KR20170026360A - 무선 주파수 션트를 구비한 정전척 - Google Patents

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Abstract

정전척(ESC)은 세라믹 바디를 통해 비아들에 의해 연결되는 하부 전극들 및 상부 전극들로 적용된 평면 전극들을 구비한 세라믹 바디 및 상기 세라믹 바디의 상부에 전도성 층을 포함한다. 전도성 전류 경로는 전도성 상부 층 위에 배열될 때, RF 척 바디와 기판의 배면을 연결하는 RF 션트로 작용하는 ESC의 에지 둘레에 배열된다. 바람직하게, 이 RF 션트는 ESC의 에지를 둘러싸는 전도성 링이고, 바람직한 물질은 금속, 귀금속 또는 탄소계 전도성 필름이다.

Description

무선 주파수 션트를 구비한 정전척{Electro-static chuck with radiofrequency shunt}
본 발명은 고 RF 전압 조전으로 작동하는 정전척(ESC)으로부터 디-척킹(de-chucking)을 가능하게 하는 ESC RF 션트에 관한 것이다.
통상 ESC들은 반도체 제조 공정 동안 실리콘 웨이퍼들을 유지하는데 사용된다. 이들은 금속 기저-판 및 얇은 유전체층을 포함한다; 금속 기저-판은 웨이퍼에 대하여 고-전압으로 유지되어, 정전력에 의해 웨이퍼가 거기에 고정된다. 정전척들은 알려진 유전체 두께 내에 높이가 포함되는 핀들(pins) 또는 메사들(mesas)을 구비할 수 있다
위에 장착된 Si 웨이퍼들 또는 얇은 Si 웨이퍼들을 갖는 유리 기판들과 같은 기판들을 처리할 때 온도를 조절하는 두 가지 유형의 ESC들이 있다: 상부 유전체층이 잔류 전도도를 갖는 존슨-라벡형(Johnson-Rahbeck type) 및 상부 유전체층이 높은 전기저항을 갖는 쿨롱형(Coulomb). 쿨롱형은 전극들로부터 낮은 누설 전류를 갖는 이점을 가지고, 접지력이 거의 온도에 의해 영향을 받지 않는다. 쿨롱형 ESC의 가능한 일 구현예가 도 1에 도시된다. 이러한 ESC들을 제조하고 적용하는 방법이 US20060043065(A1), US 2006164785(Semco), US2003-0095370A1, US20130279066A1 및 다른 문헌들에 개시된다. US20130284709A1에 낮은 RF 손실로 ESC 유전체 퍽(puck) 내에 임베딩된 내부 및 외부 RF 전극을 적용하는 것이 개시된다.
다수의 응용들에서, 쿨롱형 ESC들이 처리 챔버들 내에서 사용되는데, 여기서 기판은 무선 주파수(RF)로 처리된다. 특히 고 RF 전압이 적용될 때, 전하들이 ESC의 상부 유전체 층 위에 전하들이 축적되는 것이 관찰된다. 이 경우에 처리후에 기판이 해제되지 않는다는 위험이 존재한다.
RF 처리들의 적용 이후 디-척킹 전략들이 US6307728B1, US5933314 및 US5835333에 개시된다. 여기서, RF 방전내 셀프-바이어스 전압에 기인하여 유도된 전하를 밸런싱하기 위하여 오프셋 전압이 사용된다. US5103367는 제1 및 제2 전극에서 필요한 접지력 및 해제력을 감지하는 기준(reference)으로서 제3 전극을 사용하는 것을 제안한다.
US5325261는 ESC의 필요한 방출 전압(release voltage)을 조정하는 용량(capacity)으로서, 측정된 기판의 기계적 거리를 사용하는 것을 기재한다. 기판 주위의 에지 링들(edge rings)이 WO2011063084에 제안된다. 이것들은 대개 절연되고 기판과 낮은 에지 링 레벨 사이의 높이에 갭(gap)을 제공한다.
