KR20090024199A - 액체 메니스커스를 이용한 포스트 에칭 웨이퍼 표면 세정 - Google Patents

액체 메니스커스를 이용한 포스트 에칭 웨이퍼 표면 세정 Download PDF

Info

Publication number
KR20090024199A
KR20090024199A KR1020087031669A KR20087031669A KR20090024199A KR 20090024199 A KR20090024199 A KR 20090024199A KR 1020087031669 A KR1020087031669 A KR 1020087031669A KR 20087031669 A KR20087031669 A KR 20087031669A KR 20090024199 A KR20090024199 A KR 20090024199A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer surface
solution
cleaning solution
cleaning
wafer
Prior art date
Application number
KR1020087031669A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101376897B1 (ko
Inventor
지 주
석민 윤
마크 윌콕슨
라리오스 존 엠 데
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20090024199A publication Critical patent/KR20090024199A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101376897B1 publication Critical patent/KR101376897B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼의 표면을 세정하는 방법을 개시한다. 웨이퍼 표면에 제 1 세정 용액을 도포하여 웨이퍼 표면 상에 오염 물질들을 제거한다. 웨이퍼 표면 상의 오염 물질들의 일부와 함께 제 1 세정 용액을 제거한다. 다음으로, 웨이퍼 표면에 산화제 용액을 도포한다. 산화제 용액은 남은 오염 물질들에 산화된 층을 형성한다. 그 산화제 용액을 제거하고, 이후 웨이퍼 표면에 제 2 세정 용액을 도포한다. 웨이퍼 표면으로부터 제 2 세정 용액을 제거한다. 그 세정 용액은 남은 오염 물질들과 함께 산화된 층을 실질적으로 제거하도록 구성된다.
포스트 에칭 웨이퍼 표면 세정, 근접 헤드, 세정 용액, 산화제, 액체 메니스커스

Description

액체 메니스커스를 이용한 포스트 에칭 웨이퍼 표면 세정{POST ETCH WAFER SURFACE CLEANING WITH LIQUID MENISCUS}
발명자:
Ji Zhu, Seokmin Yun, Mark Wilcoxson, and John M. de Larios
배경
반도체 칩 제조는 조화된 일련의 정확한 공정들을 수반하는 복잡한 프로세스이다. 이들 공정들의 다양한 단계들 동안 반도체 기판 (즉, 반도체 웨이퍼) 의 표면들이 미립자, 유기 재료, 금속성 불순물 (예를 들어, 구리, 알루미늄, 티타늄, 텅스텐 등) 및 자연 산화물 (예를 들어, 이산화 실리콘) 로 구성된 잔류층으로 오염되는 것으로 잘 알려져 있다.
도 1A 에서는, 실리콘 웨이퍼 (100) 상에 사용되는 플라즈마 에칭 프로세스를 나타내는 제조 공정의 결과로서 생성된 웨이퍼 오염의 실시예를 볼 수 있다. 반도체 웨이퍼 (100) 는 플라즈마 에칭 챔버 내에 있다. 반도체 웨이퍼 (100) 의 표면은 에칭으로부터 웨이퍼 표면 영역을 보호하는 포토레지스트 재료 (104) 로 코팅된다. 에칭은 집적 회로 (IC) 설계에 일치하는 미시적인 패턴들을 생성하기 위하여 웨이퍼 표면으로부터 재료를 제거하는 잘 알려진 방법이다. 플라즈마 (110) 는 웨이퍼 상에 에칭을 개시하도록 반도체 웨이퍼 (100) 의 표면으로 지향된다. 포토레지스트 재료 (104) 에 의해 보호되지 않는 웨이퍼 표면 영역들 은 플라즈마 (110) 에 의해 에칭되어 반도체 기판의 산화층 내에 트렌치 구조물을 형성한다. 포토레지스트 (104) 에 의해 보호되지 않는 영역은 에칭된 재료 (102) 의 플룸 (plume) 이 플라즈마 에칭의 결과로서 형성될 수 있는 것을 나타낸다. 플룸은 웨이퍼 표면 상으로 그리고 에칭된 트렌치들의 측면 상에 에칭된 재료를 소나기처럼 쏟는다. 이후, 이 재료는 웨이퍼 상의 다른 오염 물질들과 상호 작용하여 오염 필름 (포스트 에칭 잔류물로서 알려짐) 을 형성할 수 있다.
플라즈마 에칭 후, 포토레지스트 (104) 는 일반적으로 애싱 (ashing) 으로 불리는 프로세스를 통해 제거되어 웨이퍼 표면으로부터 포토레지스트 재료를 벗긴다. 도 1B 는 플라즈마 에칭 공정과 애싱 공정이 완료된 후의 결과일 수 있는 웨이퍼 표면 상의 오염을 나타낸다. 도 1B 에 도시된 바와 같이, 웨이퍼는 포스트 에칭 잔류물, 잔류 포토레지스트 재료, 스퍼터링된 금속 및 금속 산화물을 포함할 수 있는 다양한 오염 종 (120) 들을 갖는다.
이들 오염 물질의 제거는 웨이퍼 표면 상의 오염 물질들이 IC 의 저하된 신뢰성이나 심지어 고장을 야기하는 IC 의 결함의 원인이기 때문에 IC 제조 시 없어서는 않되는 단계이다. 따라서, 웨이퍼 표면으로부터의 오염 물질들의 제거는 웨이퍼 당 사용가능한 디바이스의 최대 생산량을 제조하는데 필요하다.
