KR20150068917A - 정전척 세정 픽스처 - Google Patents

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Abstract

세정 프로세스 동안 반도체 기판들을 지지하기 적합한 정전척을 보호하기 위한 세정 픽스처 어셈블리는 정전척의 후면과 정렬하고 인게이지하도록 구성된 플레이트를 포함하고, 이 플레이트는 포켓을 둘러싸는 환상 시일부를 갖는다. 세정 픽스처 어셈블리는 또한 플레이트의 환상 시일부와 인게이지하는 제 1 O-링, 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들, 및 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들을 둘러싸는 복수의 O-링들을 포함한다. 복수의 쓰루홀들은 정전척의 후면의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하도록 구성되고, 복수의 O-링들은 세정 매질이 정전척의 후면에 닿는 것을 시일하는 동안, 세정 프로세스 동안 세정 매질로 하여금 정전척 내의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들에 인게이지하게 하도록 위치된다.

Description

정전척 세정 픽스처{ELECTROSTATIC CHUCK CLEANING FIXTURE}
본 발명은 반도체 프로세싱 장비를 세정하는 방법들 및 장치들에 관한 것이고, 보다 특히 정전척을 세정하는 것에 관한 것이다.
정전척 (ESC: electrostatic chuck) 은 플라즈마 에칭 챔버들과 같은 반도체 프로세싱 장비의 부품이고, CVD (chemical vapor deposition), PVD (physical vapor deposition), 또는 에칭 반응기와 같은 프로세싱 동안 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판 (즉, 플랫 패널 디스플레이) 의 이동, 홀딩, 및/또는 온도 제어를 위해 사용될 수 있다. ESC들은 종종 예를 들어, 동적 조정 (dynamic alignment) 실패, ESC와 지지된 기판 밑면 사이의 헬륨 냉각 가스의 많은 누설, 증가된 디척킹 시간 (dechucking), 및 기판의 ESC 또는 디척킹 피처로의 들러붙음 (sticking) 을 포함하는, 실패들을 야기하는 짧은 수명을 나타낸다. ESC들의 초기 실패는 기판 파괴를 초래하고, 쓰루풋에 영향을 주고, 입자 및 결함 문제들을 유발하고, 이러한 ESC들을 통합하는 플라즈마 프로세싱 장비의 소유 비용들을 증가시킬 수 있다.
실시예들에서, 본 개시는 세정 프로세스 동안 정전척을 보호하기 위한 세정 픽스처 어셈블리 (cleaning fixture assembly) 를 제공한다. 실시예들에서, 정전척은 반도체 기판들을 지지하기에 적합하다. 실시예들에서, 세정 픽스처 어셈블리는 정전척의 후면과 정렬하고 인게이지 (engage) 하도록 구성된 플레이트로서, 이 플레이트는 포켓을 둘러싸는 환상 시일부를 갖는, 플레이트; 플레이트의 환상 시일부 (annular seal portion) 를 인게이지하는 제 1 O-링, 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들 (through-holes), 및 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들을 둘러싸는 복수의 O-링들을 포함한다. 실시예들에서, 복수의 쓰루홀들은 정전척의 후면의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하도록 구성되고, 복수의 O-링들은 세정 매질 (cleaning media) 이 정전척의 후면에 닿는 것을 시일하는 동안, 세정 프로세스 동안 세정 매질로 하여금 정전척 내의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들에 인게이지하게 하도록 위치된다.
실시예들에서, 본 개시는 또한 세정 프로세스 동안 정전척을 보호하기 위해 세정 픽스처 어셈블리 상에 장착된 정전척을 제공한다. 실시예들에서, 정전척은 반도체 기판들을 지지하기에 적합하다. 실시예들에서, 정전척의 후면은 복수의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들을 포함한다. 실시예들에서, 세정 픽스처 어셈블리는, 정전척의 후면과 정렬되고 인게이지하도록 구성된 플레이트로서, 이 플레이트는 포켓을 둘러싸는 환상 시일부를 갖는, 플레이트; 플레이트의 환상 시일부와 인게이지하는 제 1 O-링; 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들; 및 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들을 둘러싸는 복수의 O-링들을 포함한다. 실시예들에서, 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들은 정전척의 후면의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하고, 복수의 O-링들은 세정 매질이 정전척의 후면에 닿는 것을 시일하는 동안, 세정 프로세스 동안 세정 매질로 하여금 정전척 내의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들에 인게이지하게 하도록 위치된다.
본 개시는 또한 반도체 기판들을 지지하기에 적합한 정전척을 세정하는 방법을 제공한다. 이 방법은 정전척을 세정 픽스처 어셈블리 상에 장착하는 단계를 포함하고, 세정 픽스처 어셈블리는, 정전척의 후면과 정렬되고 인게이지하도록 구성된 플레이트로서, 플레이트는 포켓을 둘러싸는 환상 시일부를 갖는, 플레이트; 플레이트의 환상 시일부와 인게이지하는 제 1 O-링; 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들; 및 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들을 둘러싸는 복수의 O-링들을 수반한다. 이 방법은 또한 복수의 쓰루홀들이 정전척의 후면의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하도록 정전척을 세정 픽스처 어셈블리 상에 위치시키는 단계; 및 이어서 플레이트가 정전척의 후면 영역을 시일하고, 복수의 O-링들이 정전척의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들을 시일하도록 세정 픽스처 어셈블리 상의 정전척을 복수의 패스너 부재들로 고정하는 단계를 수반한다. 이 방법은 또한 정전척을 적어도 하나의 세정 매질을 사용하여 세정하는 단계를 수반한다. 실시예들에서, 세정 매질은 세정 프로세스 동안 정전척 내의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들을 통해 순환하지만 정전척의 후면에는 닿지 못한다.
도 1은 예시적인 정전척의 후면을 도시한다.
도 2는 정전척의 세정 시 사용하기 위해 구성된 세정 픽스처 어셈블리의 실시예를 도시한다.
도 3은 세정 픽스처 어셈블리 상에 장착된 정전척의 실시예를 도시한다.
반도체 프로세싱 장비 특히, 플라즈마 프로세싱 장치들을 위한 정전척들을 세정하기 위한 방법들 및 장치가 제공된다. 이하의 기술에서, 본 명세서에 기술된 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 구체적인 상세들이 언급된다. 그러나, 본 명세서의 실시예들이 이들 구체적인 상세들의 전부 또는 일부가 없이도 실시될 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다. 다른 예들에서, 공지의 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 본 명세서에 기술된 방법들 및 장치들을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않는다.
달리 지시되지 않는 한, 예시적인 개시 및 청구항들에서 양들, 조건들, 등을 표현하는 모든 숫자들은 모든 예들에서 용어 “약”로 한정되는 것으로 이해된다. 용어 “약”은 예를 들어, 수적인 값의 ±10 ％의 범위를 커버하는 수적인 값들을 참조한다. 양과 조합하여 사용된 한정사 “약”은 언급된 값을 포함한다.
본 명세서 및 이하의 청구항에서, “a”, “an”, 및 “the”와 같은 단수형들은 문맥이 명확하게 다르게 언급하지 않는 한 복수 형태를 포함한다.
용어들, “실온”, “주변 온도”, 및 “주변 (ambient)”은 예를 들어, 약 20 ℃ 내지 약 25 ℃의 온도를 지칭한다.
용어 “신규 ESC들”은 예를 들어, 반도체 기판들을 프로세싱하기 위해 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 사용되지 않은 ESC들을 지칭하고, 용어 “사용된 ESC들”은 예를 들어, 반도체 기판들을 프로세싱하기 위해 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 사용된 ESC들을 참조한다.
용어 “유전체 ESC”는 예를 들어, 산화 실리콘 및 저-k 재료들을 플라즈마 에칭하는 것과 같은 유전체 에칭 프로세스들에서 사용된 ESC를 참조한다. 실시예들에서, ESC는 반도체 또는 웨이퍼와 같은 기판을 지지하는 세라믹 표면을 갖는 금속 베이스 (예를 들어, 양극산화되거나 양극산화되지 않은 알루미늄 합금) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 세라믹 표면은 2 개의 세라믹 층들 (예를 들어, 대략 20 mils 두께의 얇은 세라믹 층들) 사이에 패터닝된 내화성 (예를 들어, 텅스텐 또는 몰리브덴) 전극을 포함하는 소결된 적층을 포함할 수도 있다. 적층은 실리콘계 재료 함유 도전성 파우더들 (예를 들어, 알루미늄, 실리콘, 등) 과 같은 결합 재료를 사용하여 금속 베이스에 결합될 수도 있다. 대략 1.5 인치 두께를 가질 수도 있는 금속 베이스는 RF 및 DC 전력 피드들, 리프트 핀들을 위한 쓰루홀들, 헬륨 가스 통로들, 온도-제어된 유체 순환을 위한 채널들, 온도 센싱 장치들, 등을 포함할 수도 있다. 실시예들에서, ESC의 후면은 전자 부품들과 같은, 센서티브 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 1은 임베딩된 PCB (printed circuit board)(12), 리프트 핀 홀들 (14), 온도 센서들 (16), 고 전압 콘택트 (18), 베이스 플레이트 온도 프로브 (20), 물 유입구 및 유출구 (22), 및 헬륨 쓰루홀들 (24) 을 포함하는 예시적인 정적천의 후면 (10) 의 일 실시예의 예시를 도시한다. 외측 O-링 시일부 (30) 는 ESC의 후면 영역에 장착된다.
제작 동안, 오염물들이 신규 ESC의 표면들 상에 퇴적될 수도 있다. 게다가, 사용된 ESC들의 SEM (scanning electron microscopy) 및 EDS (energy dispersive spectroscopy) 분석은 에칭 후에 세라믹 ESC 표면들 상의 오염물들의 퇴적을 드러낸다. 오염물들은 ESC들의 표면 특성들을 변화시키고 ESC 성능이 ESC 표면들의 청결에 크게 의존하기 때문에 빠른 실패를 유발한다. 신규 ESC들의 제작 동안뿐만 아니라, 유전체 에칭 동안 ESC 표면들 상에 퇴적된 오염물들은 예를 들어, 유기 불순물들, 금속성 불순물들, 플루오라이드 불순물들, 전극 불순물들, 실리콘 입자들, 표면 입자들, 및 이들의 조합들을 포함한다. 플루오라이드 불순물들은 예를 들어, 알루미늄 플루오라이드, 티타늄 플루오라이드, 및 이들의 조합들을 포함하고, 금속성 불순물들은 예를 들어, 철, 크롬, 니켈, 몰리브덴, 바나듐, 및 이들 조합들을 포함하고, 전극 불순물들은 예를 들어, 텅스텐을 포함하고, 실리콘 불순물들은 예를 들어, Si, SiO2, 및 이들의 조합들을 포함한다. 예를 들어, 유기 불순물들, 플루오라이드 불순물들, 및 실리콘 불순물들과 같은 오염물들이 유전체 에칭 동안 사용된 ESC들의 세라믹 표면 상에 퇴적되는 반면, 예를 들어, 유기 불순물들, 금속성 불순물들, 및 전극 불순물들과 같은 오염물들은 통상적으로 신규 ESC들 상에서 발견된다.
실시예들에서, 신규 ESC들은 전처리 (preconditioned) 될 수 있고 사용된 ESC들은 세정 프로세스에 의해 세라믹 표면을 리프레시 (refresh) 하기 위해 제조 또는 에칭 동안 ESC들 상에 남아 있는 오염물들을 세정함으로써 복구될 수 있다. 예시적인 세정 프로세스들은 예를 들어, 각각이 공동으로 양도되고 전체가 참조로서 본 명세서에 통합된 미국 특허 제 7,052,553 호, 미국 특허 제 7,648,582 호, 미국 특허 제 8,215,321 호, 미국 특허 출원 공개 번호 제 2012/0073596 호 및 미국 특허 출원 공개 번호 제 2013/0104930 호에 기술된다.
그러나, 오염물들이 리프트 핀 홈부 또는 헬륨 가스 쓰루홀들과 같은, ESC 내의 통로들 내에서 또한 발견될 수 있어서, ESC 표면으로부터 오염물들을 단순히 제거하는 것은 충분하지 않다. 이들 통로들로부터 오염물들을 제거하는 것의 실패는 ESC의 청결을 위협하고, 통로들 내의 입자들은 미립자 오염 (particulate contamination) 에 기여할 수 있다. 입자들이 제거되지 않으면, 이들은 예를 들어, 저항값, 커패시턴스, 인덕턴스, 및 임피던스를 포함하는 정전척의 물리적 파라미터들 중 적어도 하나에 영향을 줄 수 있다.
ESC의 표면 상의 오염물들을 제거하는데 효율적인 세정 매질은 또한 ESC 내의 통로들로부터 오염물들을 제거하기 위해 사용될 수도 있다. 그러나, 세정 매질은 또한 ESC의 일부 센서티브 컴포넌트들에 악영향을 줄 수도 있다. 예를 들어, 실시예들에서, ESC는 세정 매질과의 접촉으로 인해 악영향을 받을 수 있는 임베딩된 PCB 또는 ESC의 후면 상에 분포된 다른 센서티브 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. ESC의 후면을 보호하지 않는 세정 통로들 (헬륨 홀들 및 리프트 핀 홀들과 같은) 은 세정 매질이 이들 센서티브 컴포넌트들과 접촉하게 할 수 있다. 일부 ESC들의 구조로 인해 (즉, 센서티브 컴포넌트들이 ESC의 후면에 걸쳐 임베딩되거나 분포될 수도 있기 때문에) 마스크 재료 또는 화학적으로 저항성 테이프를 사용하여 센서티브 컴포넌트들을 단순히 차단하는 것은 효율적이지 않을 수 있다 - 오히려, ESC의 전체 후면이 보호되어야 한다. 통과하는 통로들을 차단하고 이어서 세정 매질을 통과하는 통로에 주입하는 것은 ESC의 후면을 보호할 수 있지만, 이는 또한 세정 매질이 세라믹 상으로 확산되게 할 수 있고, 잠재적으로 오염을 유발한다.
실시예들에서, 정전척 세정 픽스처 어셈블리는 세정 매질이 ESC의 쓰루홀들과 접촉하고 세정하게 하면서 ESC의 후면을 효율적으로 보호하기 위해 사용될 수도 있다. 예를 들어, 실시예들에서, 세정 프로세스 동안 정전척을 보호하기 위한 세정 픽스처 어셈블리는 정전척의 후면과 정렬되고 인게이지하도록 구성된 플레이트로서, 이 플레이트는 포켓을 둘러싸는 환상 시일부를 갖는, 플레이트; 플레이트의 환상 시일부와 인게이지하는 제 1 O-링; 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들; 및 플레이트의 복수의 쓰루홀들을 둘러싸는 복수의 O-링들을 포함한다. 플레이트 내의 복수의 쓰루홀들은 정전척의 후면 내의 리프트 핀 및 헬륨 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하도록 구성된다. 복수의 O-링들은 세정 매질이 정전척의 후면에 닿는 것을 또한 시일하는 동안, 세정 프로세스 동안 세정 매질로 하여금 정전척 내의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들을 세정하게 한다. 즉, 세정 매질은 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들을 통해 순환할 수 있지만 정전척의 후면에 접촉하지 못한다고 할 수 있다.
정전척은 세정 프로세스 동안 정전척을 보호하기 위해 세정 픽스처 어셈블리 상에 위치될 수도 있다. 실시예들에서, 정전척의 후면은 나중에 ESC의 청결에 위협이 될 수 있는 불순물들을 제거하기 위해 세정 프로세스 동안 세정되어야 하는 복수의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들을 포함한다. 실시예들에서, 세정 픽스처 어셈블리는 정전척의 후면과 정렬되고 인게이지하도록 구성된 플레이트로서, 플레이트는 포켓을 둘러싸는 환상 시일부를 갖는, 플레이트; 플레이트의 환상 시일부와 인게이지하는 제 1 O-링; 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들; 및 플레이트 내의 복수의 쓰루홀들을 둘러싸는 복수의 O-링들을 포함한다. 실시예들에서, 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들은 정전척의 후면 내의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하고, 복수의 O-링들은 세정 매칠이 정전척의 후면에 닿는 것을 시일하는 동안, 세정 프로세스 동안 세정 매질로 하여금 정전척의 리프트 핀홀들 및 헬륨 홀들을 통해 순환하게 한다.
ESC가 세정 픽스처 상에 설치될 때, ESC의 후면은 세정 매질이 세라믹 표면 및 엘라스토머 방사상 홈부와 여전히 접촉할 수 있으면서, 세정 프로세스 동안 세정 매질로부터 보호된다. 세정 픽스처 어셈블리의 복수의 O-링들은 정전척의 후면의 리프트 핀 및 헬륨 쓰루홀들과 정렬되고 시일하도록 구성되고 - 따라서, 세정 매질이 정전척 내의 리프트 핀 및 헬륨 홀들을 통해 순환할 수 있지만, 정전척의 후면에 접근할 수 없다. 실시예들에서, 세정 어셈블리 상에 장착된 동안, 정전척은 정전척의 후면에 세정 매질이 닿지 않고, 약 20 분 이상, 또는 약 25 분 이상, 또는 약 30 분 이상, 또는 약 1 시간 이상, 또는 약 2 시간 이상과 같이 약 15 분 이상 세정 매질 (즉, 세정제) 에 완전히 침지될 수도 있다. 따라서, ESC의 표면 및 쓰루홀들은 효과적으로 세정하면서, 물 또는 화학물질들과의 접촉에 의해 악영향을 받을 수 있는 ESC의 센서티브 엘리먼트들 (즉, 전자부품들/PCB) 이 세정 프로세스 동안 보호된다.
실시예들에서, 플레이트의 포켓 내의 복수의 쓰루홀들 중 쓰루홀들의 수는 세정되어야 하는 정전척의 쓰루홀들의 합 (예를 들어, 헬륨 홀들과 리프트 핀 홀들의 합) 에 대응한다. 예를 들어, 일 실시예에서, 정전척은 하나의 헬륨 홀 및 3 개의 리프트 핀 홀들을 포함할 수도 있고, 대응하는 세정 픽스처는 4 개의 쓰루홀들 (하나는 헬륨 홀과 대응하게 위치되고, 3 개는 리프트 핀 홀들과 대응하게 위치됨) 을 포함할 수도 있다.
실시예들에서, 복수의 쓰루홀들을 둘러싸는 복수의 O-링들은 복수의 홈부들 내에 배치된다. 실시예들에서, 홈부들은 딱 들어맞는 (dove-tail) 홈부들이다.
실시예들에서, 정전척 세정 어셈블리의 플레이트의 포켓은 약 0.01 내지 약 0.1 인치, 또는 약 0.02 내지 약 0.08 인치, 또는 약 0.03 내지 약 0.07 인치, 또는 약 0.04 내지 약 0.05 인치와 같이, 약 0.1 인치 미만의 포켓 깊이를 갖는다. 실시예들에서, 포켓 깊이는 세정될 정전척의 후면의 토포그래피 (topography) 에 대응하게 선택될 수도 있다. 즉, 실시예들에서, 정전척의 후면은 정전척의 후면의 편평한 표면 위로 돌출하는 피처들을 포함할 수도 있고, 플레이트의 포켓 깊이는 이들 돌출하는 피처들의 높이에 대응하게 선택될 수도 있다고 할 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서, 정전척의 후면의 피처들 (정전척의 후면에 배치된 스크루 또는 복수의 스크루들과 같은) 은 ESC의 편평한 표면 위로 약 0.01 내지 약 0.1 인치, 또는 약 0.02 내지 약 0.08 인치, 또는 약 0.03 내지 약 0.07 인치, 또는 약 0.04 내지 약 0.05 인치와 같이 ESC의 편평한 표면 위로 돌출할 수도 있고, 포켓의 깊이는 돌출하는 피처의 크기에 대응할 수도 있다. 실시예들에서, 포켓 깊이는 돌출하는 피처의 높이보다 약 0.001 내지 약 0.01 인치 더 깊고, 또는 약 0.002 내지 약 0.02 인치 더 깊고, 또는 약 0.005 내지 약 0.05 인치 더 깊은 것과 같이 ESC의 편평한 표면으로부터 돌출하는 피처의 높이와 같고, 거의 같거나, 약간 더 깊다. 바람직한 실시예에서, 포켓 깊이는 ESC의 편평한 표면으로부터 돌출하는 피처의 높이와 매칭한다. 예를 들어, ESC가 ESC의 편평한 표면 위로 0.043 인치 돌출하는 스크루 또는 복수의 스크루들을 가지면, 정전척 세정 어셈블리의 플레이트의 포켓 깊이는 0.043 인치일 수도 있다.
실시예들에서, 복수의 패스너 부재들은 정전척을 플레이트에 고정하기 위해 사용될 수도 있다. 예를 들어, 실시예들에서, 정전척은 플레이트 내의 어퍼처들 내에 삽입된 패스너 부재들에 의해 플레이트에 부착될 수도 있다. 실시예들에서, 복수의 패스너 부재들은 플레이트를 둘러서 원주방향으로 이격된 홀들 내에 배치될 수도 있다. 패스너 부재들은 예를 들어, 쓰레드된 스크루들 (threaded screws), 볼트들, 등일 수도 있다. 바람직한 실시예에서, 패스너 부재들은 #10-32 스크루들과 같은 스크루들이다. 실시예들에서, 패스너 부재들과의 쓰레드된 연결 강도를 증가시키도록 헬리코일들 (helicoils) 이 플레이트 내의 어퍼처들 내에 배치될 수도 있다.
실시예들에서, 복수의 패스너 부재들은 O-링들의 완전한 압축을 달성하고, 결국, 시일 무결성 (integrity) 을 보장하기에 충분한 패스너 부재들을 포함한다. 예를 들어, 실시예들에서, 복수의 패스너 부재들은 약 5 내지 약 15 개의 패스너 부재들, 또는 약 8 내지 약 12 개의 패스너 부재들, 또는 약 10 개의 패스너 부재들과 같이, 약 3 내지 약 20 개의 패스너 부재들을 포함할 수도 있다. 보다 특히, 복수의 패스너 부재들 중 패스너 부재들의 수 및 타입은 세정 픽스처 어셈블리 내의 모든 O-링들을 압축하기 위해 요구되는 총 부하에 대응하게 선택될 수도 있다. 실시예들에서, 복수의 패스너 부재들에 의해 인가된 순 힘 (net force) 은 세정 픽스처 어셈블리 내의 모든 O-링들 (즉, 제 1 O-링들 및 복수의 O-링들) 을 압축하기 위해 요구되는 총 부하와 같거나 크다. 실시예들에서, 복수의 패스너 부재들은 세정 픽스처 어셈블리 내의 O-링들의 완전한 압축을 달성하기에 충분한 패스너 부재들을 포함하고, 결국, 시일 무결성을 보장한다.
실시예들에서, 세정 픽스처 어셈블리의 플레이트는 정전척 상의 피처가 적어도 하나의 배향 피처와 정렬될 때, 정전척 및 세정 픽스처 어셈블리가 (1) 서로 부착되기 위해 그리고 (2) 세정 프로세스를 수행하기 위해 적절히 위치될 수 있도록, 정전척 상의 피처와 대응하게 위치된 적어도 하나의 배향 피처를 포함할 수도 있다. 실시예들에서, 적어도 하나의 배향 피처는 적어도 하나의 배향 피처가 ESC의 특정한 피처와 정렬될 때, 세정 픽스처 내의 다우얼 핀 (dowel pin) 이 장착 ESC 홀과 정렬되고 클록 (clock) 되도록 ESC 정렬 슬롯과 세정 픽스처 내의 다우얼을 정렬시키도록 사용될 수도 있고, 이는 결국 세정 픽스처 어셈블리 내의 O-링들이 의도된 피처와 정확하게 배열 (line up) 되는 것을 보장한다. 예를 들어, 실시예들에서, 정전척 상의 피처가 플레이트 상의 적어도 하나의 배향 피처와 정렬될 때, 복수의 쓰루홀들이 정전척의 후면 내의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하고, 복수의 쓰루홀들을 둘러싸는 복수의 O-링들이 정전척 내의 리프트 핀 및 헬륨 홀들을 시일하도록 적절히 위치되도록, 배향 피처는 세정 픽스처 어셈블리에 대해 정전척을 위치시키는 것을 보조할 수도 있다. 임의의 적합한 배향 피처가 사용될 수도 있다. 예를 들어, 실시예들에서, 배향 피처는 홀, 보어 (bore), 정렬 다우얼, 또는 세정 픽스처 어셈블리 상에 그어진 가시적인 ID (identification) 또는 마킹일 수도 있다.
정전척을 세정하기 위해 구성된 세정 픽스처 어셈블리 (100) 의 예시적인 실시예가 도 2에 도시된다. 세정 픽스처 어셈블리 (100) 는 포켓 (114) 을 둘러싸는 환상 시일부 (112) 를 갖는 플레이트 (110) 를 포함한다. 세정 픽스처 어셈블리는 정전척 (미도시) 의 후면과 정렬되고 시일하도록 구성된다. 제 1 O-링 (116) 은 플레이트 (110) 의 환상 시일부 (112) 와 인게이지한다.
플레이트 (110) 는 플레이트의 포켓 내에 배치된 복수의 쓰루홀들 (118) 을 포함한다. 복수의 쓰루홀들 (118) 은 정전척 (미도시) 의 후면 내의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하도록 구성되고 - 즉, 쓰루홀들 (118) 은 정전척 내의 리프트 핀 및 헬륨 홀들의 치수들과 가까운 치수들을 갖고, 이들이 정전척 내의 리프트 핀 및 헬륨 홀들의 위치에 대응하게 플레이트 (110) 의 포켓 (114) 내에 위치된다고 할 수 있다. 플레이트 (110) 의 포켓 (114) 내에 배치된 복수의 O-링들 (120) 은 복수의 쓰루홀들 (118) 을 둘러싼다. 복수의 쓰루홀들 (118) 및 복수의 O-링들 (120) 은, 정전척이 세정 픽스처 어셈블리 (100) 상에 장착될 때, 복수의 쓰루홀들 (118) 이 정전척 내의 헬륨 홀들 및 리프트 핀 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하고, 세정 프로세스 동안, 복수의 O-링들 (120) 은 세정 매질이 여전히 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 인게이지하게 하면서, 세정 매질이 정전척의 후면에 닿는 것을 차단하도록 위치된다.
세정 픽스처 어셈블리 (100) 는 또한 세정 픽스처 어셈블리 (100) 상에 정전척을 적절히 위치시키기 위해 (즉, 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들이 쓰루홀들 (118) 및 복수의 O-링들 (120) 과 정렬되도록 정전척을 위치시키기 위해) 사용될 수 있는, 배향 마킹 (122) 를 포함한다. 세정 픽스처 어셈블리 (100) 상의 가시적인 마킹들이 정전척 상의 피처와 정렬될 때, 플레이트 (110) 내에 배치된 다우얼 핀 (130) 은 장착 ESC 홀 (미도시) 과 정렬되고 클록되어, 결국 세정 픽스처 어셈블리 내의 O-링들이 의도된 피처들과 정확하게 배열되는 것을 보장한다.
세정 픽스처 어셈블리 (100) 는 또한 정전척 (미도시) 을 플레이트 (110) 에 고정하기 위해 플레이트 (110) 를 둘러서 원주방향으로 이격된 홀들 (126) 내에 배치된 복수의 패스너 부재들 (124) 을 포함한다. 헬리코일들 (미도시) 은 또한 쓰레드된 연결 강도를 증가시키기 위해 홀들 (126) 내에 배치될 수도 있다.
도 3은 세정 픽스처 어셈블리 (300) 상에 장착된 정전척 (200) 의 예시적인 실시예를 도시한다. 정전척 (200) 은 홀들 (226) 내에 배치된 복수의 패스너 부재들 (미도시) 에 의해 세정 픽스처 어셈블리 (300) 에 부착된다. 복수의 헬리코일들 (미도시) 은 또한 패스너 부재들과의 쓰레드된 연결 강도를 증가시키기 위해 홀들 (226) 내에 배치될 수도 있다. 세정 픽스처 어셈블리 (300) 는 배향 피처들 (322) 을 포함하고, 이는 세정 픽스처 어셈블리 (300) 상에 정전척 (200) 을 적절히 위치시키기 위해 사용될 수 있다. 배향 피처들 (322) (세정 픽스처 어셈블리 (300) 상의 가시적인 마킹으로서 도시됨) 은 정전척 (200) 상의 피처 (240) 와 정렬된다.
ESC가 세정 픽스처에 고정된 후에, ESC가 세정 프로세스를 겪을 수도 있다. 임의의 목표된 세정 방법 또는 매질이 사용될 수도 있다. 실시예들에서, 정전척을 세정하기 위해 사용된 세정 방법 및/또는 세정 매질은 특정한 불순물을 효과적으로 제거하기 위한 능력에 기초하여 선택될 수도 있다. 실시예들에서, 세정 픽스처 어셈블리 (플레이트 및 O-링들을 포함) 의 재료는 세정 방법 및/또는 세정 매질에 기초하여 선택될 수도 있다 - 즉, 특정한 세정 방법 및/또는 세정 매질에 의한 세정 픽스처 어셈블리의 열화는 바람직하지 않고, 따라서, 실시예들에서, 세정 매질, 세정 방법, 및/또는 세정 지속기간과 양립가능한 (즉, 화학적으로 양립가능한) 세정 픽스처 어셈블리용 재료들을 선택하는 것이 바람직하다고 할 수 있다.
실시예들에서, 제 1 O-링 및 복수의 O-링들은 고무 재료, 바람직하게 목표된 세정 매질과 화학적으로 양립가능한 고무 재료로 구성된다. 실시예들에서, 고무 재료는 약 35 내지 약 95, 또는 약 40 내지 약 90과 같이, 약 30 내지 약 100 범위의 쇼 에이 경도 (Shore A hardness) 를 갖는다. 고무 재료는 VITON 고무 (델라웨어, 윌밍톤의 DuPont 사로부터 상업적으로 입수가능한, 비닐리덴 플루오라이드 (vinylidene fluoride) 와 헥사플루오로프로필렌 (hexafluoropropylene) 의 공중합체에 기반한 플루오로엘라스토머 (fluoroelastomer)), 폴리우레탄 고무, 에틸렌프로필렌 고무, 또는 플루오로폴리머 고무, 특히, 상표명 KALREZ (델라웨어, 윌밍톤의 DuPont 사로부터 입수가능한) 및 CHEMRAZ (Green Tweed & Co.로부터 입수가능한) 로 판매된 플루오로폴리머 고무들과 같은 고순도 플루오로폴리머 고무들과 같은, 임의의 적합한 재료일 수도 있다. 제 1 O-링 및 복수의 O-링들 내의 O-링 각각의 조성은 같거나 상이할 수도 있다.
실시예들에서, 세정 픽스처 어셈블리의 플레이트는 선택된 세정 매질과 양립가능한 적합한 재료로 구성된다. 예를 들어, 실시예들에서, 세정 픽스처 어셈블리의 플레이트는 스테인리스 스틸, 알루미늄, 양극산화된 알루미늄, 또는 임의의 다른 적합한 재료로 이루어질 수도 있다. 바람직한 실시예에서, 플레이트는 양극산화된 알루미늄이다.
세정 픽스처 어셈블리는 임의의 적합한 세정 방법 및/또는 세정 매질과 조합하여 사용될 수도 있다. 실시예들에서, 정전척은 선택적으로 특히, 정전척이 매우 오염되었다고 간주되면 (즉, 오염물 레벨이 눈으로 보기에 충분히 심각하면) 선택적인 사전-세정 절차를 겪을 수도 있다. 사전-세정 절차는 ESC가 탈이온 (DI) 수의 분사를 겪는 것을 포함할 수도 있다. ESC는 느슨한 표면 퇴적이 제거될 때까지 분사된다. 예를 들어, 실시예들에서, ESC는 약 3 내지 약 15 분, 또는 약 5 내지 약 10 분과 같이, 약 1 내지 약 20 분 동안 분사될 수 있다. 물로 ESC를 세정한 후, ESC는 건조될 수도 있다. 실시예들에서, 건조는 깨끗한, 건조 공기, 등을 사용하여 달성될 수도 있다.
실시예들에서, 세정 프로세스는 적어도 하나의 세정 매질과 정전척이 접촉하는 것을 포함한다. 용어 “접촉” 및 “접촉하는”은 예를 들어, 정전척 상에 존재하는 원치 않는 물질들을 제거하는데 효과적인 임의의 적합한 기법에 의해 정전척에 세정 매질을 도포하는 것을 지칭한다. 실시예들에서, 세정 매질은 예를 들어, 산, 염기, 물, 이소프로필 알코올, 또는 공기를 포함일 수도 있다. 정전척들을 세정하기 위한 습식 세정 방법들이 예를 들어, 공동으로 양도된 미국 특허 제 7,052,553 호에 기술된다.
실시예들에서, 주어진 정전척을 세정하기 위해 사용된 세정 매질은 특정한 오염물들을 제거할 때 세정 매질의 효능에 기초하여 선택될 수도 있다. 예를 들어, 이소프로필 알코올과 같은 유기 용제들이 유기 불순물들을 제거하기 위해 사용될 수도 있다.
염기성 용액들이 또한 금속성 불순물들 및 티타늄 플루오라이드뿐만 아니라, 유기 불순물들을 제거하도록 기능한다. 실시예들에서, 세정 매질로서 사용된 염기성 용액은 예를 들어, 과산화 수소, 수산화 암모늄, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 약한 염기성 용역일 수도 있다. 과산화 수소는 높은 표준 환원 전위를 갖는 강한 산화제이고, 유기 결합을 파괴하는데 효과적이고, 금속들 및 금속 이온들과 반응한다. 과산화 수소는 적어도 70 ℃까지 안정한 수산화 암모늄 및 과산화 수소의 약한 염기성 용액 내에 금속 이온들을 형성하기 위해 금속과 반응할 수 있다. 수산화 암모늄은 (Ni, Cr, Co, 및 Cu와 같은 중금속들을 포함하는) 금속성 불순물들과 착이온을 형성할 수 있다. 과산화 수소의 사용이 ESC 세라믹 표면들의 표면 전위를 증가시키기 때문에, ESC 세라믹 표면들의 이전의 화학적 세정 후에 금속들의 표면 흡착 또는 재퇴적을 감소시킬 수 있다. 실시예들에서, 염기성 용액은 예를 들어, 약 1:1:2-8 또는 1:x:8 (여기서 x = 2 내지 7) 의 NH4OH : H2O2 : H2O의 체적비를 갖는 수산화 암모늄과 과산화 수소의 혼합물이다. 예를 들어, 실시예들에서, 비는 약 1:1:2일 수도 있다. 실시예들에서, ESC는 약 10 분 내지 약 45 분, 또는 약 20 분 내지 약 30 분과 같이, 약 5 분 내지 약 1 시간 동안, 약 20 ℃ 내지 약 25 ℃과 같이 약 18 ℃ 내지 약 30 ℃의 온도의 염기성 용액에 침지될 수도 있다. 실시예들에서, ESC는 잔여 용액 및 오염물들을 제거하기 위해 물로 헹궈지고 이어서 건조될 수도 있다. 건조는 예를 들어, 질소를 사용하여 수행될 수도 있다.
TMAH (tetramethyl ammonium hydroxide) 가 사용된 ESC들 상에서 발견될 수도 있는 오염물들인, 알루미늄 플루오라이드를 제거하기 위해 사용될 수도 있다. 따라서, TMAH는 사용된 ESC들을 세정하는데 특히 유용할 수도 있다.
실시예들에서, 세정 매질은 산성 용액을 포함할 수도 있다. 실시예들에서, 산성 용액은 Ca, Mg, Fe, Na, K, Al, Si, Ti, Cu, Zn, Li, Ni, Cr, 및/또는 Mo와 같은 오염물들을 제거하는데 효과적이다. 세정 매질로서 사용된 산성 용액들은 예를 들어, 플루오르화 수소산 (HF), 질산 (HNO3) 및 이들의 혼합물을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 질산은 금속 입자들 및 전극 불순물들을 제거하도록 기능하고, 플루오르화 수소산은 SiO2와 같은 실리콘 입자들을 제거하도록 기능한다. 즉, 플루오르화 수소산은 실리콘 및 SiO2-계 재료들을 용해시키고, 질산은 금속 이온들, 산화물들, 및 무기 에칭 부산물들을 용해시킨다고 할 수 있다. 실시예들에서, 산성 용액은 약 1 내지 약 3 중량％의 플루오르화 수소산, 또는 약 1 중량％의 플루오르화 수소산과 같은, 약 1 내지 약 5 중량％의 플루오르화 수소산 (49 ％, 반도체 등급, SEMI 규격 C28-0301을 따르는, 등급 1 이상); 및 약 5 내지 약 20 중량％의 질산과 같은, 약 7 내지 약 15 중량％의 질산과 같은, 약 5 내지 약 20 중량％의 질산 (67 ％, 반도체 등급, SEMI 규격 C35-0301을 따르는, 등급 1 이상), 또는 약 10 내지 약 13 중량％의 플루오르화 수소산, 또는 약 10 중량％의 플루오르화 수소산; 및 물을 포함한다.
세정 매질로서 사용될 수도 있는 산성 용액들은 또한, 예를 들어, - 금속성 불순물들 및 전극 불순물들을 제거하는데 효과적인 산성 용액과 같은 - 염산 및 과산화 수소를 포함할 수도 있다. 철, 니켈, 티타늄, 등과 같은 금속 입자들은 철 및 니켈이 염산에서 용해될 수 있고 티타늄이 과산화 수소에 의해 산화되고 이어서 염산 용액에서 용해될 수 있기 때문에, 염산 및 과산화 수소의 용액에 의해 효과적으로 제거될 수 있다.
실시예들에서, 산성 용액은 플루오르화 수소산 및 질산의 혼합물 및/또는 염산 및 과산화 수소의 혼합물을 포함할 수도 있다. 사용된 산성 용액 또는 용액들은 ESC의 타입 및 유전체 에칭 동안 겪게 되는 조건들에 기초할 수도 있다.
실시예들에서, ESC는 세정 매질의 잔여물을 제거하기 위해, 약 1 내지 약 15 분, 또는 약 2 내지 약 10 분, 또는 약 5 분과 같이 적합한 시간 동안 탈이온수로 헹궈질 수도 있다. 실시예들에서, 세정 프로세스는 2 회 이상, 또는 3 회 이상, 또는 4 회 이상과 같이, 1 회 이상 수행될 수도 있다.
실시예들에서, 세정 프로세스는 세정 픽스처 상에 배치된 정전척의 초음파 세정을 포함한다. 초음파 세정은 물 채널들과 같은 ESC 내의 통로들, 온도 센서 홀들, 리프트 핀 홀들, 및 헬륨 공급 홀들 및 연관된 마이크로채널들과 같은 쓰루홀들 내부에 트랩 (trap) 된 입자들뿐만 아니라, 표면 입자들을 제거하도록 기능한다. 실시예들에서, 정전척을 초음파 세정하는 것은 ESC의 표면을 세정 매질에 침지하는 것 및 세정 매질이 초음파 교반되게 하는 것을 포함한다. 실시예들에서, ESC를 초음파 세정하는 것은 (탈이온수를 사용하여) ESC를 헹구고/헹구거나 ESC를 베이킹하는 것이 이어질 수도 있다. 초음파 교반을 사용하여 정전척을 초음파 세정하는 방법은 예를 들어, 미국 특허 제 7,648,582 호에 기술된다. 실시예들에서, ESC 세라믹 표면 상 및 쓰루홀들 내의 입자 밀도는 초음파 세정 후에 약 0.15 입자/㎠와 같이, 약 0.17 입자/㎠ 미만이 바람직하다.
실시예들에서, 초음파 세정은 초순수 (ultrapure water) 와 같은 세정 매질에서 수행된다. 실시예들에서, 초순수는 약 주변 온도에서, 약 15 ㏁-㎝의 저항값을 갖는다. 실시예들에서, 초음파 세정은 약 10 분 내지 약 60 분, 또는 약 20 내지 약 40 분, 또는 약 30 분과 같이, 약 5 분 내지 약 90 분의 지속기간을 갖는다. 실시예들에서, 초음파 세정은 2 회 이상, 또는 3 회 이상, 또는 4 회 이상과 같이, 1 회 이상 수행될 수도 있다.
실시예들에서, 세정 프로세스는 다른 종래의 세정 단계들이 이어질 수 있다.
본 발명은 본 발명의 정신 또는 본질적인 특성들로부터 벗어나지 않고 다른 구체적인 형태들로 구현될 수 있다는 것이 당업자에게 이해될 것이다. 따라서 현재 개시된 실시예들은 모든 양태들이 예시적인 것으로 간주되고 제한되지 않는다. 본 발명의 범위는 전술한 기술보다는 첨부된 청구항들에 의해 지시되고 본 발명의 의미 및 범위 및 등가물 내에 오는 모든 변화들은 본 발명의 범위 내에 포괄되도록 의도된다.

Claims (20)

  1. 세정 프로세스 동안 정전척을 보호하기 위한 세정 픽스처 어셈블리 (cleaning fixture assembly) 로서, 상기 정전척은 반도체 기판들을 지지하기 적합하고,
    상기 세정 픽스처 어셈블리는,
    정전척의 후면과 정렬되고 인게이지 (engage) 하도록 구성된 플레이트로서, 상기 플레이트는 포켓을 둘러싸는 환상 시일부 (annular seal portion) 를 갖는, 상기 플레이트;
    상기 플레이트의 상기 환상 시일부와 인게이지하는 제 1 O-링;
    상기 플레이트의 상기 포켓 내의 복수의 쓰루홀들 (through-holes); 및
    상기 플레이트의 상기 포켓 내의 상기 복수의 쓰루홀들을 둘러싸는 복수의 O-링들을 포함하고,
    상기 복수의 쓰루홀들은 상기 정전척의 상기 후면의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하도록 구성되고,
    상기 복수의 O-링들은 세정 매질 (cleaning media) 이 상기 정전척의 상기 후면에 닿는 것을 시일하는 동안, 세정 프로세스 동안 상기 세정 매질로 하여금 상기 정전척 내의 상기 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들에 인게이지하게 하도록 위치되는, 세정 픽스처 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 쓰루홀들 중 쓰루홀들의 수는 상기 정전척의 상기 헬륨 홀들 및 리프트 핀 홀들의 수의 합에 대응하는, 세정 픽스처 어셈블리.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 포켓은 상기 정전척의 상기 후면으로부터 돌출되는 피처 (feature) 의 높이에 대응하는 포켓 깊이를 갖는, 세정 픽스처 어셈블리.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 포켓은 0.1 인치 미만의 포켓 깊이를 갖는, 세정 픽스처 어셈블리.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 정전척을 상기 플레이트에 고정하기 위해 상기 플레이트를 둘러서 원주방향으로 이격된 홀들 내에 배치된 복수의 패스너 부재들 (fastener members) 을 더 포함하는, 세정 픽스처 어셈블리.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 패스너 부재들은 약 3 내지 약 20 개의 스크루들을 포함하는, 세정 픽스처 어셈블리.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 스테인리스 스틸, 알루미늄, 및 양극산화된 알루미늄으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 이루어지는, 세정 픽스처 어셈블리.
  8. 세정 프로세스 동안 정전척을 보호하기 위한 세정 픽스처 어셈블리 상에 장착된 상기 정전척으로서,
    상기 정전척은 반도체 기판들을 지지하기에 적합하고,
    상기 정전척의 후면은 복수의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들을 포함하고,
    상기 세정 픽스처 어셈블리는,
    상기 정전척의 상기 후면과 정렬되고 인게이지하도록 구성된 플레이트로서, 상기 플레이트는 포켓을 둘러싸는 환상 시일부를 갖는, 상기 플레이트;
    상기 플레이트의 상기 환상 시일부와 인게이지하는 제 1 O-링;
    상기 플레이트의 상기 포켓 내의 복수의 쓰루홀들; 및
    상기 플레이트의 상기 포켓 내의 상기 복수의 쓰루홀들을 둘러싸는 복수의 O-링들을 포함하고,
    상기 플레이트의 상기 포켓 내의 상기 복수의 쓰루홀들은 상기 정전척의 상기 후면의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하고,
    상기 복수의 O-링들은 세정 매질이 상기 정전척의 상기 후면에 닿는 것을 시일하는 동안, 세정 프로세스 동안 상기 세정 매질로 하여금 상기 정전척 내의 상기 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들에 인게이지하게 하도록 위치되는, 정전척.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 세정 픽스처 어셈블리 상에 장착된 상기 정전척은 상기 세정 매질이 상기 정전척의 상기 후면에 닿지 않고 적어도 20 분 동안 적어도 하나의 세정 매질에 완전히 침지 (immerse) 될 수도 있는, 정전척.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 정전척 상의 적어도 하나의 피처가 상기 플레이트 상의 적어도 하나의 배향 피처 (orientation feature) 와 정렬될 때, 상기 복수의 쓰루홀들이 상기 정전척 내의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 정렬되고, 상기 플레이트 상에 배치된 상기 복수의 O-링들이 상기 정전척 내의 상기 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들을 시일하도록, 상기 플레이트는 상기 정전척 상의 상기 적어도 하나의 피처와 대응하게 위치된 상기 적어도 하나의 배향 피처를 포함하는, 정전척.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 정전척은 적어도 3 개의 핀-리프트 홀들 및 적어도 하나의 헬륨 홀을 포함하고, 상기 세정 피처 어셈블리는 상기 적어도 3 개의 핀-리프트 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하는 적어도 3 개의 쓰루홀들 및 상기 적어도 하나의 헬륨 홀과 정렬되고 유체적으로 연통하는 적어도 하나의 쓰루홀을 포함하는, 정전척.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 정전척의 상기 후면은 상기 정전척의 상기 후면의 편평한 표면 위로 돌출하는 높이를 갖는 적어도 하나의 피처를 포함하고, 상기 세정 픽스처 어셈블리의 상기 포켓은 상기 피처의 상기 높이에 대응하는 포켓 깊이를 갖는, 정전척.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 정전척은 상기 플레이트를 둘러서 원주방향으로 이격된 홀들 내에 배치된 복수의 패스너들 (fasteners) 을 사용하여 상기 세정 픽스처 어셈블리에 부착되는, 정전척.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 패스너들은 적어도 상기 제 1 O-링 및 상기 복수의 O-링들을 완전히 압축하기에 충분한 힘을 인가하는, 정전척.
  15. 반도체 기판들을 지지하기에 적합한 정전척을 세정하는 방법으로서,
    상기 정전척을 세정 픽스처 어셈블리 상에 장착하는 단계로서, 상기 세정 픽스처 어셈블리는,
    정전척의 후면과 정렬되고 인게이지하도록 구성된 플레이트로서, 상기 플레이트는 포켓을 둘러싸는 환상 시일부를 갖는, 상기 플레이트;
    상기 플레이트의 상기 환상 시일부와 인게이지하는 제 1 O-링;
    상기 플레이트의 상기 포켓 내의 복수의 쓰루홀들; 및
    상기 플레이트의 상기 포켓 내의 상기 복수의 쓰루홀들을 둘러싸는 복수의 O-링들을 포함하는, 상기 정전척을 상기 세정 픽스처 어셈블리 상에 장착하는 단계;
    상기 복수의 쓰루홀들이 상기 정전척의 상기 후면의 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들과 정렬되고 유체적으로 연통하도록 상기 정전척을 상기 세정 픽스처 어셈블리 상에 위치시키는 단계;
    상기 플레이트가 상기 정전척의 상기 후면 영역을 시일하고, 상기 복수의 O-링들이 상기 정전척의 상기 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들을 시일하도록 상기 세정 픽스처 어셈블리 상의 상기 정전척을 복수의 패스너 부재들로 고정하는 단계; 및
    상기 정전척을 적어도 하나의 세정 매질을 사용하여 세정하는 단계를 포함하고,
    상기 세정 매질은 상기 세정 프로세스 동안 상기 정전척 내의 상기 리프트 핀 홀들 및 헬륨 홀들을 세정하지만, 상기 정전척의 상기 후면에는 닿지 못하는, 세정 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 세정 매질은 공기압, 산, 염기, 물, 및 이소프로필 알코올로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 세정 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 플레이트, 상기 제 1 O-링, 및 상기 복수의 O-링들의 재료는 상기 세정 매질과 양립되도록 선택되는, 세정 방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 정전척을 세정하는 단계는 상기 정전척이 상기 세정 매질 내에 침지되는 초음파 세정을 포함하는, 세정 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 초음파 세정은 약 5 분 내지 약 90 분의 지속기간을 갖는, 세정 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    초음파 세정 후에, 상기 정전척의 세라믹 표면 상 그리고 상기 쓰루홀들 내의 입자 밀도는 약 0.15 입자/㎠ 미만인, 세정 방법.
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