유전체 칼라 링들(collar rings)이 WO1999014796(A1) 및 WO2011063084(A2)에 기재되는데, 이들은 낮은 전도도를 갖는 것으로 정의된다. 유전체 물질 내에 임베딩되고 분할 회로에 의해 RF 소스에 연결된 제2 RF 전극은 WO2013062833(A1)에 공개된다. 기판보다 더 큰 전극 및 웨이퍼 에지를 보호하고 RF 필드의 우수한 커플링을 허용하는 세라믹 링이 US20030211757(A1)에 청구된다.
종래 기술의 문제점
만일 고 RF 전압이 어셈블리에 적용되면, 쿨롱형 ESC들로부터 처리된 기판들을 디-척킹하는 것이 보장되지 않는다는 것이 관찰되었다. 이러한 고착(sticking) 문제는 고 플라즈마 밀도가 존재하는 스퍼터링 및 ICP 식각(etch)에서 RF 바이어스 적용에 대하여 관찰된다. 그러나 일부 경우들에서, 공정 기체 없이, 플라즈마 없이, ESC 전압 적용 없이, 단지 RF에 의해 관찰되는 고착도 있다. 고착은 축적된다; 웨이퍼 상에 연속적으로 1, 2, 5, 또는 15, 달리, 동일 공정 동안 동일한 기판 상에 발생할 수 있다. 고착은 RF 전압과 관련되고, RF 전류와 관련되지 않는다: 예를 들어, 1000V 피크-피크(peak-peak)와 같은 고 RF 전압으로 처리하는 것은 조기의 가장 강한 고착을 유도하는데, 이미 연속적인 웨이퍼 번호 1 또는 2는 안전하게 해제되지 않는다. 반대로 유도전압플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP)와 같이 고 RF 전류 및 비교할만하게 낮은 전압으로 처리하는 것은 전하들의 축적을 지연시키고, 따라서 지연된 고착을 나타내는데, 이는 기판 3 내지 8에서일 수 있다.
상술된 해법은 상부 및 하부 유전체를 갖는 양극성 쿨롱형 ESC에 기초하지만, 또한 다른 ESC 형들도 적용될 수 있다.
도 1은 RF 척을 구비한 쿨롱형 ESC의 실시예이다.
도 2는 종래 기술에 의한 쿨롱형 ESC이다.
도 3은 RF 션트를 구비한 쿨롱형 ESC이다.
도 4는 ESC용 클램프로 형성된 RF 션트를 구비한 쿨롱형 ESC이다.
도 5는 RF 척 전위(미도시)로 기판 배면에 접촉하는 전도성 층에 의해 형성된 ESC 션트이다.
도 6은 ESC 배면을 통해 RF 척 전위로 기판 배면에 접촉하는 전도성 층에 의해 형성된 ESC 션트이다.
도 7은 RF 척 전위로 기판 배면에 접촉하는 전도성 링에 의해 형성된 ESC 션트이다.
도 8은 기판 배면에 접촉하는 기울어진 프로파일을 갖는 전도성 링에 의해 형성된 ESC 션트이다.
도 9는 w/o 및 w/ 코팅 PVD 응용들에 대한 ESC 션트 링이다.
도 10은 링을 구비한 ESC 션트이다.
발명의 설명
도 2는 RF 척 바디(3) 위에 놓인 종래 기술에 의한 ESC(1)를 도시한다. ESC(1)은 그 위에 하부 전극(4) 및 상부 전극(5)으로 평면 전극들이 적용되는 세라믹 바디(3)로 구성된다. 전극들은 대향 극성들에 의해 통합되고 구동되어 양극성 척킹을 가능하게 한다. 하부(4) 및 상부 전극(5)들은 비아들(6,7)에 의해 양 극성으로 세라믹 바디를 통해 연결된다. 이러한 비아들은 단지 예시적으로 도시된다. RF는 RF 척으로부터 하부 전극들(4)까지 용량성(capacitively)으로 결합한다. 비아들을 통해 RF 전력은 상부 전극들(5)을 구동하는데, 이로부터 기판(11)에 용량성으로 결합한다. RF 척 바디 및 ESC의 중심에, 배면 가스홀(10)이 제공되어 배면 가스 쿠션(back side gas cushion)에 의해 ESC와 기판 사이의 우수한 열적 접촉을 가능하게 한다.
고착이라 불리우는, ESC와 고 RF 전압에 의한 디-척킹 문제들에 대한 해결은, 도 3에 도시된 바와 같이 ESC의 외부 에지에 RF 션트(12)를 적용하는 것이다. 이 션트는 RF 척 바디(2)와 기판(11)의 배면을 연결한다. 이는 우수한 전도도를 갖는 물질로 제조된다. 션트는 Al 같은 스퍼터된 금속, 스크린 프린팅되거나 달리 적용된 금속 필름일 수 있다. 바람직하게, Pt와 같은 귀금속이 적용된다. 대안으로 탄소계 필름이 적용될 수 있는데, 이는 가장 낮은 마찰 및 우수한 전도도를 제공한다.
통상 ESC는 척 상부에 교환가능한 부분으로 제조한다. 이 경우에 클램프 링(13)이 도 4에 도시된 바와 같이 척 상부에 ESC를 고정하도록 적용될 수 있다. 클램프는 웨이퍼 배면을 접촉하도록 설계되어 RF 션트로 작용한다. 이는 바람직하게 금속으로 제조된다. RF 션트가 척 위에서 플라즈마와 접촉하기 때문에, 낮은 스퍼터 수율을 갖고 또한 연속적 처리 단계와 양립할 수 있는 물질로 제조되는 것이 바람직하다. 예를 들어, Ti로 제조된 링은 이러한 요구들을 만족시킨다. 그러나, 임의의 경우들에서, ESC 힘에 의해 유도(attracted)될 때 기판 이동들에 대하여 가장 낮은 오염 위험성 및 가장 낮은 마찰을 갖는 RF 션트 링 위에 필름을 적용하는 것이 요구될 수 있다.
도 5는 RF 척 전위로 기판 배면에 접촉하는 전도성 층(12)에 의해 형성된 ESC 션트를 도시한다. RF 척은 여기에 도시되지 않는다. 이 층은 0.1 내지 50㎛ 사이, 바람직하게 0.5 내지 10㎛ 사이 범위의 두께 d를 갖는다. 외부 림으로부터 안쪽으로 ESC 상부 위에 코팅된 층의 너비 w는 0.1 과 5mm 사이, 바람직하게 1 과 3mm 사이의 범위이다. 대안으로 전도성 층은 ESC 에지 둘레에 코팅되어(도 6), RF 척의 금속 부분과 접촉하여 그 위에 존재한다.
전도성 링(13)은 층(12)으로 동일한 기능을 제공할 수 있다. 추가로 이 링은 RF 척 위에 ESC를 클램핑하는데 사용될 수 있다(도 7). 우수한 접촉을 보장하기 위하여, 링(13)은 ESC 상부 레벨보다 약간 더 높게 설계되어야 한다. ESC 상부 레벨 위에서 링의 높이 h는 0 < h < 0.1mm 이다.
링은 스프링 로딩될 수 있다. ESC에 의해 유도될 때 링의 내부 에지가 기판에 손상을 줄 수 있기 때문에, 도 8에 도시된 프로파일된(profiled) 션트 링을 사용하는 것이 추가로 제안되는데, 링의 내부 높이 hi 는 ESC 상부 레벨 아래이고 외부 높이 h는 위이다.
도 7 및 8에 설계된 방법들은 션트 링이 공정 플라즈마에 노출되지 않는, 식각 공정들에서 선호된다. ESC가 높은 RF 바이어스의 스퍼터링 또는 PVD 공정들에 적용되면, 션트 링은 증착된 물질들로부터 보호 차폐로서 추가적인 기능을 가질수 있다.
도 9는 코팅(15)을 구비하지 않고, 구비한 PVD 응용들에 대한 바람직한 ESC 션트 링(14)의 설계를 나타낸다. 그러나, 이 설계는 또한 식각 응용들에도 사용될 수 있다.
RF 션트는 기판으로부터 RF 척까지 전기적 접촉을 제공하는 임베딩된 구조에 의해 실현될 수 있는데, 달리 유전체 물질(16)에 의해 커버될(covered) 수 있다. 도 10은 유전체 커버를 갖는 RF 션트 링을 나타내지만, 후자는 또한 도 5 또는 6과 같은 층에 적용될 수 있다.

Claims (10)

  1. RF 척 바디(2) 상에 배열된 정전척(ESC)으로서 상기 ESC는,
    상부 전극들(4) 및 하부 전극들(5)로 적용되는 평면 전극들을 구비한 세라믹 바디(3)로서, 상부 전극들(4) 및 하부 전극들(5)이 상기 세라믹 바디를 통해 비아들(6,7)에 의해 연결되는, 세라믹 바디(3); 상기 세라믹 바디(3)의 상부에 적용된 전도성 층(8)을 포함하고, 전도성 전류 경로(conducting current path)가 전도성 층(8) 위에 배열될 때, RF 척 바디(2)와 기판(11)의 배면을 연결하는 RF 션트(12)로 작용하는 ESC의 에지 둘레에 배열되는 것을 특징으로 하는 정전척.
  2. 제1항에 있어서, 전도성 전류 경로는 전도성 링인 것을 특징으로 하는 정전척.
  3. 제1항 내지 2항에 있어서, 전도성 전류 경로는 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 정전척.
  4. 제3항에 있어서, 전도성 전류 경로는 스퍼터 금속, 스크린 프린팅된(screen printed) 또는 달리 적용된 금속 필름으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 정전척.
  5. 제3항에 있어서, 전도성 전류 경로는 Pt와 같은 귀금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 정전척.
  6. 제2항에 있어서, 전도성 전류 경로는 탄소계 필름으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 정전척.
  7. 제6항에 있어서, 전도성 전류 경로는 DLC(다이아몬드형 탄소, diamond like carbon)로 만들어지는 것을 특징으로 하는 정전척.
  8. 제3항에 있어서, 전도성 전류 경로는 Al, Ti, Ta 중의 하나로 만들어지는 것을 특징으로 하는 정전척.
  9. 제1항 내지 3항에 있어서, 전도성 링은 ESC를 RF 척 바디에 클램핑하는 클램핑 링(13)인 것을 특징으로 하는 정전척.
  10. 제3항에 있어서, 전도성 링은 기판으로부터 RF 척까지 전기적 접촉을 제공하는 임베딩된 구조에 의해 실현되고, 유전체 물질(16)에 의해 커버되는(covered) 것을 특징으로 하는 정전척.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11532497B2 (en) * 2016-06-07 2022-12-20 Applied Materials, Inc. High power electrostatic chuck design with radio frequency coupling
WO2018017063A1 (en) * 2016-07-19 2018-01-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Plasma treatment heads
WO2018017058A1 (en) 2016-07-19 2018-01-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printing systems
WO2020086241A1 (en) * 2018-10-26 2020-04-30 Applied Materials, Inc. High density carbon films for patterning applications
US20200286717A1 (en) * 2019-03-08 2020-09-10 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for high bias radio frequency (rf) power application in a plasma processing chamber

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988009054A1 (en) 1987-05-06 1988-11-17 Labtam Limited Electrostatic chuck using ac field excitation
US5325261A (en) 1991-05-17 1994-06-28 Unisearch Limited Electrostatic chuck with improved release
US5835333A (en) 1995-10-30 1998-11-10 Lam Research Corporation Negative offset bipolar electrostatic chucks
US5933314A (en) 1997-06-27 1999-08-03 Lam Research Corp. Method and an apparatus for offsetting plasma bias voltage in bi-polar electro-static chucks
US6074488A (en) 1997-09-16 2000-06-13 Applied Materials, Inc Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring
TW473792B (en) 2000-01-20 2002-01-21 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck
US6307728B1 (en) 2000-01-21 2001-10-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US7479456B2 (en) 2004-08-26 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck
US6682603B2 (en) 2002-05-07 2004-01-27 Applied Materials Inc. Substrate support with extended radio frequency electrode upper surface
FR2850790B1 (fr) 2003-02-05 2005-04-08 Semco Engineering Sa Semelle de collage electrostatique avec electrode radiofrequence et moyens thermostatiques integres
US7072165B2 (en) * 2003-08-18 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based multi-polar electrostatic chuck
US8531814B2 (en) * 2009-04-16 2013-09-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Removal of charge between a substrate and an electrostatic clamp
SG10201402319QA (en) * 2009-05-15 2014-07-30 Entegris Inc Electrostatic chuck with polymer protrusions
US8270141B2 (en) 2009-11-20 2012-09-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with reduced arcing
KR101896127B1 (ko) * 2010-09-08 2018-09-07 엔테그리스, 아이엔씨. 고 전도성 정전 척
US20130107415A1 (en) 2011-10-28 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck
US8937800B2 (en) 2012-04-24 2015-01-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity
US9281226B2 (en) 2012-04-26 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having reduced power loss
CN104904003B (zh) * 2012-11-02 2018-02-02 恩特格里斯公司 具有可光图案化的软性突出接触表面的静电夹盘

Also Published As

Publication number Publication date
EP3158581A1 (en) 2017-04-26
TW201606926A (zh) 2016-02-16
WO2015192256A1 (en) 2015-12-23
CN106796909A (zh) 2017-05-31
US20170117174A1 (en) 2017-04-27

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