JPH09283484A - ウエハの洗浄方法 - Google Patents
ウエハの洗浄方法Info
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- JPH09283484A JPH09283484A JP9222796A JP9222796A JPH09283484A JP H09283484 A JPH09283484 A JP H09283484A JP 9222796 A JP9222796 A JP 9222796A JP 9222796 A JP9222796 A JP 9222796A JP H09283484 A JPH09283484 A JP H09283484A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ表面を酸化しながらその酸化膜
を除去する洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着して
いる金属汚染物質やパーティクルを除去する方法では十
分な洗浄効果が得られなかった。また半導体ウエハにド
ーピングされている不純物の種類、そのドーピング量に
よって酸化速度が異なるため、ウエハ面内を均一に酸化
して洗浄することは困難であった。 【解決手段】 酸化性溶液12で半導体ウエハ11の表面を
酸化させて酸化膜13を形成する第１工程と、酸化膜13を
選択的にエッチングするエッチング液14によって、酸化
膜13をエッチングするとともに付着物質21を除去する第
２工程とを備えたウエハの洗浄方法であり、第１工程と
第２工程とを繰り返し行ってもよい。
を除去する洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着して
いる金属汚染物質やパーティクルを除去する方法では十
分な洗浄効果が得られなかった。また半導体ウエハにド
ーピングされている不純物の種類、そのドーピング量に
よって酸化速度が異なるため、ウエハ面内を均一に酸化
して洗浄することは困難であった。 【解決手段】 酸化性溶液12で半導体ウエハ11の表面を
酸化させて酸化膜13を形成する第１工程と、酸化膜13を
選択的にエッチングするエッチング液14によって、酸化
膜13をエッチングするとともに付着物質21を除去する第
２工程とを備えたウエハの洗浄方法であり、第１工程と
第２工程とを繰り返し行ってもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの洗
浄方法に関する。
浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウエハの洗浄では、アンモ
ニア過水（ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ）を用いて、半導体ウ
エハの表面を酸化するとほぼ同時にその酸化膜をエッチ
ングして除去することにより、半導体ウエハ表面に付着
している反応生成物、有機物等のいわゆるパーティクル
および金属汚染物質を除去していた。また塩酸過水（Ｈ
Ｃｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ）では、その酸化作用により半導体ウエ
ハの表面に付着している金属汚染物質を除去していた。
例えば、上記アンモニア過水では、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ
2 ）によって半導体ウエハ表面を酸化し、その酸化膜を
アンモニアの水酸基（ＯＨ- ）によってエッチングする
ことで、半導体ウエハ表面に付着しているパーティクル
等を除去する。
ニア過水（ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ）を用いて、半導体ウ
エハの表面を酸化するとほぼ同時にその酸化膜をエッチ
ングして除去することにより、半導体ウエハ表面に付着
している反応生成物、有機物等のいわゆるパーティクル
および金属汚染物質を除去していた。また塩酸過水（Ｈ
Ｃｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ）では、その酸化作用により半導体ウエ
ハの表面に付着している金属汚染物質を除去していた。
例えば、上記アンモニア過水では、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ
2 ）によって半導体ウエハ表面を酸化し、その酸化膜を
アンモニアの水酸基（ＯＨ- ）によってエッチングする
ことで、半導体ウエハ表面に付着しているパーティクル
