KR101820976B1 - 플라즈마 챔버에서 사용되는 상부 전극으로부터 표면 금속 오염을 세정하는방법 - Google Patents

플라즈마 챔버에서 사용되는 상부 전극으로부터 표면 금속 오염을 세정하는방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101820976B1
KR101820976B1 KR1020127015493A KR20127015493A KR101820976B1 KR 101820976 B1 KR101820976 B1 KR 101820976B1 KR 1020127015493 A KR1020127015493 A KR 1020127015493A KR 20127015493 A KR20127015493 A KR 20127015493A KR 101820976 B1 KR101820976 B1 KR 101820976B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
upper electrode
atoms
cleaning solution
cleaning
contamination
Prior art date
Application number
KR1020127015493A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120102707A (ko
Inventor
홍 시
아멘 아보얀
샤샨크 씨 데쉬무크
데이비드 카먼
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20120102707A publication Critical patent/KR20120102707A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101820976B1 publication Critical patent/KR101820976B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43—Solvents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • C11D2111/22—

Abstract

플라즈마 챔버에서 사용되는 상부 전극으로부터 금속 오염물을 세정하는 방법. 상기 방법은 상기 상부 전극을 농축된 수산화 암모늄, 과산화수소 및 물의 세정 용액에 담그는 단계를 포함한다. 세정 용액은 불화수소산 및 염산이 없다. 상기 방법은 또한 상부 전극을 희석된 질산에 담그고 세정된 상부 전극을 린싱하는 선택적 단계를 포함한다.

Description

플라즈마 챔버에서 사용되는 상부 전극으로부터 표면 금속 오염을 세정하는방법{METHODOLOGY FOR CLEANING OF SURFACE METAL CONTAMINATION FROM AN UPPER ELECTRODE USED IN A PLASMA CHAMBER}
본 출원은 그 전체의 내용이 참조로써 여기에 포함되는, 2009년 12월 18일자로 출원되고, 그 명칭이, "METHODOLOGY FOR CLEANING OF SURFACE METAL CONTAMINATION FROM AN UPPER ELECTRODE USED IN A PLASMA CHAMBER" 인 미국 가출원 제 61/288,087 호에 대해 35 U.S.C. §119 하의 우선권을 주장한다.
용량 결합 플라즈마 (capacitively coupled plasma: CCP) 챔버에서, 집적회로는 패터닝된 마이크로일렉트로닉스 층들이 그 위에 형성되는 웨이퍼 또는 기판으로부터 형성된다. 기판의 처리에 있어서, 플라즈마가 상부 전극과 하부 전극 사이에 생성되어, 기판에 막을 성막하거나 막의 의도된 부분을 에칭하는데 종종 사용된다. 전극을 사용하여 다수의 라디오 주파수 (RF) 시간이 흐른 후, 챔버는 에칭 레이트 하락 및 에칭 균일성 드리프트를 나타낸다. 에칭 성능의 하락은 전극의 플라즈마 노출 표면의 오염 뿐아니라 전극의 실리콘 표면의 형태에 있어서의 변화로부터 초래된다. 따라서, 전극을 세정하고 표면 거칠기를 감소시켜 전극이 표면 오염 사양에 부합하고 제조 수율이 증대되는 조직적이고 효과적인 방법론이 필요하다.
플라즈마 챔버에서 사용되는 상부 전극으로부터 금속 오염을 세정하는 방법은, 1-2:1-2:2 내지 1-2:1-2:20 의 체적비로, 수산화 암모늄, 과산화 수소 및 물, 바람직하게는 NH3 기초로 28 내지 30 중량% 의 농축된 수산화 암모늄 수용액, 29 내지 31 중량% 의 과산화 수소 수용액, 및 물로 이루어지는 세정 용액에 상부 전극 전체를 담그는 단계를 포함한다.
본 금속 오염물들을 세정하는 방법의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 용액은 Cu 오염을 3000×1010 원자/㎠ 초과로부터 50×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시킬 수 있다.
본 금속 오염물들을 세정하는 방법의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 용액은 Ni 오염을 200×1010 원자/㎠ 초과로부터 5×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시킬 수 있다.
본 금속 오염물들을 세정하는 방법의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 용액은 Zn 오염을 250×1010 원자/㎠ 초과로부터 75×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시킬 수 있다.
본 금속 오염물들을 세정하는 방법의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 용액은 Fe 오염을 50×1010 원자/㎠ 초과로부터 5×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시킬 수 있다.
본 금속 오염물들을 세정하는 방법의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 용액은 Ca 오염을 700×1010 원자/㎠ 초과로부터 400×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시킬 수 있다.
본 금속 오염물들을 세정하는 방법의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 용액은 Mg 오염을 50×1010 원자/㎠ 초과로부터 20×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시킬 수 있다.
본 금속 오염물들을 세정하는 방법의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 용액은 K 오염을 450×1010 원자/㎠ 초과로부터 5×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시킬 수 있다.
본 금속 오염물들을 세정하는 방법의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 용액은 Na 오염을 1500×1010 원자/㎠ 초과로부터 50×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시킬 수 있다.
본 금속 오염물들을 세정하는 방법의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 용액은 Ti 오염을 250×1010 원자/㎠ 초과로부터 75×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시킬 수 있다.
도 1 은 일 실시형태에 따른 상부 전극을 세정하는 예시적인 단계들을 도시하는 흐름도이다.
도 2 는 다른 실시형태에 따른 상부 전극을 세정하기 위한 픽스쳐 (fixture) 의 개략 단면도를 도시한다.
도 3a 는 도 2 의 픽스쳐의 사시도를 도시한다.
도 3b 는 도 3a 의 영역 B 의 확대 단면도를 도시한다.
예시적인 CCP 챔버는 챔버 벽; 하부 플라즈마 노출 표면을 갖는 상부 전극; 기판 지지체; 기판 지지체에 임베딩되어 기판의 프로세싱 동안 기판을 유지하도록 동작하는 정전척을 포함할 수도 있다. 챔버 벽은 바람직하게는 챔버의 안과 밖으로 기판을 이송하기 위한 기판 이송 슬롯 또는 게이트를 포함한다. 챔버 벽은 선택적으로 적합한 내마모성 재료로 코팅될 수도 있다. 그라운드로 전기 경로를 제공하기 위해, 챔버 벽은 알루미늄과 같은 금속으로 제작되어 전기적으로 그라운드될 수도 있다. 기판 지지체는 하부 전극으로서 작용하는 알루미늄 플레이트를 포함할 수 있고 (통상적으로 매칭 네트워크를 통해) RF 전원에 커플링된다. 상부 전극은 (통상적으로 매칭 네트워크를 통해) RF 전원에 그리고 처리 가스를 위한 하나 이상의 가스 라인들에 커플링될 수도 있다. 다른 형태의 회로 배열들이 상부 전극 및 하부 전극에 전력을 공급하기 위해 사용될 수도 있다. 예를 들어, 상부 전극은 하부 전극에 공급된 전력을 위한 리턴 경로를 제공하기 위해 그라운드될 수도 있다. 대안적으로, 하부 전극은 상이한 주파수들을 갖는 둘 이상의 RF 전원들에 커플링될 수도 있다. 상부 전극은 하부 전극으로부터 이격되어, 그들 사이에 플라즈마를 생성하기 위한 공간을 형성한다. 동작 동안, 상부 전극 및/또는 하부 전극은 플라즈마로 처리 가스를 전기적으로 여기시킨다.
상부 전극은 단일-피스 전극 또는 멀티-피스 전극일 수도 있다. 예를 들어, 상부 전극은 모노리딕 샤워헤드 전극을 포함할 수도 있고, 또는 상부 전극은 내측 샤워헤드 전극 플레이트 및 환형 외측 전극링을 형성하는 하나 이상의 세그먼트들을 포함할 수도 있다. 상부 전극은 바람직하게는 백킹 플레이트, 예를 들어 알루미늄 또는 그래파이트 백킹 플레이트를 포함한다. 모노리딕 샤워헤드 전극 또는 내측 샤워헤드 전극 플레이트 및 외측 전극링은 선택적으로 엘라스토머본딩 재료 (엘라스토머릭 조인트) 와 같은 본딩 재료에 의해 백킹 플레이트에 본딩될 수도 있다. 상부 전극에서의 엘라스토머 본딩 재료의 사용의 상세는 공동으로 양도된 미국 특허 제 6,376,385 호, 제 6,194,322 호, 제 6,148,765 호, 제 6,073,577 호에 개시되어 있으며, 이들 모두는 여기에 참조로 전체가 포함된다. 엘라스토메릭 조인트는 전극과 백킹 부재 사이의 이동이 상부 전극의 온도 순환의 결과로서의 열 팽창을 보상하는 것을 허용한다. 엘라스토메릭 조인트는 전기적으로 및/또는 열적으로 전도성인 필러를 포함할 수도 있고 고온에서 안정한 촉매-경화 폴리머일 수 있다. 예를 들어, 엘라스토메릭 조인트는 실리콘 폴리머로 형성될 수도 있고, 필러는 알루미늄 합금 또는 실리콘 분말로 형성될 수도 있다. 상부 전극은 바람직하게는 낮은 전기 저항을 제공하고 전극 오염을 최소화하기 위해 단결정 실리콘으로 형성된다. 백킹 부재, 엘라스토메릭 조인트, 및 샤워헤드 전극은 상부 전극을 통한 처리 가스의 통과를 허용하는 복수의 홀들 또는 가스 아웃렛들을 포함할 수도 있다. 바람직하게는, 상부 전극의 홀들의 직경은 600 ㎛ 로부터 1000 ㎛ 이다.
플라즈마 처리 동안, 상부 전극은 (예를 들어, 상부 전극 아래에서 처리된 기판으로부터) Ca, Cr, Co, Cu, Fe, Li, Mg, Mo, Ni, K, Na, Ti, Zn 과 같은 금속에 의해 오염될 수 있다. 플라즈마 처리 동안, 그러한 금속은 상부 전극으로부터 유리되어 플라즈마 에칭과 같은 처리를 겪고 있는 기판을 오염시킬 수 있다.
처리된 기판들의 금속 오염을 방지하기 위해, 상부 전극은 주기적으로 챔버로부터 꺼내져 소정 수의 RF 시간들 후에 세정된다. 대안적으로, 여기에 기술된 세정은 새로운 상부 전극의 제조의 마지막 단계로서 적용될 수도 있다. 도 1 은 일 실시형태에 따른 상부 전극을 세정하는 예시적인 단계들을 도시하는 흐름도이다. 단계 (101) 에서, 상부 전극으로부터 유기 오염들을 제거하기 위해, 상부 전극은 10 분 내지 1 시간, 바람직하게는 약 30 분과 같은 적합한 시간 동안 이소프로필 알콜 (IPA) 에 담궈진다. 여기서 사용된 단어 "약" 은 ±10% 를 의미한다.
단계 (102) 에서, 상부 전극은 (밀봉된 에지를 갖는 니트 폴리에스테르 (knitted polyester) 로 제작되어 세탁된, VWR LabShop (BataVia, Ill) 에 의해 제조된 클래스-100 내산성 클린룸 와이프와 같은) 클린룸 와이프로 와이핑되고, 1 내지 10 분, 바람직하게는 약 2 분과 같은 적합한 시간 동안 탈이온화수 (DIW) 로 린싱된다. 도 2 는 그 위에서 상부 전극 (300) 이 와이핑될 수 있는 픽스쳐 (208) 의 개략 단면도를 도시한다. 도 3a 는 상부 전극 (300) 을 지지하는 픽스쳐 (208) 의 사시도를 도시하고, 도 3b 는 도 3a 의 영역 B 의 확대 개략 단면도를 도시한다. 와이핑 툴 (200) 은 바람직하게는 테플론® (폴리테트라플루오로에틸렌) 으로 형성되고, 핸들부 (202) 및 원뿔대 부분 (203) 을 포함한다. 원뿔대 부분 (203) 은 와이핑 동안 IPA 과 같은 세정 용액으로 젖을 수 있는 와이프 (206) 로 커버된 평탄면 (204) 을 갖는다. 와이핑 툴 (200) 의 인간 오퍼레이터는 바람직하게는 핸들부 (202) 를 잡고 상향 힘 (210) 을 인가하여 상부 전극 (300) 의 하향 대향 표면 (예를 들어, 플라즈마 노출 표면) 과 와이핑 툴 (200) 의 상향 대향 평탄면 (204) 을 접촉시킨다. 또한, 픽스쳐 (208) 는 와이핑 동안 회전될 수도 있다.
도 2, 도 3a 및 도 3b 에 도시된 바와 같이, 세정될 상부 전극 (300) 으로 사이징된 픽스쳐 (208) 는 견고한 베이스 프레임 및 상부 전극 (300) 을 지지하는 3 개 이상의 수직 지지 부재들을 가져 상부 전극 (300) 의 플라즈마 노출 표면이 하향으로 대향하도록 한다. 각각의 지지 부재의 상부는 바람직하게는 상부 전극 (300) 의 에지가 안착하는 내부 스텝을 갖는다. 그 스텝들은 플라즈마 노출 표면의 세정 동안 상부 전극 (300) 이 지지 부재들로부터 벗겨지는 것을 방지한다. 지지 부재들 및 베이스는 바람직하게는 테플론® 같은 내화학성 재료로 코팅 및/또는 제조된다.