독점적인 화학 조성물 (formulation) 들은 포스트 에칭 잔류물들을 제거하는데 이용할 수 있다. 그러나, 이들 조성물들은 대형 웨이퍼 제조를 위해 충분한 양의 구매에 많은 비용이 든다. 또한, 이들 독점적인 화학 제품들은 종종 웨이퍼 표면 상의 오염 물질들을 효과적으로 제거하는데 수 분이 걸린다. 이 지연 은 대형 웨이퍼 제조의 상황에서 이들 조성물을 사용하는 비용에 부가하여 낮은 웨이퍼 생산량을 야기할 수 있다. 비-독점적인 세정 화학 제품들은 웨이퍼 세정을 위해 이제까지 이용되어 왔다. 그러나, 웨이퍼 표면을 세정하는데 긴 프로세스 시간이 제공되지 않는다면, 웨이퍼 표면 상에 남은 오염 양이 받아드리기 어려울 만큼 많이 남는다. 이것은 높은 쓰루풋 웨이퍼 제조를 달성하는 목적에 대해 동일하게 반대되는 결과이다. 따라서, 이상을 고려하여, 적시적인 방식 (timely fashion) 으로 웨이퍼 표면을 효과적으로 세정할 수 있는 포스트 에칭 잔류 화학 제품들을 제거하는 방법의 필요성이 있다.
개요
대략적으로 말하면, 본 발명은 웨이퍼 표면으로부터 오염 물질들을 제거하는 개선된 세정 방법을 제공함으로써 이들 필요성을 충족한다. 시스템, 장치 및 방법을 포함한 다양한 방식들로 본 발명을 실시할 수 있음을 이해할 것이다. 이하에서는 본 발명의 여러 발명적인 실시형태들을 서술한다.
일 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법을 정의한다. 복수의 소스 입구들과 복수의 소스 출구들을 포함하는 근접 헤드를 제공한다. 다음으로, 웨이퍼 표면에 근접하게 근접 헤드를 정의한다. 웨이퍼 표면에 근접하게 근접 헤드를 정의한 후, 웨이퍼 표면에 복수의 소스 입구들을 통해 산화제 용액을 도포한다. 산화제 용액은 웨이퍼 표면 상에 하나 이상의 오염 물질 종들에 산화된 층을 형성한다. 복수의 소스 출구들을 통해 웨이퍼 표면으로부터 산화제 용액을 제거한다. 이후, 복수의 소스 입구들을 통해 웨이퍼 표면에 세정 용액 을 도포한다. 세정 용액은 웨이퍼 표면 상의 하나 이상의 오염 물질 종들과 함께 산화된 층을 실질적으로 제거하도록 구성된다. 복수의 소스 출구들을 통해 웨이퍼 표면으로부터 세정 용액을 제거한다.
또다른 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법이 웨이퍼 표면 상의 하나 이상의 오염 물질 종들을 제거하기 위하여 제 1 세정 용액을 웨이퍼 표면에 도포함으로써 시작한다. 하나 이상의 오염 물질 종들 중 적어도 일부와 함께 웨이퍼 표면으로부터 제 1 세정 용액을 제거한다. 다음으로, 웨이퍼 표면에 산화제 용액을 도포한다. 산화제 용액은 남은 오염 물질 종들에 산화된 층을 형성한다. 웨이퍼 표면으로부터 산화제 용액을 제거한다. 다음으로, 웨이퍼 표면에 제 2 세정 용액을 도포한다. 제 2 세정 용액은 남은 오염 물질 종들과 함께 산화된 층을 실질적으로 제거하도록 구성된다. 웨이퍼 표면으로부터 제 2 세정 용액을 제거한다.
계속 또다른 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법을 정의한다. 복수의 소스 입구들과 복수의 소스 출구들을 포함하는 근접 헤드를 제공한다. 웨이퍼 표면에 근접하게 근접 헤드를 정의한다. 다음으로, 웨이퍼 표면 상의 하나 이상의 오염 물질 종들을 제거하는 제 1 세정 용액을 복수의 소스 입구들을 통해 웨이퍼 표면에 도포한다. 복수의 소스 출구들을 통해 웨이퍼 표면으로부터 하나 이상의 오염 물질 종들 중 적어도 일부와 함께 제 1 세정 용액을 제거한다. 이후, 복수의 소스 입구들을 통해 웨이퍼 표면에 산화제 용액을 도포한다. 산화제 용액은 남은 오염 물질 종들에 산화된 층을 형성한다. 복수의 소스 출구들을 통해 산화제 용액을 제거한다. 복수의 소스 입구들을 통해 웨이퍼에 제 2 세정 용액을 도포한다. 제 2 세정 용액은 남은 오염 물질 종들과 함께 산화된 층을 실질적으로 제거하도록 구성된다. 복수의 소스 출구들을 통해 웨이퍼 표면으로부터 제 2 세정 용액을 제거한다.
도면의 간단한 설명
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 다음의 상세한 설명에 의해 용이하게 이해되며, 동일한 참조 부호들은 동일한 구조적인 요소들을 지칭한다.
도 1A 는 반도체 웨이퍼 상의 반도체 플라즈마 에칭 제조 프로세스를 나타낸다.
도 1B 는 일반적인 플라즈마 에칭 절차의 완료 후 반도체 웨이퍼 상의 오염 물질 잔류물들을 도시한다.
도 2A 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼에 세정 용액을 사용하는 근접 헤드를 도시한다.
도 2B 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼에 산화제 용액을 사용하는 근접 헤드를 도시한다.
도 2C 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 2 세정 용액을 사용하는 근접 헤드를 도시한다.
도 3A 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 2 개 스테이션 웨이퍼 표면 세정 공정을 사용하는 웨이퍼 세정 스테이션을 도시한다.
도 3B 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 3 개 스테이션 웨이퍼 세정 공정을 사용하는 웨이퍼 세정 스테이션을 도시한다.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 연관된 클러스터 부속실을 갖는 다중 챔버화되고 자동화된 웨이퍼 세정 스테이션을 도시한다.
도 5A 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 산화제와 세정 용액을 사용하는 웨이퍼 세정 프로세스의 흐름도이다.
도 5B 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 1 세정 용액, 산화제 및 제 2 세정 용액을 사용하는 세정 프로세스의 흐름도이다.
상세한 설명
반도체 기판의 표면을 세정하는 장치, 시스템 및 방법을 위한 발명을 서술한다. 그러나, 당업자에게는 본 발명이 이들 상세한 설명의 일부 또는 전부 없이도 실시될 수도 있음이 자명할 것이다. 다른 경우, 본 발명을 불필요하게 방해하지 않기 위하여 잘 알려진 프로세스 공정들을 상세히 설명하지 않았다.
반도체 기판은 임의의 실리콘계 재료로 이루어질 수 있다. 일 예시적인 실시형태에서는, 기판이 반도체 웨이퍼이며, 이러한 반도체 웨이퍼는 마이크로 회로들이 다양한 재료들의 확산과 성막에 의해 구성되는, 실리콘 결정과 같은 반도체 재료의 얇은 슬라이스이다. 본 명세서에서는, 반도체 기판과 반도체 웨이퍼란 용어들이 상호-교환가능하게 사용된다. 본 명세서의 실시형태들에 의해 개시되는 것은 본질적으로 기판 표면으로부터 오염 물질들을 경제적으로 그리고 효과적으로 제거하기 위하여 근접 헤드들이나 다른 장치의 주문화된 구성 (customized configuration) 을 갖고 이용될 수 있는 반도체 기판 세정 방법이다.
일반적으로 말하면, 그 방법은 포스트 에칭 또는 다른 제조 프로세스들에 의해 웨이퍼가 오염된 후 웨이퍼 표면에 산화제 용액을 도포한다. 산화제 용액은 산화제 용액이 산화층을 웨이퍼 표면 상에 형성되게 하여 웨이퍼의 표면 상 그리고 패턴된 구조물 내 모두의 오염 물질들을 인트랩 (entrap) 하도록 선택된다. 일단 산화층이 형성되면, 세정 용액을 도포함으로써 그 산화층을 제거할 수 있다. 이 방식에서, 산화층 형성은 세정 용액과 함께 협력적인 세정 메커니즘을 제공하여 웨이퍼 표면으로부터 오염 물질들을 제거한다. 이후, 적합한 산화제들과 세정 용액들은 산화제와 세정 용액의 조합이 웨이퍼 표면으로부터 오염 물질을 제거하는데 협력적으로 작용하도록 선택될 수 있다. 특유의 산화제와 세정 용액에 대한 선택은 웨이퍼 표면 상의 오염 종들이 알려지면 용이하게 식별될 수 있다.
그러나 실제적인 경험에서는 오염 물질 종들에 의해 초기 산화층의 형성이 억제되는 상황이 있을 수도 있음이 나타났다. 이 상황을 직면하게 되는 경우, 수분 정도의 프로세스 시간과 5 중량% 만큼의 고농도 산화제의 사용을 필요로 한다. 산화제 용액들이 상대적으로 비싸기 때문에, 이 문제는 독점적인 세정 조성물을 사용하거나 세정 솔벤트들을 단독으로 사용하는 초기 문제와 같이 동일하게 받아 들일 수 없다. 이하에서는 2 개 공정 세정 프로세스에 대한 개선책을 언급한다.
산화제 용액의 도포 전에 초기 세정 공정을 사용함으로써 2 개 공정 세정 프로세스에 대한 개선책을 획득한다. 웨이퍼 표면에 제 1 세정 용액을 도포한 후, 산화층 성장을 억제하는 오염 물질과 함께 제 1 세정 용액을 제거한다. 이 후, 웨이퍼 표면에 산화제 용액을 도포하여 산화층이 형성될 수 있다. 일반적으로, 초기 세정 프로세스는 그렇지 않으면 산화층 형성을 방해할 수 있는 오염 물질들을 제거한다. 이후, 세정 방법은 위에서 언급하였던 동일한 산화제와 세정 용액을 사용한다. 본 프로세스로 하여금 대형 웨이퍼 제조에 적합하게 만드는 이점은 이전의 세정 방법들에 의해 경험한 것 이하의 프로세스 시간 내에 희석 화학 용액을 이용할 수 있다는 점이다.
표 1 에서는 본 발명의 일 실시형태에 따라 사용된 일반적인 산화제의 예시적인 리스트를 열거한다. 과산화수소, 물에 용해된 오존, 및 질산은 본 발명에서 이용될 수도 있는 일반적인 산화제들의 실시예로서 열거된다. 추가적인 산화제들은 웨이퍼 표면 상의 식별된 오염 종들에 산화층을 형성하도록 용이하게 선택되고 맞춰질 수 있다.