等を除去する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記説明した従来の洗
浄方法では、通常、半導体ウエハ表面の酸化量が少ない
ため、当然のことながらその酸化膜を除去する量も少な
くなる。そのため、酸化膜を除去するとほぼ同時に半導
体ウエハ表面に付着している物質（以下、付着物質とい
う）である金属汚染物質やパーティクルの除去を十分に
行うことができなかった。
浄方法では、通常、半導体ウエハ表面の酸化量が少ない
ため、当然のことながらその酸化膜を除去する量も少な
くなる。そのため、酸化膜を除去するとほぼ同時に半導
体ウエハ表面に付着している物質（以下、付着物質とい
う）である金属汚染物質やパーティクルの除去を十分に
行うことができなかった。
【０００４】また、半導体ウエハ中にドーピングされて
いる不純物の種類やそのドーピング量によって半導体ウ
エハの酸化速度が異なる。その結果、金属汚染物質やパ
ーティクルの除去を十分に行うためには半導体ウエハの
表面酸化量がばらつく。そのため、例えば、ある領域に
おいて半導体ウエハ表面の付着物質（例えばパーティク
ルや金属汚染物質）を除去するために適正な酸化速度で
あっても、他の領域では酸化速度が遅すぎて上記付着物
質の除去が不十分となる。または上記付着物質を除去す
るために適正な酸化速度であっても、他の領域では酸化
速度が速すぎて半導体ウエハがエッチングされ過ぎる。
その結果、例えば半導体ウエハに形成した拡散層がエッ
チングによって除去され過ぎるまたは消滅するという課
題が生じる。また、ドーピング量によっては、ウエハ表
面のマイクロラフネス（原子的サイズの表面粗さ）が大
きくなるという課題も生じる。
いる不純物の種類やそのドーピング量によって半導体ウ
エハの酸化速度が異なる。その結果、金属汚染物質やパ
ーティクルの除去を十分に行うためには半導体ウエハの
表面酸化量がばらつく。そのため、例えば、ある領域に
おいて半導体ウエハ表面の付着物質（例えばパーティク
ルや金属汚染物質）を除去するために適正な酸化速度で
あっても、他の領域では酸化速度が遅すぎて上記付着物
質の除去が不十分となる。または上記付着物質を除去す
るために適正な酸化速度であっても、他の領域では酸化
速度が速すぎて半導体ウエハがエッチングされ過ぎる。
その結果、例えば半導体ウエハに形成した拡散層がエッ
チングによって除去され過ぎるまたは消滅するという課
題が生じる。また、ドーピング量によっては、ウエハ表
面のマイクロラフネス（原子的サイズの表面粗さ）が大
きくなるという課題も生じる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたウエハの洗浄方法である。
決するためになされたウエハの洗浄方法である。
【０００６】すなわち、ウエハの洗浄方法は、酸化性溶
液で半導体ウエハ表面を酸化させて、この半導体ウエハ
の表面に酸化膜を形成する第１工程と、酸化膜を選択的
にエッチングするエッチング液によって、上記第１工程
で形成した酸化膜をエッチングして、この酸化膜ととも
に半導体ウエハ表面に付着している物質を除去する第２
工程とを備えた洗浄方法である。
液で半導体ウエハ表面を酸化させて、この半導体ウエハ
の表面に酸化膜を形成する第１工程と、酸化膜を選択的
にエッチングするエッチング液によって、上記第１工程
で形成した酸化膜をエッチングして、この酸化膜ととも
に半導体ウエハ表面に付着している物質を除去する第２
工程とを備えた洗浄方法である。
【０００７】上記ウエハの洗浄方法では、まず酸化性溶
液で半導体ウエハ表面を酸化させることから、半導体ウ
エハ表面には、酸化性溶液によって規定される酸化深さ
に律速されて酸化膜が形成される。そのため、半導体ウ
エハにドーピングされている不純物の種類やドーピング
量によらず、一定の厚さの酸化膜が形成される。そして
上記酸化によって形成した酸化膜を選択的にエッチング
することから、半導体ウエハ表面から酸化膜が除去され
るとともに半導体ウエハ表面に付着している物質とし
て、例えばパーティクルや金属汚染物質も除去される。
液で半導体ウエハ表面を酸化させることから、半導体ウ
エハ表面には、酸化性溶液によって規定される酸化深さ
に律速されて酸化膜が形成される。そのため、半導体ウ
エハにドーピングされている不純物の種類やドーピング
量によらず、一定の厚さの酸化膜が形成される。そして
上記酸化によって形成した酸化膜を選択的にエッチング
することから、半導体ウエハ表面から酸化膜が除去され
るとともに半導体ウエハ表面に付着している物質とし
て、例えばパーティクルや金属汚染物質も除去される。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態の一例を、図１
の洗浄方法の模式説明図によって説明する。本洗浄方法
では、一例として、枚葉式の回転洗浄装置（図示省略）
を用いた。
の洗浄方法の模式説明図によって説明する。本洗浄方法
では、一例として、枚葉式の回転洗浄装置（図示省略）
を用いた。
【０００９】図１の（１）に示すように、第１工程で、
半導体ウエハ（例えばシリコンウエハ）１１上に酸化性
溶液１２を供給して、半導体ウエハ１１上にその酸化性
溶液１２を所定時間が経過するまで保持する。それによ
って、半導体ウエハ１１の表面を酸化させて酸化膜１３
を形成する。上記酸化性溶液１２には、例えばオゾン水
を用いる。
半導体ウエハ（例えばシリコンウエハ）１１上に酸化性
溶液１２を供給して、半導体ウエハ１１上にその酸化性
溶液１２を所定時間が経過するまで保持する。それによ
って、半導体ウエハ１１の表面を酸化させて酸化膜１３
を形成する。上記酸化性溶液１２には、例えばオゾン水
を用いる。
【００１０】上記所定時間が経過した後、半導体ウエハ
１１上から上記酸化性溶液１２を除去する。その結果、
半導体ウエハ１１の酸化は停止される。次いで図１の
（２）に示すように、第２工程で、上記酸化膜１３（２
点鎖線で示す部分）を選択的にエッチングするエッチン
グ液１４を上記半導体ウエハ１１上に供給して、半導体
ウエハ１１上にそのエッチング液１４を所定時間が経過
するまで保持する。それによって、上記酸化膜１３（２
点鎖線で示す部分）はエッチングされて除去される。上
記エッチング液１２には、例えば希フッ酸溶液を用い
る。
１１上から上記酸化性溶液１２を除去する。その結果、
半導体ウエハ１１の酸化は停止される。次いで図１の
（２）に示すように、第２工程で、上記酸化膜１３（２
点鎖線で示す部分）を選択的にエッチングするエッチン
グ液１４を上記半導体ウエハ１１上に供給して、半導体
ウエハ１１上にそのエッチング液１４を所定時間が経過
するまで保持する。それによって、上記酸化膜１３（２
点鎖線で示す部分）はエッチングされて除去される。上
記エッチング液１２には、例えば希フッ酸溶液を用い
る。
【００１１】上記酸化膜１３が除去される所定時間が経
過した後、上記エッチング液１４を半導体ウエハ１１上
から除去する。続いて第３工程で、図１の（３）に示す
ように、上記半導体ウエハ１１の表面にリンス液１５を
供給して、半導体ウエハ１１の表面からエッチン液１４
〔図の（２）を参照〕を洗い流す。その後半導体ウエハ
１１の表面に供給されたリンス液１５を除去した後、半
導体ウエハ１１を乾燥させる。上記リンス液１５には、
例えば純水を用いる。また上記リンス液１５の除去は、
半導体ウエハ１１を高速回転（例えば３０００ｒｐｍ〜
５０００ｒｐｍ程度）させることで、遠心力を利用して
半導体ウエハ１１上のリンス液１５を振り切る。なお、
上記酸化性溶液１２およびエッチング液１４を除去する
のも、半導体ウエハ１１を高速回転させて行う。また半
導体ウエハ１１の乾燥は、例えばベーキングによって行
う。
過した後、上記エッチング液１４を半導体ウエハ１１上
から除去する。続いて第３工程で、図１の（３）に示す
ように、上記半導体ウエハ１１の表面にリンス液１５を
供給して、半導体ウエハ１１の表面からエッチン液１４
〔図の（２）を参照〕を洗い流す。その後半導体ウエハ
１１の表面に供給されたリンス液１５を除去した後、半
導体ウエハ１１を乾燥させる。上記リンス液１５には、
例えば純水を用いる。また上記リンス液１５の除去は、
半導体ウエハ１１を高速回転（例えば３０００ｒｐｍ〜
５０００ｒｐｍ程度）させることで、遠心力を利用して
半導体ウエハ１１上のリンス液１５を振り切る。なお、
上記酸化性溶液１２およびエッチング液１４を除去する
のも、半導体ウエハ１１を高速回転させて行う。また半
導体ウエハ１１の乾燥は、例えばベーキングによって行
う。
【００１２】また、上記酸化性溶液１２としてオゾン水
の他に、例えば過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2 ）、硫酸（Ｈ2
ＳＯ4 ）、硝酸（ＨＮＯ3 ）、電界イオン水等を用いる
ことが可能である。上記エッチング液１４としては、希
フッ酸溶液の他に、例えばアンモニア水溶液（ＮＨ4 Ｏ
Ｈ＋Ｈ2 Ｏ）、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ＋Ｈ
2Ｏ）等の少なくとも水酸基（ＯＨ- ）を含む溶液を用
いることが可能である。
の他に、例えば過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2 ）、硫酸（Ｈ2
ＳＯ4 ）、硝酸（ＨＮＯ3 ）、電界イオン水等を用いる
ことが可能である。上記エッチング液１４としては、希
フッ酸溶液の他に、例えばアンモニア水溶液（ＮＨ4 Ｏ
Ｈ＋Ｈ2 Ｏ）、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ＋Ｈ
2Ｏ）等の少なくとも水酸基（ＯＨ- ）を含む溶液を用
いることが可能である。
【００１３】さらに上記洗浄方法の説明では枚葉式の洗
浄装置を用いた一例を開示したが、例えば浸漬式の洗浄
装置を用いてもよい。また半導体ウエハの乾燥方法は、
上記説明した方法に限定されることはなく、半導体ウエ
ハを乾燥する方法であればいかなる方法であってもよ
い。
浄装置を用いた一例を開示したが、例えば浸漬式の洗浄
装置を用いてもよい。また半導体ウエハの乾燥方法は、
上記説明した方法に限定されることはなく、半導体ウエ
ハを乾燥する方法であればいかなる方法であってもよ
い。
【００１４】上記洗浄方法では、まず酸化性溶液１２で
半導体ウエハ１１の表面を酸化させることから、半導体
ウエハ１１の表面には、酸化性溶液１２によって規定さ
れる酸化深さに律速された酸化膜１３が形成される。す
なわち、酸化性溶液１２による半導体ウエハ１１の酸化
では、酸化膜１３の膜厚が一定の厚さになると酸化が進
行しなくなる。そして半導体ウエハ１１の酸化量は、半
導体ウエハの材質、酸化性溶液の種類、酸化性溶液の濃
度、処理温度等によって規定される。そのため、半導体
ウエハ１１にドーピングされている不純物の種類やドー
ピング量によらず、一定の厚さの酸化膜１３が形成され
る。そしてエッチング液１４によって上記酸化によって
形成した酸化膜１３を選択的にエッチングすることか
ら、半導体ウエハ１１の表面から酸化膜１３とともに付
着物質２１である例えばパーティクルおよび金属汚染物
質（図示省略）が除去される。また半導体ウエハ１１に
形成された拡散層（図示省略）を過剰酸化し、それをエ
ッチングすることによる拡散層の過剰エッチングや消滅
が防止される。
半導体ウエハ１１の表面を酸化させることから、半導体
ウエハ１１の表面には、酸化性溶液１２によって規定さ
れる酸化深さに律速された酸化膜１３が形成される。す
なわち、酸化性溶液１２による半導体ウエハ１１の酸化
では、酸化膜１３の膜厚が一定の厚さになると酸化が進
行しなくなる。そして半導体ウエハ１１の酸化量は、半
導体ウエハの材質、酸化性溶液の種類、酸化性溶液の濃
度、処理温度等によって規定される。そのため、半導体
ウエハ１１にドーピングされている不純物の種類やドー
ピング量によらず、一定の厚さの酸化膜１３が形成され
る。そしてエッチング液１４によって上記酸化によって
形成した酸化膜１３を選択的にエッチングすることか
ら、半導体ウエハ１１の表面から酸化膜１３とともに付
着物質２１である例えばパーティクルおよび金属汚染物
質（図示省略）が除去される。また半導体ウエハ１１に
形成された拡散層（図示省略）を過剰酸化し、それをエ
ッチングすることによる拡散層の過剰エッチングや消滅
が防止される。
【００１５】次に上記洗浄方法における付着物質の除去
機構を、図２によって説明する。図２の（１）に示すよ
うに、半導体ウエハ１１上には例えばパーティクルのよ
うな付着物質２１が付着している。このような状態で、
上記半導体ウエハ１１を酸化性溶液１２によりウエット
酸化して酸化膜１３を形成する。ここで酸化膜１３を形
成するためにウエット酸化を採用したのは、例えば熱酸
化のような高温状態にウエハをさらす酸化では、半導体
ウエハ１１の表面の付着物質が半導体ウエハ１１中に拡
散するのを防ぐためである。上記のように半導体ウエハ
１１の表面に酸化膜１３を形成することによって、付着
物質２１の下部側の半導体ウエハ１１も酸化される。
機構を、図２によって説明する。図２の（１）に示すよ
うに、半導体ウエハ１１上には例えばパーティクルのよ
うな付着物質２１が付着している。このような状態で、
上記半導体ウエハ１１を酸化性溶液１２によりウエット
酸化して酸化膜１３を形成する。ここで酸化膜１３を形
成するためにウエット酸化を採用したのは、例えば熱酸
化のような高温状態にウエハをさらす酸化では、半導体
ウエハ１１の表面の付着物質が半導体ウエハ１１中に拡
散するのを防ぐためである。上記のように半導体ウエハ
１１の表面に酸化膜１３を形成することによって、付着
物質２１の下部側の半導体ウエハ１１も酸化される。
【００１６】その後、エッチング液１４によって上記酸
化膜１３をエッチングして除去すれば、図２の（２）に
示すように、いわゆるリフトオフ法の原理によって付着
物質２１は酸化膜１３（２点鎖線で示す部分）とともに
半導体ウエハ１１の表面から除去される。
化膜１３をエッチングして除去すれば、図２の（２）に
示すように、いわゆるリフトオフ法の原理によって付着
物質２１は酸化膜１３（２点鎖線で示す部分）とともに
半導体ウエハ１１の表面から除去される。
【００１７】したがって、上記洗浄方法によれば、エッ
チング、化学的気相成長（ＣＶＤ）、スパッタリング等
で発生する反応生成物、レジストのような有機物等のパ
ーティクルや、銅、鉄、ニッケル、亜鉛等の遷移金属な
どの金属汚染物質が除去される。
チング、化学的気相成長（ＣＶＤ）、スパッタリング等
で発生する反応生成物、レジストのような有機物等のパ
ーティクルや、銅、鉄、ニッケル、亜鉛等の遷移金属な
どの金属汚染物質が除去される。
【００１８】上記にように、半導体ウエハの表面を酸化
する第１工程と、その酸化膜とともにパーティクル、金
属汚染物質等の付着物質を除去する第２工程とを、それ
ぞれ１回行っても、半導体ウエハの表面から付着物質を
除去することができない場合には、前記説明した洗浄方
法の第１工程と第２工程とを繰り返し行えばよい。そし
て最後に前記第３工程のリンス工程および乾燥工程を行
えばよい。この場合の除去機構の一例を図３によって説
明する。
する第１工程と、その酸化膜とともにパーティクル、金
属汚染物質等の付着物質を除去する第２工程とを、それ
ぞれ１回行っても、半導体ウエハの表面から付着物質を
除去することができない場合には、前記説明した洗浄方
法の第１工程と第２工程とを繰り返し行えばよい。そし
て最後に前記第３工程のリンス工程および乾燥工程を行
えばよい。この場合の除去機構の一例を図３によって説
明する。
【００１９】図３の（１）は、本発明の洗浄方法を行っ
た後でも、半導体ウエハ１１上に付着物質２１が残存す
る一例を示している。すなわち、第１回目の酸化によっ
ても、半導体ウエハ１１上に付着している付着物質２１
の下部の全域にわたって半導体ウエハ表面を酸化するこ
とはできなかった。そのため、酸化膜１３（１３Ａ）
（２点鎖線で示す部分）を除去しても、半導体ウエハ１
１上には付着物質２１が残存している。
た後でも、半導体ウエハ１１上に付着物質２１が残存す
る一例を示している。すなわち、第１回目の酸化によっ
ても、半導体ウエハ１１上に付着している付着物質２１
の下部の全域にわたって半導体ウエハ表面を酸化するこ
とはできなかった。そのため、酸化膜１３（１３Ａ）
（２点鎖線で示す部分）を除去しても、半導体ウエハ１
１上には付着物質２１が残存している。
【００２０】そこで図３の（２）に示すように、第２回
目の半導体ウエハ１１の酸化（第１工程）を行う。その
結果、付着物質２１の下部の半導体ウエハ１１も酸化さ
れて、半導体ウエハ１１の表面側の全域にわたって酸化
膜１３（１３Ｂ）が形成される。
目の半導体ウエハ１１の酸化（第１工程）を行う。その
結果、付着物質２１の下部の半導体ウエハ１１も酸化さ
れて、半導体ウエハ１１の表面側の全域にわたって酸化
膜１３（１３Ｂ）が形成される。
【００２１】次いで図３の（３）に示すように、第２回
目の酸化膜１３のエッチング（第２工程）を行う。その
結果、酸化膜１３（１３Ｂ）（２点鎖線で示す部分）と
ともに付着物質２１は半導体ウエハ１１の表面から除去
される。
目の酸化膜１３のエッチング（第２工程）を行う。その
結果、酸化膜１３（１３Ｂ）（２点鎖線で示す部分）と
ともに付着物質２１は半導体ウエハ１１の表面から除去
される。
【００２２】このように、洗浄工程（第１工程と第２工
程）を繰り返すことによって、半導体ウエハ１１上に付
着している付着物質２１の数は減少していくことにな
る。
程）を繰り返すことによって、半導体ウエハ１１上に付
着している付着物質２１の数は減少していくことにな
る。
【００２３】次に、半導体ウエハの表面酸化をオゾン水
を用いて行い、その酸化膜のエッチングを希フッ酸溶液
を用いて行った場合の洗浄効果の一例を、図４および図
５によって説明する。
を用いて行い、その酸化膜のエッチングを希フッ酸溶液
を用いて行った場合の洗浄効果の一例を、図４および図
５によって説明する。
【００２４】図４は洗浄の繰り返し回数によるパーティ
クルの除去率を示すものであり、縦軸にパーティクルの
除去率を示し、横軸に洗浄の繰り返し回数を示す。ここ
で、パーティクルの除去率は、〔（洗浄後の半導体ウエ
ハ上に存在していた０．１６μｍ以上の大きさのパーテ
ィクル数）／（洗浄前の半導体ウエハ上に存在していた
０．１６μｍ以上の大きさのパーティクル数）〕×１０
０％で表す。また洗浄の繰り返し回数は、前記図１によ
って説明した第１工程と第２工程とを繰り返した回数を
示す。例えば、第１工程と第２工程とを行った後、さら
に第１工程と第２工程とを行えば、繰り返し数は２回と
なる。なお、パーティクルの検出には、例えば半導体ウ
エハ上にレーザ光を走査させてその散乱光を検出するよ
うな検出装置を用いた。
クルの除去率を示すものであり、縦軸にパーティクルの
除去率を示し、横軸に洗浄の繰り返し回数を示す。ここ
で、パーティクルの除去率は、〔（洗浄後の半導体ウエ
ハ上に存在していた０．１６μｍ以上の大きさのパーテ
ィクル数）／（洗浄前の半導体ウエハ上に存在していた
０．１６μｍ以上の大きさのパーティクル数）〕×１０
０％で表す。また洗浄の繰り返し回数は、前記図１によ
って説明した第１工程と第２工程とを繰り返した回数を
示す。例えば、第１工程と第２工程とを行った後、さら
に第１工程と第２工程とを行えば、繰り返し数は２回と
なる。なお、パーティクルの検出には、例えば半導体ウ
エハ上にレーザ光を走査させてその散乱光を検出するよ
うな検出装置を用いた。
【００２５】図４に示すように、洗浄回数を増加させる
ことによって、パーティクルの除去率は高くなることが
わかった。しかも、ドーピングした不純物の種類、ドー
ピング量等によらず半導体ウエハ表面の酸化深さはウエ
ハ面内でほぼ一定であった。そのため、エッチングによ
って酸化膜が除去されることによって生じる半導体ウエ
ハの除去深さもウエハ面内でほぼ一定になった。
ことによって、パーティクルの除去率は高くなることが
わかった。しかも、ドーピングした不純物の種類、ドー
ピング量等によらず半導体ウエハ表面の酸化深さはウエ
ハ面内でほぼ一定であった。そのため、エッチングによ
って酸化膜が除去されることによって生じる半導体ウエ
ハの除去深さもウエハ面内でほぼ一定になった。
【００２６】図５は洗浄の繰り返し回数による金属汚染
物質の残存数を示すものであり、縦軸に金属汚染物質の
残存数を示し、横軸に洗浄の繰り返し回数を示す。ここ
で、金属汚染物質（一例として銅）の残存数は、単位面
積当たりの原子数で表し、洗浄の繰り返し回数は前記図
４によって説明したのと同様である。なお、金属汚染物
質の残存数は、例えば半導体ウエハの表面に付着してい
る銅をフッ酸と過酸化水素水との混合溶液に溶出させ、
その溶液を原子吸光分析装置により分析し、その分析に
よって得た銅の濃度から半導体ウエハ上に存在する原子
数を換算して求めた。
物質の残存数を示すものであり、縦軸に金属汚染物質の
残存数を示し、横軸に洗浄の繰り返し回数を示す。ここ
で、金属汚染物質（一例として銅）の残存数は、単位面
積当たりの原子数で表し、洗浄の繰り返し回数は前記図
４によって説明したのと同様である。なお、金属汚染物
質の残存数は、例えば半導体ウエハの表面に付着してい
る銅をフッ酸と過酸化水素水との混合溶液に溶出させ、
その溶液を原子吸光分析装置により分析し、その分析に
よって得た銅の濃度から半導体ウエハ上に存在する原子
数を換算して求めた。
【００２７】図５に示すように、洗浄回数を増加させる
ことによって、金属汚染物質の残存数は減少することが
わかった。しかも、ドーピングした不純物の種類、ドー
ピング量等によらず半導体ウエハ表面の酸化深さはウエ
ハ面内でほぼ一定であった。そのため、エッチングによ
って酸化膜が除去されることによって生じる半導体ウエ
ハの除去深さもウエハ面内でほぼ一定になった。
ことによって、金属汚染物質の残存数は減少することが
わかった。しかも、ドーピングした不純物の種類、ドー
ピング量等によらず半導体ウエハ表面の酸化深さはウエ
ハ面内でほぼ一定であった。そのため、エッチングによ
って酸化膜が除去されることによって生じる半導体ウエ
ハの除去深さもウエハ面内でほぼ一定になった。
【００２８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
酸化性溶液で半導体ウエハの表面を酸化させるので、酸
化性溶液によって規定される酸化深さに律速されて半導
体ウエハの表面に酸化膜を形成することができる。その
ため、半導体ウエハにドーピングされている不純物の種
類やドーピング量によらず、一定の厚さの酸化膜を形成
することが可能になる。その後上記酸化によって形成し
た酸化膜を選択的にエッチングするので、いわゆるリフ
トオフ法の原理により半導体ウエハの表面から酸化膜と
ともにパーティクルや金属汚染物質等の付着物質を除去
することが可能になる。さらに半導体ウエハに形成され
た拡散層を過剰酸化し、それをエッチングすることによ
る拡散層の過剰エッチングや消滅が防止できる。
酸化性溶液で半導体ウエハの表面を酸化させるので、酸
化性溶液によって規定される酸化深さに律速されて半導
体ウエハの表面に酸化膜を形成することができる。その
ため、半導体ウエハにドーピングされている不純物の種
類やドーピング量によらず、一定の厚さの酸化膜を形成
することが可能になる。その後上記酸化によって形成し
た酸化膜を選択的にエッチングするので、いわゆるリフ
トオフ法の原理により半導体ウエハの表面から酸化膜と
ともにパーティクルや金属汚染物質等の付着物質を除去
することが可能になる。さらに半導体ウエハに形成され
た拡散層を過剰酸化し、それをエッチングすることによ
る拡散層の過剰エッチングや消滅が防止できる。
【図１】本発明に係わる実施形態の一例の模式説明図で
ある。
ある。
【図２】パーティクルの除去機構の説明図である。
【図３】パーティクルの除去機構の説明図である。
【図４】洗浄回数によるパーティクルの除去率の説明図
である。
である。
【図５】洗浄回数による金属汚染物質の残存数の説明図
である。
である。
１１ 半導体ウエハ １２ 酸化性溶液 １３ 酸
化膜 １４ エッチング液
化膜 １４ エッチング液
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハ表面に付着している物質を
除去する洗浄方法であって、 酸化性溶液で半導体ウエハ表面を酸化させて、該半導体
ウエハ表面に酸化膜を形成する第１工程と、 酸化膜を選択的にエッチングするエッチング液によっ
て、前記第１工程で形成した酸化膜をエッチングして、
該酸化膜とともに該半導体ウエハ表面に付着している物
質を除去する第２工程とを備えたことを特徴とするウエ
ハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222796A JPH09283484A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9222796A JPH09283484A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283484A true JPH09283484A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14048561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9222796A Pending JPH09283484A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283484A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7256104B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus |
| JP2007324610A (ja) * | 2007-07-09 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2009543344A (ja) * | 2006-06-28 | 2009-12-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 液体メニスカスによるポストエッチウエハ表面洗浄 |
| CN109817512A (zh) * | 2017-11-22 | 2019-05-28 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶圆清洗方法及清洗装置 |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP9222796A patent/JPH09283484A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7256104B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus |
| JP2009543344A (ja) * | 2006-06-28 | 2009-12-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 液体メニスカスによるポストエッチウエハ表面洗浄 |
| JP2007324610A (ja) * | 2007-07-09 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN109817512A (zh) * | 2017-11-22 | 2019-05-28 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶圆清洗方法及清洗装置 |
| CN109817512B (zh) * | 2017-11-22 | 2021-11-09 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶圆清洗方法及清洗装置 |
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