个静电夹持电极，所述一或更多个静电夹持电极设置于所述载具主体内；以及
掩模，所述掩模能够通过将功率施加至所述一或更多个静电夹持电极而静电地耦接至所述载具的所述顶表面，所述掩模经配置以围绕及暴露所述载具的所述顶表面的一或更多个选择的区域。
16.如权利要求15所述的设备，其中所述顶表面的第一区域设置于所述顶表面的第二区域之下，向外围设置所述顶表面的所述第二区域，且所述第二区域限制所述第一区域。
17.如权利要求16所述的设备，其中第一静电夹持电极设置于位于所述顶表面的所述第一区域之下的所述载具内，且由所述顶表面的所述第二区域限制所述第一静电夹持电极。
18.如权利要求17所述的设备，其中第二静电夹持电极设置于所述载具内，所述第二静电夹持电极对应于所述顶表面的所述第二区域。
19.如权利要求18所述的设备，其中所述基板设置于所述顶表面的所述第一区域上，且所述掩模设置于所述顶表面的所述第二区域上。
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