JPH07297266A - 静電チャックとウェハ吸着方法 - Google Patents
静電チャックとウェハ吸着方法Info
- Publication number
- JPH07297266A JPH07297266A JP9187394A JP9187394A JPH07297266A JP H07297266 A JPH07297266 A JP H07297266A JP 9187394 A JP9187394 A JP 9187394A JP 9187394 A JP9187394 A JP 9187394A JP H07297266 A JPH07297266 A JP H07297266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- wafer
- size
- wafers
- electrostatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、静電チャックの交換の手間を省
き、全てのウェハのサイズに対応できる静電チャックを
用いたウェハ吸着方法を提供する。 【構成】 吸着する複数種類のウェハ１の最大サイズに
外径が一致し、該ウェハ１のそれぞれのサイズに対応し
た複数の同心円状に分割され、且つ、中心の最小サイズ
の第１の静電チャック2aを除く個々の分割された静電チ
ャック２が個々に下方移動可能な構造と、中心の最小サ
イズの第１の静電チャック2aを除く個々の分割された静
電チャック２に対応した形状で中心ならびに下方に移動
可能な静電チャック保護用の保護板３が左右に半等分ず
つ設けられている構造とを有する。
き、全てのウェハのサイズに対応できる静電チャックを
用いたウェハ吸着方法を提供する。 【構成】 吸着する複数種類のウェハ１の最大サイズに
外径が一致し、該ウェハ１のそれぞれのサイズに対応し
た複数の同心円状に分割され、且つ、中心の最小サイズ
の第１の静電チャック2aを除く個々の分割された静電チ
ャック２が個々に下方移動可能な構造と、中心の最小サ
イズの第１の静電チャック2aを除く個々の分割された静
電チャック２に対応した形状で中心ならびに下方に移動
可能な静電チャック保護用の保護板３が左右に半等分ず
つ設けられている構造とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板（ウェハ）を
保持する真空チャックの構造の改善に関するものであ
る。
保持する真空チャックの構造の改善に関するものであ
る。
【０００２】現在、半導体製造のウエハプロセスのＣＶ
Ｄ、ＰＶＤ、イオン注入、エッチング等のそれぞれの工
程において、ウェハを処理するため、装置の処理室（チ
ャンバ）内に静電チャックが使用されている。
Ｄ、ＰＶＤ、イオン注入、エッチング等のそれぞれの工
程において、ウェハを処理するため、装置の処理室（チ
ャンバ）内に静電チャックが使用されている。
【０００３】静電チャックは上記のプロセス処理中にウ
ェハのずれを防止するために、ウェハを全体的に吸着さ
せるだけでなく、チラー（冷却器）を使用した場合にも
ウェハ表面の温度制御を効率良く行う役割も果たしてい
る。そのため、通常、静電チャックはウェハとほぼ同じ
大きさのものが使用される。
ェハのずれを防止するために、ウェハを全体的に吸着さ
せるだけでなく、チラー（冷却器）を使用した場合にも
ウェハ表面の温度制御を効率良く行う役割も果たしてい
る。そのため、通常、静電チャックはウェハとほぼ同じ
大きさのものが使用される。
【０００４】近年、半導体装置の製造において、高集積
化等によりウェハのサイズは大きく変化してきている。
しかし、静電チャックは全てのサイズのウェハに対応し
て設計されているわけではなく、ウェハのサイズに合わ
せて、その都度交換せざるを得なかったのが現状であ
る。
化等によりウェハのサイズは大きく変化してきている。
しかし、静電チャックは全てのサイズのウェハに対応し
て設計されているわけではなく、ウェハのサイズに合わ
せて、その都度交換せざるを得なかったのが現状であ
る。
【０００５】
【従来の技術】従来、上記の対策として、ウェハのサイ
ズよりも表面積の大きい静電チャックならば、そのまま
使用してウェハの吸着を行っていた。（特開平４−３４
０２４９）しかし、これではウェハを吸着していない部
分はプラズマ照射に対して全く無防備であり、結果的に
静電チャック表面の変質を招く恐れがある。
ズよりも表面積の大きい静電チャックならば、そのまま
使用してウェハの吸着を行っていた。（特開平４−３４
０２４９）しかし、これではウェハを吸着していない部
分はプラズマ照射に対して全く無防備であり、結果的に
静電チャック表面の変質を招く恐れがある。
【０００６】また、この時、静電チャック内の電極部分
を分離する事により、電位を部分的にかけ、ウェハのサ
イズに合わせている方法（特開平３−１４５１５１、特
開平４−２３６４４９）もあるが、これらも基本的には
上記と同様に静電チャックの表面がプラズマに曝される
ことに変わりがない。
を分離する事により、電位を部分的にかけ、ウェハのサ
イズに合わせている方法（特開平３−１４５１５１、特
開平４−２３６４４９）もあるが、これらも基本的には
上記と同様に静電チャックの表面がプラズマに曝される
ことに変わりがない。
