JP2020170749A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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和基 茂山
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慎司 檜森
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Michishige Saito
道茂 斎藤
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Abstract

【課題】処理ガスの排気時間を短縮できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置は、処理室と、ガス供給部と、ガス導入管と、ガス供給源とを備える。処理室は、基板を収容する。ガス供給部は、ガス拡散室、および、ガス拡散室と処理室とを連通させる複数のガス穴を有する。ガス導入管は、ガス供給部のガス拡散室内にガスを導入するための少なくとも１つのガス導入管である。ガス供給源は、ガス導入管と接続され、ガス導入管にガスを供給する。また、ガス供給部は、ガス拡散室内の容積を変更する容積可変機構を有する。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
半導体装置の製造工程において、複数の処理ガス（プロセスガス）を切り替えて、基板に対して積層と除去とを繰り返す工程がある。
特許第５７０９３４４号公報
本開示は、処理ガスの排気時間を短縮できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、処理室と、ガス供給部と、ガス導入管と、ガス供給源とを備える。処理室は、基板を収容する。ガス供給部は、ガス拡散室、および、ガス拡散室と処理室とを連通させる複数のガス穴を有する。ガス導入管は、ガス供給部のガス拡散室内にガスを導入するための少なくとも１つのガス導入管である。ガス供給源は、ガス導入管と接続され、ガス導入管にガスを供給する。また、ガス供給部は、ガス拡散室内の容積を変更する容積可変機構を有する。
本開示によれば、処理ガスの排気時間を短縮できる。
図１は、本開示の一実施形態における基板処理装置の一例を示す図である。 図２Ａは、本実施形態における基板処理方法の一例を示す図である。 図２Ｂは、本実施形態における基板処理方法の一例を示す図である。 図２Ｃは、本実施形態における基板処理方法の一例を示す図である。 図２Ｄは、本実施形態における基板処理方法の一例を示す図である。 図３は、本実施形態における基板処理装置各部の動作状態の一例を示す図である。 図４Ａは、変形例１における基板処理方法の一例を示す図である。 図４Ｂは、変形例１における基板処理方法の一例を示す図である。 図４Ｃは、変形例１における基板処理方法の一例を示す図である。 図４Ｄは、変形例１における基板処理方法の一例を示す図である。 図５は、変形例１における基板処理装置各部の動作状態の一例を示す図である。 図６Ａは、変形例２における基板処理方法の一例を示す図である。 図６Ｂは、変形例２における基板処理方法の一例を示す図である。 図６Ｃは、変形例２における基板処理方法の一例を示す図である。 図６Ｄは、変形例２における基板処理方法の一例を示す図である。 図７は、変形例２における基板処理装置各部の動作状態の一例を示す図である。 図８は、変形例３における基板処理装置の一例を示す図である。
以下に、開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。
従来、複数の処理ガス、例えば、２種類の処理ガスであるガスＡとガスＢとを切り替える場合、ガスＡの供給を停止してから処理室の排気を開始し、ガスＡの排気後にガスＢの供給を開始している。このため、ガスＡとガスＢとの相互の切り替えに時間がかかる。これに対し、処理対象の基板の表面に隣接したガス分配部材を内側区画と外側区画とに分割し、それぞれに異なる種類の処理ガスを供給することで、処理ガスの切り替えを高速に行うことが提案されている。しかしながら、ガス分配部材を分割して処理ガスの切り替えを行う場合、処理室内の処理ガスの排気時間を短縮することは困難である。そこで、処理ガスの排気時間を短縮することが期待されている。
［基板処理装置１０の全体構成］
図１は、本開示の一実施形態における基板処理装置の一例を示す図である。図１に示す基板処理装置１０は、容量結合型プラズマ処理装置である。基板処理装置１０は、チャンバ１と排気装置２とゲートバルブ３とを備えている。チャンバ１は、例えばアルミニウムから形成されている。チャンバ１は、円筒形に形成され、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されている。チャンバ１は、電気的に接地されている。チャンバ１の内部には、処理空間である処理室５が形成されている。チャンバ１は、処理室５を外部の雰囲気から隔離している。チャンバ１には、排気口６と開口部７とがさらに形成されている。排気口６は、チャンバ１の底面に形成されている。開口部７は、チャンバ１の側壁に形成されている。排気装置２は、排気口６を介してチャンバ１の処理室５に接続されている。排気装置２は、排気口６を介して処理室５から気体を排気する。ゲートバルブ３は、開口部７を開放したり、開口部７を閉鎖したりする。
基板処理装置１０は、載置台８をさらに備えている。載置台８は、処理室５に配置され、支持部材４を介して、チャンバ１の底部に設置されている。載置台８は、支持台１１と静電チャック１２とを備えている。支持台１１は、アルミニウムＡｌ、チタンＴｉ、炭化ケイ素ＳｉＣに例示される導体から形成されている。支持台１１は、下面の周縁部に接する支持部材４を介して、チャンバ１に支持されている。支持部材４は、絶縁体から形成され、リング状に形成されている。支持部材４は、載置台８とともに、チャンバ１の底部に形成される開口を閉塞するように配置されている。支持台１１の内部には、冷媒流路１４が形成されている。静電チャック１２は、支持台１１の上側に配置され、支持台１１に支持されている。静電チャック１２は、静電チャック本体１５とチャック電極１６とを備えている。静電チャック本体１５は、絶縁体で形成されている。静電チャック１２は、静電チャック本体１５の内部にチャック電極１６が埋め込まれることにより形成されている。基板処理装置１０は、直流電圧源１７をさらに備えている。直流電圧源１７は、チャック電極１６に電気的に接続され、チャック電極１６に直流電流を供給する。
基板処理装置１０は、チラー２１と冷媒入口配管２２と冷媒出口配管２３とをさらに備えている。チラー２１は、冷媒入口配管２２と冷媒出口配管２３とを介して冷媒流路１４に接続されている。チラー２１は、冷却水やブラインに例示される冷却媒体を冷却し、その冷却された冷却媒体を、冷媒入口配管２２と冷媒出口配管２３とを介して冷媒流路１４に循環させ、載置台８の静電チャック１２を冷却する。
基板処理装置１０は、伝熱ガス供給源２５と伝熱ガス供給ライン２６とをさらに備えている。伝熱ガス供給ライン２６は、一端が静電チャック１２の上面に形成されるように、形成されている。伝熱ガス供給源２５は、ヘリウムガスＨｅやアルゴンガスＡｒに例示される伝熱ガスを伝熱ガス供給ライン２６に供給し、載置台８に載置されるウェハＷと静電チャック１２との間に伝熱ガスを供給する。
基板処理装置１０は、ガス供給部３１と、天板支持部３２とをさらに備えている。ガス供給部３１は、シャワープレート３３と、天板３５と、シール材３６と、ベローズ３７とを備えている。天板支持部３２は、例えばアルミニウムから形成されている。天板支持部３２は、チャンバ１の側壁上部に配置可能なように円筒形に形成され、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されている。天板支持部３２は、ベローズ３７を介して、天板３５と接続されている。
シャワープレート３３は、導体で形成され、円板状に形成されている。シャワープレート３３は、載置台８に対向するように、かつ、シャワープレート３３の下面に沿う平面が載置台８の上面に沿う平面に対して概ね平行であるように、配置されている。シャワープレート３３は、さらに、チャンバ１の天井部に形成される開口を閉塞するように、配置されている。シャワープレート３３は、シャワープレート３３とチャンバ１とが導通されるように、天板支持部３２を介してチャンバ１に支持されている。
天板３５は、導体で形成され、円板状に形成されている。天板３５は、シャワープレート３３に対向するように、かつ、天板３５の下面に沿う平面がシャワープレート３３の上面に沿う平面に対して概ね平行であるように、配置されている。また、天板３５は、図示しない駆動機構を有する。シール材３６は、可撓性の素材で形成され、リング状に形成されている。シール材３６は、天板３５の周縁部と、天板支持部３２との間の気密を保ちつつ、天板３５を上下に動かした際に、天板３５とともに移動する。天板３５は、天板支持部３２、シャワープレート３３およびシール材３６とともに、ガス拡散室３８を形成している。
ベローズ３７は、伸縮可能に形成される。ベローズ３７は、天板支持部３２の上部に設けられたフランジと、天板３５の周縁部の上面とを接続している。天板３５は、駆動機構によって上下に移動される。つまり、ガス供給部３１は、天板３５を上下動させることで、ガス拡散室３８の容積を変更可能である。すなわち、ガス供給部３１は、容積可変機構を有するガス供給部の一例である。なお、ガス拡散室３８は、後述するように、複数の領域、例えば、中心部分と周縁部分とに分割され、それぞれ対応する天板により容積が変更されるようにしてもよい。また、ガス拡散室３８は、天板３５の上下動による容積の変更だけでなく、例えば、ガス拡散室３８内に設けた風船やピストン等によって容積の変更が行われるようにしてもよい。
シャワープレート３３には、処理室５と、ガス拡散室３８とを連通させる複数のガス供給孔３９が形成されている。ガス供給孔３９は、ガス穴の一例である。ガス導入口４０は、天板３５の中央に形成され、ガス拡散室３８に連通している。
基板処理装置１０は、処理ガス供給源４１，４２をさらに備えている。処理ガス供給源４１，４２は、バルブＶ１，Ｖ２をそれぞれ有するガス管を介してガス導入管４３に接続され、ガス導入管４３がガス導入口４０に接続されている。処理ガス供給源４１，４２は、所定の処理ガスをガス導入口４０に供給する。処理ガスは、それぞれ複数のガスを含有してもよい。処理ガスは、例えば、フッ素含有ガス、酸素含有ガス等のガスである。また、処理ガスは、さらに、所定の化合物が添加されていてもよい。その化合物としては、水素、窒素、塩素を含有する化合物が挙げられる。ガス導入管４３は、天板３５の上下の動きに合わせて一部が伸縮可能または可動に構成される。ガス導入管４３は、例えば、可撓性のチューブを用いることができる。なお、ガス導入口４０およびガス導入管４３は、複数設けてもよい。また、バルブＶ３，Ｖ４は、処理ガス供給源４１，４２と、バルブＶ１，Ｖ２との間に接続され、他端は排気装置２に接続されている。バルブＶ３，Ｖ４は、バルブＶ１，Ｖ２が閉まっている場合に開けられる。バルブＶ３，Ｖ４の排気装置２側に流れていた処理ガスは、バルブＶ３，Ｖ４が閉じられてバルブＶ１，Ｖ２が開けられた際に、ガス導入管４３に供給される。
載置台８の支持台１１は、下部電極として利用され、シャワープレート３３は、上部電極として利用される。基板処理装置１０は、電力供給装置５１をさらに備えている。電力供給装置５１は、第１高周波電源５２と第１整合器５３と第２高周波電源５４と第２整合器５５とを備えている。第１高周波電源５２は、第１整合器５３を介して載置台８に接続されている。第１高周波電源５２は、第１周波数（例えば、４０ＭＨｚ）の第１高周波を所定の電力で載置台８の支持台１１に供給する。第１整合器５３は、第１高周波電源５２の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させる。第１整合器５３は、処理室５にプラズマが生成されているときに第１高周波電源５２の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。
第２高周波電源５４は、第２整合器５５を介して載置台８に接続されている。第２高周波電源５４は、第１周波数よりも低い第２周波数（例えば、０．４ＭＨｚ）の第２高周波を所定の電力で載置台８に供給する。第２整合器５５は、第２高周波電源５４の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させる。第２整合器５５は、処理室５にプラズマが生成されているときに第２高周波電源５４の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。
基板処理装置１０は、制御部６０をさらに備え得る。制御部６０は、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり得る。制御部６０は、基板処理装置１０の各部を制御する。制御部６０では、入力装置を用いて、オペレータが基板処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御部６０では、表示装置により、基板処理装置１０の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、制御部６０の記憶部には、基板処理装置１０で実行される各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラム、および、レシピデータが格納されている。制御部６０のプロセッサが制御プログラムを実行して、レシピデータに従って基板処理装置１０の各部を制御することにより、所望の処理が基板処理装置１０で実行される。
例えば、制御部６０は、２種類の処理ガスを交互に繰り返して処理を行うように基板処理装置１０の各部を制御する。詳細な一例を挙げると、制御部６０は、天板３５を下げてバルブＶ１，Ｖ２を閉め、ガス拡散室３８の容積を減少させた状態で排気する工程を実行する。制御部６０は、天板３５を上げてガス拡散室３８の容積を増加させ、バルブＶ１を開けて処理ガス供給源４１からガスＡを導入し、ガスＡのプラズマにて、ウェハＷに膜を積層する工程を実行する。制御部６０は、天板３５を下げてバルブＶ１，Ｖ２を閉め、ガス拡散室３８の容積を減少させた状態でガスＡを排気する工程を実行する。制御部６０は、天板３５を上げてガス拡散室３８の容積を増加させ、バルブＶ２を開けて処理ガス供給源４２からガスＢを導入し、ガスＢのプラズマにて、ウェハＷ上の膜をエッチングする工程を実行する。制御部６０は、天板３５を下げてバルブＶ１，Ｖ２を閉め、ガス拡散室３８の容積を減少させた状態でガスＢを排気する工程を実行する。制御部６０は、これらの工程を所望の回数繰り返す。
［基板処理方法］
次に、本実施形態に係る基板処理方法について説明する。図２Ａ〜図２Ｄは、本実施形態における基板処理方法の一例を示す図である。図３は、本実施形態における基板処理装置各部の動作状態の一例を示す図である。なお、図３では、処理の工程を「Ｓｔｅｐ」、天板３５を「Ｌｉｄ」と表し、各工程におけるバルブＶ１〜Ｖ４の状態を表している。また、処理ガス供給源４１，４２は、それぞれガスＡおよびガスＢを供給するものとする。
本実施形態に係る基板処理方法では、まず、制御部６０は、ゲートバルブ３を制御することにより、開口部７を開放する。被処理体となるウェハＷは、開口部７が開放されているときに、開口部７を介してチャンバ１の処理室５に搬入され、載置台８に載置される。制御部６０は、ウェハＷが載置台８に載置された後に、ゲートバルブ３を制御することにより、開口部７を閉鎖する。また、制御部６０は、直流電圧源１７を制御することにより、チャック電極１６に直流電圧を印加する。ウェハＷは、直流電圧がチャック電極１６に印加されるときに、クーロン力により静電チャック１２に保持される。
図２Ａに示すように、制御部６０は、バルブＶ１，Ｖ２を閉め、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を下げ、ガス拡散室３８の容積を減少させる。制御部６０は、開口部７が閉鎖され、ガス拡散室３８の容積が小さくなっているときに、排気装置２を制御することにより、処理室５の雰囲気が所定の真空度になるように、排気口６を介して処理室５から気体を排気する（図３：Ｓｔｅｐ１）。このとき、天板３５は下端位置（Ｌｏｗ）に位置し、バルブＶ１，Ｖ２が閉、バルブＶ３，Ｖ４が開となっている。制御部６０は、排気が完了すると、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を上げる。制御部６０は、天板３５を上端位置（Ｈｉｇｈ）まで移動させ、ガス拡散室３８の容積を増加させる（図３：Ｓｔｅｐ２）。
制御部６０は、ウェハＷが静電チャック１２に保持されているときに、伝熱ガス供給源２５を制御することにより、伝熱ガスを伝熱ガス供給ライン２６に供給し、伝熱ガスを静電チャック１２とウェハＷとの間に供給する。制御部６０は、さらに、チラー２１を制御することにより、所定の温度に冷却された冷媒を冷媒流路１４に循環させ、静電チャック１２を冷却する。このとき、ウェハＷは、静電チャック１２とウェハ２７との間に供給される伝熱ガスを介して、静電チャック１２からウェハＷに伝熱されることにより、ウェハＷの温度が所定の温度範囲に含まれるように、温度調整される。
次に、図２Ｂに示すように、制御部６０は、ウェハＷの温度が所定の温度に調整されているときに、処理ガス供給源４１およびバルブＶ１，Ｖ３を制御することにより、バルブＶ１が開、バルブＶ３が閉となってガスＡがガス導入口４０に供給される。ガスＡは、ガス導入口４０からガス拡散室３８に供給され、ガス拡散室３８で拡散される。ガスＡは、ガス拡散室３８で拡散された後に、複数のガス供給孔３９を介してチャンバ１の処理室５にシャワー状に供給され、処理室５に充填される（図３：Ｓｔｅｐ３）。
制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、プラズマ励起用の第１高周波を載置台８に供給する。処理室５には、載置台８に第１高周波が供給されることにより、プラズマが発生する。ウェハＷは、処理室５に発生したプラズマにより、例えば膜が積層される。制御部６０は、ガスＡによる処理が終了すると、バルブＶ１，Ｖ３を制御することにより、バルブＶ１が閉、バルブＶ３が開となり、ガスＡの供給が停止される（図３：Ｓｔｅｐ４）。また、制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、処理室５に高周波電力が供給されることを停止する。
続いて、図２Ｃに示すように、制御部６０は、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を下げ、ガス拡散室３８の容積を減少させる。制御部６０は、ガス拡散室３８の容積が小さくなっているときに、排気装置２を制御することにより、処理室５からガスＡを排気する（図３：Ｓｔｅｐ５）。このとき、天板３５は下端位置（Ｌｏｗ）に位置し、バルブＶ１，Ｖ２が閉、バルブＶ３，Ｖ４が開となっている。制御部６０は、ガスＡの排気が完了すると、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を上げる。制御部６０は、天板３５を上端位置（Ｈｉｇｈ）まで移動させ、ガス拡散室３８の容積を増加させる（図３：Ｓｔｅｐ６）。
次に、図２Ｄに示すように、制御部６０は、処理ガス供給源４２およびバルブＶ２，Ｖ４を制御することにより、バルブＶ２が開、バルブＶ４が閉となってガスＢがガス導入口４０に供給される。ガスＢは、ガス導入口４０からガス拡散室３８に供給され、ガス拡散室３８で拡散される。ガスＢは、ガス拡散室３８で拡散された後に、複数のガス供給孔３９を介してチャンバ１の処理室５にシャワー状に供給され、処理室５に充填される（図３：Ｓｔｅｐ７）。
制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、プラズマ励起用の第１高周波とバイアス用の第２高周波とを載置台８に供給する。制御部６０は、ガスＡの場合と同様にプラズマを発生させる。プラズマは、載置台８に第２高周波が供給されることにより、ウェハＷに向かって加速される。ウェハＷは、処理室５に発生したプラズマにより、例えば膜がエッチングされる。制御部６０は、ガスＢによる処理が終了すると、バルブＶ２，Ｖ４を制御することにより、バルブＶ２が閉、バルブＶ４が開となり、ガスＢの供給が停止される（図３：Ｓｔｅｐ８）。また、制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、処理室５に高周波電力が供給されることを停止する。制御部６０は、以降、排気、ガスＡによる処理、排気、ガスＢによる処理、排気といった具合に処理を繰り返す。
制御部６０は、一連の繰り返し処理が終了すると、直流電圧源１７を制御することにより、チャック電極１６にウェハＷの吸着時とは正負が逆の直流電圧を印加する。ウェハＷは、逆の直流電圧がチャック電極１６に印加されることにより、除電され、静電チャック１２から剥がされる。制御部６０は、さらに、ゲートバルブ３を制御することにより、開口部７を開放する。ウェハＷは、静電チャック１２に保持されていない場合で、開口部７が開放されているときに、開口部７を介してチャンバ１の処理室５から搬出される。
本実施形態では、処理ガスの排気時に天板３５を下げてガス拡散室３８の容積を減少させるので、処理ガスの排気時間を短縮できる。
［変形例１］
続いて、変形例１に係る基板処理方法について説明する。図４Ａ〜図４Ｄは、変形例１における基板処理方法の一例を示す図である。図４Ａ〜図４Ｄは、基板処理装置１０の載置台８が上下に可動する基板処理装置１０ａを用いた場合の一例である。基板処理装置１０ａでは、基板処理装置１０の支持部材４に代えて、載置台８とチャンバ１の底部とを接続し外部の雰囲気を隔離するベローズ７１を備えている。また、載置台８は、自身を上下に駆動する駆動機構を有する。なお、基板処理装置１０ａでは、基板処理装置１０と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成および動作の説明については省略する。
図５は、変形例１における基板処理装置各部の動作状態の一例を示す図である。なお、図５では、処理の工程を「Ｓｔｅｐ」、載置台８を「Ｓｔａｇｅ」、天板３５を「Ｌｉｄ」と表し、各工程におけるバルブＶ１〜Ｖ４の状態を表している。また、処理ガス供給源４１，４２は、それぞれガスＡおよびガスＢを供給するものとする。
変形例１に係る基板処理方法では、図４Ａに示すように、制御部６０は、バルブＶ１，Ｖ２を閉め、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を下げ、ガス拡散室３８の容積を減少させる。また、制御部６０は、載置台８の駆動機構を制御して載置台８を上げ、処理室５の容積を減少させる。制御部６０は、開口部７が閉鎖され、処理室５およびガス拡散室３８の容積が小さくなっているときに、排気装置２を制御することにより、処理室５の雰囲気が所定の真空度になるように、排気口６を介して処理室５から気体を排気する（図５：Ｓｔｅｐ１）。このとき、載置台８は上端位置（Ｈｉｇｈ）に位置し、天板３５は下端位置（Ｌｏｗ）に位置し、バルブＶ１，Ｖ２が閉、バルブＶ３，Ｖ４が開となっている。制御部６０は、排気が完了すると、載置台８の駆動機構を制御して載置台８を下げ、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を上げる。制御部６０は、載置台８を下端位置（Ｌｏｗ）にまで移動させ、天板３５を上端位置（Ｈｉｇｈ）まで移動させ、ガス拡散室３８の容積を増加させる（図５：Ｓｔｅｐ２）。
次に、図４Ｂに示すように、制御部６０は、処理ガス供給源４１およびバルブＶ１，Ｖ３を制御することにより、バルブＶ１が開、バルブＶ３が閉となってガスＡがガス導入口４０に供給される。ガスＡは、ガス導入口４０からガス拡散室３８に供給され、ガス拡散室３８で拡散される。ガスＡは、ガス拡散室３８で拡散された後に、複数のガス供給孔３９を介してチャンバ１の処理室５にシャワー状に供給され、処理室５に充填される（図５：Ｓｔｅｐ３）。
制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、プラズマ励起用の第１高周波を載置台８に供給する。制御部６０は、プラズマを発生させる。ウェハＷは、処理室５に発生したプラズマにより、例えば膜が積層される。制御部６０は、ガスＡによる処理が終了すると、バルブＶ１，Ｖ３を制御することにより、バルブＶ１が閉、バルブＶ３が開となり、ガスＡの供給が停止される（図５：Ｓｔｅｐ４）。また、制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、処理室５に高周波電力が供給されることを停止する。
続いて、図４Ｃに示すように、制御部６０は、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を下げ、ガス拡散室３８の容積を減少させる。また、制御部６０は、載置台８の駆動機構を制御して載置台８を上げ、処理室５の容積を減少させる。制御部６０は、処理室５およびガス拡散室３８の容積が小さくなっているときに、排気装置２を制御することにより、処理室５からガスＡを排気する（図５：Ｓｔｅｐ５）。このとき、載置台８は上端位置（Ｈｉｇｈ）に位置し、天板３５は下端位置（Ｌｏｗ）に位置し、バルブＶ１，Ｖ２が閉、バルブＶ３，Ｖ４が開となっている。制御部６０は、排気が完了すると、載置台８の駆動機構を制御して載置台８を下げ、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を上げる。制御部６０は、載置台８を下端位置（Ｌｏｗ）にまで移動させ、天板３５を上端位置（Ｈｉｇｈ）まで移動させ、ガス拡散室３８の容積を増加させる（図５：Ｓｔｅｐ６）。
次に、図４Ｄに示すように、制御部６０は、処理ガス供給源４２およびバルブＶ２，Ｖ４を制御することにより、バルブＶ２が開、バルブＶ４が閉となってガスＢがガス導入口４０に供給される。ガスＢは、ガス導入口４０からガス拡散室３８に供給され、ガス拡散室３８で拡散される。ガスＢは、ガス拡散室３８で拡散された後に、複数のガス供給孔３９を介してチャンバ１の処理室５にシャワー状に供給され、処理室５に充填される（図５：Ｓｔｅｐ７）。
制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、プラズマ励起用の第１高周波とバイアス用の第２高周波とを載置台８に供給する。制御部６０は、プラズマを発生させる。ウェハＷは、処理室５に発生したプラズマにより、例えば膜がエッチングされる。制御部６０は、ガスＢによる処理が終了すると、バルブＶ２，Ｖ４を制御することにより、バルブＶ２が閉、バルブＶ４が開となり、ガスＢの供給が停止される（図５：Ｓｔｅｐ８）。また、制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、処理室５に高周波電力が供給されることを停止する。制御部６０は、以降、排気、ガスＡによる処理、排気、ガスＢによる処理、排気といった具合に処理を繰り返す。
変形例１では、処理ガスの排気時に、載置台８を上げて処理室５の容積を減少させ、天板３５を下げてガス拡散室３８の容積を減少させるので、より処理ガスの排気時間を短縮できる。
［変形例２］
続いて、変形例２に係る基板処理方法について説明する。図６Ａ〜図６Ｄは、変形例２における基板処理方法の一例を示す図である。図６Ａ〜図６Ｄは、基板処理装置１０の処理ガス供給源４１，４２とバルブＶ１，Ｖ２との間に、バルブＶ５，Ｖ６と、ガスバッファ４４，４５とを備え、バルブＶ３，Ｖ４を削除した基板処理装置１０ｂの一例である。なお、基板処理装置１０ｂでは、基板処理装置１０と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成および動作の説明については省略する。
図７は、変形例２における基板処理装置各部の動作状態の一例を示す図である。なお、図７では、処理の工程を「Ｓｔｅｐ」、天板３５を「Ｌｉｄ」と表し、各工程におけるバルブＶ１，Ｖ２，Ｖ５，Ｖ６の状態を表している。また、処理ガス供給源４１，４２は、それぞれガスＡおよびガスＢを供給するものとする。
変形例２に係る基板処理方法では、図６Ａに示すように、制御部６０は、バルブＶ１，Ｖ２を閉め、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を下げ、ガス拡散室３８の容積を減少させる。制御部６０は、開口部７が閉鎖され、ガス拡散室３８の容積が小さくなっているときに、排気装置２を制御することにより、処理室５の雰囲気が所定の真空度になるように、排気口６を介して処理室５から気体を排気する（図７：Ｓｔｅｐ１）。このとき、天板３５は下端位置（Ｌｏｗ）に位置し、バルブＶ１，Ｖ２が閉、バルブＶ５，Ｖ６が開となり、ガスバッファ４４，４５にはガスＡ，ガスＢがそれぞれ貯留されている。制御部６０は、排気が完了すると、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を上げる。制御部６０は、天板３５を上端位置（Ｈｉｇｈ）まで移動させ、ガス拡散室３８の容積を増加させる（図７：Ｓｔｅｐ２）。
次に、図６Ｂに示すように、制御部６０は、バルブＶ１を制御することにより、バルブＶ１が開となって、ガスバッファ４４に貯留されたガスＡがガス導入口４０に供給される。ガスＡは、ガス導入口４０からガス拡散室３８に供給され、ガス拡散室３８で拡散される。ガスＡは、ガス拡散室３８で拡散された後に、複数のガス供給孔３９を介してチャンバ１の処理室５にシャワー状に供給され、処理室５に充填される（図７：Ｓｔｅｐ３）。
制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、プラズマ励起用の第１高周波を載置台８に供給する。制御部６０は、プラズマを発生させる。ウェハＷは、処理室５に発生したプラズマにより、例えば膜が積層される。制御部６０は、ガスＡによる処理が終了すると、バルブＶ１を制御することにより、バルブＶ１が閉となり、ガスＡの供給が停止される（図７：Ｓｔｅｐ４）。なお、ガスＡは、バルブＶ１が閉となるので、ガスバッファ４４への貯留が開始される。また、制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、処理室５に高周波電力が供給されることを停止する。
続いて、図６Ｃに示すように、制御部６０は、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を下げ、ガス拡散室３８の容積を減少させる。制御部６０は、ガス拡散室３８の容積が小さくなっているときに、排気装置２を制御することにより、処理室５からガスＡを排気する（図７：Ｓｔｅｐ５）。このとき、天板３５は下端位置（Ｌｏｗ）に位置し、バルブＶ１，Ｖ２が閉、バルブＶ５，Ｖ６が開となっている。制御部６０は、排気が完了すると、天板３５の駆動機構を制御して天板３５を上げる。制御部６０は、天板３５を上端位置（Ｈｉｇｈ）まで移動させ、ガス拡散室３８の容積を増加させる（図７：Ｓｔｅｐ６）。
次に、図６Ｄに示すように、制御部６０は、バルブＶ２を制御することにより、バルブＶ２が開となって、ガスバッファ４５に貯留されたガスＢがガス導入口４０に供給される。ガスＢは、ガス導入口４０からガス拡散室３８に供給され、ガス拡散室３８で拡散される。ガスＢは、ガス拡散室３８で拡散された後に、複数のガス供給孔３９を介してチャンバ１の処理室５にシャワー状に供給され、処理室５に充填される（図７：Ｓｔｅｐ７）。
制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、プラズマ励起用の第１高周波とバイアス用の第２高周波とを載置台８に供給する。制御部６０は、プラズマを発生させる。ウェハＷは、処理室５に発生したプラズマにより、例えば膜がエッチングされる。制御部６０は、ガスＢによる処理が終了すると、バルブＶ２を制御することにより、バルブＶ２が閉となり、ガスＢの供給が停止される（図７：Ｓｔｅｐ８）。また、制御部６０は、電力供給装置５１を制御することにより、処理室５に高周波電力が供給されることを停止する。制御部６０は、以降、排気、ガスＡによる処理、排気、ガスＢによる処理、排気といった具合に処理を繰り返す。
変形例２では、処理ガスの供給時にガスバッファ４４，４５に貯留されたガスＡ，ガスＢを供給するので、処理ガスの排気時間を短縮できるだけでなく、処理ガスの供給時間も短縮できる。すなわち、変形例２では、プロセスの処理時間を短縮できる。
［変形例３］
ガス拡散室３８は、複数の領域、例えば、中心部分と周縁部分とに分割され、それぞれ対応する天板により容積が変更されるような構成とすることができる。図８は、変形例３における基板処理装置の一例を示す図である。図８は、基板処理装置１０のガス拡散室３８を中心部分の第１のガス拡散室３８ａと、周縁部分の第２のガス拡散室３８ｂとに分割し、それぞれ天板３５ａ，３５ｂを設けた基板処理装置１０ｃの一例である。なお、基板処理装置１０ｃでは、基板処理装置１０と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成および動作の説明については省略する。
天板支持部３２ａ，３２ｂは、例えばアルミニウムから形成されている。天板支持部３２ｂは、チャンバ１の側壁上部に配置可能なように円筒形に形成され、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されている。天板支持部３２ａは、天板支持部３２ｂより中心側に位置し、シャワープレート３３ａの中心部分に配置可能なように円筒形に形成され、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されている。天板支持部３２ａ，３２ｂは、それぞれベローズ３７ａ，３７ｂを介して、天板３５ａ，３５ｂと接続されている。
シャワープレート３３ａは、導体で形成され、円板状に形成されている。シャワープレート３３ａは、載置台８に対向するように、かつ、シャワープレート３３ａの下面に沿う平面が載置台８の上面に沿う平面に対して概ね平行であるように、配置されている。シャワープレート３３ａは、さらに、チャンバ１の天井部に形成される開口を閉塞するように、配置されている。シャワープレート３３ａは、シャワープレート３３ａとチャンバ１とが導通されるように、天板支持部３２ｂを介してチャンバ１に支持されている。
天板３５ａ，３５ｂは、導体で形成され、天板３５ａが円板状に、天板３５ｂが天板３５ａと同心円であるドーナツ状に形成されている。天板３５ａ，３５ｂは、シャワープレート３３ａに対向するように、かつ、天板３５ａ，３５ｂの下面に沿う平面がシャワープレート３３ａの上面に沿う平面に対して概ね平行であるように、配置されている。また、天板３５ａ，３５ｂは、それぞれ図示しない駆動機構を有する。シール材３６ａ，３６ｂは、それぞれ天板３５ａ，３５ｂの周縁部と、天板支持部３２ａ，３２ｂとの間の気密を保ちつつ、天板３５ａ，３５ｂを上下に動かした際に、天板３５ａ，３５ｂとともに移動する。天板３５ａ，３５ｂは、天板支持部３２ａ，３２ｂ、シャワープレート３３ａ、および、シール材３６ａ，３６ｂとともに、第１のガス拡散室３８ａと、第２のガス拡散室３８ｂとを形成している。
ベローズ３７ａ，３７ｂは、伸縮可能に形成される。ベローズ３７ａ，３７ｂは、それぞれ天板支持部３２ａ，３２ｂの上部に設けられたフランジと、天板３５ａ，３５ｂの上面とを接続している。天板３５ａ，３５ｂは、それぞれ駆動機構によって上下に移動される。すなわち、基板処理装置１０ｃでは、天板３５ａ，３５ｂをそれぞれ上下動させることで、第１のガス拡散室３８ａおよび第２のガス拡散室３８ｂの容積をそれぞれ変更可能である。
シャワープレート３３ａには、処理室５と、第１のガス拡散室３８ａまたは第２のガス拡散室３８ｂとを連通させる複数のガス供給孔３９が形成されている。ガス導入口４６は、天板３５ａの中央に形成され、第１のガス拡散室３８ａに連通している。ガス導入口４７は、天板３５ｂの周縁部に形成され、第２のガス拡散室３８ｂに連通している。
基板処理装置１０ｃでは、処理ガス供給源４１，４２は、バルブＶ７，Ｖ８をそれぞれ有するガス管とガス導入管とを介して、それぞれガス導入口４６，４７に接続されている。つまり、ガス導入管は、第１のガス拡散室３８ａにガスを導入する第１のガス導入管と、第２のガス拡散室３８ｂにガスを導入する第２のガス導入管とを有する。処理ガス供給源４１と第１のガス導入管は、バルブＶ７を有する第１のガス管を介して接続される。第１のガス導入管は、ガス導入口４６に接続されている。処理ガス供給源４２と第２のガス導入管は、バルブＶ８を有する第２のガス管を介して接続される。第２のガス導入管は、ガス導入口４７に接続されている。
処理ガス供給源４１，４２は、所定の処理ガスをガス導入口４６，４７に供給する。基板処理装置１０ｃでは、例えば、種類が同一の処理ガスであるが、濃度の異なる処理ガスを、それぞれ処理ガス供給源４１，４２から供給し、第１のガス拡散室３８ａおよび第２のガス拡散室３８ｂにそれぞれ供給することができる。なお、基板処理装置１０ｃでは、種類の異なる処理ガスを、第１のガス拡散室３８ａおよび第２のガス拡散室３８ｂにそれぞれ供給するようにしてもよい。つまり、基板処理装置１０ｃは、複数の処理ガスを同時に処理室５に供給できる。
なお、上述の基板処理方法では、処理ガスの排気時に天板３５を下げることで処理ガスの排気時間を短縮したが、これに限定されない。例えば、天板３５は下げずに、載置台８を上げることで処理室５の容積を減少させて処理ガスの排気時間を短縮するようにしてもよい。
以上、本実施形態によれば、基板処理装置１０は、処理室５と、ガス供給部３１と、ガス導入管４３と、ガス供給源とを備える。処理室５は、基板を収容する。ガス供給部３１は、ガス拡散室３８、および、ガス拡散室３８と処理室５とを連通させる複数のガス穴（ガス供給孔３９）を有する。ガス導入管４３は、ガス供給部３１のガス拡散室３８内にガスを導入するための少なくとも１つのガス導入管である。ガス供給源は、ガス導入管４３と接続され、ガス導入管４３にガスを供給する。また、ガス供給部３１は、ガス拡散室３８内の容積を変更する容積可変機構を有する。その結果、処理ガスの排気時間を短縮できる。
また、本実施形態によれば、ガス拡散室３８は天板３５を有し、容積可変機構は、天板３５を上下動させることにより容積を変更する。その結果、ガス拡散室３８内の処理ガスの排気時間を短縮できる。
また、本実施形態によれば、処理室５は天板支持部３２を有し、天板３５と天板支持部３２とを接続する伸縮部（ベローズ３７）を有する。その結果、天板３５を上下に動かすことができる。
また、本実施形態によれば、ガス導入管４３は、一部が伸縮可能または可動に構成される。その結果、天板３５を上下に動かしても、処理ガスを供給できる。
また、本実施形態によれば、処理ガス供給源は、第１のガスを供給する第１のガス供給源と、第２のガスを供給する第２のガス供給源とを有する。その結果、複数の処理ガスそれぞれの排気時間を短縮できる。
また、本実施形態によれば、第１のガス供給源とガス導入管４３は、第１のバルブを有する第１のガス管を介して接続され、第２のガス供給源とガス導入管４３は、第２のバルブを有する第２のガス管を介して接続される。その結果、複数の処理ガスを供給できる。
また、変形例２によれば、第１のバルブと第１のガス供給源との間に第１のガスバッファが設けられ、第２のバルブと第２のガス供給源との間に第２のガスバッファが設けられる。その結果、処理ガスの供給時間を短縮できる。
また、変形例３によれば、ガス拡散室は、複数の領域に分割された天板３５ａ，３５ｂを有し、複数の天板にそれぞれ対応する第１のガス拡散室３８ａと第２のガス拡散室３８ｂとに分割される。ガス導入管は、第１のガス拡散室３８ａにガスを導入する第１のガス導入管と、第２のガス拡散室３８ｂにガスを導入する第２のガス導入管とを有する。第１のガス供給源と第１のガス導入管は、第１のバルブを有する第１のガス管を介して接続される。第２のガス供給源と第２のガス導入管は、第２のバルブを有する第２のガス管を介して接続される。容積可変機構は、複数の天板３５ａ，３５ｂをそれぞれ上下動させることにより、第１のガス拡散室３８ａおよび第２のガス拡散室３８ｂの容積をそれぞれ変更する。その結果、複数の処理ガスを同時に処理室５に供給できる。
また、変形例１によれば、処理室５内に設けられた基板を載置する載置台８と、載置台８を上下動させる駆動機構を有する。その結果、処理室５の容積を減少させ、より処理ガスの排気時間を短縮できる。
また、本実施形態によれば、基板処理方法は、第１のガスをガス拡散室３８に供給する第１ガス供給工程と、ガス拡散室３８の体積を減少させる圧縮工程と、ガス拡散室３８の体積を増加させる膨張工程とを有する。その結果、処理ガスの排気時間を短縮できる。
また、本実施形態によれば、膨張工程の後に、第２のガスをガス拡散室３８に供給する第２ガス供給工程を有する。その結果、複数の処理ガスを切り替えて処理を行うことができる。
また、変形例１によれば、第１ガス供給工程の前に、基板を載置する載置台８を下降させる下降工程を有する。その結果、処理室５の容積を確保できる。
また、変形例１によれば、第１ガス供給工程と第２ガス供給工程との間に、載置台８を上昇させる上昇工程を有する。その結果、第２ガス供給工程の前に、処理室５の容積を確保できる。
また、本実施形態によれば、第１ガス供給工程と圧縮工程との間に、第１のガスのガス拡散室３８への供給を停止する第１ガス停止工程を有する。その結果、ガス拡散室３８内の第１のガスを処理室５に供給できる。
また、本実施形態によれば、第２ガス供給工程の後に、第２のガスのガス拡散室３８への供給を停止する第２ガス停止工程と、ガス拡散室３８の体積を減少させる第２の圧縮工程とを有する。その結果、ガス拡散室３８内の第２のガスを処理室５に供給できるとともに、第２のガスの排気時間を短縮できる。
また、本実施形態によれば、第２の圧縮工程の後に、ガス拡散室３８の体積を増加させる第２の膨張工程を有する。その結果、次の第１ガス供給工程において、第１のガスをガス拡散室３８に供給できる。
また、本実施形態によれば、第１ガス供給工程から第２の膨張工程までの工程を複数回繰り返す。その結果、繰り返し処理における処理ガスの排気時間を短縮できる。
また、変形例２によれば、第１ガス供給工程は、第１のガスをガス拡散室３８の手前に接続された第１のガスバッファ４４に貯め、第１のガスをガス拡散室３８に供給する際に、第１のガスバッファ４４に貯められた第１のガスをガス拡散室３８に供給する。その結果、処理ガスの排気時間を短縮できるだけでなく、処理ガスの供給時間も短縮できる。
また、変形例２によれば、第２ガス供給工程は、第２のガスをガス拡散室３８の手前に接続された第２のガスバッファ４５に貯め、第２のガスをガス拡散室３８に供給する際に、第２のガスバッファ４５に貯められた第２のガスをガス拡散室３８に供給する。その結果、処理ガスの排気時間を短縮できるだけでなく、処理ガスの供給時間も短縮できる。
今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形体で省略、置換、変更されてもよい。
また、上記した実施形態では、基板処理装置１０の一例として、容量結合型プラズマ処理装置を挙げたが、これに限定されない。プラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ、マイクロ波プラズマ、マグネトロンプラズマ等、任意のプラズマ源を用いることができる。
また、上記した実施形態では、基板処理装置１０の一例として、プラズマ処理装置を挙げたが、これに限定されない。例えば、プラズマを用いずに、原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法のような複数の処理ガスを交互に繰り返して処理を行う基板処理装置にも適用することができる。
１ チャンバ
２ 排気装置
４ 支持部材
５ 処理室
６ 排気口
８ 載置台
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ 基板処理装置
１１ 支持台
１２ 静電チャック
２１ チラー
２５ 伝熱ガス供給源
３１ ガス供給部
３２，３２ａ，３２ｂ 天板支持部
３３，３３ａ シャワープレート
３５，３５ａ，３５ｂ 天板
３６，３６ａ，３６ｂ シール材
３７，３７ａ，３７ｂ ベローズ
３８ ガス拡散室
３８ａ 第１のガス拡散室
３８ｂ 第２のガス拡散室
３９ ガス供給孔
４０，４６，４７ ガス導入口
４１，４２ 処理ガス供給源
４３ ガス導入管
４４，４５ ガスバッファ
５１ 電力供給装置
６０ 制御部
７１ ベローズ
Ｖ１〜Ｖ８ バルブ
Ｗ ウェハ

Claims (19)

  1. 基板を収容する処理室と、
    ガス拡散室、および、前記ガス拡散室と前記処理室とを連通させる複数のガス穴を有するガス供給部と、
    前記ガス供給部の前記ガス拡散室内にガスを導入するための少なくとも１つのガス導入管と、
    前記ガス導入管と接続され、前記ガス導入管に前記ガスを供給するガス供給源と、を備え、
    前記ガス供給部は、
    前記ガス拡散室内の容積を変更する容積可変機構を有する基板処理装置。
  2. 前記ガス拡散室は天板を有し、
    前記容積可変機構は、前記天板を上下動させることにより容積を変更する、
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記処理室は天板支持部を有し、
    前記天板と前記天板支持部とを接続する伸縮部を有する、
    請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記ガス導入管は、一部が伸縮可能または可動に構成される、
    請求項１〜３のいずれか１つに記載の基板処理装置。
  5. 前記ガス供給源は、第１のガスを供給する第１のガス供給源と、第２のガスを供給する第２のガス供給源とを有する、
    請求項１〜４のいずれか１つに記載の基板処理装置。
  6. 前記第１のガス供給源と前記ガス導入管は、第１のバルブを有する第１のガス管を介して接続され、
    前記第２のガス供給源と前記ガス導入管は、第２のバルブを有する第２のガス管を介して接続される、
    請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記第１のバルブと前記第１のガス供給源との間に第１のガスバッファが設けられ、
    前記第２のバルブと前記第２のガス供給源との間に第２のガスバッファが設けられる、
    請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記ガス拡散室は、複数の領域に分割された天板を有し、複数の前記天板にそれぞれ対応する第１のガス拡散室と第２のガス拡散室とに分割され、
    前記ガス導入管は、前記第１のガス拡散室にガスを導入する第１のガス導入管と、前記第２のガス拡散室にガスを導入する第２のガス導入管とを有し、
    前記第１のガス供給源と前記第１のガス導入管は、第１のバルブを有する第１のガス管を介して接続され、
    前記第２のガス供給源と前記第２のガス導入管は、第２のバルブを有する第２のガス管を介して接続され、
    前記容積可変機構は、複数の前記天板をそれぞれ上下動させることにより、前記第１のガス拡散室および前記第２のガス拡散室の容積をそれぞれ変更する、
    請求項５に記載の基板処理装置。
  9. 前記処理室内に設けられた基板を載置する載置台と、
    前記載置台を上下動させる駆動機構を有する、
    請求項１〜８のいずれか１つに記載の基板処理装置。
  10. 第１のガスをガス拡散室に供給する第１ガス供給工程と、
    前記ガス拡散室の体積を減少させる圧縮工程と、
    前記ガス拡散室の体積を増加させる膨張工程と、
    を有する基板処理方法。
  11. 前記膨張工程の後に、第２のガスを前記ガス拡散室に供給する第２ガス供給工程を有する、
    請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 前記第１ガス供給工程の前に、基板を載置する載置台を下降させる下降工程を有する、
    請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 前記第１ガス供給工程と前記第２ガス供給工程との間に、前記載置台を上昇させる上昇工程を有する、
    請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 前記第１ガス供給工程と前記圧縮工程との間に、前記第１のガスの前記ガス拡散室への供給を停止する第１ガス停止工程を有する、
    請求項１１〜１３のいずれか１つに記載の基板処理方法。
  15. 前記第２ガス供給工程の後に、前記第２のガスの前記ガス拡散室への供給を停止する第２ガス停止工程と、
    前記ガス拡散室の体積を減少させる第２の圧縮工程と、を有する、
    請求項１１〜１４のいずれか１つに記載の基板処理方法。
  16. 前記第２の圧縮工程の後に、前記ガス拡散室の体積を増加させる第２の膨張工程を有する、
    請求項１５に記載の基板処理方法。
  17. 前記第１ガス供給工程から前記第２の膨張工程までの工程を複数回繰り返す、
    請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 前記第１ガス供給工程は、前記第１のガスを前記ガス拡散室の手前に接続された第１のガスバッファに貯め、前記第１のガスを前記ガス拡散室に供給する際に、前記第１のガスバッファに貯められた前記第１のガスを前記ガス拡散室に供給する、
    請求項１１〜１７のいずれか１つに記載の基板処理方法。
  19. 前記第２ガス供給工程は、前記第２のガスを前記ガス拡散室の手前に接続された第２のガスバッファに貯め、前記第２のガスを前記ガス拡散室に供給する際に、前記第２のガスバッファに貯められた前記第２のガスを前記ガス拡散室に供給する、
    請求項１１〜１８のいずれか１つに記載の基板処理方法。
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