이들 화학 제품들이 대형 웨이퍼 제조에 사용하도록 대량으로 그리고 적합한 순도 레벨로 용이하게 이용가능하다고 지적될 것이다. 부가적으로, 이후 언급되는 바와 같이 표 1 에 열거된 산화제들은 현존하는 제조 장비 기술들을 이용하여 수용성 용액으로 사용될 수 있다.
표 1. 공정 농도에 따른 예시적인 산화제 용액들.
화학 제품 고농도 최저 농도 중간 농도 바람직한 농도 프로세스 시간
H2O2 30 중량% 0.01 중량% 5 중량% 0.1 중량% 1 초 - 10 초
물에 용해된 O3 포화됨 1ppm 10ppm 10ppm 1 초 - 10 초
질산 90 중량% 5 중량% 20 중량% 10 중량% 1 초 - 10 초
표 2 에서는 본 발명의 일 실시형태에 따라 사용된 산성 세정 용액들의 예시적인 리스트를 열거한다. 불화수소산, 아세트산, 질산, 황산 및 옥살산은 본 발명에서 사용될 수도 있는 일반적인 산성 세정 용액의 단지 예시로서 열거된다. 또한, 추가적인 세정 용액은 용해될 산화제와 웨이퍼 표면 상의 오염 물질 종들의 성질에 따라 선택될 수도 있다. 예시적인 산성 용액은 약 7 미만의 pH 를 가져야 한다.
표 2 의 실시예들이 산성 용액이지만, 본 발명에서는 적합한 염기성 세정 용액들이 산화제 용액과 함께 사용될 유일한 세정 용액으로서 또는 산성 세정 용액을 사용하는 사전 또는 후속 세정 공정과 결합하여 사용될 수 있다. 염기성 세정 용액의 실시예들은 ATMI, Inc. 에 의해 만들어진 상업적 세정 조성물인 ST250 및 ST255 와 Mallinckrodt Baker, Inc. 의 J.T. Baker 에 의해 만들어진 상업적 세정 조성물인 Rezi-38 을 포함한다. 따라서, 염기성 용액은 약 7 보다 큰 pH 를 갖는 용액이나 pH 중성 용액일 것이다. 이들 특유의 조성물들이 암모니아계이고 웨이퍼 표면 상에 존재할 수도 있는 구리계 오염 물질들을 세정할 때 잘 반응한다라고 지적될 것이다. 제조자에 의해 추천된 농도 효력은 달성될 효과적인 세정을 위해 약 1 초 내지 120 초인 범위의 프로세스 시간으로 사용된다.
표 2 를 다시 참조하면, 열거된 세정 용액들은 대형 웨이퍼 제조에 사용하도록 대량으로 그리고 적합한 순도 레벨로 용이하게 이용가능하다는 것으로부터 이득을 얻는다. 또한, 이들 세정 용액들은 현존하는 웨이퍼 세정 기술들을 이용하여 수용액으로 전달될 수 있다.
표 2. 공정 농도에 따른 예시적인 세정 용액들
화학 제품 (산성) 고농도 최저 농도 중간 농도 바람직한 농도 프로세스 시간
HF 49 중량% 0.01 중량% 1 중량% 0.049 중량% - 0.49 중량% 0.1초 - 60초, 바람직하게 2초 - 10초
아세트산 50 중량% 0.01 중량% 5 중량% 5 중량% 0.1초 - 60초, 바람직하게 2초 - 10초
질산 50 중량% 0.01 중량% 5 중량% 5 중량% 0.1초 - 60초, 바람직하게 2초 - 10초
황산 50 중량% 0.01 중량% 5 중량% 5 중량% 0.1초 - 60초, 바람직하게 2초 - 10초
옥살산 50 중량% 0.01 중량% 5 중량% 5 중량% 0.1초 - 60초, 바람직하게 2초 - 10초
위에서 열거된 세정 용액과 산화제들을 사용하도록 이용될 수 있는 웨이퍼 세정 기술의 실례는 본 발명의 양수인인 Lam Research 에 의해 개발된 근접 헤드이다. 도 2A 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼 (210) 에 세정 용액을 사용하는 근접 헤드 (200) 를 도시한다. 근접 헤드 (200) 는 웨이퍼 (210) 의 상부 표면과 저부 표면에 근접하게 정의되는 상부와 하부를 갖는다. 입구 (202) 와 출구 (204) 는 근접 헤드 (200) 에 접속된다. 입구 (202) 와 출구 (204) 는 근접 헤드 내부에 위치된 내부 채널들로 그리고 내부 채널들로부터 유체들을 라우팅한다. 내부 채널들은 차례로 웨이퍼 표면에 근접하게 있는 근접 헤드의 표면 상의 복수의 소스 입구들과 복수의 소스 출구들로 통한다. 이들 입구들과 출구들은 메니스커스가 웨이퍼 표면과 근접 헤드 표면 사이의 갭에서 형성되는 방식으로 유체들을 전달하고 제거하도록 구성된다. 이것은 웨이퍼 (210) 의 상부 및 저부 표면과 근접 헤드 (200) 사이에서 형성되는 메니스커스 (206) 에 의해 도시된다. 도 2A 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼 (210) 에 도포되고 있는 세정 용액을 나타낸다. 웨이퍼 표면에 대하여 근접 헤드를 움직여 세정 용액으로 웨이퍼 (210) 의 전체 표면을 처리할 수 있다. 당업자에게는 근접 헤드 대 신에 웨이퍼를 움직여 세정 용액으로 전체 웨이퍼 표면을 처리할 수도 있다는 것이 명백할 것이다.
유사하게, 도 2B 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 웨이퍼에 도포되고 있는 산화제 용액을 나타낸다. 근접 헤드는 웨이퍼 표면에 산화제 용액을 전달하고 제거하도록 이용된다. 도 2C 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 도포되고 있는 세정 용액을 나타낸다. 도 2A 의 입구들 및 출구들이 도 2B 와 도 2C 에 존재하고 설명의 편의성을 위해 단지 배제되었음이 이해될 것이다.
도 3A 와 도 3B 는 근접 헤드를 사용하는 웨이퍼 세정 기술의 추가적인 실시형태들을 도시한다. 도 3A 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 2 개 스테이션 웨이퍼 표면 세정 공정을 사용하는 웨이퍼 세정 스테이션을 도시한다. 세정 스테이션 (300) 에서는 근접 헤드의 사용을 통해 웨이퍼로부터 동시에 산화제 용액을 도포하고 제거한다. 웨이퍼 표면 상에 산화층을 형성한 후, 제 2 근접 헤드가 세정 용액을 동시에 도포하고 제거하는 세정 스테이션 (302) 으로 웨이퍼를 이송한다. 근접 헤드에 의해 제거된 세정 용액이 분리된 산화층과 오염 물질들을 포함하는 것이 이해될 것이다. 웨이퍼는 세정 스테이션 (302) 에서 세정된 후, 추가적인 제조 처리를 위해 이송될 수 있다.
도 3B 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 3 개 스테이션 웨이퍼 세정 공정을 사용하는 웨이퍼 세정 스테이션을 도시한다. 세정 스테이션 (310) 에서, 초기 세정 프로세스는 근접 헤드를 사용하여 세정 용액을 전달하고 제거한다. 근접 헤드에 의해 제거되는 세정 용액은 세정 용액의 적용에 의해 웨이퍼 표면으로부터 분리되거나 풀려난 오염 물질들로 더러워진다. 이후, 제 2 근접 헤드에 의해 산화제 용액을 도포하고 제거하는 스테이션 (312) 으로 웨이퍼를 이송한다. 산화층이 형성되기 위한 충분한 시간이 허용된 후, 세정 스테이션 (314) 으로 웨이퍼를 이송한다. 세정 스테이션 (314) 에서는 제 3 근접 헤드가 웨이퍼에 세정 용액을 도포한다. 웨이퍼는 세정 스테이션 (314) 에서 세정된 후, 추가적인 제조 처리를 위해 이송될 수 있다. 도 3A 와 도 3B 가 세정 스테이션의 유일한 가능한 구성을 도시하지 않는다고 이해될 것이다. 물리적인 스크러빙과 초음파 세정 디바이스들을 사용하는 추가적인 구성들도 가능하다.
도 4 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 관련된 클러스터 부속실 (420) 을 갖고 다중 챔버화되고 자동화된 웨이퍼 세정 스테이션 (410) 으로 구성되는 제조 셀 (400) 을 도시한다. 세정 스테이션 (410) 은 웨이퍼 이송 로봇 팔 (419) 을 수용하는 중앙 챔버의 주변에 다수의 챔버들을 포함한다. 로드 락 (load lock) (422) 은 웨이퍼 이송 로봇 (425) 을 수용하는 중앙 챔버의 주변에 다수의 챔버들을 포함하는 클러스터 부속실 (420) 에 세정 스테이션 (410) 을 접속한다. 클러스터 부속실 (420) 의 중앙 챔버에 부속된 다수의 챔버들은 웨이퍼 처리 공정에 대해 전용된다. 예를 들어, 챔버 (424) 는 웨이퍼 표면 상의 트렌치들의 플라즈마 에칭을 위한 플라즈마 프로세스를 채용한다. 요구될 수도 있는 것처럼, 웨이퍼가 클러스터 부속실 (420) 에서 하나 이상의 처리 공정들을 완료한 후, 웨이퍼 이송 로봇 (425) 이 오염된 웨이퍼를 이송하여 세정 스테이션 (410) 에서 웨이퍼를 세정할 수도 있을 것이다. 웨이퍼는 로드 락 (422) 을 통과하고 2 개 공 정 표면 세정 프로세스나 3 개 공정 표면 세정 프로세스가 사용될지 여부에 따라 세정 챔버나 산화제 챔버로 웨이퍼 이송 로봇 (419) 에 의해 이송된다. 웨이퍼 이송 로봇 (419) 은 세정 공정이 완료된 후 추가적인 제조 공정들을 위해 수동적으로나 자동적으로 웨이퍼가 이송될 수 있는 웨이퍼 저장 유닛 (418) 으로 세정된 웨이퍼를 이송할 수도 있다. 도 4 가 오직 제조 셀의 하나의 가능한 구성을 나타내고 다른 조합들이 본 발명의 공정들과 양립할 수 있는 것이 이해될 것이다.
도 5A 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 산화제와 세정 용액을 사용하는 웨이퍼 세정 프로세스의 흐름도이다. 공정 500 에서는 근접 헤드를 이용하여 웨이퍼 표면에 산화제 용액을 도포한다. 근접 헤드의 구성에 의해 산화제 용액은 웨이퍼 표면으로부터 동시에 도포되고 제거된다. 공정 500 에서 산화층이 웨이퍼 표면 상에 형성되게 허용하는 충분한 시간이 주어진 후, 공정 502 로 진행된다. 이 시점에서, 선택적인 탈 이온수 (DI water) 린스 공정을 수행할 수도 있다. 이 부가적인 단계는 후속 공정들에 대해 더욱 효과적인 처리를 제공할 수도 있다. 공정 502 에서는 근접 헤드를 이용하여 웨이퍼 표면에 세정 용액을 도포하고 웨이퍼 표면으로부터 오염 물질들과 함께 세정 용액을 제거한다. 근접 헤드의 구성에 의해 도포 동작과 제거 동작 양자 모두는 동시에 일어난다. 세정 용액은 선택된 산화제와 웨이퍼 상에 존재하는 오염 물질 종들에 따라 염기성 용액이나 산성 용액일 수도 있다.
도 5B 는 본 발명의 일 실시형태에 따라 제 1 세정 용액, 산화제 및 제 2 세정 용액을 사용하는 세정 프로세스의 흐름도이다. 공정 510 에서는 웨이퍼 표 면에 세정 용액을 도포한다. 세정 용액은 웨이퍼 상에 존재하는 오염 물질 종들에 따라 염기성 용액이나 산성 용액일 수도 있다. 공정 512 에서는 웨이퍼 표면으로부터 오염 물질들과 함께 세정 용액을 제거한다. 다음으로, 웨이퍼 표면에 산화제 용액을 도포한다. 바람직하게, 표 1 에 나타내는 바와 같이 산화제 용액은 희석 용액이다. 일단 산화층이 웨이퍼 표면 상에 형성되게 허용하는 충분한 시간이 주어진 후, 공정 516 에서는 웨이퍼 표면으로부터 산화제 용액을 제거한다. 공정 516 이 완료된 후, 공정 518 에서는 제 2 세정 용액을 도포한다. 그 세정 용액은 공정 510 에서 사용한 것과 같거나 상이한 세정 용액일 수도 있음이 이해될 것이다. 하나의 세정 용액만이 웨이퍼 표면을 세정하도록 사용된다면, 공정 510 과 공정 518 에서 세정 용액의 농도 레벨들을 다르게 사용할 수도 있다. 공정 518 에서 세정 용액을 도포한 후, 공정 520 에서는 웨이퍼 표면으로부터 오염 물질들과 함께 세정 용액을 제거함으로써 세정 프로세스를 완료한다.
근접 헤드에 대한 추가적인 정보에 대해서, 2003 년 09 월 09 일에 이슈되고 발명의 명칭이 "Methods for wafer proximity cleaning and drying" 인 미국 특허 제 6,616,772 호에 개시된 바와 같이 예시적인 근접 헤드에 대한 참조를 행할 수 있다. 본 출원의 양수인인 LAM Research Corporation 에 양도된 이 미국 특허 출원은 본 명세서에 참조로서 포함된다.
상부 및 저부 메니스커스들에 대한 추가적인 정보에 대해서, 2002 년 12 월 24 일에 출원되고 발명의 명칭이 "Meniscus, Vacuum, IPA Vapor, Drying Manifold" 인 미국 특허 출원 제 10/330,843 호에 개시된 바와 같이 예시적인 메니스커스에 대한 참조를 행할 수 있다. 본 출원의 양수인인 LAM Research Corporation 에 양도된 이 미국 특허 출원은 본 명세서에 참조로서 포함된다.
본 발명의 몇몇 실시형태가 본 명세서에 상세히 기술되었지만, 당업자에 의해 본 발명이 본 발명의 사상 또는 범위에서 벗어나지 않는 많은 다른 구체적 형태들로 구체화될 수도 있음이 이해될 것이다. 따라서, 본 실시예들과 실시형태들은 설명적이나 제한적이지 않는 것으로서 고려되고, 본 발명은 여기서 제공되는 상세함에 제한되지 않고, 첨부된 청구항들의 범위 내에서 변형되고 실시될 수도 있다. 부가적으로, 본 명세서의 방법 청구항들에 개시된 공정적인 단계들은 어떤 미리 결정된 순서를 따르지 않고 구체적인 출원에 적절한 임의의 순서로 실시될 수도 있다.

Claims (20)

  1. 복수의 소스 입구들과 복수의 소스 출구들을 포함하는 근접 헤드를 제공하는 단계;
    상기 근접 헤드를 웨이퍼 표면에 근접하게 정의하는 단계;
    상기 웨이퍼 표면에 상기 복수의 소스 입구들을 통해 상기 웨이퍼 표면 상의 하나 이상의 오염 물질 종들에 산화된 층을 형성하는 산화제 용액을 도포하는 단계;
    상기 복수의 소스 출구들을 통해 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 산화제 용액을 제거하는 단계;
    탈 이온수 (DI water) 린스 공정을 실시하는 단계;
    상기 웨이퍼 표면에 상기 복수의 소스 입구들을 통해 세정 용액을 도포하는 단계; 및
    상기 복수의 소스 출구들을 통해 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 웨이퍼 표면 상의 상기 하나 이상의 오염 물질 종들과 함께 상기 산화된 층을 실질적으로 제거하도록 정의되는 상기 세정 용액을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화제 용액은, 약 0.01 중량% 내지 약 30 중량% 인 농도 범위의 과산 화수소인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화제 용액은, 약 1ppm (part per million) 내지 포화인 범위의 오존 농도로 물에 용해된 오존인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화제 용액은 약 5 중량% 내지 약 90 중량% 인 농도 범위의 질산인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 용액은 약 0.01 중량% 내지 약 49 중량% 인 농도 범위의 불화수소산 또는 약 0.01 중량% 내지 약 50 중량% 인 농도 범위의 아세트산, 황산, 및 옥살산 중 적어도 하나인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  6. 웨이퍼 표면에 제 1 세정 용액을 도포하여 상기 웨이퍼 표면 상의 하나 이상의 오염 물질 종들을 제거하는 단계;
    상기 하나 이상의 오염 물질 종들 중 적어도 일부와 함께 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 제 1 세정 용액을 제거하는 단계;
    상기 웨이퍼 표면에 남은 오염 물질 종들에 산화된 층을 형성하는 산화제 용 액을 도포하는 단계;
    상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 산화제 용액을 제거하는 단계;
    상기 웨이퍼 표면에 제 2 세정 용액을 도포하는 단계; 및
    상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 남은 오염 물질 종들과 함께 상기 산화된 층을 실질적으로 제거하도록 구성되는 상기 제 2 세정 용액을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 산화제 용액의 제거 후 그리고 상기 웨이퍼 표면에 상기 제 2 세정 용액을 도포하기 전에 탈 이온수 (DI water) 린스 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 산화제 용액은, 약 0.01 중량% 내지 약 30 중량% 인 농도 범위의 과산화수소인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 산화제 용액은 약 1ppm (part per million) 내지 포화인 범위의 오존 농도로 물에 용해된 오존인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 산화제 용액은 약 5 중량% 내지 약 90 중량% 인 농도 범위의 질산인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 용액과 상기 제 2 세정 용액은, 각각 약 0.01 중량% 내지 약 49 중량% 인 농도 범위의 불화수소산 또는 약 0.01 중량% 내지 약 50 중량% 인 농도 범위의 아세트산, 황산, 및 옥살산 중 적어도 하나인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 용액은 산성 용액이고, 상기 제 2 세정 용액은 염기성 용액인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  13. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 용액은 염기성 용액이고, 상기 제 2 세정 용액은 산성 용액인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  14. 복수의 소스 입구들과 복수의 소스 출구들을 포함하는 근접 헤드를 제공하는 단계;
    상기 근접 헤드를 웨이퍼 표면에 근접하게 정의하는 단계;
    상기 복수의 소스 입구들을 통해 상기 웨이퍼 표면에 제 1 세정 용액을 도포하여 상기 웨이퍼 표면 상의 하나 이상의 오염 물질 종들을 제거하는 단계;
    상기 복수의 소스 출구들을 통해 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 하나 이상의 오염 물질 종들 중 적어도 일부와 함께 상기 제 1 세정 용액을 제거하는 단계;
    상기 하나 이상의 오염 물질 종들 중 적어도 일부와 함께 상기 제 1 세정 용액의 제거를 완료한 후 탈 이온수 (DI water) 린스 공정을 실시하는 단계;
    상기 웨이퍼 표면에 상기 복수의 소스 입구들을 통해 남은 오염 물질 종들에 산화된 층을 형성하는 산화제 용액을 도포하는 단계:
    상기 복수의 소스 출구들을 통해 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 산화제 용액을 제거하는 단계;
    상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 산화제 용액을 제거한 후 탈 이온수를 실시하는 단계;
    상기 웨이퍼 표면에 상기 복수의 소스 입구들을 통해 제 2 세정 용액을 도포하는 단계; 및
    상기 복수의 소스 출구들을 통해 상기 웨이퍼 표면으로부터 상기 남은 오염 물질 종들과 함께 상기 산화된 층을 실질적으로 제거하도록 구성되는 상기 제 2 세정 용액을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 산화제 용액은 약 0.01 중량% 내지 약 30 중량% 인 농도 범위의 과산화수소인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 산화제 용액은 약 1ppm (part per million) 내지 포화인 범위의 오존 농도로 물에 용해된 오존인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 산화제 용액은 약 5 중량% 내지 약 90 중량% 인 농도 범위의 질산인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 용액과 상기 제 2 세정 용액은, 각각 약 0.01 중량% 내지 약 50 중량% 인 농도 범위의 불화수소산, 아세트산, 황산, 및 옥살산 중 적어도 하나인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 용액은 산성 용액이고, 상기 제 2 세정 용액은 염기성 용액인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 세정 용액은 염기성 용액이고, 상기 제 2 세정 용액은 산성 용액인, 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법.
KR1020087031669A 2006-06-28 2008-12-26 액체 메니스커스를 이용한 포스트 에칭 웨이퍼 표면 세정 KR101376897B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/477,299 2006-06-28
US11/477,299 US7597765B2 (en) 2002-09-30 2006-06-28 Post etch wafer surface cleaning with liquid meniscus
PCT/US2007/015249 WO2008002669A2 (en) 2006-06-28 2007-06-28 Post etch wafer surface cleaning with liquid meniscus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090024199A true KR20090024199A (ko) 2009-03-06
KR101376897B1 KR101376897B1 (ko) 2014-03-20

Family

ID=38846332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087031669A KR101376897B1 (ko) 2006-06-28 2008-12-26 액체 메니스커스를 이용한 포스트 에칭 웨이퍼 표면 세정

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7597765B2 (ko)
JP (1) JP2009543344A (ko)
KR (1) KR101376897B1 (ko)
CN (1) CN101479831B (ko)
TW (1) TWI362700B (ko)
WO (1) WO2008002669A2 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4755573B2 (ja) * 2006-11-30 2011-08-24 東京応化工業株式会社 処理装置および処理方法、ならびに表面処理治具
US20090211596A1 (en) * 2007-07-11 2009-08-27 Lam Research Corporation Method of post etch polymer residue removal
JP4971078B2 (ja) * 2007-08-30 2012-07-11 東京応化工業株式会社 表面処理装置
US8845812B2 (en) * 2009-06-12 2014-09-30 Micron Technology, Inc. Method for contamination removal using magnetic particles
CN102148187B (zh) * 2010-02-09 2013-06-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种去除开尔文通孔的蚀刻残余物的方法
JP2013521646A (ja) * 2010-03-05 2013-06-10 ラム リサーチ コーポレーション ダマシン処理によるサイドウォールポリマー用の洗浄溶液
US8324114B2 (en) * 2010-05-26 2012-12-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for silicon oxide residue removal
US8716128B2 (en) * 2011-04-14 2014-05-06 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Methods of forming through silicon via openings
US9280998B1 (en) 2015-03-30 2016-03-08 WD Media, LLC Acidic post-sputter wash for magnetic recording media
CN105350053B (zh) * 2015-11-09 2017-08-11 广东长盈精密技术有限公司 金属外壳表面预处理方法
US10579108B2 (en) * 2016-03-20 2020-03-03 Case Cam LLC Phone case with camera
CN109722351A (zh) * 2018-12-29 2019-05-07 上海华力集成电路制造有限公司 后段清洗工艺用化学混合溶液及应用其的后段清洗工艺
US11211272B2 (en) * 2019-09-25 2021-12-28 Micron Technology, Inc. Contaminant detection tools and related methods
CN112837995A (zh) * 2020-12-28 2021-05-25 苏州恩腾半导体科技有限公司 一种晶片表面污染清洗方法
CN113894097B (zh) * 2021-09-29 2022-08-16 广东先导微电子科技有限公司 化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗工艺

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3154814B2 (ja) * 1991-06-28 2001-04-09 株式会社東芝 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置
JPH06314679A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Sony Corp 半導体基板の洗浄方法
JPH09283484A (ja) * 1996-04-15 1997-10-31 Sony Corp ウエハの洗浄方法
JP2973949B2 (ja) * 1996-05-15 1999-11-08 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH09321009A (ja) * 1996-05-29 1997-12-12 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPH1133506A (ja) * 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
US6247479B1 (en) * 1997-05-27 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Washing/drying process apparatus and washing/drying process method
JP3653198B2 (ja) * 1999-07-16 2005-05-25 アルプス電気株式会社 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置
US6230720B1 (en) * 1999-08-16 2001-05-15 Memc Electronic Materials, Inc. Single-operation method of cleaning semiconductors after final polishing
US6558478B1 (en) 1999-10-06 2003-05-06 Ebara Corporation Method of and apparatus for cleaning substrate
US6488040B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
JP2002075947A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Alps Electric Co Ltd ウェット処理装置
ITBO20020039A1 (it) * 2002-01-24 2003-07-24 Gd Spa Macchina mettifiltro per sigarette
WO2004030051A2 (en) * 2002-09-30 2004-04-08 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, ipa vapor, drying manifold
KR20050065312A (ko) * 2003-12-25 2005-06-29 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 반도체웨이퍼의 세정방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI362700B (en) 2012-04-21
TW200822212A (en) 2008-05-16
WO2008002669A3 (en) 2008-05-02
CN101479831B (zh) 2012-05-16
WO2008002669A2 (en) 2008-01-03
US7597765B2 (en) 2009-10-06
KR101376897B1 (ko) 2014-03-20
JP2009543344A (ja) 2009-12-03
US20070240737A1 (en) 2007-10-18
CN101479831A (zh) 2009-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101376897B1 (ko) 액체 메니스커스를 이용한 포스트 에칭 웨이퍼 표면 세정
US6187684B1 (en) Methods for cleaning substrate surfaces after etch operations
US8420549B2 (en) Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor
US20040163681A1 (en) Dilute sulfuric peroxide at point-of-use
JP2007165935A (ja) スクラバ中の金属を除去する方法
TW200527498A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP5037241B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR100319998B1 (ko) 오염 방지 기능을 갖는 반도체 제조 라인
KR20000035252A (ko) 반도체 장치 제조 방법
US6043206A (en) Solutions for cleaning integrated circuit substrates
US6949411B1 (en) Method for post-etch and strip residue removal on coral films
US20050112856A1 (en) Seed layer treatment
US6133158A (en) Process for removing alkali metals from solvents used in the manufacture of semiconductor wafers
KR20020030742A (ko) 구리함유 표면을 갖는 전자부품의 습가공 방법
CN111383906A (zh) 一种具有金属互连线的芯片的清洗方法
US6589356B1 (en) Method for cleaning a silicon-based substrate without NH4OH vapor damage
JP2005260032A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100814259B1 (ko) 반도체 소자의 제조 방법
JP2002289589A (ja) エッチング方法
JP2006319151A (ja) エッチング残渣除去方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP3353477B2 (ja) 純水リンス方法及び半導体装置の製造方法
JPH0917796A (ja) 配線形成方法
KR980012033A (ko) 반도체 장치의 세정방법
KR20090037122A (ko) 다중 두께 게이트 절연막을 가지는 반도체 소자의 제조방법
KR20010061313A (ko) 배스들을 갖는 세정장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee