KR20070044967A - 매엽식 기판 세정 방법 - Google Patents

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KR20070044967A
KR20070044967A KR1020050101329A KR20050101329A KR20070044967A KR 20070044967 A KR20070044967 A KR 20070044967A KR 1020050101329 A KR1020050101329 A KR 1020050101329A KR 20050101329 A KR20050101329 A KR 20050101329A KR 20070044967 A KR20070044967 A KR 20070044967A
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김이정
배정용
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 기판 세정 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 매엽식 기판 세정 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 산과 초순수를 포함하는 제 1 세정액을 기판에 분사하여 상기 기판 표면에 존재하는 자연 산화막을 제거하는 단계, 상기 기판에 잔류하는 상기 제 1 세정액을 린스하는 단계, 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함하는 제 2 세정액을 상기 기판에 분사하여 상기 기판 표면에 존재하는 파티클을 제거하는 단계, 상기 기판에 잔류하는 상기 제 2 세정액을 린스하는 단계, 그리고 상기 기판을 건조하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 하나의 챔버로 두 가지 이상의 세정 공정을 처리할 수 있고 복수의 세정액을 하나의 챔버에서 처리할 수 있는 효과를 갖는다.
세정 방법, 기판 세정 방법, 매엽식 기판 세정 방법,

Description

매엽식 기판 세정 방법{METHOD OF CLEANING A SUBSTRATE IN A SINGLE WAFER TYPE}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 도시한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 도시한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 도시한 순서도이다.
본 발명은 반도체 기판 세정 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 매엽식 기판 세정 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 장치는 증착, 포토리소그래피, 식각, 화학적 기계적 연마, 세정, 건조 등과 같은 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 이러한 단위 공정들 중에서 세정 공정은 각각의 단위 공정들을 수행하는 동안 반도체 기판 표면에 부착되는 이물질 또는 불필요한 막을 제거하는 공정으로, 최근 반도체 기판상에 형성되는 패턴이 미세화되고, 패턴의 종횡비(aspect ratio)가 커짐에 따라 점차 중요도가 높아지고 있다.
상기 세정 공정을 수행하는 장치는 다수의 반도체 기판을 동시에 세정하는 배치식 세정 장치와 낱장 단위로 반도체 기판을 세정하는 매엽식 세정 장치로 구분된다.
배치식 세정 장치는 반도체 기판을 세정하기 위한 세정액이 수용된 세정조에 다수의 반도체 기판을 침지시켜 한번에 다수의 반도체 기판을 세정한다. 이러한 화학적 습식 세정 방법은 대표적으로 표준 세정액-1(Standard Clean-1, 이하 "SC-1"이라 한다) 또는 표준 세정액-2(Standardd Clean-2, 이하"SC-2"이라 한다) 세정액을 이용하여 기판을 세정하는 RCA 세정 방법이 널리 사용된다.
이러한 상기 RCA 세정 방법을 포함하는 화학적 습식 세정 방법은 과산화수소(H2O2)를 기본으로 강산(HCl, H2SO4, HF) 및 강알칼리(NH4OH) 등과 같은 독성이 강한 화학액을 다량으로 사용함으로써, 막대한 양의 폐수를 발생시키고, 이러한 폐수를 처리하기 위한 비용이 크다, 또한, 화학적 습식 세정 장치는 장치의 크기가 매우 커 반도체 청정실 내부에 큰 점유율(footprint)를 차지하며, 공정 간 클러스터링(clustering)의 요구를 만족시키기 어렵다는 단점을 갖는다.
이와 반대로, 매엽식 세정 장치는 반도체 기판을 지지하기 위한 척과 반도체 기판의 전면 또는 이면에 세정액을 공급하기 위한 노즐들을 포함한다. 반도체 기판에 공급되는 세정액은 초음파 진동이 인가된 상태로 공급될 수도 있고, 반도체 기판상에 공급된 상태에서 초음파 진동이 인가될 수도 있다.
이러한 매엽식 세정 장치는 기존의 배치식 세정 방법과 비교해 세정 화학 약품의 사용량이 적고, 단일 웨이퍼 처리에 의한 균일한 세정이 가능하며, 세정 효율이 배치식 세정 방법보다 매우 크다. 또한, 에칭(etching), 증착(deposition)등과 같은 다른 반도체 공정 장비와 더불어 클러스터링(clustering)을 가능케 하며, 장비 크기 또한 배치 방식과 비교해 크게 줄일 수 있어 용적율(footprint)이 작고, 세정 사이클 시간(cleaning cycle time)을 획기적으로 줄일 수 있는 장점이 있다.
특히, 최근 300mm 웨이퍼와 같은 대구경 웨이퍼의 도입과 미세 패턴에 따른 미세 파티클 제거의 중요성이 커지고 있어 향후 반도체 기판의 세정 방식은 매엽식 세정 방식이 이용될 것으로 예상되고 있다.
그러나, 매엽식 세정 장치는 상술한 RCA 세정 방식과 같이 두 가지 이상의 세정액을 이용하여 식각 공정과 세정 공정과 같은 서로 다른 세정 공정이 혼합된 복합공정이 적용될 수 없었다는 문제점을 갖는다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 서로 다른 세정 공정들, 예컨대 식각 공정과 세정 공정을 하나의 챔버에서 처리할 수 있는 매엽식 기판 세정 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 서로 다른 세정액들을 하나의 챔버에서 처리할 수 있는 매엽식 기판 세정 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 제 1 세정액을 기판에 분사하여 상기 기판 표면을 세정하는 단계; 상기 기판에 잔류하는 상기 제 1 세정액을 린스하는 단계; 제 2 세정액을 상기 기판에 분사하여 상기 기판 표면을 세정하는 단계와; 상기 기판에 잔류하는 상기 제 2 세정액을 린스하는 단계; 그리고 상기 기판을 건조하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 제 1 세정액은 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함하고, 상기 제 2 세정액은 불산과 초순수를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면 상기 제 1 세정액은 불산과 초순수를 포함하고, 상기 제 2 세정액은 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함한다.
본 발명의 또 실시예에 따르면 제 1 세정액을 기판에 분사하여 상기 기판 표면을 세정하는 단계; 상기 기판에 잔류하는 상기 제 1 세정액을 린스하는 단계; 제 2 세정액을 상기 기판에 분사하여 상기 기판 표면을 세정하는 단계; 상기 기판에 잔류하는 상기 제 2 세정액을 린스하는 단계; 제 3 세정액을 상기 기판에 분사하여 상기 기판 표면을 세정하는 단계; 상기 기판에 잔류하는 상기 제 3 세정액을 린스하는 단계; 그리고 상기 기판을 건조하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제 1 세정액은 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함하고, 상기 제 2 세정액은 불산과 초순수를 포함하며, 상기 제 3 세정액은 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제 1 세정액은 불산과 초순수를 포함하고, 상기 제 2 세정액은 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함하며, 상기 제 3 세정액은 불산과 초순수를 포함한다.
상술한 실시예에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 세정액은 서로 다른 노즐들을 통해 상기 기판에 분사되고, 상기 노즐들은 상기 기판의 중심 부분을 기준으로 상기 기판의 가장자리 영역까지 반복적인 왕복 운동한다.
이하, 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법의 실시예들을 참조한 도면을 시용하여 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 용어로 표기된 모두 동일한 구성요소들을 나타낸다.
(실시예1)
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 도시한 순서도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 희석된 불산(Dilute Hydrofluori Acid. 이하 DHF라 함) 세정액으로 기판을 세정하는 단계(S12), 상기 기판을 린스하는 단계(S20), 표준 세정액-1(SC-1:Standard Clean-1, 이하 'SC-1'이라 함)으로 상기 기판을 세정하는 단계(S32), 상기 기판을 린스하는 단계(S40), 그리고 상기 기판을 건조하는 단계(S50)를 포함한다.