【０００７】また、静電チャック以外の基板ホルダ（真
空吸着）においては真空を部分的に行うことによりウェ
ハのサイズに対応させているものがある。（特開昭５６
−４６５２９）
空吸着）においては真空を部分的に行うことによりウェ
ハのサイズに対応させているものがある。（特開昭５６
−４６５２９）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たようにプラズマ照射時にウェハの吸着していない部分
がプラズマに曝され、静電チャック表面がエッチング、
若しくはスパッタリング効果により変質する可能性があ
る。
たようにプラズマ照射時にウェハの吸着していない部分
がプラズマに曝され、静電チャック表面がエッチング、
若しくはスパッタリング効果により変質する可能性があ
る。
【０００９】静電チャック表面が変質した場合、ウェハ
の吸着時に電位が十分にかからず、従ってウェハが部分
的にしか吸着されず、このような状態でプラズマ照射を
行えば、ウェハと静電チャックの間で異常放電が起こ
り、プラズマ処理中にウェハが落下する危険性がある。
の吸着時に電位が十分にかからず、従ってウェハが部分
的にしか吸着されず、このような状態でプラズマ照射を
行えば、ウェハと静電チャックの間で異常放電が起こ
り、プラズマ処理中にウェハが落下する危険性がある。
【００１０】また、上記のような異常放電が起こらなか
ったとしてもエッチング工程時にはエッチング分布の悪
化、ＣＶＤ工程時には堆積膜の膜厚分布の悪化等のプロ
セス処理に対する悪影響を及ぼす可能性が十分に考えら
れる。
ったとしてもエッチング工程時にはエッチング分布の悪
化、ＣＶＤ工程時には堆積膜の膜厚分布の悪化等のプロ
セス処理に対する悪影響を及ぼす可能性が十分に考えら
れる。
【００１１】本発明は、以上の点を鑑み、静電チャック
の交換の手間を省き、全てのウェハのサイズに対応でき
る静電チャックを用いたウェハ吸着方法を提供する。
の交換の手間を省き、全てのウェハのサイズに対応でき
る静電チャックを用いたウェハ吸着方法を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の静電チャ
ックの構造図、図２はこの静電チャックを用いたウェハ
吸着方法の説明図である。
ックの構造図、図２はこの静電チャックを用いたウェハ
吸着方法の説明図である。
【００１３】図において、１はウェハ、２は静電チャッ
ク、３は保護板である。先ず、図１により装置内の本発
明の静電チャックの構造を説明する。それ以外の部分は
省略してある。
ク、３は保護板である。先ず、図１により装置内の本発
明の静電チャックの構造を説明する。それ以外の部分は
省略してある。
【００１４】本発明では上記問題点を解決するために、
図１の上段に平面図で示すように、静電チャック２が幾
つかのサイズのウェハ１がそれぞれ吸着出来るように、
静電チャック２を同心円状に分割する。そして、図１の
下段に断面図で示すように、それぞれ分割された静電チ
ャック２は＋と−の電極を有している。この電極は１電
極でも良い。
図１の上段に平面図で示すように、静電チャック２が幾
つかのサイズのウェハ１がそれぞれ吸着出来るように、
静電チャック２を同心円状に分割する。そして、図１の
下段に断面図で示すように、それぞれ分割された静電チ
ャック２は＋と−の電極を有している。この電極は１電
極でも良い。
【００１５】すなわち、図１の左側は装置内の静電チャ
ック２の部分を拡大したもので、図の上段が平面図、下
段が側面図、且つ、左側が本発明の静電チャック２、右
側が本発明の保護板３の右半分を示し、図示しないが、
静電チャック２の左側にも保護板３の左半分が存在す
る。
ック２の部分を拡大したもので、図の上段が平面図、下
段が側面図、且つ、左側が本発明の静電チャック２、右
側が本発明の保護板３の右半分を示し、図示しないが、
静電チャック２の左側にも保護板３の左半分が存在す
る。
【００１６】静電チャック２の構造は、図の上段に平面
図で示すように、中心部分に最も小さいサイズの第１の
静電チャック2aを配置し、その外側に同心円状に中位の
サイズの第２の静電チャック2bを配置し、更にその外側
に最も大きいサイズの第３の静電チャック2cを配置した
ものである。また、形状も完全な円ではなくウェハのフ
ァセット部分を考慮した形状となっている。
図で示すように、中心部分に最も小さいサイズの第１の
静電チャック2aを配置し、その外側に同心円状に中位の
サイズの第２の静電チャック2bを配置し、更にその外側
に最も大きいサイズの第３の静電チャック2cを配置した
ものである。また、形状も完全な円ではなくウェハのフ
ァセット部分を考慮した形状となっている。
【００１７】この静電チャック２は個々の部分で独立に
電位がかけられる様になっており、更に、個々の静電チ
ャック２が上下に移動が可能である。図１の下段に静電
チャック２を断面図で示すように、必要な部分の静電チ
ャック２のみに電位をかけてウェハ１を静電吸着する。
また、図２に示すように、サイズの大きい不必要な静電
チャック２はウェハ１の吸着面よりも下方に移動させ、
ウェハ１の表面を保護板３で覆い隠す事により、使用し
ている静電チャック２の表面をプラズマ照射の影響から
保護出来る。
電位がかけられる様になっており、更に、個々の静電チ
ャック２が上下に移動が可能である。図１の下段に静電
チャック２を断面図で示すように、必要な部分の静電チ
ャック２のみに電位をかけてウェハ１を静電吸着する。
また、図２に示すように、サイズの大きい不必要な静電
チャック２はウェハ１の吸着面よりも下方に移動させ、
ウェハ１の表面を保護板３で覆い隠す事により、使用し
ている静電チャック２の表面をプラズマ照射の影響から
保護出来る。
【００１８】静電チャック２の左右に配置した保護板３
については、静電チャック２を小さいサイズのウェハ１
に適用する場合に、保護板３を部分的に使用可能となっ
ている。
については、静電チャック２を小さいサイズのウェハ１
に適用する場合に、保護板３を部分的に使用可能となっ
ている。
【００１９】次に、本発明の静電チャックを用いたウェ
ハ吸着方法を図１〜図２により説明する。図１の下段に
静電チャック２を断面図で示すように、用いるウェハ１
のサイズに適合した必要なサイズの静電チャック２のみ
に電位をかけてウェハ１を静電吸着する。また、図２に
示すように、用いたウェハ１よりサイズの大きい不必要
な静電チャック２はウェハ１の吸着面よりも下方に移動
させ、ウェハ１の表面に左右の保護板３を横に移動させ
て、ウェハ１の表面をプラズマから覆い隠す事により、
不必要な静電チャック２の表面をプラズマ照射の影響か
ら保護出来る。
ハ吸着方法を図１〜図２により説明する。図１の下段に
静電チャック２を断面図で示すように、用いるウェハ１
のサイズに適合した必要なサイズの静電チャック２のみ
に電位をかけてウェハ１を静電吸着する。また、図２に
示すように、用いたウェハ１よりサイズの大きい不必要
な静電チャック２はウェハ１の吸着面よりも下方に移動
させ、ウェハ１の表面に左右の保護板３を横に移動させ
て、ウェハ１の表面をプラズマから覆い隠す事により、
不必要な静電チャック２の表面をプラズマ照射の影響か
ら保護出来る。
【００２０】すなわち、ウェハ１のサイズが最も小さい
場合には中心部の第１の静電チャック2aのみに電位をか
けてウェハ１を吸着する。この時、中心部の第１の静電
チャック2a以外の第２の静電チャック2bや第３の静電チ
ャック2cは下方に移動している。そして、保護板３が下
方移動した静電チャック２の表面を覆い隠し、プラズマ
照射による静電チャック２の表面の変質を防ぐものであ
る。
場合には中心部の第１の静電チャック2aのみに電位をか
けてウェハ１を吸着する。この時、中心部の第１の静電
チャック2a以外の第２の静電チャック2bや第３の静電チ
ャック2cは下方に移動している。そして、保護板３が下
方移動した静電チャック２の表面を覆い隠し、プラズマ
照射による静電チャック２の表面の変質を防ぐものであ
る。
【００２１】次に、ウェハ１のサイズをもう少し大きく
すると、この時は第１の静電チャック2aと、第２の静電
チャック2bとに電位をかけ、ウェハ１の温度分布の悪化
を防ぐために第１の静電チャック2aと第２の静電チャッ
ク2bとの間にヘリウム(He)等の冷却用のガスを流す。そ
して、第１の保護板3bをあらかじめ下方に移動させた
後、上記と同様に下方移動した第３の静電チャック2cを
第２の保護板3cが覆い隠す。
すると、この時は第１の静電チャック2aと、第２の静電
チャック2bとに電位をかけ、ウェハ１の温度分布の悪化
を防ぐために第１の静電チャック2aと第２の静電チャッ
ク2bとの間にヘリウム(He)等の冷却用のガスを流す。そ
して、第１の保護板3bをあらかじめ下方に移動させた
後、上記と同様に下方移動した第３の静電チャック2cを
第２の保護板3cが覆い隠す。
【００２２】最後に、ウェハ１が最も大きいサイズの場
合には、３個の静電チャック２の全てを使用し、保護板
３を使用しない状態でウェハ１を静電チャック２に全面
吸着させれば良い。
合には、３個の静電チャック２の全てを使用し、保護板
３を使用しない状態でウェハ１を静電チャック２に全面
吸着させれば良い。
【００２３】即ち、本発明の目的は、図１に示すよう
に、吸着する複数種類のウェハ１の最大サイズに外径が
一致し、該ウェハ１のそれぞれのサイズに対応した複数
の同心円状に分割され、且つ中心の最小サイズの第１の
静電チャック2aを除く個々の分割された静電チャック２
が個々に下方移動可能な構造と中心の最小サイズの第１
の静電チャック2aを除く個々の分割された静電チャック
２に対応した形状で中心ならびに下方に移動可能な静電
チャック保護用の保護板３が左右に半等分ずつ設けられ
ている構造とを有することにより、また、図２に示すよ
うに、前記静電チャック２を用い、吸着する該ウェハ１
に適合した外径サイズまで順次該静電チャック２で該ウ
ェハ１を静電吸着し、該ウェハ１のサイズより大きい該
静電チャック２は下方に移動させ、左右に配置した保護
板３の内、サイズの同じか小さい該保護板３を下方に移
動させ、該ウエハ１サイズより大きい保護板３を左右よ
り中心方向に移動させて、該ウェハ１のサイズと同等以
下の該静電チャック２の表面を覆うことにより達成され
る。
に、吸着する複数種類のウェハ１の最大サイズに外径が
一致し、該ウェハ１のそれぞれのサイズに対応した複数
の同心円状に分割され、且つ中心の最小サイズの第１の
静電チャック2aを除く個々の分割された静電チャック２
が個々に下方移動可能な構造と中心の最小サイズの第１
の静電チャック2aを除く個々の分割された静電チャック
２に対応した形状で中心ならびに下方に移動可能な静電
チャック保護用の保護板３が左右に半等分ずつ設けられ
ている構造とを有することにより、また、図２に示すよ
うに、前記静電チャック２を用い、吸着する該ウェハ１
に適合した外径サイズまで順次該静電チャック２で該ウ
ェハ１を静電吸着し、該ウェハ１のサイズより大きい該
静電チャック２は下方に移動させ、左右に配置した保護
板３の内、サイズの同じか小さい該保護板３を下方に移
動させ、該ウエハ１サイズより大きい保護板３を左右よ
り中心方向に移動させて、該ウェハ１のサイズと同等以
下の該静電チャック２の表面を覆うことにより達成され
る。
【００２４】
【作用】上記のように、本発明ではウェハのサイズに応
じて分割された静電チャックに順次電位を欠け、且つ、
不要な静電チャックは下方移動して保護板で遮蔽するた
め、プラズマ工程において、不要な静電チャックがダメ
ージを受けることがなく、静電チャックや基板表面の汚
染等の障害を防止出来る。
じて分割された静電チャックに順次電位を欠け、且つ、
不要な静電チャックは下方移動して保護板で遮蔽するた
め、プラズマ工程において、不要な静電チャックがダメ
ージを受けることがなく、静電チャックや基板表面の汚
染等の障害を防止出来る。
【００２５】
【実施例】図３は本発明の一実施例の説明図である。図
において、１はウェハ、２は静電チャック、３は保護
板、４は高周波電源、５は上部電極、６は下部電極、７
はガス導入口、８は排気口、９は制御装置、10はチャン
バである。
において、１はウェハ、２は静電チャック、３は保護
板、４は高周波電源、５は上部電極、６は下部電極、７
はガス導入口、８は排気口、９は制御装置、10はチャン
バである。
【００２６】実施例で使用した装置を図３に示す。上部
電極５、下部電極６はウェハ１に対して平行に、しかも
ウェハ１を挿むように設置されていて、下部電極６には
プラズマを発生させるための高周波電源４が設置されて
いる。また、下部電極６には循環水を通すための溝があ
り、装置外のチラー（冷却器）と繋がっている。
電極５、下部電極６はウェハ１に対して平行に、しかも
ウェハ１を挿むように設置されていて、下部電極６には
プラズマを発生させるための高周波電源４が設置されて
いる。また、下部電極６には循環水を通すための溝があ
り、装置外のチラー（冷却器）と繋がっている。
【００２７】図示はしていないが、装置の外部にはプラ
ズマ照射時に使用するＨＢｒを封入したガス供給源があ
り、上部電極５の中心に開口形成されたガス導入口７よ
り装置のチャンバ10内に導入される。この時、ガス供給
源とガス導入口７との配管の間にはマスフロー（ガス流
量制御装置）が設けられ、エッチングに使用するガスは
独立して制御される。
ズマ照射時に使用するＨＢｒを封入したガス供給源があ
り、上部電極５の中心に開口形成されたガス導入口７よ
り装置のチャンバ10内に導入される。この時、ガス供給
源とガス導入口７との配管の間にはマスフロー（ガス流
量制御装置）が設けられ、エッチングに使用するガスは
独立して制御される。
【００２８】また、チャンバ10の左側には真空ポンプに
連結された排気口８が開口形成されていて使用済のガス
を排気するとともに、チャンバ10の内部を所定の圧力に
調整する。また保護板３を静電チャック２に被せるため
の駆動系を兼ね備えた制御装置９を装置のチャンバ10の
周囲に有している。
連結された排気口８が開口形成されていて使用済のガス
を排気するとともに、チャンバ10の内部を所定の圧力に
調整する。また保護板３を静電チャック２に被せるため
の駆動系を兼ね備えた制御装置９を装置のチャンバ10の
周囲に有している。
【００２９】上記の図３に示した装置を用いた実施例を
説明する。ここでの評価内容は、 プラズマ照射時にウェハ落下、異常放電等の確認。 チラー冷却器使用時のウェハ面内での温度分布の均一
性。特に、静電チャックに吸着している部分とガス冷却
を行っている部分での温度差。
説明する。ここでの評価内容は、 プラズマ照射時にウェハ落下、異常放電等の確認。 チラー冷却器使用時のウェハ面内での温度分布の均一
性。特に、静電チャックに吸着している部分とガス冷却
を行っている部分での温度差。
【００３０】実際にポリSi膜やSiO2膜をＨＢｒでエッ
チングした時のエッチング量とエッチング分布。とす
る。
チングした時のエッチング量とエッチング分布。とす
る。
【００３１】プラズマ照射時の条件は以下の通り。 ＲＦパワー： ３００Ｗ 使用ガス： ＨＢｒ ガス流量： １００ｓｃｃｍ チャンバ内圧力：０．１３Ｔｏｒｒ チラー温度： ８０℃ 冷却ガス ： Ｈｅ 実験の結果、、に関しては問題はなく、ウエハ内の
温度分布も静電チャックに吸着した部分とガス冷却の部
分の温度差は、ほぼ１０℃であった。
温度分布も静電チャックに吸着した部分とガス冷却の部
分の温度差は、ほぼ１０℃であった。
【００３２】また、エッチング量は、ポリSi膜の場合：
２，０００Å／ｍｉｎ SiO2膜の場合： ２５Å／ｍｉｎ で分布は両方とも、±５％であった。
２，０００Å／ｍｉｎ SiO2膜の場合： ２５Å／ｍｉｎ で分布は両方とも、±５％であった。
【００３３】ここで、上記装置内でウェハのサイズが変
わる毎に、静電チャックを交換した従来例の場合での評
価内容に相当するデータを呈示すると、 エッチング量は、ポリSi膜の場合：２，０００Å／ｍｉ
ｎ SiO2膜の場合：２０Å／ｍｉｎ でエッチング分布は、ポリSi膜の場合：±１０％ SiO2膜の場合：±１５％ であり、本発明の静電チャックを用いた場合は従来品に
比べて、エッチング量はほぼ同じであり、エッチング分
布において優れた結果を示している。
わる毎に、静電チャックを交換した従来例の場合での評
価内容に相当するデータを呈示すると、 エッチング量は、ポリSi膜の場合：２，０００Å／ｍｉ
ｎ SiO2膜の場合：２０Å／ｍｉｎ でエッチング分布は、ポリSi膜の場合：±１０％ SiO2膜の場合：±１５％ であり、本発明の静電チャックを用いた場合は従来品に
比べて、エッチング量はほぼ同じであり、エッチング分
布において優れた結果を示している。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェハのサイズが変わる度に静電チャックを交換する手
間が省ける。しかも、従来の静電チャックを用いた場合
と同じ処理を行ってもプロセス上に何の問題も起こさ
ず、エッチング分布の向上、処理時間の短縮に大きく寄
与している。
ウェハのサイズが変わる度に静電チャックを交換する手
間が省ける。しかも、従来の静電チャックを用いた場合
と同じ処理を行ってもプロセス上に何の問題も起こさ
ず、エッチング分布の向上、処理時間の短縮に大きく寄
与している。
【図１】 本発明の静電チャック
【図２】 本発明のウェハ吸着方法
【図３】 本発明の一実施例の説明図
図において １ ウェハ ２ 静電チャック ３ 保護板 ４ 高周波電源 ５ 上部電極 ６ 下部電極 ７ ガス導入口 ８ 排気口 ９ 制御装置 10 チャンバ
Claims (2)
- 【請求項１】 吸着する複数種類のウェハ(1) の最大サ
イズに外径が一致し、該ウェハ(1) のそれぞれのサイズ
に対応した複数の同心円状に分割され、且つ中心の最小
サイズの第１の静電チャック(2a)を除く個々の分割され
た静電チャック(2) が個々に下方移動可能な構造と、中
心の最小サイズの第１の静電チャック(2a)を除く個々の
分割された静電チャック(2) に対応した形状で中心なら
びに下方に移動可能な静電チャック保護用の保護板(3)
が左右に半等分ずつ設けられている構造とを有すること
を特徴とする静電チャック。 - 【請求項２】 請求項１記載の静電チャックを用い、吸
着する該ウェハ(1)に適合した外径サイズまで順次該静
電チャック(2) で該ウェハ(1) を静電吸着し、該ウェハ
(1) のサイズより大きい該静電チャック(2) は下方に移
動させ、左右に配置した保護板(3) の内、サイズの同じ
か小さい該保護板(3) を下方に移動させ、該ウエハ(1)
サイズより大きい保護板(3) を左右より中心方向に移動
させて、該ウェハ(1) のサイズと同等以下の該静電チャ
ック(2) の表面を覆うことを特徴とするウェハ吸着方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187394A JPH07297266A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 静電チャックとウェハ吸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9187394A JPH07297266A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 静電チャックとウェハ吸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297266A true JPH07297266A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14038684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9187394A Withdrawn JPH07297266A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 静電チャックとウェハ吸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297266A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000003904A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-07 | Ulvac Corp | 静電吸着装置及び真空処理装置 |
| JP2001077184A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | 静電吸着装置及びこれを備えた真空処理装置 |
| JP2002252274A (ja) * | 2000-03-07 | 2002-09-06 | Toto Ltd | 静電チャックユニット |
| KR20020073711A (ko) * | 2001-03-15 | 2002-09-28 | 주성엔지니어링(주) | 정전 척을 가지는 웨이퍼 고정장치 |
| WO2004100206A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Ebara Corporation | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
| US7138629B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
| JP2007234939A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | ウエハ処理装置 |
| JP2010199177A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック及びプラズマ処理装置 |
| JP2013534049A (ja) * | 2010-06-08 | 2013-08-29 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 加熱環状チャック |
| JP2017501572A (ja) * | 2013-12-06 | 2017-01-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | より小さいウエハおよびウエハ片向けのウエハキャリア |
| CN109831924A (zh) * | 2016-09-30 | 2019-05-31 | 艾克塞利斯科技公司 | 可调式圆周静电夹盘 |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP9187394A patent/JPH07297266A/ja not_active Withdrawn
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000003904A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-07 | Ulvac Corp | 静電吸着装置及び真空処理装置 |
| JP2001077184A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Ulvac Japan Ltd | 静電吸着装置及びこれを備えた真空処理装置 |
| JP2002252274A (ja) * | 2000-03-07 | 2002-09-06 | Toto Ltd | 静電チャックユニット |
| KR20020073711A (ko) * | 2001-03-15 | 2002-09-28 | 주성엔지니어링(주) | 정전 척을 가지는 웨이퍼 고정장치 |
| US8742341B2 (en) | 2003-04-22 | 2014-06-03 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
| US7138629B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
| US9406480B2 (en) | 2003-04-22 | 2016-08-02 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
| US7365324B2 (en) | 2003-04-22 | 2008-04-29 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
| US7741601B2 (en) | 2003-04-22 | 2010-06-22 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
| US8946631B2 (en) | 2003-04-22 | 2015-02-03 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
| WO2004100206A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Ebara Corporation | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP4622890B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2011-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | ウエハ処理装置 |
| JP2007234939A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | ウエハ処理装置 |
| JP2010199177A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック及びプラズマ処理装置 |
| JP2013534049A (ja) * | 2010-06-08 | 2013-08-29 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 加熱環状チャック |
| JP2017501572A (ja) * | 2013-12-06 | 2017-01-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | より小さいウエハおよびウエハ片向けのウエハキャリア |
| CN109831924A (zh) * | 2016-09-30 | 2019-05-31 | 艾克塞利斯科技公司 | 可调式圆周静电夹盘 |
| JP2019537243A (ja) * | 2016-09-30 | 2019-12-19 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 調整可能な周辺静電クランプ |
| KR20230010848A (ko) * | 2016-09-30 | 2023-01-19 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | 원주 조절이 가능한 정전 클램프 |
| CN109831924B (zh) * | 2016-09-30 | 2024-02-13 | 艾克塞利斯科技公司 | 可调式圆周静电夹盘 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20180096865A1 (en) | Oxygen compatible plasma source | |
| US20150170879A1 (en) | Semiconductor system assemblies and methods of operation | |
| US9208997B2 (en) | Method of etching copper layer and mask | |
| US20160217981A1 (en) | Semiconductor system assemblies and methods of operation | |
| US20150170943A1 (en) | Semiconductor system assemblies and methods of operation | |
| TWI479046B (zh) | Plasma processing device | |
| JPH1064989A (ja) | 静電チャック用シールド | |
| US7326358B2 (en) | Plasma processing method and apparatus, and storage medium | |
| CN111712924B (zh) | 空气间隙形成工艺 | |
| US20180197720A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| JPH09283459A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH11330215A (ja) | 基板温度制御方法及び装置 | |
| JP2879887B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| US11804368B2 (en) | Cleaning method and plasma processing apparatus | |
| JPH07297266A (ja) | 静電チャックとウェハ吸着方法 | |
| JP4322484B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| KR100188455B1 (ko) | 드라이 에칭방법 | |
| US20090301516A1 (en) | Substrate transfer device and cleaning method thereof and substrate processing system and cleaning method thereof | |
| US20070215180A1 (en) | Cleaning method of substrate processing equipment, substrate processing equipment, and recording medium for recording program thereof | |
| JP2007208302A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JPH08191059A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US10714355B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
| TW202231921A (zh) | 用於減少斜面沉積的背側氣體洩漏 | |
| US11887824B2 (en) | Method of cleaning plasma processing apparatus and plasma processing apparatus | |
| JP2004200353A (ja) | 処理方法及び処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010703 |