KR20020073711A

KR20020073711A - 정전 척을 가지는 웨이퍼 고정장치

Info

Publication number: KR20020073711A
Application number: KR1020010013465A
Authority: KR
Inventors: 고부진; 변홍식; 이승원; 김홍습; 권기청; 한순석
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2001-03-15
Filing date: 2001-03-15
Publication date: 2002-09-28

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조장치인 챔버내에 설치되어, 그 상부에 장착되는 웨이퍼의 지지 및 온도의 제어역할을 하는 정전척(electro static chuck)과, 상기 정전척이 결합되는 테이블에 관한 것으로, 200mm의 지름을 가지는 일반적인 웨이퍼 및 300mm의 지름을 가지는 대면적 웨이퍼의 처리공정에 모두 호환 적용이 가능한 하나의 테이블과, 상기 테이블에 결합되는, 목적하는 웨이퍼의 크기에 따라 구별되는 200mm 웨이퍼용 정전척과, 300mm 웨이퍼용 정전척을 각각 제공하여 보다 개선된 반도체 제조공정을 가능케 한다.

Description

정전 척을 가지는 웨이퍼 고정장치{Wafer fixing apparatus having an electrostatic chuck}

본 발명은 반도체 소자 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 공정을 진행하는 챔버의 내부에 설치되어, 웨이퍼의 지지 및 온도제어의 역할을 하는 정전척과, 상기 정전척이 결합되는 테이블에 관한 것이다.

근래에 들어 과학이 발달함에 따라서, 어떤 하나의 물리량을 가진 물질을 다른 물리량을 가진 물질로 변환하는 신소재 개발 분야가 급성장하고 있으며, 이러한 신소재 분야의 급성장은 반도체 분야를 통하여 고밀도 집적회로 등을 가능케 하는 원동력이 되고 있다. 특히, 현재에 들어 각종 전기적 소자의 경량화, 소형화, 박막화의 추세에 따라 반도체 소자를 구성하는 절연층과, 반도체층 및 도전체층을 박막으로 구성할 수 있는 신소재가 개발됨으로써 ULSI(Ultra Large Scale Integration) 등의 고밀도 집적회로를 구현하는 것이 가능하게 되었다.

반도체 소자는, 기판인 웨이퍼 상에 각종 물질을 적층하는 적층공정, 세정공정 및 식각공정 등 여러가지 공정을 거쳐 구현되는데, 이러한 각각의 공정은 통상 고유한 작업환경을 가지는 밀폐형 용기인 챔버 내에서 이루어진다. 이러한 반도체 제조장치인 챔버의 내부에는 통상 처리대상물인 웨이퍼의 고정수단인 척이 설치되어 웨이퍼를 지지하게 되는데, 이러한 척은 웨이퍼를 고정하는 방법에 따라, 기계식 척과 진공척 또는 정전척 등 다양하게 구분된다.

먼저 기계식 척이란, 지지표면 상에 안착되는 웨이퍼를 고정하기 위하여, 아암(arm) 또는 클램프(clamp)등의 물리적 힘에 의한 파지력을 가진 고정수단을 사용하여 웨이퍼를 고정하는 장치인데, 이는 웨이퍼에 대한 파지력이 불균일하여 웨이퍼와 지지부인 척 사이에 불균등 접촉이 이루어지고, 이로 인하여 웨이퍼의 변형을 야기하는 단점을 가지고 있다. 또한 진공척은 웨이퍼와 척 사이의 공간의 압력을, 챔버 내부의 압력 보다 낮게 하여 웨이퍼가 파지되도록 하는 방법을 사용하는데, 이는 전술한 기계식 척보다 우수한 균일 파지력을 가지고 있지만, 반도체의 처리공정이 진행되는 각각의 챔버내부의 압력이 불균일 하므로 상황에 따라 적절한 파지력을 발휘하지 못하는 단점을 가지고 있다.

이러한 문제를 해결하기 위하여 개발된 것이 정전척으로, 이는 웨이퍼와 척 내부에 설치되는 전극의 전압차이를 이용하여 웨이퍼를 고정, 지지하는 방법을 사용하는데, 이는 전술한 다른 종류의 척에 비하여 우수한 특성을 가지고 있어, 현재 화학적 기상증착장치나 물리기상증착장치 또는 에칭을 위한 챔버장치 내에서 웨이퍼를 지지하기 위하여 널리 이용되고 있다.

한편, 전술한 챔버내에서 진행되는 반도체 제조공정에 있어서, 처리대상물인 웨이퍼의 온도제어는 완성소자의 특성 즉, 반도체 소자의 균일도(Uniformity), 선폭(critical), 프로파일(profile) 및 재현성(repeatability)등에 중요한 영향을 미치게 된다. 특히, 스퍼터링에 의한 이온 충격에 의하여 다량의 열이 웨이퍼로 전달되는 고밀도 플라즈마 화학기상증착법(High Density Plasma Chemical Vapour Deposition : HDP-CVD)에 있어서, 웨이퍼의 가열보다 냉각이 휠씬 중요한데, 이러한 웨이퍼의 효과적인 온도제어를 위하여 척의 내부에는 웨이퍼의 온도를 제어할수 있는 온도제어수단과, 그외 처리공정의 원활한 진행을 위한 다수의 장치가 포함된다.

도 1은 전술한 일반적인 정전척(15)과, 상기 정전척(15)이 결합된 웨이퍼 테이블(2)의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면으로, 먼저 정전척(15)은 외부로부터 공급되는 냉각수를 저장 및 순환시켜, 그 상부에 장착되는 웨이퍼의 온도를 제어할 수 있는 냉각부(16)를 포함하는 정전척 몸체(14)로 구성되는데, 이러한 정전척의 상단에는 외부로부터 공급되는 헬륨가스를 통하여, 그 위에 장착되는 웨이퍼의 냉각을 촉진할 수 있는 채널을 표면에 가지는 유전판(11)과, 이러한 유전판(11)의 하부에, 웨이퍼(10)를 파지하기 위하여 외부로부터 교류전압이 인가되는 정전척 전극(12)등을 포함하고 있다. 이때 통상 전술한 유전판(11) 및 그 하부의 정전척 전극(12)은 공정의 신뢰도를 위하여 웨이퍼와 동일한 면적을 가지고 있으며, 목적에 따라, 특히 플라즈마 식각 공정에 사용되는 정전척의 경우에는, 전술한 척 몸체(14)에는 플라즈마의 이온 임팩트의 조절을 위한 RF전압이 인가될 수 있다.

이러한 정전척(15)은, 챔버를 관통하여 고정 설치되는 테이블(2) 상에 결합되는데, 상기 테이블(2)은 그 상부에, 정전척(15)과의 절연을 위한 절연판(20)을 가지고 있다. 이러한 절연판(20)의 하부에는, 그 상부에 장착되는 웨이퍼(10)의 로딩(loading) 또는 언로딩(unloading) 작업을 원활하게 하기 위하여, 상기 정전척(15)을 관통하여 설치되어, 웨이퍼(10)를 지지한 상태에서 상하로 연동하는 다수의 리프트 핀(44)의 구동시스템(30)과, 일정정도의 유동성을 가진 튜브형태로 이루어진 벨로우(Bellow : 40)를 포함하여 구성된다.

이때 도면에 도시한 바와 같이, 테이블(2) 내에는, 외부로부터 그 상부에 위치하는 정전척의 냉각부(16), 유전판(11), 정전척 전극(12) 및 정전척 몸체(14)를 각각 목적지로 갖는 냉각수, 헬륨 가스, 교류전압, RF전압이 도달할 수 있도록, 다수의 관통된 통로와, 전술한 리프트핀(44)이 삽입되는 리프트핀 통로를 가지고 있고, 이러한 각각의 통로에는 냉각수 공급관(52a) 및 배출관(52b)과, 헬륨가스 공급관(54a) 및 배출관(54b)과, 교류전압의 인입 및 인출을 위한 교류전극봉(56)과, RF 전압의 인입 및 인출을 위한 RF전극봉(58)과, 리프트 핀 구동 봉(45)이 끼워져 각각 정전척(15)에 도달된다. 이때 이러한 테이블(2) 및 정전척(15)의 구조는 목적하는 공정에 따라, 그 외형적 크기 또는 관통된 통로의 배열순서에 차이가 있을 수 있으나, 대부분 전술한 구성, 외부에서 테이블(2)을 관통하여 정전척(15)에 각 요소가 전달되는 구성을 가지고 있다.

한편 정전척(15)의 상단에 놓여져 피 처리되는 웨이퍼(10)는, 목적에 따라 각각 지름 h가 200mm인 일반적인 웨이퍼와, 300mm인 대면적 웨이퍼로 구분되는 바, 이러한 웨이퍼의 크기에 따라 정전척과, 상기 정전척이 장착되는 웨이퍼 테이블 또한 200mm 웨이퍼 테이블 및 정전척과, 300mm 웨이퍼 테이블 및 정전척으로 각각 구분되어 사용된다. 즉, 정전척의 상부에 장착되는 웨이퍼의 크기에 따라, 각각 구분되어 사용되는 200mm 웨이퍼용 정전척과, 300mm 웨이퍼용 정전척은 그 내부에 형성된 다수의 통로가 서로 다른 위치에 형성되어 있어, 이에 따라 각각의 정전척이 결합되는 테이블 역시 200mm 웨이퍼용 정전척이 결합되는 테이블과, 300mm 웨이퍼용 정전척이 결합되는 테이블로 구분되어 있다.

이와 같이 웨이퍼의 크기에 따라 서로 구분되는 정전척 및 웨이퍼 테이블은 서로 호환이 불가능하여, 한 챔버내에서 200mm용 웨이퍼를 처리하던 중, 300mm 대면적 웨이퍼를 처리하기 위해서는 정전척 및 테이블 전체를 모두 교체해야만 하는데 이는 반도체 제조공정을 매우 복잡하게 하고 번거롭게 만들뿐만 아니라, 챔버의 내부에 조성된 고유한 환경을 변화시켜 소자의 신뢰성을 저하하는 심각한 문제점을 가지고 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 200mm 웨이퍼용 정전척과, 300mm 웨이퍼용 정전척이 각각 호환되어 결합 될 수 있는 하나의 테이블과, 이러한 테이블에 결합되는 200mm 웨이퍼용 정전척과, 300mm용 웨이퍼 정전척을 각각 제공하여 보다 안정적인 반도체 제조공정을 가능하게 하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 일반적인 정전척과 테이블의 결합된 모습을 개략적으로 도시한 단면도

도 2a, 2b는 각각 본 발명에 따른 200mm 웨이퍼용 정전척과, 300mm용 웨이퍼용 정전척의 내부 구조를 도시한 단면도

도 3은 본 발명에 따른 테이블의 내부 구조를 도시한 단면도

도 4는 본 발명에 따른 정전척의 하면을 도시한 저면도

도 5는 본 발명에 따른 정전척과 테이블의 결합에 개재되는 원형링을 도시한 사시도

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

170 : 냉각수 공급 및 배출홀172 : 헬륨가스 공급 및 배출홀

174 : 교류전압 인입 및 인출홀176 : RF 전압 인입 및 인출홀

177 : 리프트핀 홀178 : 핀 홀

200 : 오 링(O-ring)

본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여, 서로 다른 제 1 사이즈 또는 제 2 사이즈를 가진 웨이퍼를 고정하고, 상부로 돌출된 복수개의 봉과 복수개의 관을 가진 테이블 상부에서 상기 웨이퍼를 고정하기 위하여 상단과 하단이 서로 다른 외주를 갖는 정전척으로서, 상단의 외주 크기는 상기 제 1 사이즈 또는 제 2 사이즈의 웨이퍼의 크기와 대응되고, 하단의 외주 크기는 상기 테이블과 일치하면서, 상기 테이블의 복수개의 돌출된 봉과 돌출된 관이 각각 끼워질 수 있는 통로가 형성되어 있고, 상기 테이블위에 탈착가능하도록 고정된 정전척을 제공한다.

특히 상기 다수개의 돌출된 관은 각각 냉각수관과 헬륨관인 것을 특징으로 한다.

또한 상기 각각의 관이 끼워지는 상기 정천적의 하단에 형성된 통로입구에 위치한 탄력을 가진 원형링을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.

특히 상기 원형링은 제 1 원형링과, 상기 제 1 원형링의 내부에 중첩형성된 제 2 원형링을 가지는 것을 특징으로 한다.

또한 상기 원형링은 고무재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.

특히 상기 돌출된 복수개의 봉은 각각 RF전압과 DC전압이 인가되는 봉인 것을 특징으로 한다.

또한 상기 테이블은 가장자리에 복수개의 수직방향의 홀을 가지고 있으며, 상기 정천적의 가장자리에 상기 테이블의 홀과 대응되어 수직방향으로 관통하는 홀이 형성되어 있으며, 상기 정전척의 홀과 상기 테이블의 홀을 관통하는 핀을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 통하여 상세히 설명한다.

본 발명은 그 내부에 형성되는 다수의 통로의 위치는 동일하나, 외형에 있어 서로 구별되는 200mm웨이퍼용 정전척과 300mm웨이퍼용 정전척을 각각 제공하고, 이러한 각각의 정전척이 서로 호환하여 장착이 가능한 하나의 웨이퍼 테이블을 제공하는 것을 특징으로 하는데, 이하 설명의 편의를 위하여, 각각의 정전척 및 테이블의 일례로, 식각공정에 사용되는 테이블 및 정전척을 예시하여 설명하지만, 이는 여기에 한정되는 것은 아니며, 반도체 제조를 위한 다른 공정, 예를 들어 증착챔버 또는 세정챔버 등에 모두 적용이 가능함은 이하 설명을 통해 당업자에게는 자명한 사실이 될 것이다.

본 발명에 따른 정전척은, 그 내부구조를 도시한 단면도인 도 2a와 같이, 상단부(104a), 즉 최상층의 유전판(102a) 및 그 하부의 교류전극층(103a)이, 각각 200mm 의 지름을 가지는 일반적인 웨이퍼용 정전척(101a)과, 2b에 도시한 바와 같이, 상단부(104b)가 300mm의 지름을 가지는 대면적 웨이퍼용 정전척(101b)으로 구분된다.

이러한 본 발명에 따른 각각의 정전척(101a, 101b)은 그 상부에 장착되는 웨이퍼의 크기에 따라 200mm 웨이퍼용 정전척(101a)과, 300mm 웨이퍼용 정전척(101b)으로 구분되는데, 이들은 모두 동일한 구성을 가지고 있다. 즉 각 정전척(101a, 101b)의 최 상단에 위치하여, 외부로부터 공급되는 헬륨가스를 통해 각 웨이퍼(100a, 100b)의 냉각을 촉진할 수 있도록, 그 표면에 채널이 형성된 유전판(102a, 102b)과, 이러한 각 유전판(102a, 102b)의 하부에, 웨이퍼의 흡착을 위하여 외부로부터 교류전압이 인가되는 정전척 전극(112a, 112b)을 포함하는 정전척 전극판(103a,103b)이 위치하며, 그 하부에는 웨이퍼의 온도제어를 위한 냉각수의 저장 또는 순환이 가능하도록 이루어지는 냉각부(116a, 116b)가 포함되어 있다.

이때 설명의 편의를 위하여 전술한 유전판(102a, 102b) 및 그 하부의 정전척 전극판(103a, 103b)의 부분을 정전척의 상단부(104a, 104b)라 하고, 그 하부에 냉각부(116a, 116b)가 포함된 부분을 정전척 몸체(110a, 110b)라고 하면, 상기 각 정전척의 상단부(104a, 104b)는, 그 하부의 정전척 몸체(110a, 110b)보다 소정의 길이만큼 작은 지름을 가지고 있는데, 이는 그 상부에 장착되는 웨이퍼(100a, 100b)의 크기에 따라서, 200mm 웨이퍼용 정전척(101a)의 경우에는 이와 동일한 크기인 200mm의 지름을 가지게 되고, 300mm 웨이퍼용 정전척(101b)의 경우에는 300mm 의 지름을 가지고 있다. 이에 반하여 각 정전척의 몸체(110a, 110b)는 200mm 웨이퍼용 정전척(110a)과, 300mm 웨이퍼용 정전척(110b) 모두 동일한 크기를 가지고 있는데, 이러한 각 정전척의 몸체(110a, 110b)는 바람직하게는 320mm정도의 동일한 지름을 가지고 있다.

상기 정전척 및 테이블이 플라즈마 식각 챔버에 장착될 경우에, 이러한 각 정전척 몸체에는 외부로부터 RF 전압이 인가될 수 있다.

또한 전술한 각각의 정전척(101a, 101b)에는, 외부로부터 상기 정전척에 관통 설치되어, 유전판(102a, 102b)에 헬륨가스가 전달되고 배출될 수 있도록 하는 헬륨가스 통로와, 상기 정전척 전극(103a, 103b)에 교류전압을 인가될 수 있도록 하는 교류전압 통로와, 상기 냉각부(116a, 116b)에 냉각수가 공급되고 배출될 수 있도록 하는 냉각수 통로와, 상기 척 몸체(110a, 110b)에 RF전압이 인가될 수 있도록 하는 RF전압 통로를 가지고 있으며, 또한 상기 각 정전척(101a, 101b)의 상부에 장착되는 웨이퍼(100a, 100b)의 로딩 언로딩을 원활하게 하기 위한, 다수의 리프트 핀(144a, 144b)이 끼워지는 리프트핀 홀을 각각 가지고 있다.

전술한 본 발명에 따른 각 정전척은 하나의 웨이퍼 테이블 상에 각각 장착되는 것이 가능한데, 이러한 본 발명에 따른 웨이퍼 테이블의 단면구조를 도 3에 도시하였다.

본 발명에 따른 테이블(119)은, 그 상부에 전술한 각 정전척과의 절연을 위한 절연판(120)이 위치하고, 이 절연판의 하부에는 척을 관통하여 설치되는 리프트 핀의 구동을 위한 리프트 핀 구동시스템(130)이 위치하며, 그 하단에 주름을 가지고 있어 일정정도의 유동성을 가진 튜브형태의 밸로우(Bellow : 140)가 위치한다.

이때 상기 리프트핀 구동시스템(130)과, 밸로우(140)는 바람직하게는 플랜지(flange)를 매개로 결합될 수 있는데, 이들 각 부분의 연결부분에는, 서로 유격없이 밀착되어 진공을 유지할 수 있도록 탄력성 있는 재질로 이루어진 원형링(O-ring : 도 5 참조)(160a, 160b, 160c)이 개재되며, 상기 테이블(119)은, 바람직하게는 전술한 정전척의 몸체(도 2a, 도 2b의 110a, 110b)와 동일한 지름 즉, 320mm 정도의 원형형상을 가지게 된다.

또한 본 발명에 따른 테이블(119)은 그 상단에 각 정전척이 장착될 경우에, 상기 정전척의 각 부분으로 냉각수 및 헬륨 가스의 전달 및 배출과, 교류전압 및 RF전압의 인가를 가능하게 하고, 리프트 핀이 설치될 수 있도록, 상기 정전척에 형성된 다수의 통로에 각각 끼워지는, 냉각수 공급관(152a) 및 배출관(152b)과, 헬륨가스 공급관(154a) 및 배출관(154b)과, 교류전압 인입 및 인출봉으로 이루어지는 교류전극봉(156)과, RF전압 인입 및 인출봉으로 이루어지는 RF전극봉(158)과, 리프트 핀 구동봉(145)을 가지고 있다. 이러한 냉각수 공급관(152a) 및 배출관(152b)과, 헬륨가스 공급관(154a) 및 배출관(154b)과, 교류 전극봉(156)과, RF전극봉(158)과 리프트 핀 구동봉(145)은 이와 각각 대응되도록 형성된, 정전척 하부면의 홀을 통하여 끼워져 상기 정전척의 각 목적지에 도달되는데, 이러한 정전척의 하단은 도 4에 도시한 바와 같이 구성된다.

즉, 동일 간격으로 이격된, 바람직하게는 세 개의 리프트핀 홀(177)이 각각 최 외각에 위치하고, 이러한 리프트핀 홀(177)의 안쪽으로 동심원 형상을 그리며, 상기 정전척 전극에 교류전압을 인가하고 인출하는 교류전극봉이 지나는 교류전압 인가홀(174a) 및 인출홀(174b)과, 정전척의 상부에 위치하는 절연판을 목적지로 하는 헬륨가스 주입관과 여기서 배출되는 헬륨 가스 배출관이 지나는 헬륨가스 유입홀(172a) 및 헬륨가스 배출홀(172b)과, 정전척 내부에 위치하는 냉각부에 냉각수를 유입하는 냉각수 유입관과, 냉각수가 배출되는 냉각수 유출관이 지나는 냉각수 유입홀(170a) 및 냉각수 배출홀(170b)과, 정전척 몸체에 RF전압을 인가하는 RF전극봉이 각각 지나는 RF전압 인가홀(176a) 및 인출홀(176b)이 형성되어 있다.

이 때 바람직하게는, 상기 냉각수 공급홀(170a) 및 배출홀(170b)과, 교류전압 인가홀(174a) 및 인출홀(174b)과, RF전압 인가홀(176a) 및 인출홀(176b)은 서로 연접하여 쌍을 이루며 위치하며, 헬륨가스 유입홀(172a) 및 헬륨가스 배출홀(172b)은 서로 대향되는 위치에 형성된다. 특히 이러한 다수의 홀 중 헬륨가스 유입홀(172a) 및 헬륨가스 배출홀(172b)과, 냉각수 공급홀(170a) 및 배출홀(170b)에는 그 내부에 흐르는 유체물질(헬륨 가스 및 냉각수)의 누설을 막기 위한, 탄력성 있는 재질로 이루어진 오링(O-ring : 200)이 위치는데, 이러한 오링(200)은 바람직하게는 고무 재질로 이루어진, 2중 오링(200)이 사용된다.

이러한 본 발명에 따른 각각의 정전척은, 처리되는 웨이퍼의 크기에 따라, 본 발명에 따른 테이블에 각각, 호환되어 장착되는데 이러한 각각의 정전척과 테이블의 결합방법은 척 몸체를 관통하여 테이블의 핀홀(178)에 장착되는 다수의 핀 을 통하여 고정하는 것이 가능하다.

본 발명에 따른, 그 상부면에 웨이퍼가 놓이게 되는 척 상단의 지름을 각각 다르고, 그 하단의 웨이퍼 테이블과 접촉되는 척 몸체를 동일한 크기로 구성된 200mm 웨이퍼용 정전척 및 300mm 웨이퍼용 정전척과, 이러한 각각의 정전척과 상호 공유가 가능한 공용 웨이퍼 테이블을 반도체 제조공정에 사용할 경우, 하나의 웨이퍼 테이블에 쉽게 착탈가능한 정전척을 목적에 따라 쉽게 구분하여 사용하는 것이 용이하게 됨에 따라 다양하게 구분되는 반도체 제조공정을 보다 단순화 할수 있고, 그 교체속도가 종전에 비하여 놀랄만큼 상승하여 챔버의 환경에 큰 영향을 주지 않아 반도체 제품의 소자의 신뢰성을 향상하게 된다.

또한 웨이퍼 테이블과 맞닫는 냉각수 유입관 및 유출관에 중첩 배치된 원형링을 사용함으로 정전척이 교체되어도 냉각수의 누설현상을 억제하여 보다 안정적인 교체작업을 가능케 한다.

Claims

서로 다른 제 1 사이즈 또는 제 2 사이즈를 가진 웨이퍼를 고정하고, 상부로 돌출된 복수개의 봉과 복수개의 관을 가진 테이블 상부에서 상기 웨이퍼를 고정하기 위하여 상단과 하단이 서로 다른 외주를 갖는 정전척으로서,

상단의 외주 크기는 상기 제 1 사이즈 또는 제 2 사이즈의 웨이퍼의 크기와 대응되고,

하단의 외주 크기는 상기 테이블과 일치하면서, 상기 테이블의 복수개의 돌출된 봉과 돌출된 관이 각각 끼워질 수 있는 통로가 형성되어 있고, 상기 테이블위에 탈착가능하도록 고정된 정전척
청구항 1에 있어서,

상기 다수개의 돌출된 관은 각각 냉각수관과 헬륨관인 정전척
청구항 2에 있어서,

상기 각각의 관이 끼워지는 상기 정천적의 하단에 형성된 통로입구에위치한 탄력을 가진 원형링을 더욱 포함하는 정전척
청구항 3에 있어서,

상기 원형링은 제 1 원형링과, 상기 제 1 원형링의 내부에 중첩형성된 제 2 원형링을 가지는 정전척
청구항 3 또는 청구항 4 중 하나의 항에 있어서,

상기 원형링은 고무재질로 이루어진 정전척
청구항 1에 있어서,

상기 돌출된 복수개의 봉은 각각 RF전압과 DC전압이 인가되는 봉인 정전척
청구항 1에 있어서,

상기 테이블은 가장자리에 복수개의 수직방향의 홀을 가지고 있으며,

상기 정천적의 가장자리에 상기 테이블의 홀과 대응되어 수직방향으로 관통하는 홀이 형성되어 있으며,

상기 정전척의 홀과 상기 테이블의 홀을 관통하는 핀을 더욱 포함하는 정전척