기판의 세정 공정이 개시되면, 소정의 반도체 공정을 마친 기판은 상기 기판표면에 존재하는 유기 오염물질, 자연 산화막, 그리고 금속 오염물질 등을 세정하기 위해 세정 챔버 내부에 구비되는 척에 안착되고, 상기 기판이 상기 척에 안착되 면 상기 척이 회전하여 상기 기판을 회전시킨다.
기판이 회전되면 제 1 세정액이 상기 챔버 일측에 구비된 노즐을 통해 분사되어 회전되는 상기 기판표면에 잔류하는 유기 오염물질을 제거한다(S12). 이때, 상기 제 1 세정액은 DHF 세정액이 사용된다. 상기 DHF 세정액은 예컨대, DHF 세정액은 불산 원액을 소정의 농도를 갖도록 초순수로 희석한 세정액이며, 보통은 불산(HF)의 농도가 49%인 불산 용액과 초순수(DIW: Deionized Water 또는 UPW:Ultrapure) Water)를 100:1로 희석시켜 대략 0.49%의 불산 농도를 갖는다. 일반적으로 상기 DHF 세정액은 반도체 기판 세정 공정 중 가장 마지막 단계에 하는 세정 공정에 사용되며, 소정의 반도체 공정을 마친 기판표면에 발생된 화학적 산화막(chemical oxide) 혹은 자연 산화막(native oxide)을 효과적으로 제거한다. 또한, 상기 DHF 세정액은 상기 화학적 및 자연 산화막 내에 포함되어 있는 금속 오염물질을 효과적으로 제거할 수도 있다.
스텝 S12이 완료되면, 상기 기판표면에 잔류하는 상기 제 1 세정액을 제거하는 린스 공정이 수행된다(S20). 상기 린스 공정은 일반적으로 초순수를 기판에 분사시켜 기판표면에 잔류하는 세정액 및 파티클을 제거하는 공정이다.
스텝 S20이 완료되면, 제 2 세정액이 회전하는 상기 기판표면에 분사되어 상기 기판표면에 잔류하는 자연 산화막, 유기 오염물질, 그리고 파티클을 제거하는 세정 공정이 실시한다(S32). 이때, 상기 제 2 세정액은 상기 SC-1 세정액이다. 상기 SC-1 세정액은 암모니아(NH4OH), 과산화수소(H2O2), 그리고 초순수를 포함하는 세정액이다. 예컨대, 보통의 SC-1 세정액은 암모니아, 과산화수소, 초순수가 대략 1:1:5의 비율로 혼합되어 있고, 75~90℃ 정도의 온도에서 파티클과 유기 오염물질의 제거를 위해 사용된다.
스텝 S32가 완료되면, 스텝 S20과 동일한 방식으로 상기 기판표면에 잔류하는 상기 제 2 세정액과 파티클등을 제거하는 린스 공정을 실시한다(S40).
스텝 S40이 완료되면 상기 기판표면에 잔류하는 용액들을 제거하는 건조 공정이 수행된다(S50). 상기 건조 공정은 예컨대, 기판을 3000rpm 이상의 회전력으로 회전시켜 기판표면에 잔류하는 세정액 및 파티클을 제거시키는 스핀 건조(spin dry)방식을 포함한다.
상술한 매엽식 기판 세정 방법은 보다 효과적인 기판의 세정을 위해 고주파의 초음파를 이용할 수 있다. 특히, 주파수가 대략 1000kHz 대의 매우 높은 고주파를 사용하는 경우를 메가소닉 세정(megasonic cleaning)이라고 하며, 이는 기판 표면에 상기 고주파를 인가하여 기판 표면에 분사된 제 1 세정액을 진동시켜 상기 제 1 세정액의 세정률을 높이는 기판 세정 방식이다.
상기와 같은 매엽식 기판 세정 방법은 DHF 세정액으로 기판을 세정하는 단계와 SC-1 세정액으로 기판을 세정하는 단계를 포함할 수 있어 하나의 챔버에서 두 가지 이상의 세정 공정을 수행할 수 있다.
(실시예2)
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 도시한 순서도이다. 도 2을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 실시예1에서 설명한 매엽식 기판 세정 방식에 있어서 제 1 및 제 2 세정액의 세정 순서를 바꾼 것으로, SC-1 세정액으로 기판을 세정하는 단계(S14), 상기 기판을 린스하는 단계(S20), DHF 세정액으로 상기 기판을 세정하는 단계(S34), 상기 기판을 린스하는 단계(S40), 그리고 상기 기판을 건조하는 단계(S50)를 포함한다.
기판의 세정 공정이 개시되면, 소정의 반도체 공정을 마친 기판은 소정의 세정 챔버 내부로 이동하여 상기 세정 챔버 내부에 구비되는 척에 안착되어 회전된다.
기판이 회전되면 제 1 세정액이 상기 챔버 일측에 구비된 노즐을 통해 분사되어 회전되는 상기 기판표면에 잔류하는 유기 오염물질을 제거한다(S14). 이때, 상기 제 1 세정액은 SC-1 세정액이다.
스텝 S14가 완료되면, 초순수를 상기 기판표면에 분사하여 상기 기판표면에 잔류하는 상기 제 1 세정액을 제거하는 린스 공정이 수행된다(S20).
스텝 S20이 완료되면, 제 2 세정액이 회전하는 상기 기판표면에 분사되어 상기 기판표면에 잔류하는 자연 산화막, 유기 오염물질, 그리고 파티클을 제거하는 세정 공정이 실시한다(S34). 이때, 상기 제 2 세정액은 DHF 세정액이 사용되어 상기 기판표면에 발생된 화학적 산화막(chemical oxide) 혹은 자연 산화막(native oxide)을 효과적으로 제거한다. 또한, 상기 DHF 세정액은 상기 화학적 및 자연 산화막 내에 포함되어 있는 금속 오염물질을 효과적으로 제거할 수도 있다.
스텝 S34가 완료되면, 스텝 S20과 동일한 방식으로 상기 기판표면에 잔류하는 상기 제 2 세정액과 파티클 등을 제거하는 린스 공정을 실시한다(S40).
스텝 S40이 완료되면 상기 기판표면에 잔류하는 용액들을 제거하는 건조 공정이 수행된다(S50). 상기 건조 공정의 방식은 예컨대, 스핀 건조(spin dry) 방식을 포함한다.
상술한 매엽식 기판 세정 방법은 보다 효과적인 기판의 세정을 위해 고주파의 초음파를 이용할 수 있다. 특히, 주파수가 대략 1000kHz 대의 매우 높은 고주파를 사용하는 경우를 메가소닉 세정(megasonic cleaning)이라고 하며, 이는 기판 표면에 상기 고주파를 인가하여 기판 표면에 분사된 제 1 세정액을 진동시켜 상기 제 1 세정액의 세정률을 높이는 기판 세정 방식이다.
상기와 같은 매엽식 기판 세정 방법은 DHF 세정액으로 기판을 세정하는 단계와 SC-1 세정액으로 기판을 세정하는 단계를 포함할 수 있어 하나의 챔버에서 두 가지 이상의 세정 공정을 수행할 수 있다.
(실시예3)
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법을 도시한 순서도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 DHF 세정액으로 기판을 세정하는 단계(S100), 상기 기판을 린스하는 단계(S200), SC-1 세정액으로 상기 기판을 세정하는 단계(S320), 상기 기판을 린스하는 단계(S330), DHF 세정액으로 다시 상기 기판을 세정하는 단계(S340), 상기 기판을 린스하는 단계(S400), 그리고 상기 기판을 건조하는 단계(S500)를 포함한다.
기판의 세정 공정이 개시되면, 소정의 반도체 공정을 마친 기판은 소정의 세 정 챔버로 이동하여 상기 세정 챔버 내부에 구비되는 척에 안착되고, 상기 기판이 상기 척에 안착되면 상기 척이 회전하여 상기 기판이 회전된다.
기판이 회전되면 제 1 세정액이 상기 챔버 일측에 구비된 노즐을 통해 분사되어 회전되는 상기 기판표면에 잔류하는 유기 오염물질을 제거한다(S100). 이때, 상기 제 1 세정액은 DHF 세정액이 사용되어 소정의 반도체 공정을 마친 기판표면에 발생된 화학적 산화막(chemical oxide) 혹은 자연 산화막(native oxide)을 효과적으로 제거한다. 여기서, 상기 DHF 세정액은 상기 화학적 및 자연 산화막 내에 포함되어 있는 금속 오염물질을 효과적으로 제거할 수도 있다.
스텝 S100이 완료되면, 상기 기판표면에 잔류하는 상기 제 1 세정액을 제거하는 린스 공정이 수행된다(S200). 상기 린스 공정은 초순수를 상기 기판표면에 분사시켜 상기 기판표면에 잔류하는 상기 DHF 세정액 및 파티클을 제거하는 공정이다. 예컨대,
스텝 S200이 완료되면, 제 2 세정액이 회전하는 상기 기판표면에 분사되어 상기 기판표면에 잔류하는 자연 산화막, 유기 오염물질, 그리고 파티클을 제거하는 세정 공정이 실시한다(S320). 이때, 상기 제 2 세정액은 암모니아(NH4OH), 과산화수소(H2O2), 그리고 초순수를 포함하는 SC-1 세정액이다
스텝 S320이 완료되면, 스텝 S200과 동일한 방식으로 상기 기판표면에 잔류하는 상기 제 2 세정액과 파티클 등을 제거하는 린스 공정을 실시한다(S330).
스텝 S330이 완료되면, 상술한 스텝 S100과 동일한 방식으로 제 1 세정액, 예컨대, 상기 DHF 세정액이 상기 챔버 일측에 구비된 노즐을 통해 분사되어 상기 기판표면에 잔류하는 파티클을 제거한다(S340).
스텝 S340이 완료되면, 스텝 S200 및 스텝 S330과 동일한 방식으로 상기 기판표면에 잔류하는 상기 제 2 세정액과 파티클 등을 제거하는 린스 공정을 실시한다(S400).
스텝 S400이 완료되면 상기 기판표면에 잔류하는 용액들을 제거하는 건조 공정이 수행된다(S500). 상기 건조 공정은 예컨대, 기판을 3000rpm 이상의 회전력으로 회전시켜 기판표면에 잔류하는 세정액 및 파티클을 제거시키는 스핀 건조(spin dry)방식을 포함한다.
여기서, 본 발명의 또 다른 실시예로서, 스텝 S100, 스텝 S320, 그리고 스텝 S340에 사용되는 세정액의 순서를 바꿔서 사용할 수도 있다. 즉, 스텝 S100에서 우선 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함하는 세정액을 사용하고, 스텝 S320에서 불산과 초순수를 포함하는 세정액을 사용하며, 스텝 340에서 다시 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함하는 세정액을 사용하는 것이다.
상술한 매엽식 기판 세정 방법은 보다 효과적인 기판의 세정을 위해 고주파의 초음파를 이용할 수 있다. 특히, 주파수가 대략 1000kHz 대의 매우 높은 고주파를 사용하는 경우를 메가소닉 세정(megasonic cleaning)이라고 하며, 이는 기판 표면에 상기 고주파를 인가하여 기판 표면에 분사된 제 1 세정액을 진동시켜 상기 제 1 세정액의 세정률을 높이는 기판 세정 방식이다.
상기와 같은 매엽식 기판 세정 방법은 DHF 세정액으로 기판을 세정하는 단계와 SC-1 세정액으로 기판을 세정하는 단계를 포함할 수 있어 하나의 챔버에서 두 가지 이상의 세정 공정을 수행할 수 있다.
또한, 상술한 매엽식 기판 세정 방법은 실시예 1과 실시예 2에서 상술한 매엽식 기판 세정 방법을 상호 보완할 수 있다.
보다 상세하게는 실시예 1에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판의 최종적인 세정이 상기 DHF 세정액에 의해서 이루어지는데 이러한 상기 DHF 세정액에 포함되는 불산은 실리콘 재질의 기판 표면이 공기 중의 산소와 반응하기 쉽도록 기판 표면을 변화시킨다. 그러므로, 기판이 산소와 반응하여 기판 표면에 발생되는 워터 마크(water mark)현상으로 인한 기판의 손상이 발생될 수 있다.
또한, 실시예 2에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판의 최종적인 세정이 ㅅ상기 SC-1 세정액에 의해 수행되는데, 이러한 상기 SC-1에 포함되는 암모니아는 상기 SC-1 세정액의 전기 음성도를 증가시키는 요인이되며, 세정액의 전기음성도가 커지면 기판이 금속이온들과 결합하려는 힘이 강해져 기판표면이 금속 오염물질에 의해 오염되기 쉽다.
그리하여, 상술한 실시예 3은 성질이 다른 세정액에 의한 세정공정을 반복하여 진행함으로써 실시예 1에 있어서 발생될 수 있는 워터 마크 현상으로 인한 기판의 손상 및 실시예 2에 있어서, 세정액의 전기음성도 증가에 의한 기판 표면의 금속 오염물질에 의한 오염을 방지할 수 있다.
예컨대, 실시예 3에 있어서 DHF 세정액 및 SC-1 세정액의 반복 사용시 각각의 세정액에 포함되어 있는 불산 및 암모니아의 농도를 점차 낮춰서 기판을 세정하면 고농도의 불산 및 암모니아에 의한 워터 마크 현상 및 전기음성도 증가에 따른 기판의 오염 현상을 방지할 수 있다.
이상에서, 본 발명에 따른 매엽식 세정 방법을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 하나의 챔버로 두 가지 이상의 세정 공정을 처리할 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 복수의 세정액을 하나의 챔버에서 처리할 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 매엽식 기판 세정 방법은 기판이 산소와 반응하여 기판 표면에 발생하는 워터 마크(water mark)현상으로 인한 기판의 손상 및 세정액의 전기음성도 증가에 의한 기판 표면의 금속 오염물질에 의한 오염을 방지할 수 있다.

Claims (7)

  1. 매엽식 기판 세정 방법에 있어서,
    (a) 제 1 세정액을 기판에 분사하여 상기 기판 표면을 세정하는 단계와;
    (b) 상기 기판에 잔류하는 상기 제 1 세정액을 린스하는 단계와;
    (c) 제 2 세정액을 상기 기판에 분사하여 상기 기판 표면을 세정하는 단계와;
    (d) 상기 기판에 잔류하는 상기 제 2 세정액을 린스하는 단계; 그리고
    (e) 상기 기판을 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 세정액은 서로 다른 노즐들을 통해 상기 기판에 분사되고, 상기 노즐들은 상기 기판의 중심 부분을 기준으로 상기 기판의 가장자리 영역까지 반복적인 왕복 운동하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 세정액은 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함하고, 상기 제 2 세정액은 불산과 초순수를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 세정액은 불산과 초순수를 포함하고, 상기 제 2 세정액은 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    (d) 단계와 (e) 단계 사이에는 제 3 세정액으로 상기 기판을 세정하는 단계 및 상기 기판 표면에 잔류하는 상기 제 3 세정액을 린스하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 세정액은 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함하고, 상기 제 2 세정액은 불산과 초순수를 포함하며, 상기 제 3 세정액은 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 세정액은 불산과 초순수를 포함하고, 상기 제 2 세정액은 암모니아, 과산화수소, 그리고 초순수를 포함하며, 상기 제 3 세정액은 불산과 초순수를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 기판 세정 방법.
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