단계 (103) 에서, 상부 전극은 10 내지 60 분과 같은 적합한 시간 동안, 바람직하게는 실온에서, 세정 용액에 담궈진다. 세정 용액은 1-2:1-2:2 내지 1-2:1-2:20, 바람직하게는 1-2:1-2:2 내지 1-2:1-2:15, 더욱 바람직하게는 1:1:2 내지 1:1:10, 가장 바람직하게는 1:1:10 의 체적비로, 수산화 암모늄, 과산화 수소 및 물, 바람직하게는 농축된 수산화 암모늄 수용액 (CAS# 1336-21-6)(NH3 기초로 28 내지 30 중량%, 바람직하게는 29 중량%), 과산화 수소 수용액 (CAS# 7722-84-1) (29 내지 31 중량%, 바람직하게는 29 중량%) 및 물을 혼합함으로써 제조된다.
세정 용액에서의 과산화 수소는 물과 원자 산소로 분해된다. 원자 산소는 상부 전극 상의 금속 오염물을 산화시킨다. 세정 용액에서의 암모늄 이온은 산화된 금속 오염물을 킬레이트화하여 가용성 착물을 형성할 수 있다. 예를 들어, Cu 오염물은, Cu + H2O2 = CuO + H2O; CuO + 4NH3 + H2O = Cu(NH3)4 2+ + 2OH- 와 같이 세정 용액과 반응한다.
단계 (104) 에서, 상부 전극은 세정 용액의 임의의 잔류물을 제거하기 위해 약 5 분과 같은 적합한 시간 동안 DIW 로 린싱된다.
단계 (105) 에서, 상부 전극 (앞 및 뒤 양자 모두) 은 1 내지 10 분, 바람직하게는 약 2 분과 같은 적합한 시간 동안 DIW 로 적셔진 클린룸 와이프를 사용하여 와이핑된다.
단계 (106) 에서, 상부 전극은 1 내지 10 분, 바람직하게는 2 내지 5 분과 같은 적합한 시간 동안 희석된 질산 용액 (CAS# 7697-37-2) (1 내지 5 중량%, 바람직하게는 2 중량%) 에 담궈진다. 희석된 질산은 상부 전극으로부터 금속 오염물을 더욱 제거하는데 효과적이다.
선택 단계 (107) 가 수행되는 경우, 희석된 질산의 임의의 잔류물을 제거하기 위해, 상부 전극이 1 내지 10 분, 바람직하게는 약 5 분과 같은 적합한 시간 동안 DIW 로 린싱되는 단계 (108) 이 그것을 뒤따른다.
단계 (101) 내지 단계 (108) 가 1 회 이상 반복될 수 있다.
단계 (109) 에서, 상부 전극은 클래스 10000 또는 더 양호한 클린룸으로 이동된다.
단계 (110) 에서, 상부 전극은 1 내지 30 분, 바람직하게는 약 10 분과 같은 적합한 시간 동안 초순수로 린싱된다.
이러한 세정 처리는 다른 종래의 세정 단계들이 뒤따를 수 있다.
상부 전극의 이러한 세정 처리는 기계적 폴리싱 또는 불화수소산으로의 처리를 사용하지 않으며, 따라서 엘라스토머릭 조인트에 대한 과도한 마모 및 손상을 방지한다. 이러한 세정 처리는 용이하게 액세스 가능한 표면 및 스크류 구멍, 가스 통로 등과 같은 다른 표면으로부터 구리 및 다른 금속 오염을 제거하는데 효과적이다.
금속 세정 전 양 (1010 원자/㎠) 세정 후 양 (1010 원자/㎠)
Al 1300 20
Ca 760 390
Cr 1.8 < 0.2
Co 3.8 0.1
Cu 3200 35
Fe 57 4.4
Li 13 < 0.9
Mg 58 16
Mo 0.22 < 0.09
Ni 210 2.0
K 460 4.8
Na 1600 40
Ti 77 2.4
Zn 290 65
표 1 은 세정 전후의 실리콘 샤워헤드 전극의 플라즈마 노출 표면 상의 원소 분석을 도시한다.
인간 오퍼레이터는 바람직하게는 인간의 접촉으로부터의 유기 오염을 방지하기 위해 여기에 기술된 세정 처리의 수행 및 상기 단계들 사이의 상부 전극의 핸들링 동안 장갑을 착용한다. 또한, 필요할 때마다, 인간 오퍼레이터는 하나의 단계에서 생성된 오염물 또는 입자가 후속하는 단계들에서 상부 전극으로 전달되는 것을 방지하기 위해 새로운 장갑을 착용할 수 있다.
상기 세정 방법 및 세정 용액이 그들의 특정 실시형태들을 참조하여 상세히 기술되었지만, 당업자에게는 첨부된 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 다양한 변경과 수정이 행해질 수 있고, 균등물이 채용될 수 있다는 것이 분명할 것이다.

Claims (21)

  1. 플라즈마 챔버에서 사용되는 상부 전극으로부터 금속 오염물들을 세정하는 방법으로서,
    상기 상부 전극 전체를 수산화 암모늄, 과산화수소 및 물로 이루어진 세정 용액에 담그는 단계를 포함하고,
    상기 상부 전극을 불화수소산으로 처리하는 단계를 포함하지 않는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 전극은 10 내지 60 분 동안 상기 세정 용액에 담궈지는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액에 담그기 전에,
    상기 상부 전극을 약 30 분 동안 이소프로필 알콜에 담그는 단계;
    상기 상부 전극을 클린룸 와이프들로 와이핑 (wiping) 하고, 상기 상부 전극을 약 2 분 동안 탈이온화수로 린싱하는 단계;
    상기 세정 용액에 담근 후에,
    상기 상부 전극을 약 5 분 동안 탈이온화수로 린싱하는 단계;
    상기 상부 전극을 약 2 분 동안 클린룸 와이프들로 탈이온화수를 사용하여 와이핑하는 단계;
    선택적으로, 상기 상부 전극을 2 내지 5 분 동안 2% 질산 용액에 담그는 단계 및 상기 상부 전극을 약 1 내지 10 분 동안 탈이온화수로 린싱하는 단계를 더 포함하는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 단계들을 적어도 한 번 반복하고, 그 후 상기 상부 전극을 약 1 내지 30 분 동안 초순수로 린싱하는 단계를 더 포함하는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  5. 재 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 1-2:1-2:2 내지 1-2:1-2:20 의 수산화 암모늄:과산화 수소:물의 체적비로, NH3 기초로 28 내지 30 중량% 의 농축된 수산화 암모늄 수용액, 29 내지 31 중량% 의 과산화 수소 수용액, 및 물을 혼합함으로써 제조되는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 체적비는 1:1:2 내지 1:1:10 인, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 전극은 단결정 실리콘의 샤워헤드 전극을 포함하는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 불화수소산 및 염산이 없는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정은 상기 상부 전극의 플라즈마 노출 표면을 폴리싱하지 않고 수행되는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정은 클래스 10000 또는 더 양호한 클린룸에서 수행되는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 전극은 엘라스토머릭 조인트에 의해 실리콘 샤워헤드 전극에 본딩되는 알루미늄 또는 그래파이트 백킹 부재를 포함하는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    세정 전에 플라즈마 챔버로부터 상기 상부 전극을 제거하는 단계 및 세정된 상기 상부 전극을 상이한 챔버인 플라즈마 챔버에 재설치하는 단계를 더 포함하는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 Cu 오염을 3000×1010 원자/㎠ 초과로부터 50×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시키는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 Ni 오염을 200×1010 원자/㎠ 초과로부터 5×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시키는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 Zn 오염을 250×1010 원자/㎠ 초과로부터 75×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시키는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 Fe 오염을 50×1010 원자/㎠ 초과로부터 5×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시키는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 Ca 오염을 700×1010 원자/㎠ 초과로부터 400×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시키는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 Mg 오염을 50×1010 원자/㎠ 초과로부터 20×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시키는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 K 오염을 450×1010 원자/㎠ 초과로부터 5×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시키는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 Na 오염을 1500×1010 원자/㎠ 초과로부터 50×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시키는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 Ti 오염을 250×1010 원자/㎠ 초과로부터 75×1010 원자/㎠ 미만까지 감소시키는, 금속 오염물들을 세정하는 방법.
KR1020127015493A 2009-12-18 2010-12-06 플라즈마 챔버에서 사용되는 상부 전극으로부터 표면 금속 오염을 세정하는방법 KR101820976B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US28808709P 2009-12-18 2009-12-18
US61/288,087 2009-12-18
PCT/US2010/003092 WO2011084127A2 (en) 2009-12-18 2010-12-06 Methodology for cleaning of surface metal contamination from an upper electrode used in a plasma chamber

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120102707A KR20120102707A (ko) 2012-09-18
KR101820976B1 true KR101820976B1 (ko) 2018-01-22

Family

ID=44149363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127015493A KR101820976B1 (ko) 2009-12-18 2010-12-06 플라즈마 챔버에서 사용되는 상부 전극으로부터 표면 금속 오염을 세정하는방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9079228B2 (ko)
JP (1) JP5896915B2 (ko)
KR (1) KR101820976B1 (ko)
CN (1) CN102652350B (ko)
SG (2) SG181424A1 (ko)
TW (1) TWI523703B (ko)
WO (1) WO2011084127A2 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9396912B2 (en) 2011-10-31 2016-07-19 Lam Research Corporation Methods for mixed acid cleaning of showerhead electrodes
US9337002B2 (en) 2013-03-12 2016-05-10 Lam Research Corporation Corrosion resistant aluminum coating on plasma chamber components
JP6754976B2 (ja) * 2015-03-24 2020-09-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 洗浄方法
US20190341276A1 (en) * 2018-05-03 2019-11-07 Applied Materials, Inc. Integrated semiconductor part cleaning system
CN110528010B (zh) * 2019-09-20 2020-11-03 北京航空航天大学 一种镍基高温合金断口清洗方法
KR102654366B1 (ko) * 2024-03-06 2024-04-03 주식회사 디에프텍 반도체 제조공정에 사용되는 샤워헤드 세정 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008506530A (ja) * 2004-06-09 2008-03-06 ラム　リサーチ　コーポレーション プラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面をウェット洗浄する方法
JP2008526023A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 ラム リサーチ コーポレーション シリコン電極アセンブリ表面から汚染を除去するための洗浄方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5439569A (en) * 1993-02-12 1995-08-08 Sematech, Inc. Concentration measurement and control of hydrogen peroxide and acid/base component in a semiconductor bath
US5932022A (en) * 1998-04-21 1999-08-03 Harris Corporation SC-2 based pre-thermal treatment wafer cleaning process
US6376285B1 (en) * 1998-05-28 2002-04-23 Texas Instruments Incorporated Annealed porous silicon with epitaxial layer for SOI
US6073577A (en) 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US6841008B1 (en) * 2000-07-17 2005-01-11 Cypress Semiconductor Corporation Method for cleaning plasma etch chamber structures
WO2002015255A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-21 Chem Trace Corporation System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment parts
WO2002019390A2 (en) * 2000-08-31 2002-03-07 Chemtrace, Inc. Cleaning of semiconductor process equipment chamber parts using organic solvents
JP2003136027A (ja) * 2001-11-01 2003-05-13 Ngk Insulators Ltd 半導体製造装置中で使用するためのセラミック部材を洗浄する方法、洗浄剤および洗浄剤の組み合わせ
US20030104680A1 (en) * 2001-11-13 2003-06-05 Memc Electronic Materials, Inc. Process for the removal of copper from polished boron-doped silicon wafers
US20030119692A1 (en) * 2001-12-07 2003-06-26 So Joseph K. Copper polishing cleaning solution
US6821350B2 (en) * 2002-01-23 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Cleaning process residues on a process chamber component
JP3876167B2 (ja) * 2002-02-13 2007-01-31 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 洗浄方法および半導体装置の製造方法
JP3958080B2 (ja) * 2002-03-18 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置内の被洗浄部材の洗浄方法
US6846726B2 (en) * 2002-04-17 2005-01-25 Lam Research Corporation Silicon parts having reduced metallic impurity concentration for plasma reaction chambers
TW544794B (en) 2002-07-05 2003-08-01 Taiwan Semiconductor Mfg Method for removing particles in etching process
CN1231300C (zh) * 2002-12-12 2005-12-14 友达光电股份有限公司 等离子体反应室的干式清洁方法
US7052553B1 (en) * 2004-12-01 2006-05-30 Lam Research Corporation Wet cleaning of electrostatic chucks
US7442114B2 (en) * 2004-12-23 2008-10-28 Lam Research Corporation Methods for silicon electrode assembly etch rate and etch uniformity recovery
US7507670B2 (en) * 2004-12-23 2009-03-24 Lam Research Corporation Silicon electrode assembly surface decontamination by acidic solution
US7291286B2 (en) * 2004-12-23 2007-11-06 Lam Research Corporation Methods for removing black silicon and black silicon carbide from surfaces of silicon and silicon carbide electrodes for plasma processing apparatuses
WO2007107920A1 (en) 2006-03-17 2007-09-27 Nxp B.V. Method of cleaning a semiconductor wafer
US7942973B2 (en) * 2006-10-16 2011-05-17 Lam Research Corporation Methods and apparatus for wet cleaning electrode assemblies for plasma processing apparatuses
US7767028B2 (en) * 2007-03-14 2010-08-03 Lam Research Corporation Cleaning hardware kit for composite showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
US7578889B2 (en) * 2007-03-30 2009-08-25 Lam Research Corporation Methodology for cleaning of surface metal contamination from electrode assemblies
KR100895861B1 (ko) 2007-10-04 2009-05-06 세메스 주식회사 공정 용액 처리 방법 및 이를 이용한 기판 처리 장치
KR100906987B1 (ko) * 2007-12-10 2009-07-08 (주)제니스월드 반도체 장비 식각챔버 내 하부전극의 재생을 위한 세정방법
JP2011040419A (ja) * 2008-05-22 2011-02-24 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体装置の製造方法及びそのための装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008506530A (ja) * 2004-06-09 2008-03-06 ラム　リサーチ　コーポレーション プラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面をウェット洗浄する方法
JP2008526023A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 ラム リサーチ コーポレーション シリコン電極アセンブリ表面から汚染を除去するための洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI523703B (zh) 2016-03-01
SG181424A1 (en) 2012-07-30
JP5896915B2 (ja) 2016-03-30
JP2013514173A (ja) 2013-04-25
KR20120102707A (ko) 2012-09-18
CN102652350B (zh) 2015-11-25
SG10201408436TA (en) 2015-02-27
US9079228B2 (en) 2015-07-14
WO2011084127A3 (en) 2011-10-13
TW201141627A (en) 2011-12-01
US20110146704A1 (en) 2011-06-23
CN102652350A (zh) 2012-08-29
WO2011084127A2 (en) 2011-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI575594B (zh) 清洗鋁電漿室部件之方法
US7052553B1 (en) Wet cleaning of electrostatic chucks
JP4514336B2 (ja) 基板処理装置及びその洗浄方法
KR101820976B1 (ko) 플라즈마 챔버에서 사용되는 상부 전극으로부터 표면 금속 오염을 세정하는방법
US20080015132A1 (en) Cleaning methods for silicon electrode assembly surface contamination removal
JP2008506530A (ja) プラズマ処理チャンバ用の構成要素の石英表面をウェット洗浄する方法
KR100959205B1 (ko) 세정 방법 및 전자 소자의 제조 방법
TW201534407A (zh) 靜電夾頭清洗夾具
US9406534B2 (en) Wet clean process for cleaning plasma processing chamber components
KR20090024199A (ko) 액체 메니스커스를 이용한 포스트 에칭 웨이퍼 표면 세정
US5782984A (en) Method for cleaning an integrated circuit device using an aqueous cleaning composition
WO2007078656A2 (en) Cleaning of electrostatic chucks using ultrasonic agitation and applied electric fields
KR20030038369A (ko) 반도체 제조 장치 중에서 사용하기 위한 세라믹 부재를세정하는 방법, 세정제 및 세정제의 조합
TW201325744A (zh) 具有氧化釔包覆層的工件的污染物的處理方法
US7067015B2 (en) Modified clean chemistry and megasonic nozzle for removing backside CMP slurries
EP1083219A1 (en) Cleaning fluid and cleaning method for component of semiconductor-treating apparatus
CN114496710A (zh) 一种半导体设备陶瓷窗氧化钇涂层清洗方法
KR20160141148A (ko) 성막 장치 및 이의 세정 방법
CN117813670A (zh) 用于处理腔室部件的先进阻挡氧化镍(BNiO)涂层形成
JP2015079868A (ja) 貼り合わせウェーハの製造方法
KR20070044967A (ko) 매엽식 기판 세정 방법
KR20080013056A (ko) 웨이퍼 이송용 척

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant